JPH04158553A - 配線構体及びその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体集積回路装Ｃを構成するのに適用して
好適な配線構体及びその製法に関する。

【従来の技術】

従来、第６図及び第７図を伴って次に述べる配線構体が
提案されている。 すなわち、平らな表面１ａを有する半絶縁性半導体基板
１上に、第１の配線Ｍ２が形成され、また、半絶縁性半
導体基板１上に、第２の配線層３が、第１の配線層２を
間隙４を介して橋架して延長するように形成されている
。 以上が、従来提案されている配線構体の構成である。 このような構成を有する従来の配線構体は、第１及び第
２の配線１ｉ２及び３が立体交叉させている。

【発明が解決しようとする課題】

第５図及び第６図に示す従来の配線構体の場合、半絶縁
性半導体基板１上に、第１の配ｍ１層２を形成して後、
半絶縁性半導体基板１上に、第１の配線層を覆って延長
している例えばフォトレジストでなるマスク層を形成し
、次に、第２の配線層３をそのマスク層上に延長して形
成し、次に、マスク層を溶去することによって形成され
るが、この場合、マスク層が半絶縁性半導体基板１上に
、第１の配線層２による凹凸の影響を受けて形成される
ため、そのマスク層を所望のパターンに高精度に形成す
ることができないため、１ｉ１１４を良好に形成するこ
とができない、などの欠点を有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新炭な配線構
体及びその製法を提案せんとするものである。

【課題を解決するための手段】

本願第１番目の発明による配線構体は、■半絶縁性半導
体基板に、その主面側において、配線用溝が形成され、
そして、■上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配Ｉｉ
層が、上記配線用溝内に延長するように形成され、また
、■上記半絶縁性半導体基板上に、第２の配線層が、上
記第１の配線層を橋梁して延長するように形成されてい
る。 本願第２番目の発明による配線構体の製法は、■半絶縁
性半導体基板に、その主面側において、配線用溝を形成
する工程と、■上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配
線層を、上記配線用溝内に延長するように形成する工程
と、■上記半絶縁性半導体基板上に、埋込層を、上記配
線用溝内を上記第１の配線層を覆って埋めるように形成
する工程と、■上記半絶縁性半導体基板上に、第２の配
線層を、上記第１の配線層を上記埋込層を介して橋架し
て延長するように形成する工程とを有する。 本願第３番目の発明による配線構体の製法は、■半絶縁
性半導体基板上に、第１及び第２の配線層と、それら間
に延長している第３の配線層とを形成する工程と、■上
記半絶縁性半導体基板上に、上記第１、第２及び第３の
配線層を覆って延長し且つ上記第１及び第２の配線層上
において第１及び第２の窓を有する第１のマスク層を形
成する工程と、■上記第１のマスク層をマスクとする電
解鍍金法によって、第１及び第２の窓内に第１及び第２
の金属層を形成する工程と、■上記半絶縁性半導体基板
上に、上記第１のマスク層、及び上記第１及び第２の金
属層を覆って延長し且つ上記第１及び第２の金属層上及
び上記第１のマスク層の上記第１及び第２の金属層間上
において連続している第３の窓を有する第２のマスク層
を形成する工程と、■上記第２のマスク層をマスクとす
る電解鍍金法によって、上記第３の窓内に第３の金属層
を形成する工程と、■上記第１及び第２のマスク層を除
去する工程とを有する。

【実施例１］ 第１図及び第２図は、本発明による配線構体の実施例を
示し、次に述べる構成を有する。 すなわち、半絶縁性半導体基板１に、その主面１ａ側に
おいて、配線用溝５が形成されている。 また、半絶縁性半導体基板１上に、第１の配線層２が、
配線用溝５内に延長するように形成されている。 さらに、半絶縁性半導体基板１上に、第２の配線層３が
、上記第１の配線層２を橋架して延長するように形成さ
れている。 以上が、本発明による配線構体の実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による配線構体によれば
、それを、【実施例２】の本発明による配線構体の製法
によって製造することができることから、第５図及び第
６図で上述した従来の配線構体の欠点を有しない。

【実施例２】 第３図は、第１図及び第２図に示す本発明による配線構
体に適用した場合の本発明による配線構体の製法を示し
、次に述べる順次の工程を有する。 すなわち、半絶縁性半導体基板１に、例えばフォトレジ
ストでなり且つ窓７を有するマスク層６を形成する（第
３図Ａ）。 次に、半絶縁性半導体基板１に対するマスク層６をマス
クとする塩素ガスを用いたドライエツチング処理によっ
て、半絶縁性半導体基板１の主面１ａ側において、配線
用溝５を形成する（第３図Ｂ）。 次に、マスク層６を除去する（第３図Ｃ）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１の配線層２を、
配線用溝５内に延長するように形成する（第３図Ｄ）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、例えばフォトレジス
トでなる埋込層８を、配線用溝５内を第１の配線層２を
覆って埋めるように形成する（第３図Ｅ）。この場合、
埋込層８を、その上面が半絶縁性半導体基板１の主面１
ａと同じ高さとなるように形成するのを可とする。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第２の配線層４を、
第１の配線層２を埋込層８を介して橋架して延長するよ
うに形成する（第３図Ｆ）。 以上が、本発明による配線構体の製法の実施例である。

【実施例３１ 次に、第４図を伴って、本発明による配線構体の製法の
他の実施例を述べよう。 半絶縁性半導体基板１上に、第１及び第２の配線層１１
及び１２と、それら間に延長している第３の配線層１３
とを形成する（第４図Ａ）。 次に、絶縁膜１４を形成する（第４図Ｂ）。 次に、全面に導電性層１５を形成する（第４図Ｃ）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１、第２及び第３
の配線層１１．１２及び１３を覆って延長し且つ第１及
び第２の配線層１１及び１２上において第１及び第２の
窓１７及び１８を有する第１のマスク層１９を形成する
（第４図Ｄ）。 次に、第１のマスク層１９をマスクとする電解鍍金法に
よって、第１及び第２の窓１７及び１８内に第１及び第
２の金属層２１及び２２を形成する（第４図Ｅ）。 次に、全面に導電性層２４を形成する（第４図Ｆ）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１のマスフ層１９
、及び第１及び第２の金ｍ層２１及び２２を覆って延長
し且つ第１及び第２の金属層２１及び２２上及び第１の
マスク［１１９の第１及び第２の金属１１２１及び２２
間上において導電性８２４を介して連続している第３の
窓３０を有する第２のマスク層３１を形成する（第４図
Ｇ）。 次に、第２のマスク層３１をマスクとする電解鍍金法に
よって、第３の窓３０内に第３の金属層３２を形成。 次に、第１及び第２のマスク層１９及び３１を除去する
。 以上が、本発明による配線構体の製法の他の実施例であ
る。 このような本発明による配線構体の製法によれば、ブリ
ッジ型の配線構体を容易に形成することができる。 【図面の簡単な説明】 第１図及び第２図は、本発明による配線構体の実施例を
示す路線的平面図及びその断面図である。 第３図は、本発明による配線構体の製法の実施例を示す
順次の工程における路線的断面図である。 第４図は、本発明による配線構体の製法の他の実施例を
示す順次の工程における路線的断面図である。 第５図及び第６図は、従来の配線構体を示す路線的平面
図及びその断面図である。 出願人　　日本電信電話株式会社 ２＼ 代理人　　弁理士　１）中　正　治　　、・第ａ因 第８図 第８図 手続補正書 平成２年１１月３０日 特許庁長官　植　松　　　敏　殿 １、事件の表示　特願平０２−２８３７９２号２、発明
の名称　配線構体及びその製法：３．補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名　称　
（４２２）日本電信電話株式会社代表者　児　島　　　
仁 ４、代理人 住　所　〒１００東京都千代田区永田町２丁目４番７号
　秀和永田町レジデンス５０２号５、補正命令の日付　
自発補正 ６、補正により増加する請求項の数　　なし明　　　　
細　　　　書 １、発明の名称　　　配線構体及びその製法２、特許請
求の範囲

【請求項１１ 半絶縁性半導体基板に、その主面側において、配線用溝
が形成され、 上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配線層が、上記配
線用溝内に延長するように形成され、上記半絶縁性半導
体基板上に、第２の配線層が、上記第１の配線層を橋架
して延長するように形成されていることを特徴とする配
線構体。 【請求項２］ 半絶縁性半導体基板に、その主面側において、配線用溝
を形成する工程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配線層を、上記配
線用溝内に延長するように形成する工程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、埋込層を、上記配線用溝
内を上記第１の配線層を覆って埋めるように形成する工
程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、第２の配線層を、上記第
１の配線層を上記埋込層を介して橋架して延長するよう
に形成する工程とを有することを特徴とする配線構体の
製法。 ［１を積項３］ 【請求項２】において、 上記配線用溝を形成する工程が、上記半絶縁性半導体基
板上に、その主面上において、マスク層を形成する工程
と、上記半絶縁性半導体基板に対する、上記マスク層を
マスクとするｊ：Ａ素系ガスを用いたドライエツチング
処理によって、上記半絶縁性半導体基板に、上記主面側
に開いている溝を、上記配線用溝として形成する工程と
を有することを特徴とする配線構体の製法。 ［１求項４］ 半絶縁性半導体基板上に、第１及び第２の配線層と、そ
れら間に延長している第３の配線層とを形成する工程と
、 上記半絶縁性半導体基板上に、上記第１、第２及び第３
の配線層を覆って延長し且つ上記第１及び第２の配線層
上において第１及び第２の窓を有する第１のマスク層を
形成する工程と、上記第１のマスク層をマスクとする電
解鍍金法によって、上記第１及び第２の窓内に第１及び
第２の金属層を形成する工程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、上記第１のマスク層、及
び上記第１及び第２の金属層を覆って延長し且つ上記第
１及び第２の金属層上及び上記第１のマスク層の上記第
１及び第２の金属層間上において連続している第３の窓
を有する第２のマスク層を形成する工程と、 上記第２のマスク層をマスクとする電解鍍金法によって
、上記第３の窓内に第３の金属層を形成する工程と、 上記第１及び第２のマスク層を除去する工程とを有する
ことを特徴とする配線構体の製法。 ３、発明の詳細な説明

【産業上の利用分野】

本発明は、半導体集積回路装置を構成するのに適用して
好適な配線構体、及びその製法に関する。

【従来の技術】

従来、第５図及び第６図を伴って次に述べる配線構体が
提案されている。 すなわち、平らな主面１ａを有する半絶縁性半導体基板
１上に、第１の配線層２が形成され、また、半絶縁性半
導体基板１上に、第２の配線層３が、第１の配線層２を
空隙４を介して橋架して延長するように形成されている
。 以上が、従来提案されている配線構体の構成である。 このような構成を有する従来の配線構体は、第１及び第
２の配線層２及び３が立体交叉している構成を有し、従
って、半導体集積回路装置を構成する配線構体に適用す
ることによって、その半導体集積回路装置を高密度に構
成することができる。

【発明が解決しようとする課題】

第５図及び第６図に示す従来の配線構体は、半絶縁性半
導体基板１の平らな主面１ａ上に、第１の配線層２を形
成して後、半絶縁性半導体基板１上に、第１の配線層２
を覆って延長している例えばフォトレジストでなるマス
ク層を形成し、次に、第２の配線層３をそのマスク層上
に延長して形成し、次に、マスク層を溶去することによ
って、形成することができる。 しかしながら、この場合、マスク層を、半絶縁性半導体
基板１上に、第１の配線層２を形成して後に形成するの
で、そのマスク層を、半絶縁性半導体基板１上の第１の
配線層２による凹凸の影響を受けることなしに形成する
ことができず、このため、そのマスク層を、十分厚く、
所望のパターンに高精度に形成することが困難であり、
従って、第１及び第２の配線層２及び４間の空隙４を、
十分大きく、良好に形成することが困難であった。 従って、第５図及び第６図に示す従来の配線構体の場合
、第１及び第２の配線層２及び３間の望ましくない静電
容量を十分小にすることが、困難であった。 また、第５図及び第６図に示す従来の配線構体の場合、
第２の配線Ｈ３が、第１の配線Ｈ２との立体交叉位置に
おいて、半絶縁性半導体基板１上の第１の配線層２によ
る凹凸によって折曲っているのが予価なくされているの
で、第２の配線層３が、第１の配線層２との立体交叉位
置において、断線を生ずる、というおそれを有していた
。 従って、第５図及び第６図に示す従来の配線構体の場合
、配線構体としての信頼性が低かった。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な配線構
体、及びその製法を提案せんとするものである。

【課題を解決するだめの手段１ 本願第１番目の発明による配線構体は、■半絶縁性半導
体基板に、その主面側において、配線用溝が形成され、
そして、■上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配線層
が、上記配線用溝内に延長するように形成きれ、また、
■上記半絶縁性半導体基板上に、第２の配線層が、上記
第１の配線層を橋架して延長するように形成されている
。 本願第２番目の発明による配線構体の製法は、■半絶縁
性半導体基板に、その主面側において、配線用溝を形成
する工程と、■上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配
線層を、上記配線用溝内に延長するように形成する工程
と、■上記半絶縁性半導体基板上に、埋込層を、上記配
線用溝内を上記第１の配線層を覆って埋めるように形成
する工程と、■上記半絶縁性半導体基板上に、第２の配
線層を、上記第１の配線層を上記埋込層を介して橋架し
て延長するように形成する工程とを有する。 本願第３番目の発明による配線構体の製法は、本願第２
番目の発明による配線構体の製法において、上記配線用
溝を形成する工程が、■上記半絶縁性半導体基板上に、
その主面上において、マスク層を形成する工程と、■上
記半絶縁性半導体基板に対する、上記マスク層をマスク
とするｊＦＡｉ系ガスを用いたドライエツチング処理に
よって、上記半絶縁性半導体基板に、上記主面側に開い
ている溝を、上記配線用溝として形成する工程とを有す
る。 本願第４番目の発明による配線構体の製法は、■半絶縁
性半導体基板上に、第１及び第２の配線層と、それら間
に延長している第３の配線層とを形成する工程と、■上
記半絶縁性半導体基板上に、上記第１、第２及び第３の
配Ｉ！層を覆って延長し且つ上記第１及び第２の配線層
上において第１及び第２の窓を有する第１のマスク層を
形成する工程と、■上記第１のマスク層をマスクとする
電解鍍金法によって、上記第１及び第２の窓内に第１及
び第２の金属層を形成する工程と、■上記半絶縁性半導
体基板上に、上記第１のマスク層、及び上記第１及び第
２の金属層を覆って延長し且つ上記第１及び第２の金属
層上及び上記第１のマスク層の上記第１及び第２の金属
層間上において連続している第３の窓を有する第２のマ
スク層を形成する工程と、■上記第２のマスク層をマス
クとする電解鍍金法によって、上記第３の窓内に第３の
金属層を形成する工程と、■上記第１及び第２のマスク
層を除去する工程とを有する。 【作用・効果】 本願第１番目の発明による配線構体も、第５図及び第６
図で上述した従来の配線構体の場合と同様に、第１及び
第２の配線層が立体交叉している構成を有し、従って、
第５図及び第６図で上述した従来の配線構体の場合と同
様に、半導体集積回路装置を構成する配線構体に適用す
ることによって、その半導体ｔｌ：Ｖ４回路装置を高密
度に構成することができる。 しかしながら、本願第１番目の発明による配線構体は、
本願第２番目の発明または本願第３番目の発明による配
線構体の製法によって形成することができ、そして、こ
の場合、配線用溝を形成するのに用いるマスク層を、半
絶縁性半導体基板上に、第１の配線層を形成する前に形
成するので、そのマスク層を、第５図及び第６図で上述
した従来の配線構体の場合のように、第１の配線層によ
る凹凸の影響を受けることなしに形成することができな
い、ということがなく、このため、マスク層を、所望の
パターンに高精度に容易に形成することができ、従って
、配線用溝を、十分深く、所望のパターンに高精度に容
易に形成することができ、よって、第１及び第２の配線
層間の間隔を、十分大きく、良好に容易に形成すること
ができる。 従って、本願第１番目の発明による配線構体によれば、
第１及び第２の配線ＨＨの望ましくない静電容重を、第
５図及び第６図で上述した従来の配線構体の場合に比し
十分小さくすることができる。 また、本願第１番目の発明による配線構体の場合、第１
の配線層が、配線用溝内において形成されているので、
第２の配線層が、第１の配線層との立体交叉位置におい
て、半絶縁性半導体基板上の第１の配線層による凹凸に
よって折曲っているのが予価なくされている、というこ
とがなく、このため、第２の配線層が、第１の配線層と
の立体交叉位置において、断線を生ずる。というおそれ
を有しない。 従って、本願第１番目の発明による配線構体は、第５図
及び第６図で上述した従来の配線構体の場合に比し高い
信頼性を有する。 本願第２番目の発明による配線構体の製法によれば、上
述した本願第１番目の発明による配線構体を製造するこ
とができる。 そして、その配線構体は、本願第１番目の発明による配
線構体で述べたように、第１及び第２の配線層が立体交
叉している構成を有するので、半導体集積回路装置を構
成する配線構体に適用することによって、その半導体集
積回路装置を高密度に構成することができる。 従って、本願第２番目の発明による配Ｉ！構体の製法は
、半導体集積回路Ｖ；、置を構成する配線構体の製法に
適用して好適である。 また、本願第２番目の発明による配線構体の製法によれ
ば、マスク層を、半絶縁性半導体基板上に、第１の配線
層を形成する前に形成するので、そのマスク層を、第５
図及び第６図で上述した従来の配線構体の場合のように
、第１の配線層による凹凸の影響を受けることなしに形
成することができない、ということがなく、このため、
マスク層を、所望のパターンに高精度に容易に形成する
ことができ、従って、配線用溝を、十分深く、所望のパ
ターンに高精度に容易に形成することができ、よって、
第１及び第２の配線層間の間隔を十分大きく、良好に容
易に形成することができる。 従って、本願第２番目の発明による配線構体の製法によ
れば、第１及び第２の配線層間の静電容１の十分量さな
配線構体を、容易に製造することができる。 また、本願第２番目の発明による配線構体の製法によれ
ば、第１の配線層を、配線用溝内において形成し、そし
て、第２の配線層を、配線用溝を埋めている埋込層上に
延長して形成するので、その第２の配線層を、折曲って
いないまたはわずかじか折曲っていないものとして、容
易に形成することができ、このため、第２の配線層を、
第１の配線層との立体交叉位置においても、断線の生ず
るおそれなく、容易に形成することができる。 従って、本願第２番目の発明による配線構体の製法によ
れば、配線構体を、高い信頼性を有するものとして、容
易に製造することができる。 本願第３番目の発明による配線構体の製法によれば、半
絶縁性半導体基板に、配線用溝を、半絶縁性半導体基板
上に形成したマスク層をマスクとする塩素系ガスを用い
たドライエツチング処理によって形成するので、その配
線用溝を、半絶縁性半導体基板の主面側に開いている渦
に形成することができ、このため、その配線用溝内に延
長している第１の配線層を形成する工程において、その
第１の配線層を、配線用溝内から半絶縁性半導体基板の
主面上に延長させても、その第１の配線層に急激な折曲
りが生ぜず、従って、第１の配線層に断線が生ずるおそ
れを有しない。 本願第４番目の発明による配線構体の製法によれば、半
絶縁性半導体基板上に、第３の配線層が形成され、また
、半絶縁性半導体基板上に、第１及び第２の配線層と第
１、第２及び第３の金属層とによる第４の配線層が空隙
を介して第３の配線層を橋架して延長するように形成さ
れている構成を有する配線構体を製造することができる
。 そして、その配線構体は、第３及び第４の配線層が立体
交叉している構成を有するので、半導体集積回路装置を
構成する配線構体に適用することによって、その半導体
集積回路装置を高密度に構成することができる。 従って、本願第４番目の発明による配線構体の製法も、
半導体集積回路装置を構成する配線構体の製法に適用し
て好適である。 また、本願第４番目の発明による配線構体の製法によれ
ば、第１及び第２の金属層を、半絶縁性半導体基板上に
第１〜第３の配線層を覆つて延長している第１のマスク
層の第１及び第２の配線層上の第１及び第２の窓内に、
電界鍍金法によって形成するので、第１のマスク層の厚
さを厚くすることによって、第１及び第２の金属層を十
分厚く容易に形成することができ、従って、第３及び第
４の配線層間の空隙を、十分大きく、良好に容易に形成
することができる。 従って、本願第２番目の発明による配線構体の製法によ
っても、第３及び第４の配線層間の静電容１の十分量さ
な配線構体を、容易に製造することができる。 また、本願第４番目の発明による配線構体の製法によれ
ば、第４の配線層を一本の連続した配線層としてみた場
合、その配線層を、第３の配線層との立体交叉位置にお
いて折曲げて形成しているということができる。しかし
ながら、その配線層を、実際的には、半絶縁性半導体基
板上に形成された第１及び第２の配線層と、それら第１
及び第２の配線層を覆って延長して形成している第１の
マスク層の第１及び第２の配線層上の第１及び第２の窓
内に形成された第１及び第２の金属層と、第１及び第２
の金属層間に連続延長して形成されている第２のマスク
層の第３の窓内に形成された第３の金属層とによって形
成しているので、その配線層を、第３の配線層との立体
交叉位置においても断線の生ずるおそれなく、容易に形
成することができる。 従って、本願第４番目の発明による配線構体の製法によ
れば、信頼性の高い配線構体を、容易に製造することが
できる。

【実施例１】 第１図及び第２図は、本発明による配線構体の実施例を
示し、次に述べる構成を有する。 すなわち、半絶縁性半導体基板１に、その平らな主面１
ａ側において、配線用溝５が形成されている。 また、半絶縁性半導体基板１上に、第１の配線層２が、
配線用溝５内に延長するように形成されている。 さらに、半絶縁性半導体基板１上に、第２の配線層３が
、第１の配線層２を橋架して延長するように形成されて
いる。 以上が、本発明による配線構体の実施例の構成である。 このような構成を有する本発明による配線構体によれば
、第５図及び第６図で上述した従来の配線構体の場合と
同様に、第１及び第２の配線層２及び３が立体交叉して
いる構成を有し、従って、第５図及び第６図で上述した
従来の配線構体の場合と同様に、半導体集積回路装置を
構成する配線構体に適用することによって、その半導体
集積回路装置を高密度に構成することができる。 しかしながら、第１図及び第２図に示す本発明による配
線構体は、

【実施例２】で述べる本発明による配線構体
の製法によって形成することができ、そして、この場合
、配線用溝５を形成するのに用いるマスク層を、半絶縁
性半導体基板１上に、第１の配線層２を形成する前に形
成するので、そのマスク層を、第５図及び第６図で上述
した従来の配線構体の場合のように、第１の配線層２に
よる凹凸の影響を受けることなしに形成することができ
ない、ということがなく、このため、マスク層を、所望
のパターンに高精度に容易に形成することができ、従っ
て、配線用溝５を、十分深く、所望のパターンに高精度
に容易に形成することができ、よって、第１及び第２の
配線層２及び３間の間隔を、十分大きく、良好に容易に
形成することができる。 従って、第１図及び第２図に示す本発明による配線構体
によれば、第１及び第２の配線層２及び３間の望ましく
ない静電各回を、第５図及び第６図で上述した従来の配
線構体の場合に比し十分小さくすることができる。 また、第１図及び第２図に示す本発明による配線構体の
場合、第１の配線層２が、配線用溝５内において形成さ
れているので、第２の配線層３が、第１の配線層２との
立体交叉位置において、半絶縁性半導体基板１上の第１
の配線層２による凹凸によって折曲っているのが多義な
くされている、ということがなく、このため、第２の配
線層４が、第１の配線層２との立体交叉位置において、
断線を生ずる、というおそれを有しない。 従って、第１図及び第２図に示す本発明による配線構体
は、第５図及び第６図で上述した従来の配線構体の場合
に比し高い信頼性を有する。

【実施例２】 次に、第３図を伴って、本発明による配線構体の製法の
実施例を述べよう。 第３図において、第１図及び第２図との対応部分には同
一符号を付して示す。 第３図に示す本発明による配線構体の製法は、次に述べ
る順次の工程をとって、第１図及び第２図に示す本発明
による配線構体を製造する。 すなわち、半絶縁性半導体基板１の平らな主面１ａ上に
、例えばフォトレジストでなり且つ窓７を有するマスク
層６を形成する（第３図Ａ）次に、半絶縁性半導体基板
１に対するマスク層６をマスクとするエツチング処理に
よって、半絶縁性半導体基板１に、その主面１ａ側に開
いている溝を、配線用溝５として形成する（第３図Ｂ）
。この場合、エツチング処理を塩素系ガスを用いたドラ
イエツチング処理とするのを可とする。 次に、マスクＨ６を、半絶縁性半導体基板１上から除去
する（第３図Ｃ）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１の配線Ｍ２を、
配線用？１！５内に延長するように形成する（第３図Ｄ
）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、例えばフォトレジス
トでなる埋込層８を、配線用溝５内を第１の配線層２を
覆って埋めるように形成する（第３図Ｅ）。 この場合、埋込層８を、その上面が半絶縁性半導体基板
１の主面１ａと同じ高さとなるように形成するのを可と
する。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第２の配線層４を、
第１の配線層２を埋込層８を介して橋架して延長するよ
うに形成する（第３図Ｆ）。 次に、埋込層８を溶去除去する（第３図Ｇ）。 以上が、本発明による配線構体の製法の実施例である。 このような本発明による配線構体の製法によれば、第３
図Ｇを第１図及び第２図と対比して明らかなように、第
１図及び第２図に示す本発明による配線構体を製造する
ことができる。 そして、その配線構体は、第１図及び第２図に示す本発
明による配線構体で述べたように、第１及び第２の配線
層２及び３が立体交叉している構成を有するので、半導
体集積回路装置を構成する配線構体に適用することによ
って、その半導体集積回路装置を高密度に構成すること
ができる。 従って、第３図に示す本発明による配線構体の製法は、
半導体集積回路装置を構成する配線構体の製法に適用し
て好適である。 また、第３図に示す本発明による配線構体の製法によれ
ば、マスク層６を、半絶縁性半導体基板１上に、第１の
配線層２を形成する前に形成するので、そのマスク層６
を、第５図及び第６図で上述した従来の配線構体の場合
のように、第１の配線層２による凹凸の影響を受けるこ
となしに形成することができない、ということがなく、
このため、マスクＩ６を、所望のパターンに高精度に容
易に形成することができ、従って、配線用溝５を、十分
深く、所望のパターンに高精度に容易に形成することが
でき、よって、第１及び第２の配線層２及び３間の間隔
を十分大きく、良好に容易に形成することができる。 従って、第３図に示す本発明による配線構体の製法によ
れば、第１及び第２の配線！２及び３間の静電容量の十
分小さな配線構体を、容易に製造することができる。 また、第３図に示す本発明による配線構体の製法によれ
ば、第１の配線１ｉ２を、配線用１ｔ５内において形成
し、そして、第２の配線層３を、配線用溝５を埋めてい
る埋込層８上に延長して形成するので、その第２の配線
層３を、図示のように折曲りでいないまたはわずかじか
折曲っていないものとして、容易に形成することができ
、このため、第２の配線層３を、第１の配線層２との立
体交叉位置においても、断線の生ずるおそれなく、容易
に形成することができる。 従って、第３図に示す本発明による配線構体の製法によ
れば、配線構体を、高い信頼性を有するものとして、容
易に製造することができる。 また第３図に示す本発明による配線構体の製法によれば
、半絶縁性半導体基板１に、配線用溝５を、半絶縁性半
導体基板１上に形成したマスク層６をマスクとする塩素
系ガスを用いたドライエツチング処理によって形成すれ
ば、その配線用溝５を、半絶縁性半導体基板１の主面１
ａ側に開いている溝に形成することができ、このため、
その配線用溝５内に延長している第１の配線ＷＩ２を形
成する工程において、その第１の配線層２を、配線用溝
５内から半絶縁性半導体基板１の主面１ａ上に延長させ
ても、その第１の配線層２に急激な折曲りが生ぜず、従
って、第１の配線層２に断線が生ずるおそれを有しない
。

【実施例３】 次に、第４図を伴って、本発明による配線構体の製法の
他の実施例を述べよう。 第４図に示す本発明による配線構体の製法は、次に述べ
る順次の工程をとって、ブリッジ型の配線構体を製造す
る。 すなわち、半絶縁性半導体基板１上に、第１及び第２の
配線層１１及び１２と、それら間に延長している第３の
配線層１３とを形成する（第４図Ａ）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１及び第２の配線
層１１及び１２間において第３の配線層を覆って第１及
び第２の配線層１１及び１２の第２及び第１の配線層１
２及び１１側上まで延長している絶縁膜１４を形成する
（第４図Ｂ）。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１及び第２の配線
層及び絶縁ＩＩ！Ｊ１４を連続的に覆って延長している
導電性層１５を形成する（第４図Ｃ）。この場合、導電
性層１５は、第１及び第２の配線層１１及び１２に連結
して形成されている。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１、第２及び第３
の配線層１１．１２及び１３を、導電性層１５を介して
、覆って延長し、且つ第１及び第２の配線層１１及び１
２上において第１及び第２の窓１７及び１８を有すると
ともに、例えばフォトレジストでなる第１のマスク層１
９を形成する（第４図Ｄ）。この場合、導電性層１５は
、第１及び第２の窓１７及び１８内の位置において外部
に露呈している。 次に、第１のマスク層１９をマスクとする電解鍍金法に
よって、第１及び第２の窓１７及び１８内に第１及び第
２の金属層２１及び２２を形成する（第４図Ｅ）。この
場合、第１及び第２の金属層２１及び２２は、導電性層
１５に連結して形成され、従って、第１及び第２の配線
１１１及び１２に連結して形成されている。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１のマスク層１９
及び第１及び第２の金ｊ！［９２１及び２２を連続的に
覆って延長している導電性層２４を形成する（第４図Ｆ
）。この場合、導電性層２４は、第１及び第２の金属層
２１及び２２に連結して形成されている。 次に、半絶縁性半導体基板１上に、第１のマスクＭ１９
、及び第１及び第２の金属層２１及び２２を、導電性層
２４を介して、覆って延長し、且つ第１及び第２の金属
層２１及び２２上及び第１のマスク層１９の第１及び第
２の金属層２１及び２２間上において連続している第３
の窓３０を有するとともに、例えばフォトレジストでな
る第２の７スク１３１を形成する（第４図Ｇ）。 次に、第２のマスク層３１をマスクとする電解鍍金法に
よって、第３の窓３０内に、第３の金属層３２を形成す
る（第４図Ｈ）。この場合、第３の金属層３２は、導電
性層２４に連結して形成され、従って、第１及び第２の
金属層２１及び２２に連結して形成されている。 次に、第１及び第２のマスクＭ１９及び３１を、半絶縁
性半導体基板１上から溶去除去する（第４図Ｊ）。この
場合、導電性層１５の第１のマスク層１９下の領域も溶
去除去され、また、導電性層２５の第２のマスク層３１
下の領域も溶去除去される。 以上が、本発明による配線構体の製法の他の実施例であ
る。 このような本発明による配線構体の製法によれば、第４
図１に示すところから明らかなように、半絶縁性半導体
基板１上に、第３の配線層１３が形成され、また、半絶
縁性半導体基板１上に、第１及び第２の配線１１１及び
１２と第１、第２及び第３の金属層２１．２２及び３２
とによる第４の配線Ｍ（これを１４とする）が空隙を介
して第３の配線層１３を橋架して延長するように形成さ
れている構成を有する配線構体を製造することができる
。 そして、その配線構体は、第３及び第４の配線層１３及
び１４が立体交叉している構成を有するので、半導体集
積回路装置を構成する配線構体に適用することによって
、その半導体集積回路装置を高密度に構成することがで
きる。 従って、第４図に示す本発明による配線構体の製法も、
半導体集積回路装置を構成する配線構体の製法に適用し
て好適である。 また、第３図に示す本発明による配線構体の製法によれ
ば、第１及び第２の金属層２１及び２２を、半絶縁性半
導体基板１上に第１〜第３の配線層１１〜１３を覆って
延長している第１′のマスク層１９の第１及び第２の配
線層１１及び１２上の第１及び第２の窓１７及び１８内
に、電界鍍金法によって形成するので、第１のマスク１
ｉ１９の厚さを厚くすることによって、第１及び第２の
金属層２１及び１２を十分厚く容易に形成することがで
き、従って、第３及び第４の配線層１３及び１４間の空
隙を、十分大きく、良好に容易に形成することができる
。 従って、第３図に示す本発明による配線構体の製法によ
っても、第３及び第４の配線層１３及び１４間の静電容
量の十分小さな配線構体を、容易に製造することができ
る。 また、第４図に示す本発明による配線構体の製法によれ
ば、第４の配線層１４を一本の連続した配線層としてみ
た場合、その配線層１４を、第３の配線層１３との立体
交叉位置において折曲げて形成しているということがで
きる。しかしながら、その配線層１４を、実際的には、
半絶縁性半導体基板１上に形成された第１及び第２の配
線層１１及び１２と、それら第１及び第２の配線層１１
及び１２を覆って延長して形成している第１のマスク層
１９の第１及び第２の配線層１１及び１２上の第１及び
第２の窓１７及び１８内に形成された第１及び第２の金
属層２１及び２２と、第１及び第２の金属層２１及び２
２間に連続延長して形成されている第２のマスク層３１
の第３の窓３０内に形成された第３の金属層３２とによ
って形成しているので、その配線層１４を、第３の配線
層１３との立体交叉位置においても断線の生ずるおそれ
なく、容易に形成することができる。 従って、第４図に示す本発明による配線構体の製法によ
れば、信頼性の高い配線構体を、容易に製造づることが
できる。 なお、上述においては、本発明の配線構体に関し、１つ
の実施例を示したに留まり、第１図及び第２図に示１構
成において、第３図に示す本発明による配線構体の製法
の第３図Ｆに示す工程における構成のように、配線用′
Ｗ４５内が埋込層８によって埋められている構成とする
こともできる。 また、第３図に示す本発明による配線構体の製法におい
て、第３図Ｆの工程で得られる構成を最終的な配線構体
の構成とすべく、第３図Ｇの工程を省略することもでき
る。 さらに、第４図に示す本発明による配線構体の製法にお
いて、第４図Ｂの絶縁１１１４を形成する工程及び第４
図Ｃの導電性Ｍ１４を形成する工程を省略することも、
また、第４図Ｆの導電性層２４を形成する工程を省略す
ることもできる。 その他、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型
、変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、本発明による配線構体の実施例を
示す路線的平面図及びその横断面図である。 第３図Ａ−Ｇは、本発明による配線構体の製法の実施例
を示す順次の工程における路線的断面図である。 第４図Ａ〜Ｉは、本発明による配線構体の製法の他の実
施例を示す順次の工程における路線的断面図である。 第５図及び第６図は、従来の配線構体を示す路線的平面
図及びその横断面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・半絶縁性半導体基板
１ａ・・・・・・・・・・・・主面 ２・・・・・・・・・・・・・・・第１の配線層３・・
・・・・・・・・・・・・・第２の配線層４・・・・・
・・・・・・・・・・空隙５・・・・・・・・・・・・
・・・配線用溝６・・・・・・・・・・・・・・・マス
ク層７・・・・・・・・・・・・・・・窓 ８・・・・・・・・・・・・・・・埋込層１１・・・・
・・・・・・・・・・・第１の配線層１２・・・・・・
・・・・・・・・・第２の配線層１３・・・・・・・・
・・・・・・・第３の配線層１４・・・・・・・・・・
・・・・・絶縁膜１５・・・・・・・・・・・・・・・
導電性層１７．１８・・・・・・窓 １９・・・・・・・・・・・・・・・第１のマスク層２
１．２２・・・・・・金属層 ２４・・・・・・・・・・・・・・・導電性層３０・・
・・・・・・・・・・・・・窓３１・・・・・・・・・
・・・・・・第２のマスク層出願人　　日本電信電話株
式会社 第３図Ｂ 第４図　　補１図 第６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半絶縁性半導体基板に、その主面側において、配線用溝
   が形成され、 上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配線層が、上記配
   線用溝内に延長するように形成され、上記半絶縁性半導
   体基板上に、第２の配線層が、上記第１の配線層を橋架
   して延長するように形成されていることを特徴とする配
   線構体。 【請求項２】 半絶縁性半導体基板に、その主面側において、配線用溝
   を形成する工程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、第１の配線層を、上記配
   線用溝内に延長するように形成する工程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、埋込層を、上記配線用溝
   内を上記第１の配線層を覆つて埋めるように形成する工
   程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、第２の配線層を、上記第
   １の配線層を上記埋込層を介して橋架して延長するよう
   に形成する工程とを有することを特徴とする配線構体の
   製法。 【請求項３】 【請求項２】において、 上記配線用溝を形成する工程が、上記半絶縁性半導体基
   板上に、その主面上において、マスク層を形成する工程
   と、上記半絶縁性半導体基板に対する、上記マスク層を
   マスクとする塩素系ガスを用いたドライエッチング処理
   によつて、上記半絶縁性半導体基板に、上記主面側に開
   いている溝を、上記配線用溝として形成する工程とを有
   することを特徴とする配線構体の製法。 【請求項４】 半絶縁性半導体基板上に、第１及び第２の配線層と、そ
   れら間に延長している第３の配線層とを形成する工程と
   、 上記半絶縁性半導体基板上に、上記第１、第２及び第３
   の配線層を覆って延長し且つ上記第１及び第２の配線層
   上において第１及び第２の窓を有する第１のマスク層を
   形成する工程と、上記第１のマスク層をマスクとする電
   解鍍金法によって、第１及び第２の窓内に第１及び第２
   の金属層を形成する工程と、 上記半絶縁性半導体基板上に、上記第１のマスク層、及
   び上記第１及び第２の金属層を覆って延長し且つ上記第
   １及び第２の金属層上及び上記第１のマスク層の上記第
   １及び第２の金属層間上において連続している第３の窓
   を有する第２のマスク層を形成する工程と、 上記第２のマスク層をマスクとする電解鍍金法によって
   、上記第３の窓内に第３の金属層を形成する工程と、 上記第１及び第２のマスク層を除去する工程とを有する
   ことを特徴とする配線構体の製法。