JPH04112222A - Semiconductor file memory device - Google Patents

Semiconductor file memory device

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Publication number
JPH04112222A
JPH04112222A JP23201090A JP23201090A JPH04112222A JP H04112222 A JPH04112222 A JP H04112222A JP 23201090 A JP23201090 A JP 23201090A JP 23201090 A JP23201090 A JP 23201090A JP H04112222 A JPH04112222 A JP H04112222A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
memory array
circuit
page
read
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23201090A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Sakairi
坂入 茂
Takeshi Sugawara
健 菅原
Mikio Matoba
的場 美幾夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Maxell Ltd
Priority to JP23201090A priority Critical patent/JPH04112222A/en
Publication of JPH04112222A publication Critical patent/JPH04112222A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To transfer data at a high speed by accessing a memory array with the address obtained by adding the start address of a page held in a latch circuit and the relative address outputted from a relative address generating circuit. CONSTITUTION:This device consists of an interface 3 for data transmission and reception between a memory array 4 and an external computer 9 and a control part 5 which performs the read/write processing for the memory array 4, and the control part 5 consists of a processor 2, a latch circuit 10, a relative address generating circuit 11, and an adding circuit 12. Since the memory array is accessed with the address obtained by adding the address held in the latch circuit 10 and the address outputted from the relative address generating circuit 11, it is unnecessary to perform the page switching processing at the time of the change of the page during read/write processing, Thus, data is transferred at a high speed though the address space of the memory array 4 is larger than the address space which an MPU can directly address.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、半導体ファイルメモリ装置に関し、詳しく
は、データの読出し又は書込み処理(読出し/書込み処
理)におけるアドレス指定方式を改良した半導体ファイ
ルメモリ装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor file memory device, and more specifically, a semiconductor file memory device with an improved addressing method in data read or write processing (read/write processing). Regarding.

[従来の技術] 現在、磁気ディスク装置に替わるべきものとして、半導
体メモリを記憶素子として用いた半導体ファイルメモリ
装置がコンピュータ等の外部記憶装置として実用化され
ている。半導体ファイルメモリ装置は、メモリアレイ、
メモリアレイへの読出し/書込み処理を行うマイクロプ
ロセッサ(MPU)、外部のコンピュータとの間でデー
タの授受を行うインタフェース等で構成されている。
[Prior Art] Currently, as an alternative to magnetic disk devices, semiconductor file memory devices using semiconductor memories as storage elements are being put into practical use as external storage devices for computers and the like. A semiconductor file memory device includes a memory array,
It consists of a microprocessor (MPU) that performs read/write processing to the memory array, an interface that exchanges data with an external computer, and the like.

従来の半導体ファイルメモリ装置において、MPUが直
接アドレス指定できるアドレス空間よりもメモリアレイ
のアドレス空間の方が大きい場合には、MPUが直接ア
ドレス指定可能なアドレス空間の一部分をメモリアレイ
のアクセス用に割当て、そのアドレス空間を1ページと
してメモリアレイのアドレス空間をページ単位に分割し
、外部コンピュータからページ単位でアクセスされてペ
ージ単位で読出し/書込み処理を行っている。また、M
PUの代わりにDMAコントローラを用いた場合にも同
様な読出し/書込み処理を行っている。
In conventional semiconductor file memory devices, if the address space of the memory array is larger than the address space that can be directly addressed by the MPU, a part of the address space that can be directly addressed by the MPU is allocated for accessing the memory array. , the address space of the memory array is divided into pages, each of which is defined as one page, and each page is accessed by an external computer to perform read/write processing on each page. Also, M
Similar read/write processing is performed when a DMA controller is used instead of the PU.

[解決しようとする課題] ところが、このような従来の半導体ファイルメモリ装置
には、以下に述べる問題点がある。
[Problems to be Solved] However, such conventional semiconductor file memory devices have the following problems.

MPU又はDMAコントローラは、メモリアレイに対し
て読出し/書込み処理をページごとに行うため、処理が
複数のページにわたる場合にはページ切換えの処理が必
要である。
Since the MPU or DMA controller performs read/write processing to the memory array on a page-by-page basis, page switching processing is required when the processing spans multiple pages.

そのため、メモリアレイ−ヒでは−・連のアドレスであ
っても、ページ切換えの処理を行うために読出し/潜込
み処理を一時中断しなければならす、MPUの処理が増
加してデータ転送速度が遅くなる。
Therefore, in a memory array, read/infiltration processing must be temporarily suspended to perform page switching processing even if the address is a series of -. This increases MPU processing and slows down the data transfer speed. Become.

この発明は、このような従来の問題点を解決するもので
あって、ページ切換え時の処理が不要で高速にデータ転
送を行うことのできる半導体ファイルメモリ装置を提供
することを目的とする。
The present invention is intended to solve these conventional problems, and aims to provide a semiconductor file memory device that does not require processing when switching pages and can transfer data at high speed.

[課題を解決するための手段] この目的を達成するために、この発明の半導体ファイル
メモリ装置の特徴は、制御回路が、プロセッサと、この
プロセッサから出力された読出し7m込み処理を開始す
る指定されたページの先頭アドレスを保持するラッチ回
路と、指定されたページにおける読出し/書込み処理を
開始するアドレスとそのページの先頭アドレスとの差の
アドレスをプロセッサから受けてそれをデータ転送開始
時に出力し、その後読出し/書込み処理が行われるごと
に差のアドレスをインクリメント又はデクリメントして
出力する相対アドレス作成回路と、ラッチ回路の出力と
相対アドレス作成回路の出力とを受け、両者を加算した
値をメモリアレイのアドレス端子に出力する加算回路と
を備えるものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve this object, the semiconductor file memory device of the present invention is characterized in that a control circuit controls a processor and a designated read 7m output from the processor to start the read process. a latch circuit that holds the start address of the specified page; and a latch circuit that receives from the processor the address of the difference between the address at which read/write processing for the specified page is started and the start address of that page and outputs it at the start of data transfer; Thereafter, there is a relative address generation circuit that increments or decrements and outputs the difference address every time a read/write process is performed, and receives the output of the latch circuit and the output of the relative address generation circuit, and adds the value to the memory array. and an adder circuit that outputs the output to the address terminal of the address terminal.

[作用] ラッチ回路に保持されたアドレスと相対アドレス作成回
路が出力するアドレスとを加算して得たアトレースでメ
モリアレイをアクセスするため、読出し/書込み処理中
ページが変わったときにページ切換えの処理を行う必要
がない。その結果、データ転送中に読出し/書込み処理
の中断が生じることがなく、MPUが直接アドレス指牽
できるアドレス空間よりもメモリアレイのアドレス空間
の方が大きい場合でも、高速なデータ転送を行うことが
可能となる。
[Operation] Since the memory array is accessed using the at trace obtained by adding the address held in the latch circuit and the address output by the relative address generation circuit, page switching processing is performed when the page changes during read/write processing. There is no need to do this. As a result, there is no interruption of read/write processing during data transfer, and high-speed data transfer can be performed even when the address space of the memory array is larger than the address space that the MPU can directly address. It becomes possible.

[実施例コ 以下、この発明の一実施例について、図面を用いて詳細
に説明する。
[Example 1] Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は、この発明を適用した半導体ファイルメモリ装
置の一実施例の原理図である。
FIG. 1 is a principle diagram of an embodiment of a semiconductor file memory device to which the present invention is applied.

同図において、1の半導体ファイルメモリ装置は、メモ
リアレイ4と、外部・のコンピュータ9との間でデータ
の授受を行うインタフェース3及びメモリアレイ4に対
して読出し/書込み処理を行う制御部5により構成され
ており、さらに制御部5はプロセッサ2、ラッチ回路1
0、相対アドレス作成回路11及び加算回路12によっ
て構成されている。これらは、データバス6、アドレス
バス7、バス13.14.15及び制御信号線8によっ
て図に示すように接続されている。
In the same figure, a semiconductor file memory device 1 includes an interface 3 that exchanges data between a memory array 4 and an external computer 9, and a control unit 5 that performs read/write processing for the memory array 4. In addition, the control unit 5 includes a processor 2, a latch circuit 1
0, a relative address generation circuit 11, and an addition circuit 12. These are connected by data bus 6, address bus 7, buses 13, 14, 15 and control signal lines 8 as shown in the figure.

第2図は、第1図に示す原理図を具体化した回路例のブ
ロック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a circuit example embodying the principle diagram shown in FIG. 1.

同図において、プロセッサ2はMPU21とデコーダ2
2とで構成され、デコーダ22はインタフェース3.ラ
ッチ回路10.又は相対アドレス作成回路11のいずれ
かのデバイスを選択するチ7ブセレクト信号を出力する
。なお、インタフェース3は、ここではSC8Iコント
ローラ31を例として用いている。ラッチ回路10は、
MPU21から送出される外部から指定されたページの
先頭アドレスを保持するためにそれに必要な数のDフリ
ップフロツプ等で構成されている。相対アドレス作成回
路11はDMAコントローラ111とアドレス接続切換
え回路112とで構成されている。アドレス接続切換え
回路112は、アクセスするアドレスとラッチ回路10
に保持されているページの先頭アドレスとの差のアドレ
ス(以下相対アドレス)をDMAコントローラ111か
ら加算回路12へ出力するときに、その出力が他のデバ
イスに影響しないように信号の伝達を阻止するものであ
る。加算回路12は、メモリアレイ4をアクセスするた
めに必要なビット数と同数の加算器121で構成されて
いる。
In the figure, a processor 2 includes an MPU 21 and a decoder 2.
2, and the decoder 22 has an interface 3. Latch circuit 10. Alternatively, a chip select signal for selecting any device in the relative address generation circuit 11 is output. Note that, as the interface 3, the SC8I controller 31 is used here as an example. The latch circuit 10 is
In order to hold the start address of an externally specified page sent from the MPU 21, it is composed of as many D flip-flops as necessary. The relative address generation circuit 11 is composed of a DMA controller 111 and an address connection switching circuit 112. The address connection switching circuit 112 connects the address to be accessed and the latch circuit 10.
When outputting the address (hereinafter referred to as relative address) that is the difference from the top address of the page held in the DMA controller 111 to the adder circuit 12, the signal transmission is blocked so that the output does not affect other devices. It is something. The addition circuit 12 includes the same number of adders 121 as the number of bits required to access the memory array 4.

メモリアレイ4と外部のコンピュータ9との間でデータ
転送を行う場合は、まず、MPU21がラッチ回路10
を選択する信号をデコーダ22に送出し、デコーダ22
は千ノブセレクト(3号をラッチ回路に送出する。この
ときMPU21は外部から指定されたページに基づいて
そのベ一/の先頭アドレスをデータバス6を介してラッ
チ回路10に出力し、ランチ回路10はその出力を保持
する。
When data is transferred between the memory array 4 and the external computer 9, the MPU 21 first transfers data to the latch circuit 10.
Sends a signal to the decoder 22 to select the
sends 1000 knob select (number 3) to the latch circuit. At this time, the MPU 21 outputs the start address of the page via the data bus 6 to the latch circuit 10 based on the page specified from the outside, and 10 holds its output.

つぎに、MPU21はDMAコントローラ111を選択
する信号をデコーダ22に送出する。これによりデコー
ダ22はチップセレクト信号をDMAコントローラ11
1に送出する。このとき外部から指定された開始アドレ
スと終了ページ及び終了アドレスに基づいてMPU21
は相対アドレス(開始アドレス位置に対応)と転送デー
タ数(終了アドレス位置に対応)をDMAコントローラ
111に書込み、DMAコントローラにデータ転送を行
わせる。
Next, the MPU 21 sends a signal for selecting the DMA controller 111 to the decoder 22. As a result, the decoder 22 transfers the chip select signal to the DMA controller 11.
Send to 1. At this time, based on the start address, end page, and end address specified from the outside, the MPU 21
writes the relative address (corresponding to the start address position) and the number of transfer data (corresponding to the end address position) to the DMA controller 111, and causes the DMA controller to transfer the data.

DMAコントローラ111は、MPU21から制御が渡
されるとMPU21の動作を停止させる。
When the DMA controller 111 receives control from the MPU 21, it stops the operation of the MPU 21.

その後、DMAコントローラ111は相対アドレスを加
算回路12に出力する。加算回路12は、ランチ回路1
0から出力されるページの先頭アドレスとDMAコント
ローラ111から出力される相対アドレスとを加算して
アクセスする開始アドレスを作成し、バス15を介して
メモリアレイ4のアドレス端子に出力する。このときD
MAコントローラ111はscs iコントローラ31
から読出し又は書込み制御信号(RD、WR)とREQ
 (DMA要求信号)とを受け、それに応じてメモリア
レイ4と外部のコンピュータ9との間のデータ転送制御
を行う。
Thereafter, the DMA controller 111 outputs the relative address to the adder circuit 12. The adder circuit 12 is the launch circuit 1
The start address of the page output from 0 and the relative address output from the DMA controller 111 are added to create a start address to be accessed, and output to the address terminal of the memory array 4 via the bus 15. At this time D
The MA controller 111 is the scs i controller 31
Read or write control signals (RD, WR) and REQ from
(DMA request signal), and controls data transfer between memory array 4 and external computer 9 accordingly.

DMAコントローラ111は、SC8Iコントローラ3
1からREQ信号を受け、MPU21から相対アドレス
と転送データ数を受けるとMPU21を停止状態にしく
HALTを出力し)、5C8Iコントローラ31にAC
K信号を出力してメモリアレイ4とSC8Iコントロー
ラ31とを直結して、一方をリード、他方をライトにす
る。そして、読出し/書込み処理を行うごとに相対アド
レスをインクリメント又はデクリメントしてこの処理を
繰り返す。指定された転送データ数の転送処理が終わっ
たとき、DMAフントローラはMPU21に制御を移し
、アドレス接続切換え回路112を元の状態に戻してデ
ータ転送を終rする。
The DMA controller 111 is the SC8I controller 3
When receiving the REQ signal from the MPU 1 and the relative address and number of transferred data from the MPU 21, it outputs HALT to stop the MPU 21), and sends the AC to the 5C8I controller 31.
A K signal is output to directly connect the memory array 4 and the SC8I controller 31, so that one side is read and the other is written. Then, each time a read/write process is performed, the relative address is incremented or decremented and this process is repeated. When the transfer process for the designated number of transfer data is completed, the DMA controller transfers control to the MPU 21, returns the address connection switching circuit 112 to its original state, and terminates the data transfer.

以−F説明してきたが、インタフェース3は、5C8I
コントローラを例として用いたが、他の形式のインタフ
ェースを用いてもよいことは勿論である。
As explained above, interface 3 is 5C8I
Although a controller is used as an example, it is of course possible to use other types of interfaces.

また、メモリアレイは、半導体ファイルメモリ装置に対
して脱着可能とすることもできる。
The memory array may also be removable from the semiconductor file memory device.

[発明の効果コ 以上の説明から理解できるように、本発明にあっては、
う・7チ回路に保持されたページの先頭アドレスと相対
アドレス作成回路が出力する相対アドレスとを加算して
得たアドレスでメモリアレイをアクセスするため、デー
タ転送が複数のページにわたる場合でも相対アドレスを
インクリメント又はデクリメントすることで連続して転
送処理を行うことができる。その結果、読出し/書込み
処理中ページが変わったときにページ切換えの処理を行
うために読出し/書込み処理が中断されるといったこと
がなく、高速なデータ転送か可能となる。
[Effects of the Invention] As can be understood from the above explanation, the present invention has the following effects:
・The memory array is accessed using the address obtained by adding the top address of the page held in the 7-chi circuit and the relative address output by the relative address generation circuit, so even if data transfer spans multiple pages, the relative address will not be used. Transfer processing can be performed continuously by incrementing or decrementing . As a result, when the page during read/write processing changes, the read/write processing is not interrupted to perform page switching processing, and high-speed data transfer is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明を適用した半導体ファイルメモリ装
置の一実施例の原理図、第2図は、第1図に示す原理図
を具体化した回路例のブロック図である。 1・・・半導体ファイルメモリ装置、 2・・・プロセッサ、3・・・インタフェース、4・・
・メモリアレイ、5・・・制御部、6・・・データバス
、7・・・アドレスバス、8・・・制all 信号線、
9・・・コンピュータ、10・・・ラッチ回路、10・
・・相対アドレス作成回路、12・・・加算回路、13
.14.15・・・バス、21・・・MPU。 22・・・デコーダ、31・・・SC3Iコントローラ
、101・・・Dフリップフロップ、 111・・・DMAコントローラ、112・・・アドレ
ス切換え回路、121・・・加算器。
FIG. 1 is a principle diagram of an embodiment of a semiconductor file memory device to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a block diagram of a circuit example embodying the principle diagram shown in FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Semiconductor file memory device, 2...Processor, 3...Interface, 4...
・Memory array, 5...control unit, 6...data bus, 7...address bus, 8...control all signal line,
9... Computer, 10... Latch circuit, 10.
... Relative address creation circuit, 12 ... Addition circuit, 13
.. 14.15...Bus, 21...MPU. 22... Decoder, 31... SC3I controller, 101... D flip-flop, 111... DMA controller, 112... Address switching circuit, 121... Adder.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体メモリによって構成されたメモリアレイと
、このメモリアレイに対して読出し又は書込み処理を行
う制御回路と、外部装置からページを指定されてアクセ
スされ、この外部装置との間でデータの授受を行うイン
タフェースとを有し、前記制御回路は、プロセッサと、
このプロセッサから出力された前記読出し又は書込み処
理を開始する指定されたページの先頭アドレスを保持す
るラッチ回路と、前記ページにおける前記読出し又は書
込み処理を開始するアドレスと前記ページの先頭アドレ
スとの差のアドレスを前記プロセッサから受け、データ
転送開始時に前記差のアドレスを出力し、その後前記読
出し又は書込み処理が行われるごとに前記差のアドレス
をインクリメント又はデクリメントして出力する相対ア
ドレス作成回路と、前記ラッチ回路の出力と前記相対ア
ドレス作成回路の出力とを受け、両者を加算した値を前
記メモリアレイのアドレス端子に出力する加算回路とを
備えることを特徴とする半導体ファイルメモリ装置。
(1) A memory array composed of semiconductor memory, a control circuit that performs read or write processing to this memory array, and an external device that specifies and accesses a page and exchanges data with this external device. the control circuit has a processor;
A latch circuit that holds the start address of the specified page outputted from this processor to start the read or write process, and a latch circuit that holds the start address of the specified page for starting the read or write process in the page and the difference between the start address of the page and the start address of the page. a relative address generation circuit that receives an address from the processor, outputs the difference address at the start of data transfer, and then increments or decrements and outputs the difference address each time the read or write process is performed; and the latch. A semiconductor file memory device comprising: an adder circuit that receives the output of the circuit and the output of the relative address generation circuit, and outputs a value obtained by adding the two to an address terminal of the memory array.
(2)相対アドレス作成回路にDMAコントローラを用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導
体ファイルメモリ装置。
(2) The semiconductor file memory device according to claim 1, characterized in that a DMA controller is used in the relative address generation circuit.
(3)メモリアレイは脱着可能であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の半導体ファイルメモリ装置
(3) The semiconductor file memory device according to claim 1, wherein the memory array is removable.
JP23201090A 1990-08-31 1990-08-31 Semiconductor file memory device Pending JPH04112222A (en)

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