JPH0411160Y2 - - Google Patents

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JPH0411160Y2
JPH0411160Y2 JP1984104463U JP10446384U JPH0411160Y2 JP H0411160 Y2 JPH0411160 Y2 JP H0411160Y2 JP 1984104463 U JP1984104463 U JP 1984104463U JP 10446384 U JP10446384 U JP 10446384U JP H0411160 Y2 JPH0411160 Y2 JP H0411160Y2
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JP
Japan
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gas
sensor
semiconductor manufacturing
gas sensor
gas concentration
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JP1984104463U
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JPS6121956U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 この考案は、測定原理の異なる2種類のガスセ
ンサにより、半導体製造工程中に同時使用する可
燃性ガスと半導体製造ガスとを同時に測定し、こ
れを並置したガス濃度計の指示比較により前記可
燃性ガスと半導体製造ガスとを識別することがで
きる複合型ガス検知警報装置に関するものであ
る。
〔従来技術〕
例えば、本導体集積回路を製造する過程にエピ
タキシヤル成長層に不純物を導入する過程があ
り、この方法には大別して2つの方法がある。1
つはSiC4に不純物のハロゲン化物を混入して用
いる場合で、他の1つは不純物化合物のガスを混
入する場合であり、特に後者の場合、ガスとして
はP形にジボラン(B2H6),N形にフオスフイン
(PH3)が主として用いられるが、アルシン
(AsH3)が用いられることもある。また、エピ
シヤキタル成長速度を制御するのにシラン
(SiH4)が使用されている。これらのガスの多く
はかなり有毒で、使用上の取り扱いには細心の注
意が必要とされている。このため、これらのガス
を検知する機器には、1種類のガスセンサ、例え
ば定電位電解式ガスセンサ等を使用して高感度で
検出するものはあつたが、これは半導体製造ガス
の漏出は検知できるが、選択性においては必ずし
も十分ではなく、作業中に使用されるエタノー
ル、トルエン等の溶剤ガスでも濃度が高くなれば
半導体製造ガスと同じように検地してしまうとい
う問題があつた。これは作業環境の安全確保の点
からもその改善が強く望まれている。
〔考案の概要〕
この考案は、上記の点にかんがみなされたもの
で、半導体製造ガスを含む可燃性ガスに感度を有
する熱線型半導体ガス検出素子からなる第1のガ
スセンサおよび半導体製造ガスに選択的に感度を
有する定電位電解型ガスセンサからなる第2のガ
スセンサからのセンサ出力をそれぞれ表示する2
つのガス濃度指示計を同一パネル面に並置して設
けることにより、半導体製造中に使用する半導体
製造ガスと可燃性ガスとを識別できるようにした
高感度で信頼性の優れた複合型ガス検知警報装置
を提供するものである。以下、この考案について
説明する。
〔実施例〕
第1図はこの考案の一実施例を示す複合型ガス
検知警報器の構成ブロツク図であり、1はガス取
入口、2はガス排出口、3は前記ガス取入口1お
よびガス排出口3を連通する流路、4は第1のガ
スセンサで、半導体製造ガスを含む可燃性ガスに
感度を有する。5は第2のガスセンサで、ジボラ
ン(B2H6),フオスフイン(PH3),アルシン
(AsH3),シラン(SiH4)等の半導体製造ガスに
対して選択的に感度を有する。6はポンプで、ガ
ス取入口1より被検ガスを吸引する。7は前記第
1のガスセンサ4からのセンサ出力を増幅するア
ンプ、8は前記第2のガスセンサ5からのセンサ
出力を増幅するアンプ、9はガス濃度指示計で、
第1のガスセンサ4が検知したガス濃度を水素で
ガスで校正したガス濃度を表示する。10はガス
濃度指示計で、第2のガスセンサ5が検知したガ
ス濃度を半導体ガスで校正したガス濃度を表示す
る。11はコンパレータで、そのしきい値(警報
設定レベル)とアンプ7の出力とを比較して、ア
ンプ7の出力がしきい値を越えた場合にオン信号
を出力する。12はコンパレータで、そのしきい
値(警報設定レベル)とアンプ8の出力とを比較
して、アンプ8の出力がしきい値を越えた場合に
オン信号を出力する。13は前記コンパレータ1
1が出力するオン信号を受けて点灯する警報ラン
プ、14は前記コンパレータ12が出力するオン
信号を受けて点灯する警報ランプ、15は前記コ
ンパレータ11またはコンパレータ12のいずれ
かが出力するオン信号を受けて、警報ブザー16
を駆動させるドライバ、17は前記警報ブザー1
6の作動を停止させるリセツトスイツチである。
Aは半導体製造ガスを検知するセンサ部で、Bは
前記センサ部とは遠隔に設置できる計測部であ
り、センサ部Aと計測部Bは一体構造にすること
もできる。
次に動作について説明する。
ガス取入口1から流路3を介してポンプ6によ
り被検ガスを吸引すると、この被検ガスは第1の
ガスセンサ4および第2のガスセンサ5を通過し
てガス排出口2から排出される。この時、第1の
ガスセンサ4および第2のガスセンサ5のセンサ
出力はアンプ7およびアンプ8により増幅され、
それぞれのガス濃度指示計9およびガス濃度指示
計10にガス濃度が表示される。そして、次段の
コンパレータ11およびコンパレータ12でそれ
ぞれのアンプ7,8の出力をコンパレータ11,
12のしきい値と比較し、これを越えた場合にド
ライバ15が警報ブザー16を作動させる。
第2図は第1のガスセンサ4の各種被検ガスに
対するガス濃度指示特性図で、第3図は第2のガ
スセンサ5の被検ガスに対するガス濃度指示特性
図である。なお、横軸はガス濃度(ppm)で、縦
軸はガス濃度指示計9,10の指示値(ppm)で
ある。また、曲線aは可燃性ガスである水素、曲
線bは可燃性ガスであるトルエン、曲線cはアル
シン(AsH3),フオスフイン(PH3)等の半導体
製造ガスの特性を示すものである。
第2図からわかるように、第1のガスセンサ4
は指示差こそあれ可燃性ガスおよび半導体製造ガ
スに対してほぼ同様の感度を有している。
また、第3図からわかるように、第2のガスセ
ンサ5は半導体製造ガスcに対してのみ高い感度
を有し、可燃性ガスに対しては低い感度である。
つまり第2のガスセンサは選択性を有するもので
ある。
第4図は第1のガスセンサ4および第2のガス
センサ5の被検ガスに対するガス濃度指示特性波
形図であり、横軸は時間を示し、縦軸は指示値を
示す。また、曲線Iは半導体製造ガスを含む可燃
性ガスを検地する第1のガスセンサ4のセンサ出
力を指示するガス濃度指示計9の変動を表し、曲
線は半導体製造ガスを検地する第2のセンサ5
のセンサ出力を指示するガス濃度指示計10の変
動を表している。
この図からわかるように、半導体製造ガスを含
む可燃性ガスを検地する第1のガスセンサ4にセ
ンサ出力が得られた時点t1に、半導体製造ガスを
検地する第2のガスセンサ5にはセンサ出力がな
く、時点t1は可燃性ガスを検地したものと判断で
きる。また、時点t2には半導体製造ガスを含む可
燃性ガスを検地する第1のガスセンサ4および半
導体製造ガスを検地する第2のガスセンサ5に同
時にセンサ出力が得られる。これにより、時点t2
には半導体製造ガスが漏出していることを判断で
きる。このように、第1のガスセンサ4と第2の
ガスセンサ5により被検ガスを複合的に検地する
ことで、半導体製造ガスおよび可燃性ガスが同時
に存在する雰囲気中から半導体製造ガスを識別
し、しかも第1のガスセンサ4で雰囲気ガスをト
ータルで検地することにより作業環境が警報でき
るものである。また、2つのガスセンサ4,5を
使用することにより機器の信頼性が高められるも
のである。
第5図はこの考案の一実施例を示す複合型ガス
検地警報装置の斜視図であり、9,10,13,
14,17は第1図と同一のものを示し、18は
電源スイツチである。なお、この複合型ガス検地
警報装置にはセンサ部Aも内蔵されている。
第6図(a),(b)は第1のガスセンサ4と第
2のガスセンサ5の例を示す構成略図である。
第6図(a)において、41は例えばコイル状
の白金線等の貴金属で、この外周をおおうよう
に、SnO2やZnOなどを主成分とする金属酸化物
半導体42を塗布焼結させてあり、基体43に絶
縁して植設された導体からなる支持体44,45
に貴金属線41の両端が接続支持されている。
上記構成の第1のガスセンサ4は、貴金属線4
1を加熱用ヒータ兼電気抵抗値変化検出用電極と
して用いる熱線型半導体ガス検出素子である。
第6図(b)は、第2のガスセンサ5で、定電
位電解型ガスセンサである。第6図(b)におい
て、51は両側が開口となつた筐体で、52,5
3は前記開口部分にもけられたガス透過膜であ
る。54,55はガス透過膜52の内面に設けら
れた対電極、56はガス透過膜53の内面に設け
られた作用電極、57は電解液,58は増幅器、
59は作用電極電位測定用電池、60は電流検出
器である。
上記構成の第2のガスセンサ5は、作用電極5
6を一定電位に保ちながら電解を行うことによ
り、大気中の特定成分の酸化還元反応を選択的に
進行させ、そのとき測定される電解電流よりガス
の検知,定量を行うものである。
〔考案の効果〕
以上説明したように、この考案は半導体製造ガ
スを含む可燃性ガスに感度を有する熱線型半導体
ガス検出素子からなる第1のガスセンサおよび半
導体製造ガスに選択的に感度を有する定電位電解
型ガスセンサからなる第2のガスセンサからのセ
ンサ出力を表示するガス濃度指示計を同一パネル
面に並置して設けたので、可燃性ガスと半導体製
造ガスが共存する雰囲気中での半導体製造ガスの
漏れを正確に識別できるとともに、作業環境の雰
囲気の監視、つまり、可燃性ガスの濃度警報管
理、半導体製造ガスの濃度警報管理、半導体
製造ガスの識別管理ができ、工場災害防止に極め
て有効である。さらに、2つのセンサを備えるこ
とにより機器の信頼性を高めることができる等の
利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す複合型ガス
検地警報器の構成ブロツク図、第2図は第1のガ
スセンサの被検ガスに対するガス濃度支持特性
図、第3図は第2のガスセンサの被検ガスに対す
るガス濃度指示特性図、第4図は第1のガスセン
サおよび第2のガスセンサの被検ガスに対するガ
ス濃度支持特性波形図、第5図はこの考案の一実
施例を示す複合型ガス検知警報装置の斜視図、第
6図(a),(b)はこの考案で使用する測定原理
の異なるガスセンサをそれぞれ示す構成略図であ
る。 図中、1はガス取入口、2はガス排出口、3は
流路、4は第1のガスセンサ、5は第2のガスセ
ンサ、6はポンプ、7,8はアンプ、9,10は
ガス濃度指示計、11,12はコンパレータ、1
3,14は警報ランプ、15はドライバ、16は
警報ブザー、17はリセツトスイツチ、18は電
源スイツチである。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体製造ガスを含む可燃性ガスに感度を有
    する熱線型半導体ガス検出素子からなる第1の
    ガスセンサと、前記半導体製造ガスに選択的に
    感度を有する定電位電解型ガスセンサからなる
    第2のガスセンサと、前記第1のガスセンサ出
    力を水素ガスで校正したガス濃度で表示するガ
    ス濃度指示計と、前記第2のガスセンサ出力を
    半導体製造ガスで校正したガス濃度で表示する
    ガス濃度指示計とを備え、さらに前記両ガス濃
    度指示計を同一パネル面に並置して設けたこと
    を特徴とする複合型ガス検知警報装置。 (2) ガス濃度指示計は、いずれも検知するガス毎
    に警報設定レベルを表示できることを特徴とす
    る実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の複合型
    ガス検知警報装置。
JP10446384U 1984-07-12 1984-07-12 複合型ガス検知警報装置 Granted JPS6121956U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10446384U JPS6121956U (ja) 1984-07-12 1984-07-12 複合型ガス検知警報装置

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JP10446384U JPS6121956U (ja) 1984-07-12 1984-07-12 複合型ガス検知警報装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6121956U JPS6121956U (ja) 1986-02-08
JPH0411160Y2 true JPH0411160Y2 (ja) 1992-03-19

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JP10446384U Granted JPS6121956U (ja) 1984-07-12 1984-07-12 複合型ガス検知警報装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56150340A (en) * 1980-04-23 1981-11-20 Yamatake Honeywell Co Ltd Semiconductor detector for nitrogen oxide

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56150340A (en) * 1980-04-23 1981-11-20 Yamatake Honeywell Co Ltd Semiconductor detector for nitrogen oxide

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JPS6121956U (ja) 1986-02-08

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