JPH04104448A - Probe for interatomic force microscope - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、試料表面の極めて微細な構造を観察するだめ
の原子開力顕微鏡に用いられるプローブ（測定端子）に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a probe (measuring terminal) used in an atomic open force microscope for observing extremely fine structures on the surface of a sample.
第４図は、原子開力顕微鏡（ＡＦＭ）の概略構成図であ
る。同顕微鏡用のプローブは、チップ１と、それを備え
たプレート２とからなり、チップ１を備えたプレート２
の先端部は、第５図の如く角状の突出部に形成されてい
る。FIG. 4 is a schematic diagram of an atomic force microscope (AFM). The probe for the microscope consists of a chip 1 and a plate 2 equipped with the chip 1.
The distal end portion is formed into an angular protrusion as shown in FIG.
前記プレート２の末端は、第４図中の基板４に固定され
ている。チップ１と対向する試料５は、ｘｙｚ−走査系
７に装着されている。チップ１の先端と試料５を不図示
のＺ−駆動装置によって、近距離に接近させると、Ｐａ
ｕｌｉの排他律による斥力か試料５表面とチップ１との
間に作用し、プレート２にたわみか生しる。このたわみ
、すなわち変位量を、光学的手段などを用いた変位検出
器６て検出する。この変位量か一定となるように、圧電
素子等を利用して２−駆動装置によりチップ１の位置を
制御しながら試料５を走査し、これによって試料表面の
構造を原子的スケールの分解能て知ることかできる。こ
のとき、チップ先端の形状か本顕微鏡の分解能を決定す
る大きな要因の−っであると考えられている。すなわぢ
、第５図示のチップ１か三角柱に形成されているために
、その先端か鋭いほど分解能か向上する。The end of the plate 2 is fixed to a substrate 4 in FIG. 4. The sample 5 facing the chip 1 is mounted on an xyz-scanning system 7. When the tip of the tip 1 and the sample 5 are brought close together by a Z-drive device (not shown), the Pa
A repulsive force due to the exclusion law of uli acts between the surface of the sample 5 and the chip 1, causing a deflection in the plate 2. This deflection, that is, the amount of displacement, is detected by a displacement detector 6 using optical means or the like. The sample 5 is scanned while controlling the position of the tip 1 by a drive device using a piezoelectric element or the like so that this amount of displacement remains constant, and thereby the structure of the sample surface can be determined with atomic scale resolution. I can do it. At this time, the shape of the tip tip is considered to be a major factor determining the resolution of this microscope. That is, since the tip 1 shown in FIG. 5 is formed into a triangular prism, the sharper the tip, the better the resolution.
従来の技術として、酸化珪素や窒化珪素からなるプレー
ト２の先端に、１′、導体リソグラフィ技術を用いて、
第５図示の三角柱のように鋭い先端をもつチップ１を形
成する方法かあるか、この方法で製作されたプローブに
おいてもチップ先端の鋭さは、さらに改善される・＼き
ものである。As a conventional technique, 1' is formed on the tip of a plate 2 made of silicon oxide or silicon nitride using conductor lithography technology.
Is there a way to form a tip 1 with a sharp tip like the triangular prism shown in Figure 5?The sharpness of the tip tip of a probe manufactured by this method can be further improved.
その改善に対応させるへく、上述の三角柱よりもさらに
鋭い先端をも一つチップを設け、それをプレートの先端
部に備えたＡ Ｆ Ｍ用のプローブを提供することを本
発明の目的とする。In order to cope with this improvement, it is an object of the present invention to provide a probe for AFM, which has a tip that is even sharper than the above-mentioned triangular prism, and is equipped with the tip at the tip of the plate. .
前記目的を達成するために、本発明はプＩノートの先端
部にチップを備え、同チップは、金属から成ると共に鋭
い先端をもつ針状に形成され、または前記プレートの先
端部に設（ｊた金属パターンと、同パターンより突設さ
れた針状の突出部とからなり、あるいは円錐にまたは三
角柱に形成され、その先端にさらに鋭い針状の突出部を
設けた。To achieve the above object, the present invention includes a tip at the tip of the notebook, and the tip is made of metal and shaped like a needle with a sharp tip, or the tip is formed at the tip of the plate. It consists of a metal pattern and a needle-like protrusion protruding from the pattern, or is formed into a cone or a triangular prism, with an even sharper needle-like protrusion at the tip.
上述の各チップの先端は、いずれも鋭い針状に形成され
ているために、前述の三角柱、よりもさらに鋭くなり、
−層正確にチップの先端の原子の受する力を検出するこ
とかてきる。また、試料表面に誤差かなく、表面形状あ
るいは力分布等を正確に測定することもてきる。特に、
金属パターンと同パターンより突設された針状の突出部
とからなるチップは、原子レベルの解像たけてなく、マ
クロ的な形状１測定も実施することかできる。The tip of each tip mentioned above is formed into a sharp needle shape, so it is even sharper than the triangular prism mentioned above.
- It is possible to accurately detect the force exerted by the atoms at the tip of the layer. Furthermore, there are no errors on the sample surface, and the surface shape, force distribution, etc. can be accurately measured. especially,
A chip consisting of a metal pattern and a needle-shaped protrusion protruding from the pattern has a high resolution at the atomic level and can also perform macroscopic shape measurements.
上述の各チップをプレートに備えた夫々のプロブについ
”Ｃ１夫々の実施例に基づき説明する。Each of the probes having the above-mentioned chips on a plate will be explained based on the respective embodiments of "C1".
〔第１実施例〕
第１図（ａｊないし第１図（、ｆｆ）は、本発明の第１
実施例に係るプローブで、その製造工程を工程順に示し
た概略断面図である。[First Embodiment] FIGS.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of a probe according to an example in order of process.
まず、第１図（ａｔに示す！１１１］＜、シリコンウェ
ハ８の両面に窒化珪素または酸化珪素からなる薄膜９を
形成し、次に第１図（１−＋）の２［１＜シリコンウェ
ハ８の表面に形成された前記薄膜９のトに、レジスト膜
和をコー）・する。さらに同しソスト膜１０に露光現象
して、プレートの前記突起部となる３角形のパターンを
レジス［・膜１０に形成する。そのパターンか形成され
た後の状態を第１図（Ｃ）に示し、次いて第１図（ｄ）
中のＣＦ４等の反応性ガスを用いて、薄膜９の露出部分
をドライエツチングし、その後こ同薄膜９上のレジスト
膜１０を剥離する。さらに、シリコンウェハ８の裏面に
位置する前記薄膜９にレジスト膜１０をコートし、第１
図（ｅ）に示すＣＦ。First, a thin film 9 made of silicon nitride or silicon oxide is formed on both sides of the silicon wafer 8 as shown in FIG. A resist film is applied to the thin film 9 formed on the surface of the film 8. Further, the same photoresist film 10 is exposed to light to form a triangular pattern on the resist film 10, which will become the projections of the plate. The state after the pattern is formed is shown in FIG. 1(C), and then in FIG. 1(d).
The exposed portion of the thin film 9 is dry etched using a reactive gas such as CF4, and then the resist film 10 on the thin film 9 is peeled off. Furthermore, the thin film 9 located on the back surface of the silicon wafer 8 is coated with a resist film 10, and the first
CF shown in figure (e).
等の反応［生カスによりドライエツチングして、ンリコ
ンエッチングのためのパターンをレジスト膜１０および
前記薄膜９の一部に形成する。その後に、同しジスト膜
１０たけを剥離する。A pattern for silicone etching is formed on the resist film 10 and a part of the thin film 9 by dry etching using raw scum. After that, 10 parts of the same resist film are peeled off.
そして、第１図（ｆ）の如くシリコンウェハ８の表面に
、スパッタ、蒸着なとの手法により、金属膜１１を薄く
コートし、同金属膜１１にレジスト膜をコトしてフ才ｌ
・リソグラフィ、Ｘ線、電子−線等により第１図（ｇ＋
中のレジストパターン１２を形成する。Then, as shown in FIG. 1(f), a metal film 11 is thinly coated on the surface of the silicon wafer 8 by a method such as sputtering or vapor deposition, and a resist film is applied to the metal film 11.
- Lithography, X-rays, electron beams, etc.
A resist pattern 12 inside is formed.
同パターン１２に位置された前記薄膜９および金属膜１
１の部分に、フォトリソグラフィにより微小なパターン
を形成する。The thin film 9 and metal film 1 located in the same pattern 12
A minute pattern is formed on the portion 1 by photolithography.
次いて、第１図（ｈ）に示すウェハ表面の前記薄膜９に
位置するパターン」二の金属膜１１の部分に対して、イ
オンミリングの手法を用いて物理的な力を与え、レジス
トパターン１２の側壁に金属の薄い層を付着させる。こ
のときは、イオンの入射角を調整して、鋭利な先端をも
つ金属の薄い層に形成することかできる。そして、レジ
ストパターン１２を除去して、上述の形成された金属の
薄い層を、第１図（１）に示す針状のチップ１３として
形成し、それに続いて、シリコンエツチングの際の保護
膜として、第１図（ｊ）中の５ｉＯ７膜１４をソリコン
ウェハ８の表面側に形成する。さらに、同ウェハ８の裏
面側を経てノリコンエッチンクにより第１図（ｋｌに示
す前記ウェハ８の不要部分を除去し、最後に、同図中の
ＳｉＯ２膜１４をフッ酸て除去することにより、第１図
（ｆｆ）に示すように、各層８．９．１１から成るプレ
ートの先端に、鋭い先端をもつ針状のチップ１３を備え
たプローブか製作される。Next, a physical force is applied using an ion milling technique to the part of the metal film 11 located in the thin film 9 on the wafer surface shown in FIG. Deposit a thin layer of metal on the sidewalls of the In this case, the angle of incidence of the ions can be adjusted to form a thin layer of metal with a sharp tip. Then, the resist pattern 12 is removed and the thin metal layer formed above is formed as a needle-shaped chip 13 as shown in FIG. , a 5iO7 film 14 in FIG. 1(j) is formed on the front surface side of the silicon wafer 8. Furthermore, the unnecessary portion of the wafer 8 shown in FIG. As shown in FIG. 1 (ff), a probe is fabricated having a needle-like tip 13 with a sharp tip at the tip of a plate consisting of each layer 8, 9, 11.
この実施例では、第１図（ｈ）の如くイオンミリンクの
手法によってチップ１３を形成する際、イオンの入射角
を調整して、金属の薄い層に鋭い先端をもたせるように
形成したために、この鋭い先端により前記試料の表面形
状あるいは力分布等を正確こ測定することかできる。In this embodiment, when forming the tip 13 by the ion milling method as shown in FIG. 1(h), the incident angle of ions was adjusted so that the thin metal layer had a sharp tip. This sharp tip makes it possible to accurately measure the surface shape or force distribution of the sample.
また、イオンミリンクの手法に限らす、例えはスバソタ
エソヂンクの手法によっても良く、このどきは、十述と
同様に露光線の入射角を調整すれは、前記金属の薄い層
に鋭い先端を形成することかできる。In addition, it is not limited to the ion milling method, for example, the method of Subasota Esodink may also be used.In this case, the incident angle of the exposure beam should be adjusted as described above, and the thin layer of the metal should be sharply exposed. Can be configured with tips.
〔第２実施例〕
本発明の第２実施例において、その実施例に係るプロー
ブを製作するには、まず第１図（ａ）から第１図（ｇ）
までと同様の工程を施し、そして、第２図（ａ＋中の工
程に移行して第２図（ｆ）までの工程を実施する。[Second Embodiment] In the second embodiment of the present invention, in order to manufacture a probe according to the embodiment, first the steps shown in FIG. 1(a) to FIG. 1(g) are carried out.
The same steps as above are performed, and then the process moves to the step in FIG. 2 (a+) and the steps up to FIG. 2(f) are performed.
第１図（ｇｊ中の工程に於いて、レジストパターン１２
を保護マスクとして、金属膜１１をトライあるいまウェ
ットエッチンクし、これにより第２図ｆａｊ中のレシス
）・パターン１２と接続される金属膜１１のパターンｌ
ｌａだけか残存される。次に、レジスＩ・パターン１２
を除去して、第２図（ｂ）に示すウェハ８の表面にＳｉ
Ｏ□膜あるいはＳｉＮ膜１５を形成し、シリコンエッチ
ンクの際の保護膜とする。このとき、ＳｉＮ膜１５はＬ
Ｐ−ＣＶＤて形成したものよりフッ酸に対するエツチン
グレートか十分大きなものを使う必要かある。次に、シ
リコンウェハ８の裏面側よりシリコンエッチンクを行っ
て、第２図（Ｃ）中のシリコンウェハ８の不要部分を除
去し、更に５ｉｎ２膜あるいはＳｉＮ膜１５をフッ酸て
除去する。その後の形状を第２図（ｄ）に示し、同図中
の右側に位置するウェハ８の部分を削除して、左側の部
分を第２図（ｅ）中の電気炉１Ｂの内部に装入し、次い
て熱処理を行う。FIG. 1 (In the process of gj, resist pattern 12
Using this as a protective mask, the metal film 11 is tried or wet-etched, thereby forming the pattern l of the metal film 11 connected to the pattern 12 shown in FIG.
Only la remains. Next, register I pattern 12
is removed and Si is deposited on the surface of the wafer 8 shown in FIG. 2(b).
An O□ film or a SiN film 15 is formed to serve as a protective film during silicon etching. At this time, the SiN film 15 is
It is necessary to use a material with a sufficiently higher etching rate for hydrofluoric acid than that formed by P-CVD. Next, silicon etching is performed from the back side of the silicon wafer 8 to remove unnecessary portions of the silicon wafer 8 shown in FIG. 2(C), and the 5in2 film or the SiN film 15 is further removed using hydrofluoric acid. The subsequent shape is shown in Fig. 2(d), the part of the wafer 8 located on the right side in the figure is deleted, and the part on the left side is charged into the electric furnace 1B as shown in Fig. 2(e). Then, heat treatment is performed.
この熱処理により、結晶成長の技術で、金属１１のパタ
ーンｌｌａから非常に微細ｔｓＨ状のウィスカ１フを成
長させ、これをスタイラスとして使用する。そして、電
気炉１６から取り出して、第２図（ｆ）の如く金属のパ
ターン１１ａを形成した薄膜９の裏面に、金属膜１６を
薄くコートシ、これにより、レサーの反射率を向上させ
ることかでき、効率的にｆｃＵｉ則を行うこともてきる
。Through this heat treatment, a very fine tsH-like whisker is grown from the pattern lla of the metal 11 using a crystal growth technique, and this is used as a stylus. Then, it is taken out from the electric furnace 16 and a thin layer of metal film 16 is coated on the back side of the thin film 9 on which the metal pattern 11a is formed as shown in FIG. , it is also possible to efficiently perform the fcUi rule.
以上より、金属のパターン１１ａと、それより突出され
る釘状のウィスカー１７とからなるチップをプレートの
先端部に備えたプローブか製作される。As described above, a probe is manufactured in which a tip consisting of a metal pattern 11a and a nail-shaped whisker 17 protruding from the metal pattern 11a is provided at the tip of the plate.
この実施例では、非常に微細なウィスカーを成長させ、
スタイラスとして使用するために、前述の原子開力顕微
鏡としての十分な性能をもっことかできる。また、同実
施例における製造の方法によ第１は、高剛性で強靭な高
アスペクト比のチップを形成することかでき、また絶対
高さも大きいものか得られやすいために、アスペクト比
の高いサンプルも測定可能となり、原子分子レベルの測
定や、広い領域のマクロ的な測定を同一のチップで実施
することかできる。In this example, we grow very fine whiskers,
In order to use it as a stylus, sufficient performance as the above-mentioned atomic open force microscope can be obtained. In addition, the first advantage of the manufacturing method in this example is that it is possible to form chips with high aspect ratio that are highly rigid and strong, and also because it is easy to obtain chips with a large absolute height. This makes it possible to perform measurements at the atomic and molecular level as well as macroscopic measurements over a wide area using the same chip.
〔第３実施例〕
本発明の第３実施例に係るプローブにおいて、それを製
作するには、まず第１図（ａｌから第１図（ｅ）までと
同様の工程を施して、裏面側のレシス［・膜１０を除去
し、そして、第３図（ａ、ｊ中の工程に移行して第３図
（１〕）までの工程を実施する。[Third Embodiment] To manufacture the probe according to the third embodiment of the present invention, first perform the same steps as in Figure 1 (al to Figure 1 (e)), and then The resin film 10 is removed, and the process moves to the steps in FIGS. 3A and 3J, and the steps up to FIG. 3(1) are carried out.
第３図（ａ）に示すシリコンウェハ８の表面側に、レジ
スト膜あるいはポリイミド膜１８、ＳｉＯ□膜１９膜上
９レジスト膜２０を順次コートする。次にレジスト膜２
０に露光して現像によりＳｉＯ□膜１９上に第３図（ｂ
）に示すレジスＩ・膜２０の残存パターン２０ａを形成
し、次いて、同パターン２０ａをマスクとしてそのパタ
ーン２０ａと接触しないＳｉＯ□膜１日の部分を、ＣＦ
４等の反応性ガスによりドライエツチングする。A resist film or a polyimide film 18, a SiO□ film 19, and a nine resist film 20 are sequentially coated on the front side of the silicon wafer 8 shown in FIG. 3(a). Next, resist film 2
3 (b) on the SiO□ film 19 by exposure to 0.
) is formed, and then, using the pattern 20a as a mask, the portion of the SiO□ film that does not come into contact with the pattern 20a is treated with CF
Dry etching with a reactive gas such as No. 4.
これによりＳｉＯ□膜１日の残存パターン１９ａか形成
される。このパターン１９ａに位置されるポリイミド膜
１Ｂ（又はレンズ１〜膜）の部分に、第３図（Ｃｌに示
す円錐状のパターン１８ａか形成されるように、残存パ
ターン１９ａをマスクとして０２プラズマによりポリイ
ミド膜１Ｂの不要部分をドライエツチングする。尚、前
記パターンｌｅａの形状は円錐に限らず、三角柱の形状
となるように形成しても良い。As a result, a pattern 19a remaining after one day of SiO□ film is formed. Using the remaining pattern 19a as a mask, the polyimide film 1B (or lens 1 to film) portion located in this pattern 19a is coated with polyimide using 02 plasma so that a conical pattern 18a shown in FIG. 3 (Cl) is formed. Dry etching is performed on unnecessary portions of the film 1B.The shape of the pattern lea is not limited to a cone, but may be formed into a triangular prism shape.
次に、ＣＦ、等の反応性カスによりトライエツチングで
、上述の残存パターン１９ａを除去し、第３図（ｄ）に
示す金属膜２１をウェハ８の表面にコートする。次いで
、第３図（ｅ）中の金属膜２１上にＳｉＮ膜２２を形成
し、シリコンエッチンクの際の保護膜とする。この時、
ＳｉＮ膜２２はＬＰ−ＣＶＤて形成したものよりフッ酸
に対するエツチングレートか十分大きなものを使う必要
かある。次に、シリコンウェハ８の裏面側よりシリコン
エッチンクを行って、第３図（ｆｊ中のノリコンウェハ
８の不要部分を除去し、さらにＳｉＮ膜２２をフッ酸て
除去する。その後の形状を第３図（ｇ）に示し、同図中
の右側に位置するウェハ８の部分を除去して、左側の部
分をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）の内部に装入し、その
内部に例えばＷＦ＋又はＴａ（Ｃ２Ｈ５０）５等の原料
ガスを流入する。それに並行して、第３図（ｈ）に示す
円錐パターンｌｅａ上の金属膜２１の頂点部分に対して
電子線を十分に小さく絞って照射し、この照射に伴って
前述の原料ガスにより、金属膜２１の頂点部分にカーボ
ンの微細な針状部２３か形成される。Next, the above-mentioned remaining pattern 19a is removed by tri-etching using reactive scum such as CF, and the surface of the wafer 8 is coated with a metal film 21 shown in FIG. 3(d). Next, a SiN film 22 is formed on the metal film 21 in FIG. 3(e) to serve as a protective film during silicon etching. At this time,
It is necessary to use a SiN film 22 having a sufficiently higher etching rate for hydrofluoric acid than that formed by LP-CVD. Next, silicon etching is performed from the back side of the silicon wafer 8 to remove unnecessary portions of the silicon wafer 8 shown in FIG. The part of the wafer 8 shown in FIG. A raw material gas such as C2H50)5 is introduced.In parallel, an electron beam is focused to a sufficiently small size and irradiated onto the apex portion of the metal film 21 on the conical pattern lea shown in FIG. 3(h). Along with the irradiation, fine carbon needle-like portions 23 are formed at the apex portions of the metal film 21 by the aforementioned source gas.
従って、円錐または三角柱の形状に形成されてその先端
にさらに鋭い針状部を存するチップを、プレートの先端
に備えたプローブか製作される。Therefore, a probe is manufactured in which a tip is formed in the shape of a cone or a triangular prism and has a sharp needle-like part at the tip of the plate.
上述の針状部２３はカーボンより成っているが、それ以
外でも、例えはＷ（Ｃ○）６の原料ガスを流しながら、
同様に電子線を照射すれば、タングステンの針状部か形
成される。針状部の種類はこれ以外にも考えられるか、
本発明はこれに限るものではない。また、針状部の形成
か容易であることに加えて、針の位置決めか正確にてき
、チップ自体の高さを高くすることも可能である。The above-mentioned needle-like part 23 is made of carbon, but it can also be made of carbon, for example, while flowing a raw material gas of W(C○)6,
Similarly, by irradiating with an electron beam, a tungsten needle-like portion is formed. Are there other types of needle-like parts possible?
The present invention is not limited to this. Furthermore, in addition to the ease of forming the needle-like portion, the needle can be positioned accurately and the height of the tip itself can be increased.
以北の本発明によれば、夫々のチップの先端はいずれも
鋭い先端を持った針の形状に形成されているために、前
述の三角柱よりもさらに鋭くなり、高精度の鋭利なチッ
プを備えたプローブを提供することかできる。この結果
、プレート先端のチップは被測定物の表面形状を忠実に
トレースし、分解能か高く高精度の形状測定か可能とな
る。特に、本発明の第２実施例に係るチップは、原子レ
ベルの解像たけてなく、マクロ的な形状測定も実施する
ことかできる。According to the present invention, the tip of each tip is formed in the shape of a needle with a sharp tip, which makes it even sharper than the triangular prism described above, and has a sharp tip with high precision. It is possible to provide probes with As a result, the tip at the tip of the plate faithfully traces the surface shape of the object to be measured, making it possible to measure the shape with high resolution and precision. In particular, the chip according to the second embodiment of the present invention has a high resolution at the atomic level and can also perform macroscopic shape measurements.
第１図（ａｊないし第１図（β）は、本発明の第１実施
例に係り、原子開力顕微鏡（Ａ Ｆ Ｍ）用のプローブ
を製造した工程順の概略断面図である。
第２図（ａ）ないし第２図（ｆ）は、第１図（ａ）ない
し第１図（ｇ）を経て、本発明の第２実施例に係るＡＦ
Ｍプローブを製造した工程順の概略断面図である。
第３図（ａｌないし第３図（ｈ）は、第１図（ａ）ない
し第１図（ｅ）を経て、本発明の第３実施例に係るＡＦ
Ｍプローブを製造した工程順の概略断面図である。
第４図は、原子開力顕微鏡（ＡＦＭ）を示す概略構成図
である。
第５図は、チップ１およびそれを備えたプレト２の先端
部を示す拡大斜視図である。
〔主要部分の符号の説明〕
１．１３− チップ、２ プレー１−３−−−
プローブ、４ 基板
５ 試料、６ 変位検出
７− ＸｙＺ−走査系
８ − シリコンウェハ
９ 窒化珪素または酸化珪素の薄膜１１
金属膜、ｌｌａ 金属パターン１フ −針状
のウィスカー（突出部）
１８ａ ＝−−円錐または三角柱のパターン２１ 〜−
金属膜、 ２３−−−一 針状部用願人 株式会社
ニコンFigures 1 (aj to 1 (β)) are schematic cross-sectional views of the steps of manufacturing a probe for an atomic open force microscope (AFM) according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 1(a) to 2(f) show the AF according to the second embodiment of the present invention through FIGS. 1(a) to 1(g).
It is a schematic sectional view of the process order which manufactured M probe. FIG. 3 (al to FIG. 3 (h)) shows the AF according to the third embodiment of the present invention after passing through FIG. 1 (a) to FIG. 1 (e).
It is a schematic sectional view of the process order which manufactured M probe. FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing an atomic force microscope (AFM). FIG. 5 is an enlarged perspective view showing the tip of the chip 1 and the plate 2 equipped with the chip. [Explanation of symbols of main parts] 1.13- Chip, 2 Play 1-3---
Probe, 4 Substrate 5 Sample, 6 Displacement detection 7 - XyZ-scanning system 8 - Silicon wafer 9 Silicon nitride or silicon oxide thin film 11
Metal film, lla Metal pattern 1 f - Needle-like whisker (projection) 18a =-- Cone or triangular prism pattern 21 ~-
Metal film, 23----1 Needle part applicant Nikon Corporation
Claims (3)
金属から成ると共に鋭い先端をもつ針状に形成されてい
ることを特徴とする原子間力顕微鏡用プローブ。(1) A chip is provided at the tip of the plate, and the chip is
An atomic force microscope probe characterized by being made of metal and shaped like a needle with a sharp tip.
於いて、前記針状のチップに変えて前記プレートの先端
部に別のチップを備え、同チップは、前記プレートの先
端部に設けた金属パターンと、同パターンより突設され
た針状の突出部とからなることを特徴とする原子間力顕
微鏡用プローブ。(2) In the probe according to claim (1), a different tip is provided at the tip of the plate in place of the needle-like tip, and the tip is provided at the tip of the plate. An atomic force microscope probe comprising a metal pattern and a needle-shaped protrusion protruding from the metal pattern.
於いて、前記針状のチップに変えて前記プレートの先端
部に別のチップを備え、同チップは、円錐にまたは三角
柱に形成され、その先端に、さらに鋭い針状の突出部を
有することを特徴とする原子間力顕微鏡用プローブ。(3) In the probe according to claim (1), in place of the needle-like tip, another tip is provided at the tip of the plate, and the tip is formed into a cone or a triangular prism. An atomic force microscope probe characterized by having a sharp needle-like protrusion at its tip.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220490A JPH04104448A (en) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | Probe for interatomic force microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2220490A JPH04104448A (en) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | Probe for interatomic force microscope |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04104448A true JPH04104448A (en) | 1992-04-06 |
Family
ID=16751883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2220490A Pending JPH04104448A (en) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | Probe for interatomic force microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04104448A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8070920B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-12-06 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Nanometer-scale sharpening of conductor tips |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP2220490A patent/JPH04104448A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8070920B2 (en) | 2006-04-26 | 2011-12-06 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Nanometer-scale sharpening of conductor tips |
| US8819861B2 (en) | 2006-04-26 | 2014-08-26 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Nanometer-scale sharpening of conductor tips |
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