JPH0350772A - 不揮発性メモリ装置の製造方法 - Google Patents

不揮発性メモリ装置の製造方法

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JPH0350772A
JPH0350772A JP1186385A JP18638589A JPH0350772A JP H0350772 A JPH0350772 A JP H0350772A JP 1186385 A JP1186385 A JP 1186385A JP 18638589 A JP18638589 A JP 18638589A JP H0350772 A JPH0350772 A JP H0350772A
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JP
Japan
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film
floating gate
control gate
gate
polycrystalline
Prior art date
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Pending
Application number
JP1186385A
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English (en)
Inventor
Masanori Noda
昌敬 野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Priority to EP95120043A priority patent/EP0712162A2/en
Priority to DE69028665T priority patent/DE69028665T2/de
Priority to EP90113487A priority patent/EP0409107B1/en
Priority to DE69034027T priority patent/DE69034027T2/de
Priority to EP94117676A priority patent/EP0642168B1/en
Priority to KR1019900010694A priority patent/KR950014536B1/ko
Priority to US07/553,374 priority patent/US5068697A/en
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates

Landscapes

  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、不揮発性メモリ装置の製造方法に関し、特に
、高融点金属を含む層によりコントロールゲートを形成
したフローティングゲート型の不揮発性メモリ装置の製
造に適用して好適なものである。
〔発明の概要〕
本発明は、フローティングゲート上に絶縁膜を介してコ
ントロールゲートが積層された構造の不揮発性メモリ装
置の製造方法において、半導体層から成る上記フローテ
ィングゲート及び上記フローティングゲート上に積層さ
れた高融点金属を含む層から成る上記コントロールゲー
トを形成する工程と、上記フローティングゲート及び上
記コントロールゲートを金属原子の拡散を防止し、かつ
酸素を透過する膜により覆う工程と、熱酸化を行うこと
により少なくとも上記フローティングゲートの側壁に半
導体酸化膜を形成する工程とを具備する。これによって
、フローティングゲートの側壁に半導体酸化膜を形成す
るための熱酸化時にコントロールゲート中に含まれる金
属原子のアウトデイフュージョンが生じることなく、デ
ータ保持特性の良好な不揮発性メモリ装置を製造するこ
とができる。
〔従来の技術〕
Ｅ　Ｐ　ＲＯＭ　（Ｅｒａｓａｂｌｅ　ａｎｄ　Ｐｒｏ
ｇｒａｍｍａｂｌｅ　ＲｅａｄＯｎｌｙ　Ｍｅ＋５ｏｒ
ｙ）やＥ　Ｅ　Ｐ　ＲＯＭ　（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌ
ｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ　ａｎｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂ
ｌｅ　Ｒｅａｄ　０ｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）などのフロ
ーティングゲートデバイスにおいては、フローティング
ゲート及びコントロールゲート共に従来よりｎ゛型の多
結晶シリコン（Ｓｉ）膜により形成されていた。近年、
ＥＰＲＯＭやＥＥＰＲＯＭの大容量化や高速化の要求に
応じて、コントロールゲートの材料として、ｎ゛型の多
結晶Ｓｔ腹膜上タングステンシリサイド（ＷＳｉｇ）膜
やモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｚ）膜などの高融点
金属シリサイド膜を積層したポリサイド膜や、高融点金
属などの低抵抗材料を用いる必要性が生じてきた。
ところで、フローティングゲートの周囲の側壁には膜質
の良好な熱酸化膜を形成した方が良好なデータ保持特性
が得られるが、そのためには熱酸化を１０００°Ｃ以上
の高温で行うことが望まれる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 フローティングゲート上に絶縁膜を介してコントロール
    ゲートが積層された構造の不揮発性メモリ装置の製造方
    法において、 半導体層から成る上記フローティングゲート及び上記フ
    ローティングゲート上に積層された高融点金属を含む層
    から成る上記コントロールゲートを形成する工程と、 上記フローティングゲート及び上記コントロールゲート
    を金属原子の拡散を防止し、かつ酸素を透過する膜によ
    り覆う工程と、 熱酸化を行うことにより少なくとも上記フローティング
    ゲートの側壁に半導体酸化膜を形成する工程とを具備す
    ることを特徴とする不揮発性メモリの製造方法。
JP1186385A 1989-07-18 1989-07-18 不揮発性メモリ装置の製造方法 Pending JPH0350772A (ja)

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DE69032678T DE69032678T2 (de) 1989-07-18 1990-07-13 Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
EP97119048A EP0827197B1 (en) 1989-07-18 1990-07-13 Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device
EP95120043A EP0712162A2 (en) 1989-07-18 1990-07-13 A nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing thereof
DE69028665T DE69028665T2 (de) 1989-07-18 1990-07-13 Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung
EP90113487A EP0409107B1 (en) 1989-07-18 1990-07-13 A nonvolatile semiconductor memory device and a method of manufacturing thereof
DE69034027T DE69034027T2 (de) 1989-07-18 1990-07-13 Verfahren zur Herstellung einer nicht flüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung
EP94117676A EP0642168B1 (en) 1989-07-18 1990-07-13 Non-volatile semiconductor memory device
KR1019900010694A KR950014536B1 (ko) 1989-07-18 1990-07-14 불휘발성 메모리장치의 제조방법
US07/553,374 US5068697A (en) 1989-07-18 1990-07-17 Semiconductor memory which is protected from erasure by light shields

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KR (1) KR950014536B1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0465170A (ja) * 1990-07-05 1992-03-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
JPH07302849A (ja) * 1994-03-30 1995-11-14 Sgs Thomson Microelectron Sa 電気的プログラマブルメモリセル及び製造方法
KR100395755B1 (ko) * 2001-06-28 2003-08-21 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
KR100415084B1 (ko) * 2001-06-15 2004-01-13 주식회사 하이닉스반도체 플레쉬 메모리소자의 제조방법
JP2010021560A (ja) * 1999-02-19 2010-01-28 Renesas Technology Corp 不揮発性半導体記憶装置ならびにその駆動方法、動作方法および製造方法

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JP2010021560A (ja) * 1999-02-19 2010-01-28 Renesas Technology Corp 不揮発性半導体記憶装置ならびにその駆動方法、動作方法および製造方法
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Also Published As

Publication number Publication date
KR950014536B1 (ko) 1995-12-05
KR910003810A (ko) 1991-02-28

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