JPH0350511B2 - - Google Patents

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JPH0350511B2
JPH0350511B2 JP59254243A JP25424384A JPH0350511B2 JP H0350511 B2 JPH0350511 B2 JP H0350511B2 JP 59254243 A JP59254243 A JP 59254243A JP 25424384 A JP25424384 A JP 25424384A JP H0350511 B2 JPH0350511 B2 JP H0350511B2
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voltage
polarization
electrostrictive
thyristor
polarity
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Akira Tomono
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/802Drive or control circuitry or methods for piezoelectric or electrostrictive devices not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H10N30/204Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
    • H10N30/2041Beam type
    • H10N30/2042Cantilevers, i.e. having one fixed end

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はバイモルフ素子、特に同方向分極形バ
イモルフ素子を用いた圧電アクチユエータに関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a piezoelectric actuator using a bimorph element, particularly a co-polarized bimorph element.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、端末機器の小型化、軽量化の要求に伴
い、電磁石に替わる小型で効率の良いアクチユエ
ータとしてバイモルフ素子を利用したものが注目
されている。
In recent years, with the demand for smaller and lighter terminal devices, bimorph devices using bimorph elements have been attracting attention as small and efficient actuators that can replace electromagnets.

バイモルフ素子は、ジルコン酸チラン酸鉛等の
材料からなる厚み方向に分極された電歪板を重ね
合わせたものであり、一端を固定した状態で厚み
方向に適当な電圧を印加することにより電歪板を
圧電横効果によつて変形させ自由端を変位させる
ものである。
A bimorph element is a stack of electrostrictive plates made of materials such as lead zirconate tyranate that are polarized in the thickness direction, and is electrostrictive by applying an appropriate voltage in the thickness direction with one end fixed. The plate is deformed by the piezoelectric transverse effect to displace the free end.

この種のアクチユエータは、第11図イに示す
ように電歪板H1,H2の分極方向(矢印Aの方
向)が一致している同方向分極形バイモルフ素子
を用いたものと、同図ロに示すように電歪板H
1,H2の分極方向(矢印Bの方向)が互いに対
向している対向分極形バイモルフ素子を用いたも
のに大別される。
This type of actuator uses a co-polarized bimorph element in which the polarization directions of the electrostrictive plates H1 and H2 (in the direction of arrow A) coincide with each other, as shown in FIG. Electrostrictive plate H as shown
1 and H2 polarization directions (direction of arrow B) are opposite to each other, and are broadly classified into those using oppositely polarized bimorph elements.

この2つのタイプにおいて、低電圧で大きな変
位を得ようとする場合には、電歪板H1,H2の
双方に同時に電圧が印加される同方向分極形バイ
モルフ素子を用いたもの(第11図イ)が有利で
ある。
In these two types, if you want to obtain a large displacement with a low voltage, use a co-polarized bimorph device in which voltage is applied to both electrostrictive plates H1 and H2 at the same time (Fig. 11). ) is advantageous.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、第11図イに示すような従来の駆動法
の場合、一方の電歪板には分極方向と同方向に、
他方の電歪板には分極方向と逆方向にそれぞれ電
源電圧Eが加わるため、逆方向に電圧が印加され
た電歪板は減極することがある。
However, in the case of the conventional driving method as shown in FIG. 11A, one electrostrictive plate has a
Since the power supply voltage E is applied to the other electrostrictive plate in the opposite direction to the polarization direction, the electrostrictive plate to which the voltage is applied in the opposite direction may be depolarized.

第12図は圧電アクチユエータを動作周波数2
Hzで動作させた時の電源電圧Eと変位量δとの関
係を示した特性図である。
Figure 12 shows a piezoelectric actuator with an operating frequency of 2.
It is a characteristic diagram showing the relationship between power supply voltage E and displacement amount δ when operated at Hz.

同図において、破線で示した曲線Aは、第11
図イに示すタイプの圧電アクチユエータに関する
ものである。この圧電アクチユエータによれば、
80V程度で分極が破壊され、変位量δは極端に低
下する。
In the same figure, the curve A indicated by the broken line is the 11th
This relates to a piezoelectric actuator of the type shown in Figure A. According to this piezoelectric actuator,
At about 80V, the polarization is destroyed and the displacement δ is extremely reduced.

この分極の破壊は分極と逆方向に過電圧が加わ
ることによつて生じるものであり、この圧電アク
チユエータの場合、電源電圧Eがそのまま電歪板
H1,H2の逆分極方向に印加されるので、使用
しているバイモルフ素子の分極破壊電圧Vpは
80Vであることが判る。
This destruction of polarization occurs when an overvoltage is applied in the opposite direction to the polarization, and in the case of this piezoelectric actuator, the power supply voltage E is directly applied to the electrostrictive plates H1 and H2 in the opposite polarization direction, so it cannot be used. The polarization breakdown voltage Vp of the bimorph device is
It turns out that it is 80V.

また、バイモルフ素子に対する実用的な印加電
圧は、分極破壊電圧Vpの1/2〜1/3程度が限度で
あり、この電圧を越えて使用すると分極が破壊さ
れることはないにしても分極の劣化が生じてく
る。
In addition, the practical voltage applied to a bimorph element is limited to about 1/2 to 1/3 of the polarization breakdown voltage Vp, and if it is used at a voltage exceeding this voltage, the polarization will not be destroyed, but the polarization will be reduced. Deterioration will occur.

すなわち、電歪板に分極方向とは逆方向の電圧
を徐々に上昇させながら印加すると、ある印加電
圧から分極が減極(劣化)し始めるものであり、
このときの電圧値を分極劣化電圧Vdと称する。
In other words, when a voltage in the opposite direction to the polarization direction is applied to the electrostrictive plate while gradually increasing, the polarization starts to depolarize (degrade) at a certain applied voltage.
The voltage value at this time is called a polarization deterioration voltage Vd.

第12図の曲線Aで示される特性を持つ圧電ア
クチユエータの場合、使用しているバイモルフ素
子の分極劣化電圧Vdは30V程度であり、分極劣
化電圧Vdがそのまま圧電アクチユエータの電源
電圧の限界となるため、変位量δは1mm程度しか
得ることができない。
In the case of a piezoelectric actuator with the characteristics shown by curve A in Figure 12, the polarization deterioration voltage Vd of the bimorph element used is about 30V, and the polarization deterioration voltage Vd directly becomes the limit of the power supply voltage of the piezoelectric actuator. , a displacement δ of only about 1 mm can be obtained.

また、一般に圧電アクチユエータは極性切替時
に最も大きな変位量と力が要求される場合が多い
が、高速動作が要求される場合にはヒステリシス
の影響のため所期の変位量が得られない場合があ
る。このことを、第13図を用いて具体的に説明
する。
Additionally, piezoelectric actuators are generally required to have the largest amount of displacement and force when switching polarity, but when high-speed operation is required, the desired amount of displacement may not be obtained due to the effects of hysteresis. . This will be specifically explained using FIG. 13.

すなわち、第13図イはバイモルフ素子1の動
作を示す側面図であり、同図ロはバイモルフ素子
1の先端の速度vと変位量δとの関係を示す特性
図であるが、第13図イにおいて実線で示す状態
から極性を切り替えて破線で示す状態へ移る間の
速度変化を求めると第13図ロのようになり、あ
る位置まで速やかに変位をするが、その後は急速
に速度が遅くなり、時間をかけて最終位置に到着
する特性がある。
That is, FIG. 13A is a side view showing the operation of the bimorph element 1, and FIG. If we calculate the change in speed during the transition from the state shown by the solid line to the state shown by the broken line after switching the polarity, it will be as shown in Figure 13 (b), where it will quickly displace to a certain position, but after that the speed will rapidly slow down. , it has the characteristic that it takes time to reach the final position.

したがつて、高速で振動させる場合などは、十
分に変位しきつていないうちに極性が反転するこ
とによつて変位量が一点鎖線で示すように小さく
なることがある(変位量η)。そのために、所期
の変位量が得られないのである。
Therefore, when vibrating at high speed, the polarity may be reversed before the displacement is sufficiently tight, and the amount of displacement may become small as shown by the dashed line (displacement amount η). Therefore, the desired amount of displacement cannot be obtained.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので
あり、分極された電歪板に電圧制限回路を介し、
分極劣化電圧以上の電圧を極性を交互に変えなが
ら供給する圧電アクチユエータにおいて、その電
圧制限回路は、電歪板に供給される電圧が分極と
同方向のときは制限せず、逆方向のときは分極劣
化電圧以下の電圧まで所定の時定数に従い低下す
る特性を有するようにしたものである。
The present invention has been made in view of the above problems, and includes a voltage limiting circuit that connects a polarized electrostrictive plate to a polarized electrostrictive plate.
In a piezoelectric actuator that supplies a voltage higher than the polarization deterioration voltage while alternating polarity, the voltage limiting circuit does not limit the voltage supplied to the electrostrictive plate when it is in the same direction as the polarization, but when it is in the opposite direction. It has a characteristic that the voltage decreases according to a predetermined time constant until the voltage is below the polarization deterioration voltage.

〔作用〕[Effect]

電圧制限回路が挿入されているために、電歪板
に対して分極方向と逆方向の電圧が印加される場
合には、分極方向と同方向の電圧が印加される場
合に比べて低い電圧が印加される。
Because a voltage limiting circuit is inserted, when a voltage is applied to the electrostrictive plate in the opposite direction to the polarization direction, the voltage is lower than when a voltage is applied in the same direction as the polarization direction. applied.

また、電圧制限回路を一定の電圧でターンオン
するpnpn素子回路で構成しているので、電歪板
に対する印加電圧の極性が分極方向と同方向から
逆方向に切り替わる瞬間に高い電圧が印加され、
その後徐々にその印加電圧値が低下していくよう
に作用する。
In addition, since the voltage limiting circuit is configured with a pnpn element circuit that turns on at a constant voltage, a high voltage is applied at the moment the polarity of the voltage applied to the electrostrictive plate switches from the same direction as the polarization direction to the opposite direction.
Thereafter, the applied voltage value gradually decreases.

〔実施例〕〔Example〕

以下、実施例と共に本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail together with examples.

第1図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.

圧電アクチユエータは、同方向分極形バイモル
フ素子1、駆動入力回路2、極性切替回路3、定
電圧回路4、制御回路5および直流電源6によつ
て構成されている。
The piezoelectric actuator includes a co-polarized bimorph element 1, a drive input circuit 2, a polarity switching circuit 3, a constant voltage circuit 4, a control circuit 5, and a DC power supply 6.

そして、バイモルフ素子1は、駆動入力回路
2、極性切替回路3、定電圧回路4を介して直流
電源6に接続されている。
The bimorph element 1 is connected to a DC power source 6 via a drive input circuit 2, a polarity switching circuit 3, and a constant voltage circuit 4.

バイモルフ素子1は、一対の電歪板H1,H2
を含み、これらの電歪板H1,H2は中央電極S
を挟んで分極方向が同方向(第1図では厚み方向
の上から下に向かつて)となるように配置されて
いる。
The bimorph element 1 includes a pair of electrostrictive plates H1 and H2.
These electrostrictive plates H1 and H2 have a central electrode S
They are arranged so that their polarization directions are in the same direction (from top to bottom in the thickness direction in FIG. 1).

また、これら電歪板H1,H2の中央電極Sと
対向する側に電極T1,T2が配置されている。
そして、電極T2側の電歪板H2の一端がベース
に固定されている。
Furthermore, electrodes T1 and T2 are arranged on the sides of these electrostrictive plates H1 and H2 that face the center electrode S.
One end of the electrostrictive plate H2 on the electrode T2 side is fixed to the base.

駆動入力回路2は、陰極側が電歪板H1の電極
T1に接続された電圧制限回路21と、陽極側が
電歪板H2の電極T2に接続された電圧制限回路
22と、電極T1と中央電極Sとの間に接続され
た高抵抗23と、電極T2と中央電極Sとの間に
接続された高抵抗24とによつて構成されてい
る。なお、電圧制限回路21,22の陰極側、陽
極側とは、後述するそれぞれの回路の内部要素で
あるツエナーダイオード211,221の陰極
側、陽極側をとする。
The drive input circuit 2 includes a voltage limiting circuit 21 whose cathode side is connected to the electrode T1 of the electrostrictive plate H1, a voltage limiting circuit 22 whose anode side is connected to the electrode T2 of the electrostrictive plate H2, and the electrode T1 and the center electrode S. , and a high resistance 24 connected between the electrode T2 and the center electrode S. Note that the cathode side and anode side of the voltage limiting circuits 21 and 22 refer to the cathode side and anode side of Zener diodes 211 and 221, which are internal elements of the respective circuits to be described later.

電圧制限回路21と22のそれぞれの他端は、
共通に接続された後、駆動入力回路2の一方の入
力端子Aに接続されている。また、高抵抗23と
24の接続点すなわち中央電極Sは駆動入力回路
2の他方の入力端子Bに接続されている。
The other ends of each of the voltage limiting circuits 21 and 22 are
After being connected in common, they are connected to one input terminal A of the drive input circuit 2. Further, the connection point between the high resistances 23 and 24, ie, the center electrode S, is connected to the other input terminal B of the drive input circuit 2.

電圧制限回路21,22は、pnpn素子である
サイリスタ212,222を含むpnpn素子回路
にツエナーダイオード211,221が並列に接
続されることにより特徴づけられる。
The voltage limiting circuits 21 and 22 are characterized by Zener diodes 211 and 221 being connected in parallel to a pnpn element circuit including thyristors 212 and 222 which are pnpn elements.

電圧制限回路21において、抵抗217とツエ
ナーダイオード211の直列体と並列にツエナー
ダイオード215とサイリスタ212の直列体が
接続される。この場合、ツエナーダイオード21
5は、ツエナーダイオード211と同様に陽極側
が端子Aに接続され、陰極側がサイリスタ212
の陰極に接続されている。そして、このサイリス
タ212の陽極側はツエナーダイオード211の
陰極と一緒に電歪板H1の正の分極面に接する電
極T1に接続されている。
In the voltage limiting circuit 21, a series body of a Zener diode 215 and a thyristor 212 is connected in parallel with a series body of a resistor 217 and a Zener diode 211. In this case, the Zener diode 21
5, the anode side is connected to the terminal A like the Zener diode 211, and the cathode side is connected to the thyristor 212.
connected to the cathode of The anode side of this thyristor 212 is connected together with the cathode of the Zener diode 211 to an electrode T1 in contact with the positive polarization surface of the electrostrictive plate H1.

また、サイリスタ212のゲートに抵抗214
とツエナーダイオード213の陽極との接続点が
接続され、抵抗214の他端はサイリスタ212
の陰極に、ツエナーダイオード213の他端(陰
極)はサイリスタ212の陰極に接続されてい
る。さらに、陰極がツエナーダイオード211の
陽極側に接続されるように、ダイオード216が
抵抗217に並列に接続されている。
In addition, a resistor 214 is connected to the gate of the thyristor 212.
and the anode of the Zener diode 213 are connected, and the other end of the resistor 214 is connected to the thyristor 212.
The other end (cathode) of the Zener diode 213 is connected to the cathode of the thyristor 212 . Furthermore, a diode 216 is connected in parallel to a resistor 217 such that its cathode is connected to the anode side of the Zener diode 211.

同様に、電圧制限回路22において、抵抗22
7とツエナーダイオード221の直列体と並列に
ツエナーダイオード225とサイリスタ222の
直列体が接続される。この場合、ツエナーダイオ
ード225は、ツエナーダイオード221と同様
に陰極側が端子Aに接続され、陽極側がサイリス
タ222の陰極に接続されている。そして、この
サイリスタ222の陰極側はツエナーダイオード
221の陽極と一緒に電歪板H2の負の分極面に
接する電極T2に接続されている。
Similarly, in the voltage limiting circuit 22, the resistor 22
A series body of a Zener diode 225 and a thyristor 222 is connected in parallel with a series body of a Zener diode 225 and a Zener diode 221. In this case, the Zener diode 225 has its cathode side connected to the terminal A like the Zener diode 221, and its anode side connected to the cathode of the thyristor 222. The cathode side of this thyristor 222 is connected together with the anode of the Zener diode 221 to an electrode T2 that is in contact with the negative polarization surface of the electrostrictive plate H2.

また、サイリスタ222のゲートに抵抗224
とツエナーダイオード223の陽極との接続点が
接続され、抵抗224の他端はツエナーダイオー
ド221の陰極に、ツエナーダイオード223の
他端(陰極)はサイリスタ222の陽極に接続さ
れている。さらに、陽極がツエナーダイオード2
21の陽極側に接続されるように、ダイオード2
26が抵抗217に並列に接続されている。
In addition, a resistor 224 is connected to the gate of the thyristor 222.
and the anode of the Zener diode 223 are connected, the other end of the resistor 224 is connected to the cathode of the Zener diode 221, and the other end (cathode) of the Zener diode 223 is connected to the anode of the thyristor 222. Furthermore, the anode is a Zener diode 2
Diode 2 is connected to the anode side of 21.
26 is connected in parallel to the resistor 217.

なお、前記電歪板H1およびH2の分極劣化電
圧をvd(H1)およびvd(H2)、ツエナーダイオ
ード211,221の動作電圧をV(ZD211)、V
(ZD221)、端子AB間に与える電圧をVcとする
と、 Vd(H1)、Vd(H2)<Vc ……(1) Vc−Vd(H1)/2<V(ZD211)<Vc ……(2) Vc−Vd(H2)/2<V(ZD221)<Vc ……(3) の関係を満足するものである。
Note that the polarization deterioration voltages of the electrostrictive plates H1 and H2 are vd (H1) and vd (H2), and the operating voltages of the Zener diodes 211 and 221 are V (ZD211) and V
(ZD221), and the voltage applied between terminals AB is Vc, Vd (H1), Vd (H2) < Vc ... (1) Vc - Vd (H1) / 2 < V (ZD211) < Vc ... (2) ) Vc−Vd(H2)/2<V(ZD221)<Vc...(3) is satisfied.

また、ツエナーダイオード211,221,2
15,225,213,223の動作電圧をそれ
ぞれV(ZD211)、V(ZD221)、V(ZD215)、V
(ZD225)、V(ZD213)、V(ZD223)とし、端子
AB間に与える電圧をVcとすると、 V(ZD215)<V(ZD211) ……(4) V(ZD211)−V(ZD215)<V(ZD213)<2Vc−
V(ZD215)……(5) V(ZD225)<V(ZD211) ……(6) V(ZD221)−V(ZD225)<V(ZD223)<2Vc−
V(ZD225)……(7) の関係を満足している。
In addition, Zener diodes 211, 221, 2
The operating voltages of 15, 225, 213, and 223 are V (ZD211), V (ZD221), V (ZD215), and V, respectively.
(ZD225), V (ZD213), V (ZD223), and the terminal
If the voltage applied between AB is Vc, then V(ZD215)<V(ZD211)...(4) V(ZD211)-V(ZD215)<V(ZD213)<2Vc-
V(ZD215)……(5) V(ZD225)<V(ZD211)……(6) V(ZD221)−V(ZD225)<V(ZD223)<2Vc−
V (ZD225)... satisfies the relationship (7).

極性切替回路3は、出力側が前気端子Aと端子
Cとの間に接続され且つダーリントン接続された
pnpトランジスタ対301、出力側が前記端子Bと
前記端子Cとの間に接続され且つダーリントン接
続されたpnpトランジスタ対302、出力側が前記
端子Aと端子Dとの間に接続されたnpnトランジ
スタ303、および端子Bと端子Dとの間に出力
側が接続されたnpnトランジスタ304を有す
る。
The output side of the polarity switching circuit 3 is connected between the forward air terminal A and the terminal C, and is connected in a Darlington manner.
a pair of pnp transistors 301, a pair of pnp transistors 302 whose output sides are connected between the terminals B and C and are Darlington connected, an npn transistor 303 whose output side is connected between the terminals A and D, and It has an npn transistor 304 whose output side is connected between terminals B and D.

これらのトランジスタは、極性切替スイツチと
て使用され、これらのスイツチがブリツジ形に接
続されていることになる。そしてトランジスタ対
301の入力側(ベース)は、抵抗310を介して
トランジスタ306のコレクタに接続され、この
エミツタは接地されている。
These transistors are used as polarity changeover switches, and these switches are connected in a bridge configuration. and transistor pair
The input side (base) of 301 is connected to the collector of transistor 306 via resistor 310, and its emitter is grounded.

また、トランジスタ306のベースは抵抗31
2を介してインバータ313の出力側に接続され
ている。このインバータ313の出力側には抵抗
309を介してトランジスタ304のベースが接
続されている。
Further, the base of the transistor 306 is connected to the resistor 31.
2 to the output side of the inverter 313. The base of a transistor 304 is connected to the output side of this inverter 313 via a resistor 309.

トランジスタ対302の入力側(ベース)は、抵
抗307を介してトランジスタ305のコレクタ
に接続され、このトランジスタ305のエミツタ
は接地されている。トランジスタ305のベース
は抵抗311を介して接続されている。インバー
タ313の入力側に接続され、さらに制御回路5
に接続されている。
The input side (base) of the transistor pair 302 is connected to the collector of a transistor 305 via a resistor 307, and the emitter of this transistor 305 is grounded. The base of transistor 305 is connected via resistor 311. connected to the input side of the inverter 313, and further connected to the control circuit 5
It is connected to the.

また、トランジスタ303のベースは抵抗30
8を介してインバータ313の入力側に接続され
ている。
Furthermore, the base of the transistor 303 is connected to the resistor 30.
8 to the input side of the inverter 313.

制御回路5は、極性切替回路3のトランジスタ
対301とトランジスタ304の組合せおよびトラ
ンジスタ対302とトランジスタ303の組合せを
交互にオンオフしてバイモルフ素子1への印加電
圧の極性の切替を制御するものであり、抵抗50
1、切替スイツチ502および直流電源503
(電源電圧Ec)によつて構成されている。
The control circuit 5 controls switching of the polarity of the voltage applied to the bimorph element 1 by alternately turning on and off the combination of the transistor pair 301 and the transistor 304 and the combination of the transistor pair 302 and the transistor 303 of the polarity switching circuit 3. , resistance 50
1. Selector switch 502 and DC power supply 503
(power supply voltage Ec).

すなわち、極性切替回路3におけるインバータ
313の入力側が抵抗501を介して接地される
とともに、切替スイツチ502の可動端を介して
直流電源503の正極あるいは接地に接続され
る。
That is, the input side of the inverter 313 in the polarity switching circuit 3 is grounded via the resistor 501, and is also connected to the positive pole of the DC power supply 503 or the ground via the movable end of the changeover switch 502.

定電圧回路4は、自励発振昇圧タイプであつて
pnpトランジスタを用いたリンギングチヨーク
DC/DCコンバータである。
The constant voltage circuit 4 is of a self-excited oscillation step-up type.
Ringing chain using pnp transistor
It is a DC/DC converter.

すなわち、定電圧回路4は、同方向に巻回され
た3つのコイル411,412,413を有する
飽和形のトランス41、コンデンサ404、抵抗
403,406、pnpトランジスタ405、ダイ
オード402、ツエナーダイオード401によつ
て構成されている。
That is, the constant voltage circuit 4 includes a saturation type transformer 41 having three coils 411, 412, 413 wound in the same direction, a capacitor 404, resistors 403, 406, a pnp transistor 405, a diode 402, and a zener diode 401. It is structured accordingly.

トランジスタ405のエミツタは、コイル41
2の一端とともに直流電源6(電源電圧Ec)の
正極端Fに接続され、コレクタはコイル411の
一端に接続されている。また、コイル412の他
端とコイル413の一端は共通に接続された後、
コンデンサ404と抵抗403の並列体を介して
トランジスタ405のベースに接続されている。
The emitter of the transistor 405 is connected to the coil 41
The collector is connected to one end of the coil 411, together with one end of the coil 411, to the positive end F of the DC power supply 6 (power supply voltage Ec). Further, after the other end of the coil 412 and one end of the coil 413 are connected in common,
It is connected to the base of a transistor 405 via a parallel body of a capacitor 404 and a resistor 403.

トランジスタ405のベースはスタート抵抗4
06を介してコイル411の他端とともに接地端
Gに接続され、さらにツエナーダイオード401
の陽極に接続されている。ツエナーダイオード4
01の陰極は出力端Eに接続され、この出力端E
と接地端Gとの間にはコンデンサ407が接続さ
れている。
The base of the transistor 405 is the start resistor 4
06 to the ground terminal G along with the other end of the coil 411, and further connects the Zener diode 401
connected to the anode of zener diode 4
The cathode of 01 is connected to the output terminal E, and this output terminal E
A capacitor 407 is connected between the terminal G and the ground terminal G.

また、前記ツエナーダイオード401の陰極に
はダイオード402の陰極が接続され、このダイ
オード402の陽極はコイル413の他端に接続
されている。
Further, the cathode of a diode 402 is connected to the cathode of the Zener diode 401, and the anode of this diode 402 is connected to the other end of the coil 413.

つぎに、本実施例の動作を説明する。 Next, the operation of this embodiment will be explained.

まず、定電圧回路4の動作について説明する。 First, the operation of the constant voltage circuit 4 will be explained.

図示しないスイツチによつて直流電源6から電
圧Ec(実際には5V程度)が印加されると、定電圧
回路4のスタート抵抗に電流が流れトランジスタ
405がオンする。コレクタ電流がトランス41
のコイル411に流れると、誘起電圧が矢印のよ
うにコイル412,413に発生するため、抵抗
403およびコンデンサ404からなるベース回
路に電流が流れ、トランジスタ405はオン状態
がさらに深くなりコレクタ電流はさらに大きくな
る。
When a voltage Ec (actually about 5 V) is applied from the DC power supply 6 by a switch (not shown), a current flows through the start resistor of the constant voltage circuit 4 and turns on the transistor 405. Collector current is transformer 41
When the voltage flows through the coil 411 of growing.

やがて、トランス41のコイルの磁束が飽和し
コレクタ電流が流れなくなると、コイル412,
413の誘起電圧が反転する。このため、コイル
413の電圧はコンデンサ407に印加され充電
される。この電流によつてコイル412,413
の磁束が少なくなると、反転した誘起電圧は低く
なり、再びトランジスタ405のベース回路に直
流電源6からコイル412を介して電流が流れる
ため、トランジスタ405はオンし、コイル41
1,412,413は再び励磁される。このよう
に、自ら発振し、コンデンサ407には電荷が蓄
えられてゆく。
Eventually, when the magnetic flux of the coil of the transformer 41 is saturated and the collector current stops flowing, the coils 412,
The induced voltage of 413 is inverted. Therefore, the voltage of the coil 413 is applied to the capacitor 407 and charged. This current causes the coils 412, 413 to
When the magnetic flux decreases, the reversed induced voltage becomes low, and current flows again from the DC power supply 6 to the base circuit of the transistor 405 via the coil 412, so the transistor 405 turns on and the coil 41
1,412,413 are re-energized. In this way, the capacitor 407 oscillates and charges are stored in the capacitor 407.

ツエナーダイオード401の動作電圧をV
(ZD401)とすると、コンデンサ407の電圧
〔Ec+V(ZD401)〕になるとツエナーダイオード
401が導通するため、抵抗403およびコンデ
ンサ404からなるベース回路には電流が流れな
くなり発振は止まる。負荷が接続されコンデンサ
407の電圧が下がると再び発振を開始し、〔EC
+V(ZD401)〕の電圧が保たれる。
The operating voltage of the Zener diode 401 is V
(ZD401), when the voltage of the capacitor 407 reaches [Ec+V(ZD401)], the Zener diode 401 becomes conductive, so no current flows through the base circuit consisting of the resistor 403 and the capacitor 404, and oscillation stops. When the load is connected and the voltage of capacitor 407 decreases, oscillation starts again and [EC
+V (ZD401)] voltage is maintained.

このようにして、定電圧回路4では直流電源6
の電圧Ecが昇圧されて定電圧Vcが作られる。
In this way, in the constant voltage circuit 4, the DC power supply 6
The voltage Ec is boosted to create a constant voltage Vc.

つぎに、極性切替回路3および制御回路5の動
作について説明する。
Next, the operations of the polarity switching circuit 3 and the control circuit 5 will be explained.

制御回路5においてスイツチ502が第1図の
ように接続されていると、インバータ313の出
力はEcとなるため、トランジスタ304はオン
し、また、トランジスタ306もオンするためダ
ーリントントランジスタ対301もオンとなる。結
局、ブリツジ回路の中で、平行に接続されたトラ
ンジスタ対301とトランジスタ304のスイツチ
素子がオンとなるため、端子A、B間には端子A
側が正となるように電圧Vcが現れる。
When the switch 502 in the control circuit 5 is connected as shown in FIG. 1, the output of the inverter 313 becomes Ec, so the transistor 304 is turned on, and since the transistor 306 is also turned on, the Darlington transistor pair 301 is also turned on. Become. Eventually, in the bridge circuit, the switch elements of transistor pair 301 and transistor 304 connected in parallel are turned on, so that terminal A is connected between terminals A and B.
The voltage Vc appears so that the side is positive.

一方、制御回路5においてスイツチ502が直
流電源503に接続されると、トランジスタ対
301、トランジスタ304のベース電流は遮断さ
れるためオフとなり、トランジスタ対302、トラ
ンジスタ304,305がオンとなる。したがつ
て、端子A、B間には端子B側が正となるように
電圧Vcが現れる。
On the other hand, when the switch 502 is connected to the DC power supply 503 in the control circuit 5, the transistor pair
301, the base current of the transistor 304 is cut off, so it is turned off, and the transistor pair 302, transistors 304 and 305 are turned on. Therefore, a voltage Vc appears between terminals A and B such that the terminal B side is positive.

つぎに、駆動入力回路2およびバイモルフ素子
1の動作について第2図のタイミングチヤートを
用いて説明する。なお、第2図イ,ロはそれぞれ
電歪板H1,H2に加わる電圧を示しており、縦
軸(電圧軸)の向きはそれぞれ分極方向と対応し
ている。また、同図ハはバイモルフ素子1の自由
端の変位量を示しており、縦軸の正の方向が第1
図における上方向への変位と対応している。
Next, the operation of the drive input circuit 2 and the bimorph element 1 will be explained using the timing chart of FIG. 2. Note that FIG. 2A and B show the voltages applied to the electrostrictive plates H1 and H2, respectively, and the directions of the vertical axes (voltage axes) correspond to the polarization directions, respectively. In addition, C in the same figure shows the amount of displacement of the free end of the bimorph element 1, and the positive direction of the vertical axis is the first
This corresponds to the upward displacement in the figure.

端子Aが正となるように端子AB間に電圧Vcが
印加されると、ツエナーダイオード211は順方
向ゆえ電歪板H1には分極と同方向にVcが印加
される。
When a voltage Vc is applied between the terminals AB so that the terminal A becomes positive, since the Zener diode 211 is in the forward direction, Vc is applied to the electrostrictive plate H1 in the same direction as the polarization.

一方、ツエナーダイオード221は逆方向ゆえ
電歪板H2には分極と逆方向にVc−V(ZD221)
が印加される。
On the other hand, since the Zener diode 221 is in the opposite direction, the electrostrictive plate H2 has Vc-V (ZD221) in the opposite direction to the polarization.
is applied.

ここで、端子AB間に印加される電圧Vcの極性
が反転し、端子Bが正、端子Aが接地レベルにな
ると、電歪板H1の上面の電極T1の電圧は、端
子Bの電圧に電歪板H1にそれまで充電されてい
た電圧Vcが加わるため2Vcになる。すなわち、
ツエナーダイオード213,215の直列回路に
は2Vcの電圧が印加される。(5)式から、V
(ZD213)+V(ZD215)<2Vcゆえ、サイリスタ2
12のゲートにはトリガ電流が流れ、サイリスタ
212はターンオンする。
Here, when the polarity of the voltage Vc applied between the terminals AB is reversed, and the terminal B becomes positive and the terminal A becomes the ground level, the voltage of the electrode T1 on the upper surface of the electrostrictive plate H1 becomes equal to the voltage of the terminal B. The voltage Vc that had been charged up to that point is applied to the strain plate H1, so the voltage becomes 2Vc. That is,
A voltage of 2Vc is applied to the series circuit of Zener diodes 213 and 215. From equation (5), V
(ZD213)+V(ZD215)<2Vc, so thyristor 2
A trigger current flows through the gate of thyristor 212, turning on thyristor 212.

ここで、抵抗217はツエナーダイオード21
3,215の直列回路のインピーダンスより十分
に高い抵抗値を有する。このように設定すること
によつて、、電圧制限回路21に2Vcが加わつた
とき電流が主としてツエナーダイオード213,
215に流れるようになり、したがつて、サイリ
スタ212を確実に点弧されることができる。
Here, the resistor 217 is the Zener diode 21
The resistance value is sufficiently higher than the impedance of the 3,215 series circuit. With this setting, when 2Vc is applied to the voltage limiting circuit 21, the current mainly flows through the Zener diode 213,
215 and can therefore ensure that thyristor 212 is fired.

電歪板H1への充電電流は、端子B−電歪板H
1−サイリスタ212−ツエナーダイオード21
5−端子Aの経路で流れるため、電歪板H1に対
する印加電圧は分極とは逆方向にVc−V
(ZD215)になる。このときの様子を示したのが
第2図イのである。
The charging current to the electrostrictive plate H1 is from terminal B to electrostrictive plate H.
1-thyristor 212-zener diode 21
Since the voltage flows through the path of 5-terminal A, the voltage applied to the electrostrictive plate H1 is Vc-V in the opposite direction to the polarization.
(ZD215). The situation at this time is shown in Figure 2A.

このようにして充電された後においては、抵抗
23が数MΩの高抵抗であるため、サイリスタ2
12には極めて微少の電流しか流れず、サイリス
タ212は自己復帰する。すなわち、pnpn素子
回路は遮断状態になる。
After being charged in this way, since the resistor 23 has a high resistance of several MΩ, the thyristor 2
Only an extremely small amount of current flows through the thyristor 212, and the thyristor 212 self-resets. That is, the pnpn element circuit is in a cut-off state.

その後、電歪板H1の電荷は、電歪板H1の電
圧がVc−V(ZD211)になるまで抵抗23を介し
て放電される。このときの様子を示したのが第2
図イのである。
Thereafter, the charge on the electrostrictive plate H1 is discharged through the resistor 23 until the voltage on the electrostrictive plate H1 becomes Vc-V (ZD211). The second scene shows what happened at this time.
This is a diagram.

一方、第2図イのに対応する時点すなわち、
端子AB間に印加される電圧Vcの極性を反転して
端子Bが正、端子Aが接地レベルになるようにし
たときの電圧制限回路22の動作に注目すると、
ツエナーダイオード221、ダイオード226は
順方向ゆえ、電歪板H2には第2図ロのに示す
ように分極と同方向にVcが印加され、以後端子
AB間に印加される電圧の極性が反転するまで電
圧Vcが保持される。
On the other hand, the time point corresponding to Fig. 2 A, that is,
Paying attention to the operation of the voltage limiting circuit 22 when the polarity of the voltage Vc applied between the terminals AB is reversed so that the terminal B is at the positive level and the terminal A is at the ground level.
Since the Zener diode 221 and the diode 226 are in the forward direction, Vc is applied to the electrostrictive plate H2 in the same direction as the polarization as shown in FIG.
Voltage Vc is maintained until the polarity of the voltage applied between AB is reversed.

つぎに、再び極性が反転すると、電歪板H2に
は第2図ロのに示すようにVc−V(ZD225)の
電圧が印加され、サイリスタ222の自己復旧と
ともにVc−V(ZD221)になる。また、電歪板H
1には第2図イのに示すように分極と同方向に
Vcが印加される。
Next, when the polarity is reversed again, a voltage of Vc-V (ZD225) is applied to the electrostrictive plate H2 as shown in Figure 2 (b), and as the thyristor 222 self-recovers, it becomes Vc-V (ZD221). . In addition, electrostrictive plate H
1, in the same direction as the polarization as shown in Figure 2 A.
Vc is applied.

このようにして、電歪板H1,H2に対する電
圧印加状態が変化するので、バイモルフ素子1は
第2図ハに示すように変位する。
In this way, the state of voltage application to the electrostrictive plates H1 and H2 changes, so the bimorph element 1 is displaced as shown in FIG. 2C.

すなわち、電歪板H1,H2に対して分極と同
方向に電圧が印加されたときは、分極と垂直の方
向に縮もうとし、逆方向に印加されたときは延び
ようするため、バイモルフ素子1の自由端が矢印
Aのように上下に変位する。
That is, when a voltage is applied to the electrostrictive plates H1 and H2 in the same direction as the polarization, they tend to contract in the direction perpendicular to the polarization, and when applied in the opposite direction, they tend to expand, so the bimorph element 1 The free end of is displaced up and down as shown by arrow A.

そして、電歪板H1,H2のそれぞれに対し
て、分極方向には常に高電圧が印加されるととも
に、分極逆方向には極性切替時(時点,)に
のみ高電圧が印加されその後は自己方電によつて
劣化を生じない電圧まで低下するため、極性切替
時には大きく強い力で変位する(変位量ξ1,ξ
2)が、特性の劣化は起こらない。また、この回
路を使用すると前述のヒステリシスの影響を防止
できるため、高速動作においても変位の低下は少
ない。
A high voltage is always applied to each of the electrostrictive plates H1 and H2 in the polarization direction, and a high voltage is applied in the opposite polarization direction only at the time of polarity switching (time point, ). Since the voltage decreases to a level that does not cause deterioration due to the electric current, displacement occurs with a large and strong force when switching polarity (displacement amount ξ1, ξ
2) However, no deterioration of characteristics occurs. Furthermore, since the use of this circuit prevents the effect of the hysteresis mentioned above, there is little drop in displacement even during high-speed operation.

なお、本実施例において、端子AB間に与える
電圧Vcが分極破壊電圧Vpより低い場合にはツエ
ナーダイオード215,225を省略することも
できる。この場合、サイリスタ212,222が
動作したとき、電歪板H1,H2の逆分極方向に
は、第2図イ,ロに一点鎖線で示すようにほぼ
Vcの電圧が印加されるため、第2図ハに一点鎖
線で示すようにさらに大きく変位させることがで
きる(変位量ξ3,ξ4)。
In this embodiment, if the voltage Vc applied between the terminals AB is lower than the polarization breakdown voltage Vp, the Zener diodes 215 and 225 can be omitted. In this case, when the thyristors 212 and 222 operate, the opposite polarization directions of the electrostrictive plates H1 and H2 are approximately as shown by the dashed lines in FIG.
Since the voltage Vc is applied, a larger displacement can be achieved (displacement amounts ξ3, ξ4) as shown by the dashed line in FIG. 2C.

上記動作説明から判るように、駆動方法とし
て、通常はバイモルフ素子1に直流電圧を印加し
ておき、必要な時にパルス的に極性を反転するよ
うな場合には、電圧制限回路21,22における
ツエナーダイオード211,221の動作電圧V
(ZD211)、V(ZD221)が Vc−Vd<V(ZD211)、V(ZD221)<Vc ……(8) を満たす必要がある。
As can be seen from the above operation description, as a driving method, normally a DC voltage is applied to the bimorph element 1, and when the polarity is reversed in a pulsed manner when necessary, Zener in the voltage limiting circuits 21 and 22 is used. Operating voltage V of diodes 211 and 221
(ZD211) and V(ZD221) must satisfy Vc-Vd<V(ZD211), V(ZD221)<Vc (8).

しかし、連続的に極性を切替え、振動させて使
用する場合には、分極と同方向に分極劣化電圧
Vd以上を印加することになるため一旦減極した
分極が再生される。そのため、ツエナーダイオー
ド211,221の動作電圧を上記(2)、(3)式を満
たす程度に低くして電歪板H1,H2の逆分極方
向に分極劣化電圧Vdより大きな電圧を印加して
も分極の劣化を生じさせない。
However, if the polarity is continuously switched and used with vibration, the polarization degradation voltage will occur in the same direction as the polarization.
Since a voltage higher than Vd is applied, the once depolarized polarization is regenerated. Therefore, even if the operating voltage of the Zener diodes 211 and 221 is lowered to such an extent that the above equations (2) and (3) are satisfied, a voltage greater than the polarization deterioration voltage Vd is applied in the opposite polarization direction of the electrostrictive plates H1 and H2. Does not cause deterioration of polarization.

第3図は本実施例の変位量δと動作時間との関
係を示す特性図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the displacement amount δ and the operating time in this embodiment.

バイモルフ素子1の大きさ 45mm1×12mmw×0.15mmt 極性切替周波数 2Hz 環境温度 70℃ の条件で下で、 VC=80V V(ZD215)、V(ZD225)=20V としたときの本実施例の特性を実線Aで示す。実
線Bは本実施例からツエナーダイオード215,
225を除去した場合の特性を示すものである。
Bimorph element 1 size: 45 mm 1 x 12 mmw x 0.15 mmt Polarity switching frequency: 2 Hz Under the conditions of environmental temperature of 70°C, the characteristics of this example when VC = 80V V(ZD215), V(ZD225) = 20V Indicated by solid line A. The solid line B indicates the Zener diode 215,
This shows the characteristics when 225 is removed.

また、同一の条件の下で、動作させた従来装置
(第1図イ)の特性を破線Cで示す。但し、従来
装置の印加電圧Eは40Vとする。
Furthermore, the broken line C shows the characteristics of the conventional device (FIG. 1A) operated under the same conditions. However, the applied voltage E of the conventional device is 40V.

この特性図から判るように、本発明の圧電アク
チユエータは、従来装置に比較して3倍以上も変
位してしかも経時的劣化も少ない。
As can be seen from this characteristic diagram, the piezoelectric actuator of the present invention can be displaced more than three times as much as the conventional device, and has less deterioration over time.

第4図は本発明の他の実施例を示すブロツク図
であり、第1図と同一もしくは相当部分には同一
の符号を付してその詳細な説明は省略する。
FIG. 4 is a block diagram showing another embodiment of the present invention, and the same or corresponding parts as in FIG. 1 are given the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.

本実施例における駆動入力回路2は、電歪板H
1,H2の分極劣化電圧Vdが低く、分極と逆方
向に長時間電圧を印加できないバイモルフ素子を
大変位で駆動するための回路である。
The drive input circuit 2 in this embodiment includes an electrostrictive plate H
This is a circuit for driving a bimorph element with a large displacement, in which the polarization deterioration voltage Vd of 1.H2 is low and a voltage cannot be applied for a long time in the opposite direction to the polarization.

駆動入力回路2が電圧制限回路21,22およ
び高抵抗23,24から成る点は上記第1実施例
と同じであるが、電圧制限回路21,22の構成
が異なる。
The drive input circuit 2 is the same as the first embodiment in that it includes voltage limiting circuits 21, 22 and high resistances 23, 24, but the configurations of the voltage limiting circuits 21, 22 are different.

すなわち、電圧制限回路21は、陰極が端子A
に接続され陽極が電極T1の接続されている
pnpn素子であるサイリスタ212と、サイリス
タ212に並列接続されるツエナーダイオード2
18と抵抗214の直列体から成る。なお、サイ
リスタ212の陽極側にはツエナーダイオード2
18の陰極が接続され、サイリスタ212の陰極
側には抵抗214の一端が接続されている。ま
た、サイリスタ212のゲートはツエナーダイオ
ード218と抵抗214との接続点に接続されて
いる。
That is, in the voltage limiting circuit 21, the cathode is connected to the terminal A.
The anode is connected to the electrode T1.
Thyristor 212, which is a pnpn element, and Zener diode 2 connected in parallel to thyristor 212
18 and a resistor 214 in series. Furthermore, a Zener diode 2 is connected to the anode side of the thyristor 212.
18 cathodes are connected, and one end of a resistor 214 is connected to the cathode side of the thyristor 212. Further, the gate of the thyristor 212 is connected to the connection point between the Zener diode 218 and the resistor 214.

電圧制限回路22は、陽極が端子Aに接続され
陰極が電極T2に接続されているサイリスタ22
2と、サイリスタ222に並列接続されるツエナ
ーダイオード228と抵抗224の直列体から成
る。なお、サイリスタ222の陽極側にはツエナ
ーダイオード228の陰極が接続され、サイリス
タ222の陰極側には抵抗224の一端が接続さ
れている。また、サイリスタ222のゲートはツ
エナーダイオード228と抵抗224との接続点
に接続されている。
The voltage limiting circuit 22 includes a thyristor 22 whose anode is connected to the terminal A and whose cathode is connected to the electrode T2.
2, a Zener diode 228 connected in parallel to the thyristor 222, and a resistor 224 in series. Note that the cathode of a Zener diode 228 is connected to the anode side of the thyristor 222, and one end of a resistor 224 is connected to the cathode side of the thyristor 222. Further, the gate of the thyristor 222 is connected to the connection point between the Zener diode 228 and the resistor 224.

次に、本実施例の動作を第5図のタイミングチ
ヤートを用いて説明する。なお、第5図イ,ロは
それぞれ電歪板H1,H2に加わる電圧を示して
おり、縦軸(電圧軸)の向きはそれぞれ分極方向
と対応している。また、同図ハはバイモルフ素子
1の自由端の変位量を示しており、縦軸の正の方
向が第4図における上方向への変位と対応してい
る。
Next, the operation of this embodiment will be explained using the timing chart shown in FIG. Note that FIGS. 5A and 5B show the voltages applied to the electrostrictive plates H1 and H2, respectively, and the directions of the vertical axes (voltage axes) correspond to the polarization directions, respectively. 4 shows the amount of displacement of the free end of the bimorph element 1, and the positive direction of the vertical axis corresponds to the upward displacement in FIG.

端子Aが正とすると、抵抗214−ツエナーダ
イオード218−電歪板H1−端子Bの経路で電
歪板H1に分極と同方向にVcが印加される(第
5図イ)。
When the terminal A is positive, Vc is applied to the electrostrictive plate H1 in the same direction as the polarization through the path of the resistor 214, the Zener diode 218, the electrostrictive plate H1, and the terminal B (FIG. 5A).

一方、ツエナーダイオード218,228の動
作電圧V(ZD218)、V(ZD228)を Vc<V(ZD218)、V(ZD228)<2Vc とすると、第5図ロに示すように電歪板H2には
電圧が印加されないため、バイモルフ素子1は電
歪板H1が縮む作用によつてのみ先端が上方にξ
12だけ変位する。この様子を第5図ハに示す。
On the other hand, if the operating voltages V(ZD218) and V(ZD228) of the Zener diodes 218 and 228 are Vc<V(ZD218) and V(ZD228)<2Vc, as shown in FIG. Since no voltage is applied, the tip of the bimorph element 1 moves upward ξ only by the contraction of the electrostrictive plate H1.
Displaced by 12. This situation is shown in FIG. 5C.

ここで、端子AB間の印加電圧の極性を反転し
端子Bを正とすると、電極T1と端子Aの間に約
2Vcの電圧が印加されるため、ツエナーダイオー
ド218は導通し、サイリスタ212がターンオ
ンする。サイリスタ212がターンオンすると電
歪板H1には第5図イのに示すように分極と逆
方向に約Vcの電圧が印加される。一方、ツエナ
ーダイオード228は順方向ゆえ、電歪板H2に
は第5図ロのに示すように分極と同方向にVc
が印加される。
Here, if the polarity of the voltage applied between terminals AB is reversed and terminal B is made positive, approximately
Since a voltage of 2Vc is applied, the Zener diode 218 becomes conductive and the thyristor 212 is turned on. When the thyristor 212 is turned on, a voltage of about Vc is applied to the electrostrictive plate H1 in the opposite direction to the polarization, as shown in FIG. 5A. On the other hand, since the Zener diode 228 is in the forward direction, the electrostrictive plate H2 has Vc in the same direction as the polarization, as shown in FIG.
is applied.

すなわち、電歪板H1,H2の両方に電圧Vc
が印加されるため、バイモルフ素子1は第5図ハ
のに示すように下方に大きく変位する(ξ1
2)。
That is, voltage Vc is applied to both electrostrictive plates H1 and H2.
is applied, the bimorph element 1 is largely displaced downward as shown in Fig. 5C (ξ1
2).

次に、サイリスタ212が自己復旧すると、電
歪板H1の電荷は高抵抗23を介して放電するた
めバイモルフ素子1の変位は電歪板H2が縮む作
用による分だけとなり、変位量は第5図ハのに
示すようにξ21からξ22に低下する。
Next, when the thyristor 212 self-recovers, the charge on the electrostrictive plate H1 is discharged through the high resistance 23, so the displacement of the bimorph element 1 is only due to the contraction of the electrostrictive plate H2, and the amount of displacement is as shown in FIG. As shown in (C), it decreases from ξ21 to ξ22.

次に、再び極性を反転し端子Aが正になると、
電歪板H1,H2にはそれぞれVcの電圧が印加
されるため、第5図ハのに示すようにバイモル
フ素子1の先端は上方に大きくξ11まで変位す
る。
Next, when the polarity is reversed again and terminal A becomes positive,
Since a voltage of Vc is applied to each of the electrostrictive plates H1 and H2, the tip of the bimorph element 1 is largely displaced upward to ξ11, as shown in FIG. 5C.

なお、電歪板H1,H2の逆分極方向にある程
度長時間電圧を印加できる場合にはV(ZD218)、
V(ZD228)をVc以下にして、逆分極方向にVc
−V(ZD218)、Vc−V(ZD228)の電圧が印加で
きるようにしてもよい。
In addition, if a voltage can be applied for a certain period of time in the reverse polarization direction of the electrostrictive plates H1 and H2, V (ZD218),
V (ZD228) is set below Vc and Vc is applied in the opposite polarization direction.
-V (ZD218) and Vc-V (ZD228) may be applied.

また、端子AとL、端子AとMの間にツエナー
ダイオード215,225を接続すれば、第2図
のタイミングチヤートと同様の特性を示す。
Furthermore, if Zener diodes 215 and 225 are connected between terminals A and L and between terminals A and M, characteristics similar to those in the timing chart of FIG. 2 will be exhibited.

第6図は本発明の更に他の実施例を示すブロツ
ク図であり、第4図に示す実施例とは電圧制限回
路21,22の内部回路が相違するのみである。
FIG. 6 is a block diagram showing still another embodiment of the present invention, which differs from the embodiment shown in FIG. 4 only in the internal circuits of voltage limiting circuits 21 and 22.

電圧制限回路21は、陽極が端子Aに接続され
陰極が電極T1に接続されるダイオード219お
よび陽極が電極T1に接続され陰極が端子Aに接
続されるサイリスタ212を含む。また、サイリ
スタ212には、ツエナーダイオード218と抵
抗214から成る直列体がサイリスタ212の陽
極がツエナーダイオード218の陰極とが接続さ
れるように並列接続されてpnpn素子回路を構成
している。なお、サイリスタ212のゲートはツ
エナーダイオード218と抵抗214の接続点と
接続する。
Voltage limiting circuit 21 includes a diode 219 whose anode is connected to terminal A and whose cathode is connected to electrode T1, and a thyristor 212 whose anode is connected to electrode T1 and whose cathode is connected to terminal A. Further, a series body consisting of a Zener diode 218 and a resistor 214 is connected in parallel to the thyristor 212 such that the anode of the thyristor 212 is connected to the cathode of the Zener diode 218 to form a pnpn element circuit. Note that the gate of the thyristor 212 is connected to a connection point between the Zener diode 218 and the resistor 214.

電圧制限回路22は、陽極が電極T2に接続さ
れ陰極が端子Aに接続されるダイオード229お
よび陰極が電極T1に接続され陽極が端子Aに接
続されるサイリスタ222を含み、サイリスタ2
22には、ツエナーダイオード228と抵抗22
4から成る直列体がサイリスタ222の陽極とツ
エナーダイオード228の陽極とが接続されるよ
うに並列接続されている。なお、サイリスタ22
2のゲートはツエナーダイオード228と抵抗2
24の接続点と接続する。
The voltage limiting circuit 22 includes a diode 229 whose anode is connected to the electrode T2 and whose cathode is connected to the terminal A, and a thyristor 222 whose cathode is connected to the electrode T1 and whose anode is connected to the terminal A.
22, a Zener diode 228 and a resistor 22
4 are connected in parallel such that the anode of the thyristor 222 and the anode of the Zener diode 228 are connected. In addition, the thyristor 22
The gate of 2 is a Zener diode 228 and a resistor 2.
Connects to 24 connection points.

本実施例は、第4図に示す実施例において、電
歪板H1,H2の充電に抵抗214,224とツ
エナーダイオード218,228の直列回路を用
いるのを避けて、充電専用のダイオード219,
229を付加したものであり、充電の時定数が小
さくなるため早く充電し、変位も速くなる。
This embodiment avoids using the series circuit of resistors 214, 224 and Zener diodes 218, 228 for charging the electrostrictive plates H1, H2 in the embodiment shown in FIG.
229 is added, and the charging time constant becomes smaller, so charging is faster and displacement is faster.

第7図は本発明の更に他の実施例を示ブロツク
図であり、第6図の実施例と同様に、第3図に示
す実施例とは電圧制限回路21,22の内部回路
が相違するのみである。
FIG. 7 is a block diagram showing still another embodiment of the present invention, and like the embodiment shown in FIG. 6, the internal circuits of the voltage limiting circuits 21 and 22 are different from the embodiment shown in FIG. 3. Only.

電圧制限回路21は、陽極が端子Aに接続され
陰極が電極T1に接続されるダイオード219お
よび陽極が電極T1に接続され陰極が端子Aに接
続されるシヨツクレーダイオード210から成
り、電圧制限回路22は、陽極が電極T2に接続
され陰極が端子Aに接続されるダイオード229
および陰極が電極T1に接続され陽極が端子Aに
接続されるシヨツクレーダイオード220から成
る。
The voltage limiting circuit 21 consists of a diode 219 whose anode is connected to the terminal A and whose cathode is connected to the electrode T1, and a Schottley diode 210 whose anode is connected to the electrode T1 and whose cathode is connected to the terminal A. is a diode 229 whose anode is connected to electrode T2 and whose cathode is connected to terminal A.
and a Schottley diode 220 whose cathode is connected to electrode T1 and whose anode is connected to terminal A.

本実施例は、第6図に示す実施例において、サ
イリスタ212、ツエナーダイオード218、抵
抗214から成るpnpn素子回路およびサイリス
タ222、ツエナーダイオード228、抵抗22
4から成るpnpn素子回路をそれぞれpnpn素子で
あるシヨツクレーダイオード210,220に置
き換えたものであり、シヨツクレーダイオード2
10,220は順方向に2Vc以下の電圧が印加さ
れたときにターンオンするものとすると、第6図
に示す実施例と同様の動作をする。
This embodiment is based on the embodiment shown in FIG.
The pnpn element circuit consisting of pnpn elements 2 and 2 is replaced with pnpn elements, ie, pnpn elements, 210 and 220, respectively.
10 and 220 are assumed to be turned on when a voltage of 2 Vc or less is applied in the forward direction, and operate in the same manner as the embodiment shown in FIG.

第8図はさらに他の実施例を示すブロツク図で
り、本実施例は第3図に示す実施例と同様に、分
極劣化電圧Vdが低く、逆方向に長時間電圧を印
加できないバイモルフ素子を利用する場合の他の
実施例であり、通常は端子Bが正に保持されてお
り、必要に応じてパルス的に極性が反転する駆動
方法に適した回路である。
FIG. 8 is a block diagram showing still another embodiment. Similar to the embodiment shown in FIG. This is another embodiment in which the terminal B is normally held positive, and the circuit is suitable for a driving method in which the polarity is reversed in a pulsed manner as necessary.

本実施例の構成は、第3図に示す実施例とは電
圧制限回路21,22の内部回路が相違すると共
に、高抵抗24が除去されている点が相違する。
The configuration of this embodiment differs from the embodiment shown in FIG. 3 in that the internal circuits of the voltage limiting circuits 21 and 22 are different, and the high resistance 24 is removed.

電圧制限回路21は、陽極が端子Aに接続され
陰極が電極T1に接続されるダイオード219を
含む。ダイオード219には、陽極同士が接続さ
れたサイリスタ212とツエナーダイオード21
5の直列体が、ダイオード219の陽極とツエナ
ーダイオード215の陽極が接続されるように並
列接続される。サイリスタ212には、ツエナー
ダイオード213と抵抗214から成る直列体
が、抵抗214の一端とサイリスタ212の陰極
とが接続されるように並列接続される。そして、
サイリスタ212のゲートはツエナーダイオード
213と抵抗214の接続点に接続される。
Voltage limiting circuit 21 includes a diode 219 whose anode is connected to terminal A and whose cathode is connected to electrode T1. The diode 219 includes a thyristor 212 and a Zener diode 21 whose anodes are connected to each other.
5 are connected in parallel such that the anode of the diode 219 and the anode of the Zener diode 215 are connected. A series body consisting of a Zener diode 213 and a resistor 214 is connected in parallel to the thyristor 212 such that one end of the resistor 214 and the cathode of the thyristor 212 are connected. and,
The gate of the thyristor 212 is connected to the connection point between the Zener diode 213 and the resistor 214.

電圧制限回路22は、陰極が端子Aに接続され
陽極が電極T2に接続されるツエナーダイオード
221のみから成る。
The voltage limiting circuit 22 consists only of a Zener diode 221 whose cathode is connected to the terminal A and whose anode is connected to the electrode T2.

次に、本実施例の動作を第9図のタイミングチ
ヤートを用いて説明する。なお、第9図イ,ロは
それぞれ電歪板H1,H2に加わる電圧を示して
おり、縦軸(電圧軸)の向きはそれぞれ分極方向
と対応している。また、同図ハはバイモルフ素子
1の自由端の変位量を示しており、縦軸の正の方
向が第3図における上方向への変位と対応してい
る。
Next, the operation of this embodiment will be explained using the timing chart shown in FIG. Note that FIGS. 9A and 9B show the voltages applied to the electrostrictive plates H1 and H2, respectively, and the directions of the vertical axes (voltage axes) correspond to the polarization directions, respectively. 3 shows the amount of displacement of the free end of the bimorph element 1, and the positive direction of the vertical axis corresponds to the upward displacement in FIG.

端子Bが正の場合、電歪板H1には第9図イに
示すように電圧は印加されず、電歪板H2のみに
第9図ロに示すように分極方向にVcが印加され
ている。したがつて、この状態で分極の劣化は起
きない。
When terminal B is positive, no voltage is applied to the electrostrictive plate H1 as shown in Figure 9A, and Vc is applied only to the electrostrictive plate H2 in the polarization direction as shown in Figure 9B. . Therefore, no deterioration of polarization occurs in this state.

極性が反転すると、電歪板H1には分極方向に
Vcが印加され、電歪板H2には逆方向にVc−V
(ZD221)が印加されるため、上方には大きく変
位する(ξ1)。
When the polarity is reversed, the electrostrictive plate H1 has a polarization direction
Vc is applied to the electrostrictive plate H2 in the opposite direction.
(ZD221) is applied, so there is a large upward displacement (ξ1).

短い時間経過後、再び極性が反転すると、サイ
リスタ212がターンオンするため、電歪板H1
には逆方向にVc−V(ZD215)が印加され、バイ
モルフ素子1の先端は下方にξ2だけ変位する。
その後、サイリスタ212が自己復旧(ターンオ
フ)すると電歪板H1の電荷は自己放電し、印加
電圧は第9図イに示すように零になる。
After a short period of time, when the polarity is reversed again, the thyristor 212 turns on, so the electrostrictive plate H1
Vc-V (ZD215) is applied in the opposite direction, and the tip of the bimorph element 1 is displaced downward by ξ2.
Thereafter, when the thyristor 212 self-recovers (turns off), the charge on the electrostrictive plate H1 self-discharges, and the applied voltage becomes zero as shown in FIG. 9A.

一方、電歪板H2には再びVcが印加されるた
め、それまで逆分極方向にVc−V(ZD221)が加
わることによつて生じた僅かな減極は前述の増幅
作用によつて打ち消されるため劣化は生じない。
On the other hand, since Vc is again applied to the electrostrictive plate H2, the slight depolarization that had previously occurred due to the application of Vc - V (ZD221) in the opposite polarization direction is canceled out by the amplification effect described above. Therefore, no deterioration occurs.

第10図はバイモルフ素子1として6層バイモ
ルフ素子を適用した場合の実施例をしめすブロツ
ク図である。
FIG. 10 is a block diagram showing an embodiment in which a six-layer bimorph element is used as the bimorph element 1.

ここに、6層バイモルフ素子とは、中央電極S
を介して一対の電歪板H11,H21を分極方向
が同方向になるように配し、さらに一対の電歪板
H12,H22を分極が同方向となるように且つ
電歪板H11,H21の分極とは対向するように
配し、さらに一対の電歪板H13,H23を同様
に配して構成したものである。
Here, the 6-layer bimorph element means that the central electrode S
A pair of electrostrictive plates H11 and H21 are arranged so that their polarization directions are in the same direction, and a pair of electrostrictive plates H12 and H22 are arranged so that their polarization directions are in the same direction. It is arranged so as to face the polarization, and furthermore, a pair of electrostrictive plates H13 and H23 are arranged in the same manner.

上述した2層バイモルフ素子を用いた各実施例
において、2層バイモルフ素子を6層バイモルフ
素子に置換する場合には、駆動入力回路2におけ
る電圧制限回路21,22を第10図の如く接続
すればよいことを示している。
In each of the embodiments using the two-layer bimorph element described above, when replacing the two-layer bimorph element with a six-layer bimorph element, the voltage limiting circuits 21 and 22 in the drive input circuit 2 are connected as shown in FIG. It shows good things.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明の圧電アクチユエ
ータによれば、分極された電歪板に電圧制限回路
を介し、分極劣化電圧以上の電圧を極性を交互に
変えながら供給する圧電アクチユエータにおい
て、その電圧制限回路は、電歪板に供給される電
圧が分極と同方向のときは制限せず、逆方向のと
きは分極劣化電圧以下の電圧まで所定の時定数に
従い低下する特性を有するようにしたので、電歪
板に対する印加電圧の極性が分極方向と同方向か
ら逆方向に切り替わる瞬間に高い電圧が印加さ
れ、一定の短い時間が経過した後、分極の劣化が
起きない程度の電圧、または仮に起きても次の極
性の反転で同方向に加わる印加電圧Vcの増極作
用によつて相殺される程度の電圧まで徐々にその
印加電圧値が低下していくように作用する。
As explained above, according to the piezoelectric actuator of the present invention, the piezoelectric actuator supplies a voltage higher than the polarization deterioration voltage to the polarized electrostrictive plate through the voltage limiting circuit while alternating the polarity. The circuit has a characteristic that when the voltage supplied to the electrostrictive plate is in the same direction as the polarization, it is not restricted, but when it is in the opposite direction, it decreases according to a predetermined time constant to a voltage below the polarization deterioration voltage. A high voltage is applied at the moment when the polarity of the voltage applied to the electrostrictive plate switches from the same direction as the polarization direction to the opposite direction, and after a certain short period of time has passed, the voltage is increased to such an extent that no deterioration of polarization occurs, or even if it occurs. The applied voltage value gradually decreases to a voltage that is offset by the polarization action of the applied voltage Vc applied in the same direction at the next polarity reversal.

そのため、極性切替時に強い発生力を得ること
ができ、高速動作が要求される場合でも、十分な
変位量を確保できる。
Therefore, a strong generated force can be obtained during polarity switching, and even when high-speed operation is required, a sufficient amount of displacement can be ensured.

本発明は上記のような効果を有するため、硬貨
処理装置、リレー、インパクトプリンタヘツド、
小型ポンプなどの駆動に極めて有効である。
Since the present invention has the above effects, it can be used in coin processing devices, relays, impact printer heads,
Extremely effective for driving small pumps, etc.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図、
第2図は第1図の実施例の動作を示すタイミング
チヤート、第3図は本実施例の変位量δと動作時
間との関係を示す特性図、第4図は本発明の他の
実施例を示すブロツク図、第5図は第4図の実施
例の動作を示すタイミングチヤート、第6図は本
発明のさらに他の実施例を示すブロツク図、第7
図は本発明のさらに他の実施例を示すブロツク
図、第8図は本発明のさらに他の実施例を示すブ
ロツク図、第9図は第8図の実施例の動作を示す
タイミングチヤート、第10図は本発明のさらに
他の実施例を示すブロツク図、第11図は従来の
圧電アクチユエータを示す概略構成図、第12図
は従来の圧電アクチユエータを動作周波数2Hzで
動作させた時の電源電圧Eと変位量δとの関係を
示した特性図、第13図イはバイモルフ素子1の
動作を示す側面図、同図ロはバイモルフ素子1の
先端の速度vと変位量δとの関係を示す特性図で
ある。 1……バイモルフ素子、2……駆動入力回路、
3……極性切替回路、4……定電圧回路、5……
制御回路、21,22……電圧制限回路、21
0,220……シヨツクレーダイオード、21
2,222……サイリスタ、H1,H2……電歪
板、S……中央電極、T1,T2……電極。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between displacement δ and operating time in this embodiment, and FIG. 4 is another embodiment of the present invention. 5 is a timing chart showing the operation of the embodiment of FIG. 4, FIG. 6 is a block diagram showing still another embodiment of the present invention, and FIG.
8 is a block diagram showing still another embodiment of the present invention, FIG. 9 is a timing chart showing the operation of the embodiment of FIG. 8, and FIG. Fig. 10 is a block diagram showing still another embodiment of the present invention, Fig. 11 is a schematic configuration diagram showing a conventional piezoelectric actuator, and Fig. 12 shows the power supply voltage when the conventional piezoelectric actuator is operated at an operating frequency of 2 Hz. A characteristic diagram showing the relationship between E and the amount of displacement δ, FIG. 13A is a side view showing the operation of the bimorph element 1, and FIG. It is a characteristic diagram. 1... Bimorph element, 2... Drive input circuit,
3... Polarity switching circuit, 4... Constant voltage circuit, 5...
Control circuit, 21, 22... Voltage limiting circuit, 21
0,220...Shockley diode, 21
2,222...thyristor, H1, H2...electrostrictive plate, S...center electrode, T1, T2...electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 分極された電歪板H1に電圧制限回路21を
介して分極劣化電圧以上の供給電圧をその極性を
交互に変えながら供給する圧電アクチユエータに
おいて、 前記電圧制限回路は、 前記供給電圧を極性が前記電歪板の分極方向と
と同一となつたとき、供給電圧を減ずること無く
電歪板に供給する第1の電圧供給手段217,2
11と、 前記供給電圧の極性が前記電歪板の分極方向と
逆方向となつたとき、電歪板にかかる電圧が供給
電圧の2倍の値よりも低くかつ分極劣化電圧より
も高い値となるように一時的に設定するとともに
前記電歪板に極性切り換え時点において流れる電
流が所定の値より小さくなつた時点でその電圧を
遮断する第2の電圧供給手段212,215と、 前記電歪板に流れる電流が前記所定の値より小
さくなつた時点で供給電圧を分極劣化電圧以下の
値に制限する第3の電圧供給手段211,217
とから構成され、 前記極性切り換え時点から前記分極劣化電圧以
下になるまでの時間はアクチユエータの変位時間
に比べて長いことを特徴とする圧電アクチエー
タ。
[Scope of Claims] 1. A piezoelectric actuator that supplies a voltage higher than a polarization deterioration voltage to a polarized electrostrictive plate H1 via a voltage limiting circuit 21 while alternating its polarity, the voltage limiting circuit comprising: first voltage supply means 217, 2 for supplying the supply voltage to the electrostrictive plate without reducing the supply voltage when the polarity is the same as the polarization direction of the electrostrictive plate;
11, when the polarity of the supply voltage is opposite to the polarization direction of the electrostrictive plate, the voltage applied to the electrostrictive plate is lower than twice the supply voltage and higher than the polarization deterioration voltage; a second voltage supply means 212, 215 that temporarily sets the voltage so that the electrostrictive plate is switched, and cuts off the voltage when the current flowing through the electrostrictive plate at the time of polarity switching becomes smaller than a predetermined value; third voltage supply means 211, 217 for limiting the supply voltage to a value equal to or less than the polarization deterioration voltage at the time when the current flowing in the current becomes smaller than the predetermined value;
A piezoelectric actuator comprising the above, wherein the time from the polarity switching point until the polarization degradation voltage becomes lower than or equal to the polarization deterioration voltage is longer than the displacement time of the actuator.
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