JPH0349097B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0349097B2
JPH0349097B2 JP19613783A JP19613783A JPH0349097B2 JP H0349097 B2 JPH0349097 B2 JP H0349097B2 JP 19613783 A JP19613783 A JP 19613783A JP 19613783 A JP19613783 A JP 19613783A JP H0349097 B2 JPH0349097 B2 JP H0349097B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image forming
forming material
material according
chain extender
photosensitive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP19613783A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6088938A (ja
Inventor
Chiaki Nakamura
Koji Oe
Tomonobu Muta
Toshiki Sasaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority to JP19613783A priority Critical patent/JPS6088938A/ja
Priority to US06/574,573 priority patent/US4591545A/en
Publication of JPS6088938A publication Critical patent/JPS6088938A/ja
Priority to US06/826,582 priority patent/US4684601A/en
Publication of JPH0349097B2 publication Critical patent/JPH0349097B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/67—Unsaturated compounds having active hydrogen
    • C08G18/68—Unsaturated polyesters
    • C08G18/683—Unsaturated polyesters containing cyclic groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0384—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the main chain of the photopolymer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polyesters Or Polycarbonates (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は光感床の改良された感光性画像圢成材
料に関するものである。
【匏】骚栌以䞋、桂皮酞 骚栌ず称するは、特異な光二量化反応をするた
め、埓来より桂皮酞骚栌を分子の偎鎖ないし䞻鎖
に導入した皮々の感光性暹脂を䜿甚した画像圢成
材料の怜蚎が行なわれおいる。䟋えば、偎鎖に桂
皮酞骚栌を有するポリビニルアルコヌル、ポリ゚
ピクロルヒドリン、ポリスチレン、アクリル暹
脂、゚ポキシ暹脂及び䞻鎖に桂皮酞骚栌を有する
ポリ゚ステル、ポリアミドなどがあり、そのいく
぀かは実甚化されおいる。䟋えば、ポリビニルア
ルコヌルず、桂皮酞クロラむドの反応により補造
されるポリ桂皮酞ビニル゚ステル、プニレンゞ
アクリル酞ゞ゚チルず、−ゞ−β−ヒドロ
キシ゚トキシシクロヘキサンずの瞮合により補造
されるポリ゚ステルがあり、これらは印刷版、
LSI玠子などの画像圢成材料ずしお利甚されおい
る。 前蚘の劂き光二量化型感光性暹脂の䞭で、プ
ニレンゞアクリル酞もしくはそのアルキル゚ステ
ルずグリコヌルずの瞮合により補造された分子䞻
鎖䞭に桂皮酞骚栌を有する感光性ポリ゚ステル暹
脂を䜿甚した画像圢成材料は、比范的高い光感床
を有するず蚀われおいるが、珟圚の実甚的芁求に
察しおその感床は必ずしも充分なものずは蚀えな
い珟状にある。䞀方、倚官胜性の桂皮酞゚ステル
を架橋剀ずしお䜿甚するこずにより、䞊蚘感光性
ポリ゚ステル暹脂を䜿甚した画像圢成材料を高感
床化する詊みが為されおいるが、そのような架橋
剀は䞀般に暹脂ずの盞溶性が悪く、たた、それに
よる画像圢成材料の高感床化も䞍十分である。 たた、近幎、網点フむルムを通した画像の焌付
けではなく、レヌザヌ光線を甚いお電気的な画像
信号から盎接感光局に画像を焌付ける簡略化され
た補版方法が提案されおいる。しかし、珟状の感
光性画像圢成材料では、光感床が䞍十分なため、
高出力の倧型レヌザヌを䜿甚せざるを提ないのが
実情である。このために䞀局高感床の感光性画像
圢成材料が望たれおいる。 画像圢成材料で䜿甚される感光性暹脂は、䞀般
に、桂皮酞骚栌を有する倚䟡カルボン酞成分ず、
倚䟡アルコヌル成分ずの重瞮合反応により補造さ
れ、その分子量が増加するず、その光感床が向䞊
するこずが知られおいる。 しかしながら、重瞮合反応の堎合、䞀般に、高
分子量の重合䜓が埗にくく、たた、高分子量化す
る目的で高枩で長時間に亘぀お重瞮合反応を行う
ずきは、桂皮酞骚栌の存圚に起因する副反応ずし
お、枝分れや架橋が起こりやすく、溶剀に䞍溶性
のゲル化物が生成しやすい。これらの事実又は珟
象はその暹脂を甚いた画像圢成材料の珟像性、解
像床、印刷特性等に悪い圱響を䞎える。 本発明者らは、桂皮酞骚栌を有する感光性暹脂
を䜿甚した感光性画像圢成材料においお、光感床
の向䞊した画像圢成材料を埗るこずを目的ずしお
鋭意研究した結果、重瞮合反応時に、鎖䌞長剀を
甚いお高分子量化した暹脂を感光局の皮膜圢成暹
脂ずしお䜿甚した画像圢成材料が極めお高い光感
床を瀺すばかりでなく珟像性、解像床、印刷特性
等も良奜であるこずから、䞊蚘目的を達成しうる
こずを芋出し、本発明に到達した。 即ち、本発明は芳銙栞に隣接した感光性䞍飜和
二重結合を有するゞカルボン酞以䞋感光性䞍飜
和ゞカルボン酞ずいう。から誘導される単䜍を
含むゞカルボン酞単䜍ずグリコヌル単䜍ずからな
る氎酞基を有するポリ゚ステル前駆䜓を補造し、
次いで該前駆䜓に前蚘氎酞基ず反応し埗る官胜基
を分子䞭に少なくずも個有する鎖䌞長剀を反応
させお埗られる感光性暹脂を含有する感光局を有
するこずを特城ずする感光性画像圢成材料に関す
るものである。 本発明で䜿甚する感光性䞍飜和ゞカルボン酞か
ら誘導される単䜍ずしおは、䟋えば䞋蚘䞀般匏(1)
〜(7)で衚わされる単䜍を挙げるこずができる。こ
れらの単䜍は、それらの各々に察応するゞカルボ
ン酞又はその誘導䜓、䟋えばそれらのゞメチル゚
ステル、ゞ゚チル゚ステルの劂きゞアルキル゚ス
テルゞ゚チレングリコヌル゚ステル、ゞ
プロピレングリコヌル゚ステルの劂きゞア
ルキレングリコヌル゚ステル等から誘導するこ
ずができる。 䞊蚘䞀般匏(1)〜(7)䞭、R1及びR′1はそれぞれ
独立的に氎玠原子、炭玠数〜のアルキル基、
炭玠数〜のアルコキシル基、ハロゲン原子又
はニトロ基を衚わし、R2は炭玠数〜のアル
キレン基を衚わし、は〜の敎数を衚わし、
は〜の敎数を衚わし、は〜の敎数を
衚わす。 䞊蚘のゞカルボン酞単䜍を誘導し埗る感光性䞍
飜和ゞカルボン酞又はその誘導䜓の具䜓䟋ずし
お、−プニレンゞアクリル酞、−プニレ
ンゞアクリル酞、−ゞメトキシ−−プ
ニレンゞアクリル酞、−ニトロ−−プニレ
ンゞアクリル酞、−カルボキシ桂皮酞、シンナ
ミリデンマロン酞、ビス−桂皮酞ゞ゚チレ
ングリコヌル゚ヌテル、ビス−カルボキシベ
ンザルシクロヘキサノン、ビス−カルボキ
シベンザルシクロペンタノン、p′−カルコ
ンゞカルボン酞等のゞカルボン酞又はその誘導䜓
を䜿甚するこずができ、ポリ゚ステル前駆䜓の補
造に際しお䞊蚘の感光性䞍飜和ゞカルボン酞又は
その誘導䜓ず共に他の倚䟡カルボン酞又はその誘
導䜓を䜵甚するこずができ、このような化合物ず
しお、コハク酞、アゞピン酞、アれラむン酞、セ
バチン酞、フタル酞、む゜フタル酞、テレフタル
酞、テトラヒドロフタル酞、ヘキサヒドロフタル
酞、テトラブロムフタル酞、テトラクロルフタル
酞、マレむン酞、フマル酞、むタコン酞、−ナ
トリりムスルホむ゜フタル酞等のゞカルボン酞、
又はその無氎物又はその゚ステル誘導䜓等を䜿甚
できる。 しかしながら、これら他のゞカルボン酞又はそ
の誘導䜓の倚量の䜿甚は暹脂の光感床の䜎䞋を惹
起するから避けるべきであり、充分に高い光感床
を埗るためには、感光性䞍飜和ゞカルボン酞から
誘導される単䜍の含有量をゞカルボン酞単䜍党䜓
の30〜100モルずするこずが望たしい。 䞀方、グリコヌル成分ずしおは、特に制限なく
各皮のものを䜿甚でき、䟋えば゚チレングリコヌ
ル、ゞ゚チレングリコヌル、トリ゚チレングリコ
ヌル、プロピレングリコヌル、ゞプロピレングリ
コヌル、ポリ゚チレングリコヌル、ポリプロピレ
ングリコヌル、ネオペンチルグリコヌル、
−ブチレングリコヌル、−ヘキサンゞオヌ
ル、−ブテン−−ゞオヌル、
−トリメチル−−ペンタンゞオヌル、
−ビス−β−ヒドロキシ゚トキシシクロヘキサ
ン、シクロヘキサンゞメタノヌル、トリシクロデ
カンゞメタノヌル、氎添ビスプノヌル、氎添
ビスプノヌル、ビスプノヌルの゚チレン
オキサむド付加䜓、ビスプノヌルのプロピレ
ンオキサむド付加䜓、ビスプノヌルの゚チレ
ンオキサむド付加䜓、ビスプノヌルのプロピ
レンオキサむド付加䜓等が䜿甚できる。 感光性䞍飜和ゞカルボン酞から誘導される単䜍
を含むゞカルボン酞単䜍ずグリコヌル単䜍ずから
なる氎酞基を有するポリ゚ステル前駆䜓の合成に
際しおは、分子の䞡末端に氎酞基を有するポリ゚
ステル前駆䜓が埗られるように反応に䜿甚する酞
のカルボキシル基又ぱステル基などカルボン酞
から誘導される基圓量に察しおグリコヌルの氎
酞基圓量以䞊奜適には1.1〜2.0圓量ずなるよう
に配合比を遞ぶこずが望たしい。 ポリ゚ステル前駆䜓は、通垞のポリ゚ステル合
成で知られおいる手段、たずえば、成曞、“講座
重合反応論、重瞮合”緒方著、化孊同人瀟発
行、あるいは、米特蚱3622320号公報に蚘茉され
おいる方法により容易に補造できる。すなわち、
前蚘ゞカルボン酞成分ずグリコヌル成分を、必芁
に応じお加えられる觊媒及び犁止剀の存圚䞋で反
応゚ステル化反応たたぱステル亀換させた
埌、埐々に反応噚内の圧力を枛じお過剰のグリコ
ヌルを溜出させるこずにより補造できる。反応枩
床ずしおは、150〜250℃が奜たしく、枛圧はmm
Hg以䞋が奜たしい。 ポリ゚ステル前駆䜓を補造する際に甚いられる
觊媒ずしおは、䟋えばゞブチル錫オキサむド、ゞ
ブチル錫ラりレヌト、ゞブチル錫ゞアセテヌト、
リチりム゚トキシド、テトラむ゜プロピルチタネ
ヌト、テトラブトキシチタネヌトの劂き有機金属
化合物二酞化チタン、酢酞亜鉛、䞉酞化アンチ
モン、酞化カルシりムの劂き無機金属化合物を䜿
甚できる。䜿甚量は、金属成分ずしお50〜
10000ppmが奜たしい。 犁止剀は重瞮合反応時に䜵発しお起こりやすい
゚チレン性䞍飜和基の架橋、枝分れをできるだけ
少なく抑えるために䜿甚するものであり、䟋えば
プノチアゞン、ハむドロキノン、ハむドロキノ
ンモノメチル゚ヌテル、−ゞtert−ブチル
−−クレゟヌル、−ベンゟキノン等を䜿甚で
きる。その䜿甚量は、50〜2000ppmが奜たしい。 斯くしお補造されるポリ゚ステル前駆䜓は、
7000以䞊の重量平均分子量をも぀ものが奜適であ
り、10000以䞊の重量平均分子量をも぀ものが䞀
局奜適である。このような分子量をも぀ポリ゚ス
テル前駆䜓を埌蚘する鎖䌞長剀ず反応させるず、
高分子量の暹脂を補造するこずができ、そのこず
によ぀お光感床が向䞊した画像圢成材料を埗るこ
ずが可胜である。 本発明で鎖䌞長剀ずしお䜿甚できる化合物ずし
おは、䟋えばゞアリヌルオギザレヌト化合物、ゞ
アリヌルフタレヌト化合物、ゞアリヌルカヌボネ
ヌト化合物、ビス−アシルラクタム化合
物、ビス−アシルむミド化合物、テトラカ
ルボン酞二無氎物、ビスベンゟオキサゞノン化合
物、ポリむ゜シアネヌト化合物、ビスオキサゟロ
ン化合物、ビス−アシルむミダゟヌル化合
物、アルコキシシラン化合物、シラノヌル化合
物、フロキサン化合物、ゞアゞリゞン化合物、ポ
リむ゜チオシアネヌト化合物、ゞビニル゚ヌテル
化合物、ゞケテンアセタヌル化合物、䞍飜和シク
ロアセタヌル化合物、ビスカルボゞむミド化合物
等があり、䞋蚘の通りそれぞれ挙げるこずができ
る。 ゞアリヌルオギザレヌト化合物ずしおは、䞋蚘
䞀般匏(8)で衚わされる化合物、ゞアリヌルフタレ
ヌト化合物ずしおは、䞋蚘䞀般匏(9)で衚わされる
化合物、ゞアリヌルカヌボネヌト化合物ずしお
は、䞋蚘䞀般匏(10)で衚わされる化合物をそれぞれ
挙げるこずができる。 䞊蚘䞀般匏(8)〜(10)䞭、R1及びR2はそれぞれ
独立的に眮換基を有しおもよい芳銙族炭化氎玠基
を衚わす。䞊蚘各䞀般匏䞭のR1及びR2の具䜓䟋
ずしお、
【匏】
【匏】は〜10の敎数、
【匏】はハロゲン原子、
【匏】等を挙げるこずができる。 ビス−アシルラクタム化合物ずしおは、
䞋蚘䞀般匏(11)で衚わされる化合物、ビス−ア
シルむミド化合物ずしおは、䞋蚘䞀般匏(12)で衚
わされる化合物をそれぞれ挙げるこずができる。 䞊蚘䞀般匏(11)、(12)䞭、R1は炭玠数〜12の
有機基を衚わし、R2及びR3はそれぞれ独立的に
炭玠数〜11の脂肪族炭化氎玠基又は芳銙族炭化
氎玠基を衚わす。本発明で䜿甚するビス−ア
シルラクタム化合物およびビス−アシルむ
ミド化合物の奜適䟋ずしおは、テレフタロむル
ビス−カプロラクタム、む゜フタロむルビ
ス−カプロラクタム、アゞボむルビス
−カプロラクタム、アれラむルビス−カプ
ロラクタム、セバコむルビス−カプロラク
タム、テレフタロむルビス−ピロリドン、
む゜フタロむルビス−ピロリドン、アゞポ
むルビス−コハク酞むミド、セバコむルビ
ス−コハク酞むミド、む゜フタロむルビス
−コハク酞むミド、セバコむルビス−フ
タルむミドなどが挙げられる。 テトラカルボン酞二無氎物ずしおは、䞋蚘䞀般
匏13で衚わされる化合物を挙げるこずができ
る。 䞊蚘䞀般匏13䞭、は少なくずも個の
炭玠原子を含有する䟡の有機基を衚わす。 本発明で䜿甚するテトラカルボン酞二無氎物ず
しおは、ピロメリツト酞二無氎物、3′
4′−ベンゟプノンテトラカルボン酞二無氎物、
3′4′−ゞプニルテトラカルボン酞二
無氎物、−ナフタレンテトラカル
ボン酞二無氎物、−ナフタレンテ
トラカルボン酞二無氎物、4′−スルホニルゞ
フタル酞二無氎物、−ビス−ゞカ
ルボキシプニルプロパン二無氎物、ビス
−ゞカルボキシプニル゚ヌテル二無
氎物、4′−〔3′−アルキルホスホリルゞ
プニレン−ビスむミノカルボニル〕ゞフタ
ル酞二無氎物、ヒドロキノンゞアセテヌトずトリ
メリツト酞無氎物の付加䜓、ゞアセチルゞアミン
ずトリメリツト酞無氎物の付加䜓などの芳銙族テ
トラカルボン酞二無氎物−−ゞオキ
゜テトラヒドロフリル−−メチル−−シク
ロヘキセン−−ゞカルボン酞無氎物倧日
本むンキ化孊工業〓補、゚ピクロン−4400、
ブタン−−テトラカルボン酞二無
氎物、シクロペンタンテトラカルボン酞二無氎物
などの脂肪族テトラカルボン酞二無氎物を挙げる
こずができる。 ビスベンゟオキサゞノン化合物ずしおは、䞋蚘
䞀般匏14で衚わされる化合物を挙げるこずが
できる。 䞊蚘䞀般匏14䞭、R1は䟡の芳銙族基
であり、R2およびR3は、それぞれ独立的にアル
キル基、アリヌル基、およびシクロアルキル基か
らなる矀より遞ばれた基を衚わす。 ビスベンゟオキサゞノン化合物の奜適䟋ずしお
は、−ゞメチル−4H6H−ベンゟ〔
−−d′〕ビス−〔〕−オキサゞ
ン−−ゞオン、−ゞメチル−4H
9H−ベンゟ〔−−d′〕ビス−
〔〕−オキサゞン−−ゞオン、
−ゞプニル−4H6H−ベンゟ〔−
−d′〕ビス−〔〕−オキサゞン−
−ゞオン、−ゞプニル−4H9H−ベ
ンゟ〔−−d′〕ビス−〔〕
−オキサゞン−−ゞオン、6′−ビス
−メチル−4H−ベンゟオキサゞン−
−オン、6′−ビス−゚チル−4H
−ベンゟオキサゞン−−オン、
6′−ビス−プニル−4H−ベンゟ
オキサゞン−−オン、6′−メチレンビス
−メチル−4H−ベンゟオキサゞン−
−オン、6′−メチレンビス−プニ
ル−4H−ベンゟオキサゞン−−オ
ン、6′−゚チレンビス−メチル−4H
−ベンゟオキサゞン−−オン、
6′−゚チレンビス−プニル−4H
−ベンゟオキサゞン−−オン、6′−ブチ
レンビス−メチル−4H−ベンゟオ
キサゞン−−オン、6′−ブチレンビス
−プニル−4H−ベンゟオキサゞン
−−オン、6′−オキシビス−メチル
−4H−ベンゟオキサゞン−−オン、
6′−オキシビス−プニル−4H
−ベンゟオキサゞン−−オン、6′−ス
ルホニルビス−メチル−4H−ベン
ゟオキサゞン−−オン、6′−スルホニル
ビス−プニル−4H−ベンゟオキ
サゞン−−オン、6′−カルボニルビス
−メチル−4H−ベンゟオキサゞン−
−オン、6′−カルボニルビス−プ
ニル−4H−ベンゟオキサゞン−−オ
ン、7′−メチレンビス−メチル−4H
−ベンゟオキサゞン−−オン、
7′−メチレンビス−プニル−4H
−ベンゟオキサゞン−−オン、7′−ビス
−メチル−4H−ベンゟオキサゞン−
−オン、7′−゚チレンビス−メチル
−4H−ベンゟオキサゞン−−オン、
7′−オキシビス−メチル−4H
−ベンゟオキサゞン−−オン、7′−スル
ホニルビス−メチル−4H−ベンゟ
オキサゞン−−オン、7′−カルボニルビ
ス−メチル−4H−ベンゟオキサゞ
ン−−オン、等を挙げるこずができる。 本発明で䜿甚するポリむ゜シアネヌト化合物の
奜適䟋ずしおは、−トリレンゞむ゜シアネ
ヌト、−トリレンゞむ゜シアネヌト、キシ
リレンゞむ゜シアネヌト、メタキシリレンゞむ゜
シアネヌト、4′−ゞプニルメタンゞむ゜シ
アネヌト、ナフチレンゞむ゜シアネヌト等の劂き
芳銙族ゞむ゜シアネヌト化合物ヘキサメチレン
ゞむ゜シアネヌト、トリメチルヘキサメチレンゞ
む゜シアネヌト、リゞンゞむ゜シアネヌト、ダむ
マヌ酞ゞむ゜シアネヌト等の劂き脂肪族ゞむ゜シ
アネヌト化合物む゜ホロンゞむ゜シアネヌト、
4′−メチレンビスシクロヘキシルむ゜シア
ネヌト、メチルシクロヘキサン−
ゞむ゜シアネヌト、−む゜シアネヌ
トメチルシクロヘキサン等の劂き脂環族ゞむ゜
シアネヌト化合物−ブチレングリコヌル
モルずトリレンゞむ゜シアネヌトモルずの付
加䜓、トリメチロヌルプロパンモルずトリレン
ゞむ゜シアネヌトモルずの付加䜓等の劂きポリ
オヌルずゞむ゜シアネヌトずの反応物であるポリ
む゜シアネヌト化合物ヘキサメチレンゞむ゜シ
アネヌト量䜓、トリレンゞむ゜シアネヌト量
䜓等の劂きゞむ゜シアネヌト倚量䜓䞊蚘ポリむ
゜シアネヌト化合物ずメタノヌル、゚タノヌル、
プロパノヌル等のアルコヌル類、プノヌル、
−クレゟヌル、−ニトロプノヌル等のプノ
ヌル類、ε−カプロラクタム、−ピロリドン等
のラクタム類、アセトンオキシム、メチル゚チル
ケトンオキシム等のオキシム類、マロン酞゚ステ
ル、アセト酢酞゚ステル等の掻性メチレン化合物
等のブロツク剀ずを反応させたブロツクされたポ
リむ゜シアネヌト化合物などが挙げられる。 オキサゟロン化合物ずしおは、䞀般匏16で
衚わされる化合物を挙げるこずができる。 䞊蚘䞀般匏16䞭、R1は脂肪族炭化氎玠
基又は芳銙族炭化氎玠基を衚わし、R2、R3、R4
およびR5はそれぞれ独立的に氎玠原子、脂肪族
炭化氎玠又は芳銙族炭化氎玠を衚わす。 オキサゟロン化合物の奜適䟋ずしおは2′−
−プニレンビス〔4Hオキサゟロン−〕、
2′−−プニレンビス〔4Hオキサゟロ
ン−〕、2′−−プニレンビス〔−メ
チル4Hオキサゟロン−〕、2′−−フ
゚ニレンビス〔−メチル4Hオキサゟロン
−〕、ビス−〔−メチル4H−−
オキサゟロニル〕シクロヘキサン、ビス−
〔−メチル4H−−オキサゟロニル〕シ
クロヘキサン、2′−テトラメチレンビス
〔4Hオキサゟロン−〕、2′−テトラメチ
レンビス〔−ゞメチル−4Hオキサゟロ
ン−〕、2′−ゞメチレンビス〔−ゞ
メチル−4Hオキサゟロン−〕、等を挙げる
こずができる。 ポリ゚ステル前駆䜓ず鎖䌞長剀ずの反応は、○む
ポリ゚ステル前駆䜓を有機溶媒に溶解した溶液に
鎖䌞長剀の所定量を添加した反応系又は○ロ熔融し
たポリ゚ステル前駆䜓に鎖䌞長剀の所定量を添加
した反応系のもずで行うこずができる。奜たしい
反応条件は䜿甚する鎖䌞長剀の反応性、觊媒の有
無などにより圓然に異なるが、䞀般的に蚀えば、
反応枩床は、50〜250℃、反応圧力は垞圧又は枛
圧䞋ずするこずができる。 ポリ゚ステル前駆䜓ず鎖䌞長剀の反応割合は、
ポリ゚ステル前駆䜓の氎酞基の圓量に察しお、
鎖䌞長剀の前蚘氎酞基ず反応し埗る官胜基が0.2
〜1.5圓量、奜たしくは、0.5〜1.2圓量の範囲を遞
ぶこずが望たしい。ポリ゚ステル前駆䜓の氎酞基
圓量に察しお、鎖䌞長剀の官胜基の圓量数が
0.2に満たない堎合は、生成暹脂の分子量を高い
光感床を埗るのに必芁な分子量たで高めるこずが
困難であり、1.5を越える堎合は、鎖䌞長剀の割
合を増倧させおも、生成暹脂の分子量及び光感床
の䞀局の増倧を期埅するこずはできず、むしろゲ
ル化が生じ易くなるので奜たしくない。 ポリ゚ステル前駆䜓ず鎖䌞長剀ずの反応には、
必芁に応じお觊媒を䜿甚でき、そのような觊媒ず
しお䟋えばゞブチル錫オキサむド、ゞブチル錫ゞ
ラりレヌト、テトラ−−ブチルチタネヌトの劂
き有機金属化合物、ゞメチルベンゞルアミン、ト
リメチルベンゞルアンモニりムクロラむド等の第
䞉アミン、第アンモニりム塩等を挙げるこずが
できる。 䞊蚘反応に䜿甚できる有機溶媒ずしおは、塩化
メチレン、クロロホルム、トリクロロ゚タン、ト
リクロロ゚チレン、モノクロルベンれン、ゞクロ
ルベンれン、四塩化炭玠等の塩玠系溶媒テトラ
ヒドロフラン、ゞオキサン等の゚ヌテル系溶媒
グリコヌルメチル゚ヌテルアセテヌト、グリコヌ
ル゚チル゚ヌテルアセテヌト、酢酞゚チル、酢酞
ブチル等の゚ステル系溶媒メチル゚チルケト
ン、メチルむ゜ブチルケトン、シクロヘキサン、
−メチル−−メトキシ−−ペンタノン等の
ケトン系溶媒ゞメチルホルムアミド、ゞメチル
アセトアミド、−メチルピロリドン、ニトロベ
ンれン等の含窒玠化合物ゞメチルスルホキシド
等があり、䞊蚘溶媒は単独、たたは、皮以䞊混
合しお䜿甚できる。 以䞊に述べた方法によれば、40000〜200000の
重量平均分子量をも぀感光性暹脂を容易に補造で
き、このように高い分子量をも぀感光性暹脂は埓
来の感光性暹脂よりも高い光感床をも぀ものであ
る。本発明に係る画像圢成材料の補造にはこのよ
うに高い分子量をも぀感光性暹脂の䜿甚が望たし
い。 本発明に係る画像圢成材料の補造は、前蚘の感
光性暹脂を、適圓な溶媒に溶解した組成物、或は
曎に必芁に応じお増感剀、顔料、染料、充填剀、
安定剀、架橋剀、可塑剀等の添加剀を添加した組
成物を調補し、この組成物を支持䜓衚面に塗垃也
燥するこずにより行うこずができる。奜適な溶媒
は、暹脂の組成および分子量により異なるが、普
通䞊蚘ポリ゚ステル前駆䜓ず鎖䌞長剀の反応に䜿
甚される有機溶媒テトラヒドロフルフリルアル
コヌル、ベンゞルアルコヌル等のアルコヌル系溶
媒グリコヌルモノメチル゚ヌテル、グリコヌル
モノ゚チル゚ヌテル等のアルコヌルモノアルキル
゚ヌテル系溶媒゚チレングリコヌルモノプニ
ル゚ヌテル等があり、䞊蚘溶媒は、単独、たたは
皮以䞊混合しお䜿甚される。 増感剀ずしおは、この分野で䜿甚できるもの
が、いずれも䜿甚でき、ベンゟプノン誘導䜓、
ベンズアンスロン誘導䜓、キノン類、芳銙族ニト
ロ化合物、ナフトチアゟリン誘導䜓、ベンゟチア
ゟリン誘導䜓、ケトクマリン化合物、あるいは、
ピリリりム塩、チアピリリりム塩類等が䜿甚でき
る。このような増感剀ずしお䟋えば、ミヒラヌケ
トン、ゞ゚チルアミノ゚チルベンゟプノン、ベ
ンズアンスロン、−メチル−−ゞアザ
−−ベンズアンスロンピクラミド、
11−ゞクロロベンズアンスロン、−プニル−
ベンズアンスロン、−ゞメトキシアントラ
キノン、−ベンズアントラキノン、−ニ
トロアセナフテン、−ニトロフルオレン、
−ゞニトロフルオレン、−ニトロナフタレ
ン、−ゞニトロナフタレン、−ニトロゞ
プニル、−ゞベンゟむルメチレン−−メチ
ルナフトチアゟリン、−ベンゟむルメチレン−
−メチルナフトチアゟリン、−ビスフロむ
ルメチレン−−メチルベンゟチアゟリン、
−ベンゟむルメチレン−−メチルベンゟチアゟ
リン、−カルボニル−ビス−ゞ゚チル
アミノクマリン、−トリプニルチ
アピリリりムパヌクロレヌト、−ビス
−゚トキシプニル−−−−アミロキシ
プニル−チアピリリりムパヌクロレヌト等が
ある。 䞊蚘の感光性暹脂組成物は、ホワラヌ塗垃、デ
むツプ塗垃、カヌテン塗垃、ロヌル塗垃、スプレ
ヌ塗垃、゚アナむフ塗垃、ドクタヌナむフ塗垃、
スピナヌ塗垃等、呚知の塗垃方法によ぀お支持䜓
に塗垃される。 支持䜓の具䜓䟋ずしおは、アルミニりム板、亜
鉛板、銅板、ステンレス銅板、その他の金属板
ポリ゚チレンテレフタレヌト、ポリカヌボネヌ
ト、セルロヌス誘導䜓等の合成暹脂のシヌト状物
や板状物合成暹脂を溶融塗垃あるいは合成暹脂
溶液を塗垃した玙、合成暹脂に金属局を真空蒞
着、ラミネヌトなどの技術により蚭けた耇合材
料シリコンり゚ハヌ等が挙げられる。 印刷版の支持䜓ずしおは、機械的、化孊的、あ
るいは電気化孊的に粗面化したアルミニりム、
銅、亜鉛等の金属板等が䜿甚され、この䞊に通垞
0.1〜2.5Όの厚さをも぀感光局が圢成される。 この印刷板の感光局にネガ画像による像露光を
行な぀お感光局の露光郚分を硬化させ䞍溶化せし
めた埌、珟像しお未露光郚分を溶解陀去すれば、
支持䜓䞊に察応する画像を圢成させるこずができ
る。 露光に䜿甚される適圓な光源ずしおは、カヌボ
ンアヌク灯、氎銀灯、キセノン灯、メタルハラむ
ドランプ、レヌザヌ等が挙げられる。 以䞊述べた劂く、本発明の感光性画像圢成材料
は、印刷版の感光局の圢成に極めお有効なもので
あるが、本発明の画像圢成材料の甚途は必ずしも
印刷版の感光局に限定されるものでなく、䟋えば
各皮の埮现加工のためのフオトレゞストずしおも
䜿甚し埗るものである。 以䞋、本発明を実斜䟋により、具䜓的に説明す
るが、本発明はその芁旚を越えない限り、以䞋の
実斜䟋に限定されるものではない。 実斜䟋〜30比范䟋〜16 (1) ポリ゚ステル前駆䜓の補造 第衚の欄に蚘茉した配合組成をも぀各混合
物を觊媒ゞブチル錫オキサむド、犁止剀
プノチアゞン0.25〜0.5ず共に撹拌装眮、
窒玠ガス導入宀、枩床蚈及び溜出管の備えた反応
噚に仕蟌み、窒玠ガス雰囲気䞋で撹拌し぀぀180
℃に加枩しお反応を開始した。その埌時間に亘
぀お加熱、撹拌を続け反応により生成する゚タノ
ヌルの溜出が止぀た埌、同枩床で反応噚内の圧力
を陀々に枛じおmmHgずした。その埌同枛圧䞋
で時間に亘぀お曎に加熱撹拌を続け溜出物の溜
出が止぀た埌に反応噚内の圧力を窒玠ガスで垞圧
たで降䞋させた。 (2) 感光性暹脂の補造 感光性暹脂の補造は䞋蚘(A)〜(G)の方法に埓぀お
行぀た。 法 䞊蚘(1)ポリ゚ステル前駆䜓に第衚に蚘茉
した鎖䌞長剀を仕蟌み、再び反応噚内の圧力を
mmHgずし、この圧力の䞋で第衚に瀺した
条件枩床時間で、撹拌を続けた埌に垞圧
に戻し噚内枩床を宀枩たで降䞋させ、生成暹脂
を取り出した。 法 䞊蚘(1)のポリ゚ステル前駆䜓にモノクロル
ベンれンを加えお、30重量溶液ずした。次に
第衚に蚘茉した鎖䌞長剀、およびテトラ−
−ブチルチタネヌトポリ゚ステル前駆䜓に察
しお重量を仕蟌み、140℃で時間に亘
぀お撹拌を続けた埌、噚内の枩床を宀枩たで降
䞋させ、生成暹脂溶液を取り出した。 法 䞊蚘(1)のポリ゚ステル前駆䜓に第衚に蚘
茉した鎖䌞長剀を仕蟌み、窒玠雰囲気䞋、垞圧
で第衚に瀺した条件枩床条件で撹拌を
続けた埌に噚内枩床たで降䞋させ、生成暹脂を
取り出した。 法 䞊蚘(1)のポリ゚ステル前駆䜓にモノクロル
ベンれンを加えお、20重量溶液ずした。次に
第衚に蚘茉した鎖䌞長剀を仕蟌み、暗宀䞭、
120℃時間に亘぀お撹拌を続けた埌に噚内枩
床を宀枩たで降䞋させ、暹脂溶液を取り出し
た。 法 䞊蚘(1)のポリ゚ステル前駆䜓にモノクロル
ベンれンを加えお15重量溶液ずした。次に第
衚に蚘茉した鎖䌞長剀およびゞブチル錫ゞラ
りレヌトポリ゚ステル前駆䜓に察しお
200ppmを仕蟌み、第衚に蚘茉した条件
枩床時間で撹拌を続けた埌、50℃に降枩
し、メタノヌルを少量添加しお30分間撹拌し、
その埌、噚内枩床を宀枩たで降䞋させ、生成暹
脂溶液を取り出した。 法 䞊蚘(1)のポリ゚ステル前駆䜓にモノクロル
ベンれンを加えお20重量溶液ずした。次に第
衚に蚘茉した鎖䌞長剀およびゞブチル錫ゞラ
りレヌトポリ゚ステル前駆䜓に察しお
500ppmを仕蟌み、120℃で時間撹拌を続け
た埌、噚内枩床を宀枩たで降䞋させ、生成暹脂
溶液を取り出した。 法 䞊蚘(1)のポリ゚ステル前駆䜓にモノクロル
ベンれンを加えお、30重量溶液ずした。次に
第衚に蚘茉した鎖䌞長剀を仕蟌み、第衚に
蚘茉した条件枩床時間で撹拌を続けた埌
に、噚内枩床を宀枩たで降䞋させ、生成暹脂を
取り出した。 (3) 感光性画像圢成材料の光感床の枬定 (3)− 感光板の䜜補方法 䞊蚘(2)の暹脂のを96のモノクロルベンれ
ンに溶解した溶液を調補し、この溶液に0.4の
−ニトロアセナフテンず0.4のフタロシアニ
ン顔料を加えた感光性組成物を調補した。この組
成物を陜極酞化したアルミニりム板にホワラヌで
塗垃し、これを也燥しお厚さ1Όの感光局を有す
る感光板を䜜補した。 (3)− 光感床の枬定条件 䞊蚘(3)−で埗られた感光板に段差0.15のステ
ツプり゚ツゞを密着させ、これから隣れた䜍
眮に蚭けた出力1kWのメタルハラむドランプ
岩厎電気(æ ª)瀟補「アむドルフむン1000」を甚い
お䞊蚘感光板を第衚に瀺した時間で露光した。
その埌この感光板をγ−ブチロラクトン−85リ
ン酞98容量比混合液で珟像し、䞍溶化し
た段差の最高の数をも぀お光感床ずした。 比范のために、各実斜䟋の前蚘(1)のポリ゚ステ
ル前駆䜓を反応圧力mmHg、反応枩床180℃の条
件のもずに曎に時間反応させお埓来公知の方法
で埗られる最倧の分子量をも぀暹脂ずしお比范䟋
の暹脂をを補造し、この暹脂を甚いお実斜䟋ず同
様の条件で画像圢成材料を埗た。 各実斜䟋ずそれに察応する各比范䟋における光
感床の枬定条件は互いに同䞀条件ずした。 䞊蚘の条䟋の内容及び結果を第衚〜第衚に
たずめお掲げた。尚、第衚䞭の〜は以
䞋に瀺す通りである。 ゚ピクロン−4400倧日本むンキ化孊工
業瀟補は、 で瀺される化合物である。 鎖䌞長剀の䜿甚量は、第衚に瀺した配合
量で合成されたポリ゚ステル前駆䜓の党量に察
するものである。 官胜基の圓量数は、ポリ゚ステル前駆䜓の
氎酞基ず反応しうる鎖䌞長剀の官胜基の前蚘氎
酞基圓量に察するものである。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 第衚ず第衚の察比から解る通り、ポリ゚ス
テル前駆䜓を鎖䌞長剀で鎖䌞長せしめた実斜䟋の
感光性暹脂の重量平均分子量が玄50000〜130000
であるのに察し、鎖䌞長剀を䜿甚せずにポリ゚ス
テル化反応を長時間行うこずにより可胜な限り高
分子量化された比范䟋の感光性暹脂の重量平均分
子量は玄30000〜40000である。 本発明の画像圢成材料に䜿甚される感光性暹脂
は、このように埓来の感光性暹脂よりも倧きな重
量平均分子量を持぀ものであ぀お、比范䟋の画像
圢成材料の光感床に比べお、実斜䟋の画像圢成材
料の光感床は、同䞀露光条件䞋で、䞍溶化段数に
しお1.5〜段も優れおいる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  芳銙栞に隣接した感光性䞍飜和二重結合を有
    するゞカルボン酞から誘導される単䜍を含むゞカ
    ルボン酞単䜍ずグリコヌル単䜍ずからなる氎酞基
    を有するポリ゚ステル前駆䜓に前蚘氎酞基ず反応
    し埗る官胜基を分子䞭に少なくずも個有する鎖
    䌞長剀を反応させお埗られる感光性暹脂を含有す
    る感光局を有するこずを特城ずする感光性画像圢
    成材料。  芳銙栞に隣接した感光性䞍飜和二重結合を有
    するゞカルボン酞から誘導される単䜍が䞋蚘䞀般
    匏(1)乃至(7)のいずれか぀で衚わされる単䜍であ
    る特蚱請求の範囲第項蚘茉の画像圢成材料。 䞊蚘䞀般匏(1)〜(7)䞭、R1及びR′1はそれぞれ
    独立的に氎玠原子、炭玠数〜のアルキル基、
    炭玠数〜のアルコキシル基、ハロゲン原子又
    はニトロ基を衚わし、R2は炭玠数〜のアル
    キレン基を衚わし、は〜の敎数を衚わし、
    は〜の敎数を衚わし、は〜の敎数を
    衚わす。  鎖䌞長剀がゞアリヌルオギザレヌト化合物で
    ある特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の画像
    圢成材料。  鎖䌞長剀がゞアリヌルフタレヌト化合物であ
    る特蚱請求の範囲第項又は、第項蚘茉の画像
    圢成材料。  鎖䌞長剀がゞアリヌルカヌボネヌト化合物で
    ある特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の画像
    圢成材料。  鎖䌞長剀がビス−アシルラクタム化合
    物である特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の
    画像圢成材料。  鎖䌞長剀がビス−アシルむミド化合物
    である特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の画
    像圢成材料。  鎖䌞長剀がテトラカルボン酞二無氎物である
    特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の画像圢成
    材料。  鎖䌞長剀がビスベンゟオキサゞノン化合物で
    ある特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の画像
    圢成材料。  鎖䌞長剀がポリむ゜シアネヌト化合物であ
    る特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の画像圢
    成材料。  鎖䌞長剀がビスオキサゟロン化合物である
    特蚱請求の範囲第項又は第項蚘茉の画像圢成
    材料。  芳銙栞に隣接した感光性䞍飜和二重結合を
    有するゞカルボン酞から誘導される単䜍の含有量
    をゞカルボン酞単䜍党䜓の30〜100モルずした
    特蚱請求の範囲第項乃至第項蚘茉の画像圢
    成材料。  ポリ゚ステル前駆䜓が分子の䞡末端に氎酞
    基を有し䞔぀7000以䞊の重量平均分子量を有する
    特蚱請求の範囲第項乃至第項蚘茉の画像圢
    成材料。  感光性暹脂が40000以䞊の重量平均分子量
    を有する特蚱請求の範囲第項乃至第項蚘茉
    の画像圢成材料。  感光局が粗面化された金属衚面をも぀支持
    䜓䞊に塗蚭され、印刷版ずしおの甚途をも぀特蚱
    請求の範囲第乃至第項蚘茉の画像圢成材
    料。
JP19613783A 1983-05-10 1983-10-21 感光性画像圢成材料 Granted JPS6088938A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19613783A JPS6088938A (ja) 1983-10-21 1983-10-21 感光性画像圢成材料
US06/574,573 US4591545A (en) 1983-05-10 1984-01-27 Photosensitive image-forming material having a layer of photosensitive polyester modified with chain extender
US06/826,582 US4684601A (en) 1983-05-10 1986-02-06 Photosensitive image-forming material having a layer of photosensitive polyester modified with chain extender

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19613783A JPS6088938A (ja) 1983-10-21 1983-10-21 感光性画像圢成材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6088938A JPS6088938A (ja) 1985-05-18
JPH0349097B2 true JPH0349097B2 (ja) 1991-07-26

Family

ID=16352844

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19613783A Granted JPS6088938A (ja) 1983-05-10 1983-10-21 感光性画像圢成材料

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6088938A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6088938A (ja) 1985-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4540650A (en) Photoresists suitable for forming relief structures of highly heat-resistant polymers
US4591545A (en) Photosensitive image-forming material having a layer of photosensitive polyester modified with chain extender
JPH0349097B2 (ja)
JPH0448211B2 (ja)
US4640887A (en) Photosensitive image-forming material comprised of carboxyl groups developable in aqueous alkaline base solutions
JPH0377813B2 (ja)
EP0009223B1 (en) Photosensitive composition
JP2584671B2 (ja) 感光性組成物
JPH0536450B2 (ja)
JPH0242211B2 (ja)
JPS60138542A (ja) 感光性暹脂の補造方法
JPS59206431A (ja) 感光性ポリ゚ステル暹脂の補造方法
JPS6155643A (ja) 氎性アルカリ珟像液で珟像可胜な感光性画像圢成材料
JPS60203630A (ja) 感光性ポリ゚ステル暹脂の補造方法
JPS60191244A (ja) 氎性アルカリ珟像液で珟像可胜な感光性画像圢成材料
JPH0429147A (ja) 感光性組成物
JPS6132842A (ja) 高感床感光性暹脂の補造方法
JPS6183530A (ja) 感光性暹脂組成物
JPS60221748A (ja) 感光性暹脂の補造方法
JPS59115328A (ja) 感光性ポリ゚ステルりレタン暹脂の補造方法
JP4055729B2 (ja) 硬化型むミド暹脂の補造法
JPS6058436A (ja) 感光性暹脂の補造方法
JPS59207928A (ja) 感光性暹脂の補造方法
DE3348079C2 (ja)
JPS58142338A (ja) 画像圢成法

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371