JPH033473B2 - - Google Patents

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JPH033473B2
JPH033473B2 JP56089642A JP8964281A JPH033473B2 JP H033473 B2 JPH033473 B2 JP H033473B2 JP 56089642 A JP56089642 A JP 56089642A JP 8964281 A JP8964281 A JP 8964281A JP H033473 B2 JPH033473 B2 JP H033473B2
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JP
Japan
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phase
filter capacitor
wiring
inverter
gto
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JP56089642A
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Japanese (ja)
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Hiroshi Itahana
Yukio Yamada
Hisashi Kuwana
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/505Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
    • H02M7/515Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only
    • H02M7/521Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only in a bridge configuration

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はインバータ装置の改良に係り、特に装
置の小形化及び誘導障害対策に好適なインバータ
装置の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an improvement of an inverter device, and particularly to an improvement of an inverter device suitable for downsizing the device and taking measures against induced disturbances.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第1図に本発明を適用できる3相のGTOイン
バータ装置の主回路構成の一例を示す。図におい
て、1は電源につながるフイルタコンデンサ、2
は3相インバータでU,VおよびW相を成する各
相アーム21,22および23から成る。各相ア
ームは、GTO31〜36と、フリーホイールダ
イオード41〜46およびスナバを構成するダイ
オード51〜56、コンデンサ61〜66、抵抗
71〜76を備えている。81〜85は配線イン
ダクタンスを示す。インバータの負荷として誘導
電動機9が接続されている。
FIG. 1 shows an example of the main circuit configuration of a three-phase GTO inverter device to which the present invention can be applied. In the figure, 1 is a filter capacitor connected to the power supply, 2
is a three-phase inverter consisting of phase arms 21, 22, and 23 forming U, V, and W phases. Each phase arm includes GTOs 31 to 36, freewheel diodes 41 to 46, diodes 51 to 56 constituting a snubber, capacitors 61 to 66, and resistors 71 to 76. 81 to 85 indicate wiring inductances. An induction motor 9 is connected as a load of the inverter.

インバータは各相のGTOが交互に周期的にオ
ン、オフを繰返し、電動機9に三相交流を供給し
ている。
In the inverter, the GTOs of each phase alternately and periodically turn on and off, supplying three-phase alternating current to the electric motor 9.

ここでインバータの動作の一例を説明する。 Here, an example of the operation of the inverter will be explained.

いま、U相の正側GTO31とV相の負側GTO
34がオンしている状態を考えると、負荷電流は
フイルタコンデンサ1から、配線インダクタンス
81、GTO31、配線インダクタンス83、電
動機9のU−V相、配線インダクタンス84、
GTO34および配線インダクタンス82を経て
フイルタコンデンサ1へ流れる。次にGTO31
をオフすると、電動機9および配線インダクタン
ス83,84により、電動機電流はU相のフリー
ホイールダイオード42とGTO34を流れる循
環電流となつて持続する。次にW相のGTO35
がオンすると負荷電流はGTO35、配線インダ
クタンス85、電動機のW−V相、配線インダク
タンス84およびGTO34と流れる。インバー
タがこのような転流動作を繰返すことにより電動
機9に三相交流を与えることができる。
Now, the positive side GTO31 of U phase and the negative side GTO of V phase
34 is on, the load current flows from the filter capacitor 1 to the wiring inductance 81, the GTO 31, the wiring inductance 83, the U-V phase of the motor 9, the wiring inductance 84,
It flows to the filter capacitor 1 via the GTO 34 and wiring inductance 82. Next GTO31
When turned off, the motor current continues as a circulating current flowing through the U-phase freewheel diode 42 and the GTO 34 due to the motor 9 and wiring inductances 83 and 84. Next, W phase GTO35
When turned on, the load current flows through the GTO 35, the wiring inductance 85, the W-V phase of the motor, the wiring inductance 84, and the GTO 34. By repeating such a commutation operation by the inverter, three-phase alternating current can be provided to the electric motor 9.

ここで前述のGTO31がオフした直後の動作
に注目すると、第2図において、フイルタコンデ
ンサ1とGTO31間の配線インダクタンス81
に蓄えられていたエネルギーが、GTO31のオ
フ状態への移行によりスナバダイオード51を通
じ、実線矢印で示すように、スナバコンデンサ6
1を充電する形となり、スナバコンデンサ61の
電圧を上昇させる。このコンデンサ電圧はGTO
31のアノードとカソード間に電圧VAKとして印
加される。この電圧VAKは、GTOの保護のため
極力小さく抑える必要がある。この時のGTO3
1の電流iAと電圧VAKは第3図に示すように変化
し、ピーク電圧VDOPは次式で表わされる。
Now, if we pay attention to the operation immediately after GTO31 is turned off, we can see that the wiring inductance 81 between filter capacitor 1 and GTO31 is
The energy stored in the GTO 31 is transferred to the off state through the snubber diode 51 and is transferred to the snubber capacitor 6 as shown by the solid arrow.
1 is charged, increasing the voltage of the snubber capacitor 61. This capacitor voltage is GTO
A voltage V AK is applied between the anode and cathode of 31. This voltage V AK must be kept as low as possible to protect the GTO. GTO3 at this time
The current i A and voltage V AK of 1 change as shown in FIG. 3, and the peak voltage V DOP is expressed by the following equation.

ここで、電源電圧VSとしや断電流(GTO31に流
れていた電流)ITは回路によつて一義的に決定さ
れる。GTO31にかかるピーク電圧VDOPを小く
するためには上式からわかるように配線のインダ
クタンス81(すなわちL1)を小さくする方法
と、スナバコンデンサ61の容量CSを大きくする
方法とがある。後者は、第2図に破線矢印で示す
スナバコンデンサ61の放電エネルギーにみあつ
たスナバ抵抗器71も大きくなり、その結果、装
置として大形になるという欠点がある。
Here, the power supply voltage V S and the cut-off current (current flowing through the GTO 31) I T are uniquely determined by the circuit. In order to reduce the peak voltage V DOP applied to the GTO 31, as can be seen from the above equation, there are two methods: reducing the wiring inductance 81 (ie, L 1 ) and increasing the capacitance C S of the snubber capacitor 61. The latter has the disadvantage that the snubber resistor 71, which receives the discharge energy of the snubber capacitor 61 shown by the dashed arrow in FIG. 2, also becomes large, resulting in a large device.

一方、配線インダクタンス81(すなわちL1
を小さくする方法として、往復導体を密着して配
線したり、共心ケーブルを用いることなどが考え
られる。これらの方法によれば、単線配線に比較
してインダクタンスを低減できるが、充分ではな
く、かつ製作費がかさむ問題がある。
On the other hand, the wiring inductance 81 (i.e. L 1 )
Possible ways to reduce this include wiring reciprocating conductors closely together or using concentric cables. Although these methods can reduce inductance compared to single wire wiring, they are not sufficient and have the problem of increasing production costs.

このように、配線インダクタンスを小さくでき
れば、自己消弧機能をもつ半導体素子にかかる電
圧を低く抑えることができ、より安全に半導体素
子を保護することができる。又、同じピーク電圧
で半導体素子の動作が可能であるならば、前式か
らもわかるようにスナバコンデンサの容量も小さ
くできるため、装置としても小形化が可能とな
る。
In this way, if the wiring inductance can be reduced, the voltage applied to the semiconductor element having a self-extinguishing function can be suppressed to a low level, and the semiconductor element can be more safely protected. Furthermore, if the semiconductor element can operate at the same peak voltage, the capacitance of the snubber capacitor can also be reduced, as seen from the previous equation, and the device can also be made smaller.

しかし、インバータ電車においては、インバー
タ回路部品が大きく、装置も大形となることか
ら、GTOを用いたインバータのU,V,W21
〜23と、電源のフイルタコンデンサ1とを分離
した箱に収納し、この間を前述の往復導体や、共
心ケーブルで接続していた。
However, in inverter trains, the inverter circuit components are large and the equipment is also large, so the U, V, W21 of the inverter using GTO is
23 and the power supply filter capacitor 1 were housed in separate boxes, and these were connected by the aforementioned reciprocating conductor or concentric cable.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

これらの箱は電車の床下に取付けられる場合を
考えると1〜2m離れて配置されることになる。
従つて、この間の配線のインダクタンスも数μH
となり、前述の如く、スナバ回路のコンデンサ、
抵抗の容量を大きくしなければならない。これら
は、容量が大きくなるに伴い、それ自体の大きさ
も大きくなるので、装置全体の大型化は、従来構
造では避けられない問題となつていた。
If these boxes are installed under the floor of a train, they will be placed 1 to 2 meters apart.
Therefore, the inductance of the wiring between them is also several μH.
As mentioned above, the capacitor of the snubber circuit,
The capacitance of the resistor must be increased. As the capacity of these devices increases, the size of the device itself also increases, so increasing the size of the entire device has become an unavoidable problem with conventional structures.

また、フイルタコンデンサの収納箱とGTOの
収納箱が別々に床下に設置される。そのため、こ
の間の配線が長くなる。また、箱間を渡る配線が
箱外に出てしまう。これらの要因により、地上に
設置された設備(信号線等)に誘導障害を起こす
という問題が生じる。
Additionally, the filter capacitor storage box and GTO storage box are installed separately under the floor. Therefore, the wiring between them becomes long. Also, the wiring that crosses between boxes ends up outside the box. These factors cause a problem of induction disturbances in equipment installed on the ground (signal lines, etc.).

本発明の目的はインバータ装置を小形化すると
共に、配線が長くなることによる誘導障害を防止
することである。
An object of the present invention is to reduce the size of an inverter device and to prevent induction failures due to long wiring.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成するため、自己消弧機能をもつ
半導体素子を各相毎に、直線的に間隔をおいて分
割配置し、その各相間に、フイルタコンデンサを
夫々配置し、この半導体素子とフイルタコンデン
サを一体箱内に収納する。
In order to achieve the above object, a semiconductor element with a self-extinguishing function is divided and arranged for each phase at linear intervals, a filter capacitor is arranged between each phase, and the semiconductor element and the filter capacitor are arranged separately. are stored together in a box.

〔作用〕[Effect]

半導体素子とフイルタコンデンサを単に一体箱
に収納する場合、例えばフイルタコンデンサ、U
相、V相、W相のような構成で一体箱に収納する
場合と、本発明の装置のように半導体素子を各相
毎に直接的に間隔をおいて分割配置し、その各相
間に、フイルタコンデンサを夫々配置し、一体箱
に収納する場合との相違について説明する。
When a semiconductor element and a filter capacitor are simply housed in an integrated box, for example, the filter capacitor, U
In the case where the semiconductor elements are arranged in an integrated box with a configuration such as phase, V phase, and W phase, and in the device of the present invention, semiconductor elements are divided and arranged directly for each phase at intervals, and between each phase, The difference from the case where filter capacitors are arranged individually and housed in an integrated box will be explained.

U相、V相、W相を構成する半導体素子は、各
相毎に冷却装置容器内に収納されており、その大
きさは相当なものとなる。
The semiconductor elements constituting the U-phase, V-phase, and W-phase are housed in a cooling device container for each phase, and the size thereof is considerable.

また、第1図の誘導電動機9が負荷をとつてい
る場合、フイルタコンデンサ1の放電電流が、半
導体装置の各相に流れ、誘導電動機9が電気エネ
ルギーを放出する場合、その電流は、半導体装置
の各相からフイルタコンデンサ1に流入し、フイ
ルタコンデンサを充電する。
Furthermore, when the induction motor 9 in FIG. 1 is carrying a load, the discharge current of the filter capacitor 1 flows to each phase of the semiconductor device, and when the induction motor 9 releases electrical energy, the current flows through the semiconductor device. flows into the filter capacitor 1 from each phase and charges the filter capacitor.

これらの条件を考慮して前者の単に一体箱内に
収納する場合と後者の半導体装置の各相間にフイ
ルタコンデンサを配置し一体箱に収納した場合を
比較する。前者においては、フイルタコンデンサ
と各相との充放電関係で考えると、フイルタコン
デンサU相、フイルタコンデンサW相との配線長
に相当の差があり、配線インダクタンスも配線長
に応じて、相当の差が生じる。つまり、W相のス
ナバ回路の方が、U相のスナバ回路よりも容量も
容積も大きなものもしなければならない。しか
し、各相の要素は等しくなければバランスがとれ
ないものとなるため、全ての相のスナバ回路は等
しいものにする必要がある。つまり、W相のスナ
バ回路に合わせて、U相、V相のスナバ回路を作
る。結局、一体箱にしてもスナバ回路の余分な大
きさだけ装置が大きくなつてしまう。
Taking these conditions into account, we will compare the former case where the semiconductor device is simply housed in an integrated box and the latter case where a filter capacitor is placed between each phase of the semiconductor device and the semiconductor device is housed in an integrated box. In the former case, when considering the charging/discharging relationship between the filter capacitor and each phase, there is a considerable difference in the wiring length between the filter capacitor U phase and the filter capacitor W phase, and the wiring inductance also varies considerably depending on the wiring length. occurs. In other words, the W-phase snubber circuit must have a larger capacity and volume than the U-phase snubber circuit. However, unless the elements of each phase are equal, balance cannot be achieved, so the snubber circuits of all phases must be equal. In other words, U-phase and V-phase snubber circuits are created in accordance with the W-phase snubber circuit. In the end, even if it is an integrated box, the device becomes larger due to the extra size of the snubber circuit.

後者の本発明の装置は、例えばU相フイルタコ
ンデンサ、V相、フイルタコンデンサ、W相のよ
うに配置されている。この構成により、前者よ
り、フイルタコンデンサと各相間の距離の平均値
が短くなり、配線インダクタンスも小さくなる。
また、フイルタコンデンサと、各相との配線長が
ほぼ等しくなり、配線インダクタンスも同様にほ
ぼ等しくなる。
The latter device of the present invention is arranged, for example, as U-phase filter capacitor, V-phase, filter capacitor, W-phase. With this configuration, the average distance between the filter capacitor and each phase is shorter than the former, and the wiring inductance is also smaller.
Furthermore, the wiring lengths between the filter capacitor and each phase are approximately equal, and the wiring inductances are also approximately equal.

また、アンテナとして作用してしまう配線が短
くなつたので、フイルタコンデンサと各相間の充
放電等に起因する、地上設備(主に信号)への誘
導障害を防止する。
In addition, since the wiring that acts as an antenna has been shortened, interference with induction to ground equipment (mainly signals) caused by charging and discharging between the filter capacitor and each phase can be prevented.

さらに、フイルタリアクトルと半導体素子を一
体箱に収納したので、有害な電波がシールドされ
る。
Furthermore, since the filter reactor and semiconductor element are housed in an integrated box, harmful radio waves are shielded.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を第4図により説明す
る。図において、21,22,23はGTOイン
バータのU相、V相、W相の各相アームの機器で
あり、フイルタコンデンサ1は、2分割されたフ
イルタコンデンサ単位11および12から成り、
インバータ箱20内部の各相アーム間に収納され
ている。30はGTOを駆動するゲート装置等を
示している。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In the figure, 21, 22, and 23 are devices for the U-phase, V-phase, and W-phase arms of the GTO inverter, and the filter capacitor 1 is composed of two filter capacitor units 11 and 12,
It is stored between each phase arm inside the inverter box 20. 30 indicates a gate device etc. for driving the GTO.

この装置においては、インバータを構成する各
相のGTOとフイルタコンデンサが近接配置され
ているため、GTOとフイルタコンデンサ間の配
線長を短くすることが可能で、フイルタコンデン
サと各相半導体素子との充放電という点から、配
線インダクタンスを極度に小さくすることができ
る。この結果、GTOにかかるピーク電VDOPを予
定値に押えるものとすると、スナバコンデンサの
容量を小さくすることができる。又、このコンデ
ンサの放電エネルギを吸収、放散させるスナバ抵
抗器の容量も小さくでき、発熱量の低減(省エネ
ルギー)と併せ、機器の小形化が可能となる。
In this device, the GTO and filter capacitor of each phase that make up the inverter are placed close to each other, so the wiring length between the GTO and the filter capacitor can be shortened, and the charging between the filter capacitor and the semiconductor elements of each phase can be shortened. From the viewpoint of discharge, the wiring inductance can be made extremely small. As a result, if the peak voltage V DOP applied to the GTO is suppressed to a predetermined value, the capacitance of the snubber capacitor can be reduced. In addition, the capacity of the snubber resistor that absorbs and dissipates the discharge energy of this capacitor can be made smaller, which makes it possible to reduce the amount of heat generated (energy saving) and downsize the device.

これら、スナバ抵抗とコンデンサはインバータ
の各アーム毎に挿入されているため、各機器の小
形化が装置(箱)の小形化に寄与する効果は大き
いものとなる。特に車両床下に搭載されるインバ
ータ装置にとつては占有スペースの小さいことが
要求されるので、実用上の効果は顕著である。
Since these snubber resistors and capacitors are inserted into each arm of the inverter, the miniaturization of each device has a large effect in contributing to the miniaturization of the device (box). In particular, since an inverter device mounted under the floor of a vehicle is required to occupy a small space, the practical effects are significant.

また、配線が短くなつたことにより、信号等へ
の誘導障害防止することができる。
Further, since the wiring is shortened, it is possible to prevent interference with induction of signals and the like.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、配線のインダクタンスを低減
できるので、スナバの小形化と、これに伴う装置
の小形化及び誘導障害を防止することができる。
According to the present invention, since the inductance of wiring can be reduced, it is possible to reduce the size of the snubber, and thereby to prevent the device from becoming smaller and induction failures.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明を適用できるインバータ主回路
の一例構成図、第2図は第1図のスナバ回路の動
作説明図、第3図は半導体素子のオフ時の電流電
圧波形図、第4図は本発明の一実施例によるイン
バータ装置の配線を示す側面図である。 1,11,12…フイルタコンデンサ、2…イ
ンバータ、20…インバータ箱、21〜23…イ
ンバータ各相アーム、31〜36…自己消弧機能
をもつ半導体素子。
Fig. 1 is a configuration diagram of an example of an inverter main circuit to which the present invention can be applied, Fig. 2 is an explanatory diagram of the operation of the snubber circuit of Fig. 1, Fig. 3 is a current voltage waveform diagram when semiconductor elements are off, and Fig. 4 FIG. 2 is a side view showing wiring of an inverter device according to an embodiment of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 11, 12... Filter capacitor, 2... Inverter, 20... Inverter box, 21-23... Inverter each phase arm, 31-36... Semiconductor element with self-extinguishing function.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 自己消弧機能をもつ半導体素子を用いて構成
され、各相アームを直流電源に対して並列に接続
すると共に、その直流側にフイルタコンデンサを
接続したインバータ装置において、前記フイルタ
コンデンサを分割し、前記半導体素子を各相アー
ムごとに間隔をおいて直線的に分割配置し、その
各相間の隔部に、前記分割されたフイルタコンデ
ンサを夫々配置し、このフイルタコンデンサと前
記半導体素子とを同一箱内に収納したインバータ
装置。
1. In an inverter device configured using a semiconductor element with a self-extinguishing function, each phase arm is connected in parallel to a DC power supply, and a filter capacitor is connected to the DC side, the filter capacitor is divided, The semiconductor element is linearly divided and arranged at intervals for each phase arm, and the divided filter capacitors are arranged in the spaces between the respective phases, and the filter capacitor and the semiconductor element are placed in the same box. Inverter device stored inside.
JP56089642A 1981-06-12 1981-06-12 Gto inverter device Granted JPS57206279A (en)

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JP56089642A JPS57206279A (en) 1981-06-12 1981-06-12 Gto inverter device

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JPS57206279A JPS57206279A (en) 1982-12-17
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