JPH0329374A - Amorphous solar cell - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は非晶質太陽電池に関するものであり、特に、
光により発生した電子と正孔との再結合を大幅に減少で
きるように改良された非晶質太陽電池に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention relates to an amorphous solar cell, and in particular,
The present invention relates to an improved amorphous solar cell that can significantly reduce recombination of electrons and holes generated by light.
［従来の技術］
第７図は、従来のアモルファスシリコン太陽電池の断面
図である。第７図を参照して、ガラス基板２の上に透明
電極４が形成されている。透明電極４の上に、Ｂがドー
ピングされたアモルファスシリコンである、ｐ層６が形
成されている。ｐ層６の上に、ドーパントが添加されて
いないアモルファスシリコン層である、ｉ層８が形成さ
れている。ｉ層８の上に、Ｐがドーピングされたアモル
ファスシリコンである、ｎ層１０が形成されている。ｎ
層１０の上には、アルミニウム集電極１２が形威されて
いる。[Prior Art] FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional amorphous silicon solar cell. Referring to FIG. 7, a transparent electrode 4 is formed on a glass substrate 2. As shown in FIG. A p layer 6 made of amorphous silicon doped with B is formed on the transparent electrode 4. An i-layer 8, which is an amorphous silicon layer to which no dopant is added, is formed on the p-layer 6. An n-layer 10 made of amorphous silicon doped with P is formed on the i-layer 8 . n
An aluminum collector electrode 12 is formed on top of the layer 10.
次に、動作について説明する。Next, the operation will be explained.
第７図および第４Ｂ図を参照して、ガラス基板２側から
光が照射されると、ｉ層８中に電子１４一正孔１５対が
発生する。電子１４はｎ層１０側に移動し、アルミニウ
ム集電極１２に収集され、正孔１５はｐ層６側に移動し
、透明電極４に収集される。こうして電流が流れ、太陽
光のエネルギが電気エネルギに変換される。Referring to FIGS. 7 and 4B, when light is irradiated from the glass substrate 2 side, 14 electrons and 15 pairs of holes are generated in the i-layer 8. Electrons 14 move to the n-layer 10 side and are collected by the aluminum collector electrode 12, and holes 15 move to the p-layer 6 side and are collected by the transparent electrode 4. In this way, a current flows, converting sunlight energy into electrical energy.
第８図は、電池の効率を高めるように改良された従来の
非晶質太陽電池の断面図である。この従来例が第７図に
示す従来例と異なる点は、透明電極４の表面がテクスチ
ャ化されている点である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a conventional amorphous solar cell that has been improved to increase cell efficiency. This conventional example differs from the conventional example shown in FIG. 7 in that the surface of the transparent electrode 4 is textured.
透明電極４の表面のテクスチャ化は、第９Ａ図に示すよ
うに、透明電極４上に角柱型の突起１８を形成すること
によって実現される。また、透明電極表面のテクスチャ
化は、第９Ｂ図に示すように、透明電極４上にピラミッ
ド状の突起２０を形成することによっても実現される。Texturing of the surface of the transparent electrode 4 is achieved by forming prismatic protrusions 18 on the transparent electrode 4, as shown in FIG. 9A. Texturing of the surface of the transparent electrode can also be achieved by forming pyramid-shaped protrusions 20 on the transparent electrode 4, as shown in FIG. 9B.
角柱型の突起１８およびピラミッド状の突起２０の高さ
はそれぞれ約１０００〜２００ＯＡであり、また突起間
の間隔は、数１０００Ａである。The heights of the prismatic protrusions 18 and the pyramidal protrusions 20 are each about 1000 to 200 OA, and the spacing between the protrusions is several 1000 Å.
このように透明電極４の表面をテクスチャ化することに
よって、第８図を参照して、光を屈折させることができ
、ひいては光の光路長が延び、吸収割合が増え、効率が
改善される。By texturing the surface of the transparent electrode 4 in this way, referring to FIG. 8, the light can be refracted, which in turn increases the optical path length of the light, increases the absorption rate, and improves the efficiency.
［発明が解決しようとする課題コ 従来の非晶質太陽電池は以上のように構成されている。[The problem that the invention seeks to solve] A conventional amorphous solar cell is configured as described above.
しかしながら、第７図に示す、アモルファスシリコンを
ｉ層８に用いた太陽電池では、光を照射すると、ｉ層８
中に新たな欠陥順位が発生するという現象が生じる。こ
の現象は、Ｓｔａｅｂｌｅｒ−Ｗｒｏｎｓｋｙ効果とし
てよく知られている光劣化現象であり、ｉ層８中におけ
るキャリア（電子一正孔対）の再結合によって引き起こ
される。 この光劣化現象は、ＴＳ８図に示す、改良ア
モルファス太陽電池においても起こることが丈験的に認
められている。However, in the solar cell shown in FIG. 7 in which amorphous silicon is used for the i-layer 8, when light is irradiated, the i-layer 8
A phenomenon occurs in which a new defect rank is generated in the process. This phenomenon is a photodegradation phenomenon well known as the Staebler-Wronsky effect, and is caused by recombination of carriers (electron-hole pair) in the i-layer 8. It has been empirically confirmed that this photodegradation phenomenon also occurs in the improved amorphous solar cell shown in Figure TS8.
光劣化現象は効率の低下につながり、信頼性上問題とな
る。The photodegradation phenomenon leads to a decrease in efficiency and poses a reliability problem.
それゆえに、この発明は、光劣化を減少させることがで
きるように改良されたアモルファス太陽電池を提供する
ことを目的とする。Therefore, the present invention aims to provide an improved amorphous solar cell capable of reducing photodegradation.
［課題を解決するための手段］
この発明は、半導体中で光により発土した電子一正孔対
を分離し、電流を得る非晶質太陽電池にかかるものであ
る。そして、当該非晶質太陽電池は、基板と、透明電極
と、ｐｉｎ層と、を備えている。透明電極は、その表面
に複数個の突起を有するものであり、上記基板上に設け
られる。ｐｉｎ層は、上記透明電極の凹凸を埋めるよう
に、該透明電極上に設けられる。そして、上記問題点を
解決するために、上記突起の高さは３０００〜８０００
Ａの範囲に選ばれており、各突起間の間隔は３０００Ａ
以下に選ばれている。[Means for Solving the Problems] The present invention relates to an amorphous solar cell that separates electron-hole pairs generated by light in a semiconductor to obtain electric current. The amorphous solar cell includes a substrate, a transparent electrode, and a pin layer. The transparent electrode has a plurality of protrusions on its surface and is provided on the substrate. The pin layer is provided on the transparent electrode so as to fill in the unevenness of the transparent electrode. In order to solve the above problem, the height of the protrusion is 3000 to 8000.
The distance between each protrusion is 3000A.
Selected below.
［手段の説明コ
基板は、ガラス基板であってもよいし、ステンレス基板
であってもよい。[Description of Means] The substrate may be a glass substrate or a stainless steel substrate.
第１図および第２図を参照して、透明電極４の突起２２
の高さは、３０００〜８０００Ａの範囲にあればよい。With reference to FIGS. 1 and 2, the protrusion 22 of the transparent electrode 4
The height may be in the range of 3000 to 8000A.
アモルファス太陽電池の１層８の膜厚は、５０００〜６
０００Ａ程度で、その効率が最大となる。膜厚が薄すぎ
ると、光の吸収度が小さくなるため、効率は低下する。The thickness of one layer 8 of an amorphous solar cell is 5,000 to 6
The efficiency is maximum at about 000A. If the film thickness is too thin, the light absorption will be low, resulting in a decrease in efficiency.
このことから、ｉ層８の最低限の膜厚である凹部２３の
深さ、すなわち突起の高さｈは、最低３０００Ａ程度い
る。From this, the depth of the recess 23, which is the minimum thickness of the i-layer 8, ie, the height h of the protrusion, is at least about 3000A.
上限は、ｉ層８の膜厚をどこまで厚くできるかによって
決まるが、８０００Ａ以上にすることは現実的でない。The upper limit is determined by how thick the i-layer 8 can be made, but it is not realistic to make it 8000A or more.
突起２２の間隔は、３０００Ａ以下であればよい。光劣
化を減少させるためには、突起２２と突起２２の間隔が
小さいほどよい。なぜなら、正孔の走行距離を短くすれ
ばするだけ、電子と正孔との再結合は減少すると考えら
れるからである。光劣化が小さくなったと認められる、
正孔の走行距離の上限は、約１５００Ａ（すなわち、突
起２２と突起２２の間隔が３０００Ａ）程度である。こ
れはｉ層膜厚の光劣化の実験データから予想される。光
劣化を実用上問題のないレベルにするためには、正孔の
走行距離を５００Ａ（すなわち、突起２２と突起２２の
間隔がＩＯＯＯＡ）程度にすることが好ましい。The distance between the protrusions 22 may be 3000A or less. In order to reduce photodeterioration, the smaller the distance between the protrusions 22, the better. This is because it is thought that the shorter the distance traveled by holes, the less recombination between electrons and holes. It is recognized that photodeterioration has decreased,
The upper limit of the travel distance of holes is about 1500 A (that is, the distance between the protrusions 22 is 3000 A). This is expected from experimental data on photodegradation of the i-layer film thickness. In order to reduce photodeterioration to a level that poses no practical problem, it is preferable that the travel distance of the holes be approximately 500 A (that is, the distance between the protrusions 22 is IOOOA).
また、透明電極４の上にｐ層６を形成し、引き続き、ｉ
層８、ｎ層１０と順次形成するのか好ましい。電子と正
孔を比較すると、正孔のμτ積（移動度と寿命の積）が
かなり小さいことから、正孔の走行距離を特に短くする
必要があるからである。Further, a p layer 6 is formed on the transparent electrode 4, and then i
It is preferable to form the layer 8 and the n-layer 10 in this order. This is because when comparing electrons and holes, the μτ product (product of mobility and lifetime) of holes is quite small, so it is necessary to make the travel distance of holes particularly short.
また、突起２２の直径ｄはＩＯＯＯＡ以下にするのが好
ましい。これより、大きくなるとｉ層で、十分光を吸収
できなくなると考えられるからである。Further, it is preferable that the diameter d of the protrusion 22 is less than or equal to IOOOA. This is because if it becomes larger than this, it is thought that the i-layer will not be able to absorb enough light.
［作用］
第４Ａ図は、本発明にかかる非晶質太陽電池の、電子と
正孔の移動の様子を示したものである。第４Ｂ図は、第
７図に示す従来の非晶質太陽電池の、電子と正孔の移動
の様子を示したものである。[Function] FIG. 4A shows the movement of electrons and holes in the amorphous solar cell according to the present invention. FIG. 4B shows the movement of electrons and holes in the conventional amorphous solar cell shown in FIG. 7.
正孔１５はｐ層６側に垂直に向かって移動し、電子１４
はｎ層１０側に垂直に向かって移動するのであるが、第
４Ａ図と第４Ｂ図を比較してわかるように、透明電極４
に突起２２を有すると、正孔１５の走行距離が著しく短
くなる。The hole 15 moves perpendicularly to the p-layer 6 side, and the electron 14
moves perpendicularly to the n-layer 10 side, but as can be seen by comparing FIGS. 4A and 4B, the transparent electrode 4
When the protrusion 22 is provided on the surface, the travel distance of the hole 15 is significantly shortened.
第４Ｂ図に示す従来例の場合は、正孔１５の走行距離が
長いので、正孔１５が走行する間に、正孔１５と電子１
４とが再結合してしまい、光劣化を生じる。ところが、
第４Ａ図に示す本発明の場合、正孔１５の走行距離が短
いので、正孔１５と電子１４との再結合を大幅に減少さ
せることができる。その結果、光劣化は、従来のものに
比べて、著しく小さくなる。In the case of the conventional example shown in FIG. 4B, the traveling distance of the hole 15 is long, so while the hole 15 travels, the hole 15 and the electron 1
4 will recombine, causing photodeterioration. However,
In the case of the present invention shown in FIG. 4A, since the travel distance of the holes 15 is short, recombination between the holes 15 and electrons 14 can be significantly reduced. As a result, photodegradation is significantly smaller than in the conventional case.
［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。[Example] Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は、本発明の一実施例に炉かる非晶質太陽電池の
断面図である。第２図は、本実施例において採用されて
いる透明電極の斜視図である。FIG. 1 is a sectional view of an amorphous solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of the transparent electrode employed in this example.
これらの図を参照して、２はガラス基板である。Referring to these figures, 2 is a glass substrate.
ガラス基板２の上に、その表面に複数個の突起２２を有
する透明電極４が設けられている。透明電極４は、たと
えば酸化インジウム膜（ＩＴＯ）で形成される。透明電
極４の突起２２の上を覆うように、ｐ層６が形成されて
いる。ｐ層６の上に、突起２２で形或された凹部２３を
埋めるように、ｉ層８が設けられている。ｉ層８の上に
はｎ層１０が設けられ、ｎ層１０の上にはアルミニウム
集電極１２が形成されている。突起２２の高さは、３０
００〜８０００Ａの範囲に選ばれ、各突起２２間の間隔
は３０００Ａ以下に選ばれている。A transparent electrode 4 having a plurality of protrusions 22 on its surface is provided on the glass substrate 2. The transparent electrode 4 is formed of, for example, an indium oxide film (ITO). A p layer 6 is formed to cover the protrusion 22 of the transparent electrode 4. An i-layer 8 is provided on the p-layer 6 so as to fill the recess 23 formed by the protrusion 22 . An n-layer 10 is provided on the i-layer 8, and an aluminum collector electrode 12 is formed on the n-layer 10. The height of the protrusion 22 is 30
The distance between each protrusion 22 is selected to be 3000A or less.
次に、製造方法について説明する。Next, the manufacturing method will be explained.
第６図は、実施例にかかる非晶質太陽電池を製造するた
めの、プラズマＣＶＤ装置の概略図である。プラズマＣ
ＶＤ装置は、仕切弁２４，２４．２４によって仕切られ
て設けられた仕込み用チャンバ２６とｐ層形成用チャン
バ２８とｉ層形成用チャンバ３０とｎ層形成用チャンバ
３２と取出用チャンバ３４を備えている。ｐ層形成用チ
ャンバ２８、ｉ層形或用チャンバ３０およびｎ層形成用
チャンバ３２内には、それぞれ、カソード３６が設けら
れている。カソード３６は、それぞれＲＦ電源３８に接
続されている。ｐ層形成用チャンバ２８、ｉ層形或用チ
ャンバ３０およびｎ層形成用チャンバ３２には、Ｂ２Ｈ
６供給源４０、ＰＨ，供給源４２、ＣＨ，供給源４４、
Ｈ２供給源４６およびＳｉＨ４供給源４８が接続されて
いる。FIG. 6 is a schematic diagram of a plasma CVD apparatus for manufacturing an amorphous solar cell according to an example. Plasma C
The VD apparatus includes a charging chamber 26, a p-layer forming chamber 28, an i-layer forming chamber 30, an n-layer forming chamber 32, and a take-out chamber 34, which are partitioned by gate valves 24, 24.24. ing. A cathode 36 is provided in each of the p-layer forming chamber 28, the i-layer forming chamber 30, and the n-layer forming chamber 32. The cathodes 36 are each connected to an RF power source 38. B2H is used in the p-layer forming chamber 28, the i-layer forming chamber 30, and the n-layer forming chamber 32.
6 supply source 40, PH, supply source 42, CH, supply source 44,
A H2 supply source 46 and a SiH4 supply source 48 are connected.
まず、十分に洗浄したガラス基板を準備する。First, a thoroughly cleaned glass substrate is prepared.
次に、このガラス基板の上に、その表面に複数個の突起
を有する透明電極を、ＥＢ蒸着によって形成する。透明
電極は、酸化インジウム膜（ＩＴＯ）で形成される。Ｅ
Ｂ蒸着の条件をコントロールすることにより、突起の高
さ、各突起間の間隔が調整される。光の吸収損を減少さ
せるために、ＩＴＯは作成時酸素分圧を高めにし、透過
率を上げておくのが好ましい。このＩＴＯ膜の上に、Ｉ
ＴＯ拡散防止用のＳｎ０２膜を熱ＣＶＤ法によって形成
してもよい。Next, a transparent electrode having a plurality of protrusions on its surface is formed on this glass substrate by EB evaporation. The transparent electrode is formed of an indium oxide film (ITO). E
By controlling the B vapor deposition conditions, the height of the protrusions and the spacing between the protrusions can be adjusted. In order to reduce light absorption loss, it is preferable to increase the oxygen partial pressure during production of ITO to increase its transmittance. On this ITO film, I
A Sn02 film for preventing TO diffusion may be formed by thermal CVD.
次に、上述のようにして透明電極が形或されたガラス基
板を、仕込み用チャンバ２６に入れ、次に搬送手段（図
示せず）によって、ｐＪＷ形戊用チャンバ２８へ送る。Next, the glass substrate on which the transparent electrodes have been formed as described above is placed in the preparation chamber 26, and then sent to the pJW-forming chamber 28 by a conveying means (not shown).
このｐ層形成用チャンバ２８で、第１図を参照して、プ
ラズマＣＶＤ法により、透明電極６の突起２２を被覆す
るように、ｐ層６を形成する。その後、ガラス基板２を
、搬送手段（図示せず）によって、ｉ層形成用チャンバ
３０へ送る。このｉ層形或用チャンバ３０で、第１図を
参照して、プラズマＣＶＤ法により、透明電極４の凹凸
を埋めるように、ｉ層８を形成する。その後、ガラス基
板２を搬送手段（図示せず）によって、ｎ層形成用チャ
ンバ３２へ送る。このｎ層形成用チャンバ３２で、第１
図を参照して、プラズマＣＶＤ法により、ｉ層８の上に
ｎ層１０を形成する。次に、ガラス基板２を搬送手段（
図示せず）によって、取出用チャンバ３４へ送り、この
取出用チャンバで、処理されたガラス基板が取出される
。その後、第１図を参照して、ｎ層１０の上にＡｇ電極
を形成すると、非晶質太陽電池が得られる。プラズマＣ
ＶＤ法のガス流量条件を表１にまとめる。In this p-layer forming chamber 28, referring to FIG. 1, the p-layer 6 is formed so as to cover the protrusion 22 of the transparent electrode 6 by plasma CVD. Thereafter, the glass substrate 2 is sent to the i-layer forming chamber 30 by a transport means (not shown). In this i-layer type chamber 30, as shown in FIG. 1, an i-layer 8 is formed by plasma CVD so as to fill the irregularities of the transparent electrode 4. Thereafter, the glass substrate 2 is sent to the n-layer forming chamber 32 by a transport means (not shown). In this n-layer forming chamber 32, the first
Referring to the figure, an n-layer 10 is formed on an i-layer 8 by plasma CVD. Next, the glass substrate 2 is transferred to the conveying means (
(not shown) to a take-out chamber 34, where the processed glass substrate is taken out. Thereafter, referring to FIG. 1, an Ag electrode is formed on the n-layer 10 to obtain an amorphous solar cell. Plasma C
Table 1 summarizes the gas flow conditions for the VD method.
表１
（単位ｓｃｃｍ）
次に、このようにして形成された非晶質太陽電池の、光
劣化試験を行なった結果を説明する。第５図はその結果
を示したものである。図中、実線５０で示すものは本実
施例にかかる非晶質太陽電池についてのデータであり、
破線５２で示すものは第７図に示す従来の非晶質太陽電
池についてのデータである。図より明らかなように、本
実施例にかかる非晶質太陽電池では光劣化が低下してい
る。Table 1 (unit: sccm) Next, the results of a photodegradation test of the amorphous solar cell thus formed will be described. FIG. 5 shows the results. In the figure, what is indicated by a solid line 50 is data regarding the amorphous solar cell according to this example,
What is indicated by a broken line 52 is data for the conventional amorphous solar cell shown in FIG. As is clear from the figure, the amorphous solar cell according to this example has reduced photodeterioration.
第３図は、この発明の他の実施例にかかる非晶質太陽電
池の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of an amorphous solar cell according to another embodiment of the invention.
第３図を参照して、ステンレス基板５４の上に、その表
面に複数個の突起２２を有する透明電極４が形成されて
いる。透明電極４は、酸化インジウム膜κＩＴｏ）で形
成される。透明電極４の上に、光の反射を大きくするた
めの銀５が蒸着されている。透明電極４の突起２２を被
覆するように、ｐ層６が形成されている。ｐ層６の上に
、透明電極４の凹凸を埋めるように、ｉ層８が形成され
ている。ｉ層８の上に、ｎ層１０が形成されている。Referring to FIG. 3, a transparent electrode 4 having a plurality of protrusions 22 on its surface is formed on a stainless steel substrate 54. As shown in FIG. The transparent electrode 4 is formed of an indium oxide film κITo). Silver 5 is deposited on the transparent electrode 4 to increase the reflection of light. A p layer 6 is formed to cover the protrusion 22 of the transparent electrode 4. An i-layer 8 is formed on the p-layer 6 so as to fill in the irregularities of the transparent electrode 4. An n-layer 10 is formed on the i-layer 8 .
ｎ層１０の上に透明電極であるＩＴＯＩＩが形成されて
いる。このよううな実施例であっても、第１図に示す実
施例と同様の効果を実現する。ITOII, which is a transparent electrode, is formed on the n-layer 10. Even with such an embodiment, the same effects as the embodiment shown in FIG. 1 can be achieved.
［発明の効果］
以上説明したとおり、この発明によると、正孔の走行距
離が短くなるため、キャリアの再結合が非常に少なくな
る。その結果、非晶質太陽電池の光劣化が大幅に改善さ
れ、信頼性が向上するという効果を奏する。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the travel distance of holes is shortened, so that recombination of carriers is extremely reduced. As a result, the photodeterioration of the amorphous solar cell is significantly improved, and the reliability is improved.
また、ｉ層中の再結合が抑止されることから、太陽電池
の曲線因子が大きく改善される。Furthermore, since recombination in the i-layer is suppressed, the fill factor of the solar cell is greatly improved.
第１図は、この発明の一実施例にかかる非晶質太陽電池
の断面図である。
第２図は、この発明の一実施例にかかる非晶質太陽電池
に用いられる透明電極の斜視図である。
第３図は、この発明の他の実施例にかかる非晶質太陽電
池の断面図である。
第４Ａ図および第４Ｂ図は、この発明の作用を説明する
ための図である。
第５図は、この発明の一実施例にかかる非晶質太陽電池
の光劣化試験の結果を示した図である。
第６図は、本発明にかかる非晶質太陽電池を製造するた
めのプラズマＣＶＤ装置の概略図である。
第７図および第８図は従来の非晶質太陽電池の断面図で
ある。
第９Ａ図および第９Ｂ図は、従来の非晶質太陽電池に用
いられている透明電極の斜視図である。
図において、２はガラス基板、４は透明電極、６はｐ層
、８はｉ層、１０はｎ層、１４は電子、１６は正孔、２
２は突起である。
なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
８２ａ
葡５口
第６１．２７
釣１口
ｊ３田
易４Ａの
カ４８の
，３７ｆ力
？８■■■
一４５０−FIG. 1 is a sectional view of an amorphous solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view of a transparent electrode used in an amorphous solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a sectional view of an amorphous solar cell according to another embodiment of the invention. FIG. 4A and FIG. 4B are diagrams for explaining the operation of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing the results of a photodegradation test of an amorphous solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic diagram of a plasma CVD apparatus for manufacturing an amorphous solar cell according to the present invention. 7 and 8 are cross-sectional views of conventional amorphous solar cells. FIGS. 9A and 9B are perspective views of transparent electrodes used in conventional amorphous solar cells. In the figure, 2 is a glass substrate, 4 is a transparent electrode, 6 is a p layer, 8 is an i layer, 10 is an n layer, 14 is an electron, 16 is a hole, 2
2 is a protrusion. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. 82a Grape 5 mouth 61.27 Tsuri 1 mouth j3 Tian Yi 4A force 48, 37f force? 8■■■ 1450-
Claims (1)
流を得る非晶質太陽電池であって、基板と、 前記基板上に設けられ、その表面に複数個の突起を有す
る透明電極と、 前記透明電極の凹凸を埋めるように、該透明電極上に設
けられたｐｉｎ層と、を備え、 前記突起の高さは３０００〜８０００Åの範囲に選ばれ
ており、 前記各突起間の間隔は３０００Å以下に選ばれている、
非晶質太陽電池。[Scope of Claims] An amorphous solar cell that separates electron-hole pairs generated by light in a semiconductor and obtains an electric current, comprising: a substrate; a transparent electrode having protrusions; and a pin layer provided on the transparent electrode so as to fill in the irregularities of the transparent electrode, the height of the protrusions is selected to be in the range of 3000 to 8000 Å, and the The distance between each protrusion is selected to be 3000 Å or less,
Amorphous solar cells.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1163186A JPH0329374A (en) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | Amorphous solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1163186A JPH0329374A (en) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | Amorphous solar cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0329374A true JPH0329374A (en) | 1991-02-07 |
Family
ID=15768894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1163186A Pending JPH0329374A (en) | 1989-06-26 | 1989-06-26 | Amorphous solar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0329374A (en) |
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1989
- 1989-06-26 JP JP1163186A patent/JPH0329374A/en active Pending
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