JPH0326919B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、平面薄型デイスプレイ・デバイスと
して文字、記号及び図形等を含むコンピユータの
出力表示端末機器、その他種々の表示装置に文
字、記号及び図形等の静止画像や動画像の表示手
段として利用される薄膜EL素子に関し、詳しく
はコントラストを向上させた薄膜EL素子に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention is a flat thin display device that displays characters, symbols, graphics, etc. on computer output display terminal equipment, and various other display devices that display characters, symbols, and graphics. The present invention relates to thin film EL devices used as means for displaying still images and moving images, and more specifically relates to thin film EL devices with improved contrast.
従来、この種の薄膜EL素子としては、第７図
及び第８図に示すものが紹介されており、同図に
おいて、１はガラス基板、２はIn2 O3、Sn O2等
からなる透明電極、３はY2 O3、Si3 N4、Ta2
O5等からなる第１誘電体層、４は発光中心とし
て0.1〜2.0wt％Mn（又はTb、Sm、Cu、Al、Br
等）をドープしたZnS（又はZnSe等）のEL発光
層、５はY2 O3、Si3 N4、Ta2 O5等からなる第
２誘電体層、６はAl等からなる背面電極、７は
V2 O3、BC4等からなる光吸収層、及び８はAl低
級酸化物とAlとの多層膜からなる複合電極であ
る。ここで、透明電極２はガラス基板１上に複数
帯状に平行配列され、背面電極６と複合電極８は
透明電極２と直交する方向に複数帯状に平行配列
されており、透明電極２と背面電極６又は複合電
極８とが平面図的に見て交叉した位置がパネルの
１絵素に相当する。そして、両電極２，６（又は
８）間にAC電圧を印加することにより、EL発光
層４内に発生した電界によつて伝導帯に励起さ
れ、かつ加速されて十分なエネルギーを得た電子
が、直接Mn発光中心を励起し、この励起された
Mn発光中心が基底状態に戻る際に橙黄色の発光
を呈する。その際、光吸収層７は、ガラス基板１
側から入射した外部光を吸収して、EL素子のコ
ントラストを高くすることができる。
Conventionally, this type of thin film EL device has been introduced as shown in FIGS . Electrode, 3 is Y 2 O 3 , Si 3 N 4 , Ta 2
The first dielectric layer 4 is composed of O 5 etc., and 0.1 to 2.0 wt% Mn (or Tb, Sm, Cu, Al, Br
5 is a second dielectric layer made of Y 2 O 3 , Si 3 N 4 , Ta 2 O 5 , etc.; 6 is a back electrode made of Al, etc.; 7 is
A light absorption layer made of V 2 O 3 , BC 4 , etc., and a composite electrode 8 made of a multilayer film of Al lower oxide and Al. Here, the transparent electrodes 2 are arranged in parallel in a plurality of strips on the glass substrate 1, and the back electrodes 6 and composite electrodes 8 are arranged in parallel in a plurality of strips in a direction perpendicular to the transparent electrodes 2. 6 or the composite electrode 8 intersect with each other when viewed in plan view corresponds to one pixel of the panel. By applying an AC voltage between both electrodes 2 and 6 (or 8), electrons are excited to the conduction band by the electric field generated in the EL light emitting layer 4 and accelerated to obtain sufficient energy. directly excites the Mn luminescent center, and this excited
When the Mn luminescent center returns to the ground state, it emits orange-yellow light. At that time, the light absorption layer 7 is formed on the glass substrate 1
By absorbing external light incident from the side, it is possible to increase the contrast of the EL element.
しかし、第７図による薄膜EL素子は、印加電
圧に対する発光輝度の立ち上りがゆるやかであ
り、発光輝度を高くするためには、印加電圧を相
当高くしなければならず、高電圧の印加に伴つて
絶縁破壊を起こしやすい欠点があつた。ここで、
印加電圧に対する発光輝度の立ち上りを急峻にす
るために、第７図に示す光吸収層７と第２誘電体
層５とを逆にして形成、すなわちEL発光層４上
に、第２誘電体層５を積層し、次に光吸収層７を
積層することも考えられる。ところが、前述した
V2 O3、BC4等からなる従来の光吸収層は光吸収
効果が十分でないと共に、比抵抗が比較的小さ
い。そこで、光吸収量を多くするために、このよ
うな小さい比抵抗の光吸収層の膜厚を大きくした
場合、マトリツクス型の薄膜EL素子においては
クロストークが発生する欠点があつた。また、前
述した第８図に示す薄膜EL素子においては、単
に背面電極をAlで形成したときよりも光吸収効
果はあるが、前述した第７図の薄膜EL素子と比
較してコントラストは劣化することを余儀なくさ
れる。
However, in the thin film EL element shown in FIG. 7, the luminance rises slowly with respect to the applied voltage, and in order to increase the luminance, the applied voltage must be considerably high, and as a high voltage is applied, the luminance rises gradually. It had the disadvantage of being prone to dielectric breakdown. here,
In order to make the luminance rise steeply with respect to the applied voltage, the light absorption layer 7 and the second dielectric layer 5 shown in FIG. It is also conceivable to stack the light absorption layer 5 and then the light absorption layer 7. However, as mentioned above
Conventional light absorption layers made of V 2 O 3 , BC 4 , etc. do not have a sufficient light absorption effect and have a relatively low specific resistance. Therefore, in order to increase the amount of light absorption, when the film thickness of the light absorption layer having such a small resistivity is increased, the matrix-type thin film EL element has the disadvantage that crosstalk occurs. In addition, in the thin film EL device shown in FIG. 8 mentioned above, the light absorption effect is better than when the back electrode is simply formed of Al, but the contrast is deteriorated compared to the thin film EL device shown in FIG. 7 mentioned above. be forced to do so.
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、コントラストを向上させ、印加
電圧−発光輝度特性を良好に維持し、クロストー
クを防止した薄膜EL素子を提供することである。 The present invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to provide a thin film EL element that improves contrast, maintains good applied voltage-emission brightness characteristics, and prevents crosstalk. .
前述した目的を達成するために、本発明は、光
吸収層が、ゲルマニウムに窒素を含有している層
であることを特徴とする薄膜EL素子である。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is a thin film EL device characterized in that the light absorption layer is a layer containing germanium and nitrogen.
そして、本発明の実施態様としては、光吸収層
中の窒素の含有が実質的に均一に分布しているこ
と、光吸収層中の窒素の含有がEL発光層側から
背面電極側に向かつて連続的又は段階的に減少し
ていること、EL発光層上に誘電体層と、光吸収
層と、誘電体層又は、半導体層と、背面電極とを
順次積層したこと、及びEL発光層上に誘電体層
と、光吸収層と、背面電極とを順次積層したこと
をそれぞれ特徴とする薄膜EL素子である。 In an embodiment of the present invention, the nitrogen content in the light absorption layer is distributed substantially uniformly, and the nitrogen content in the light absorption layer is directed from the EL light emitting layer side to the back electrode side. It decreases continuously or stepwise, a dielectric layer, a light absorption layer, a dielectric layer or a semiconductor layer, and a back electrode are sequentially laminated on the EL light emitting layer, and This is a thin film EL device characterized by sequentially laminating a dielectric layer, a light absorption layer, and a back electrode.
以下、本発明の実施例を図に基づき詳細に説明
する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings.
実施例 １ 本実施例を第１図に基づいて詳述する。Example 1 This embodiment will be described in detail based on FIG.
先ず、アルミノシリケートガラス（例えば、
HOYA(株)製のNA40）からなる透光性基板１の観
測表面９と対向する表面１０上に、スズ酸化物を
混入した酸化インジウムからなる透明導電膜（膜
厚：2000Å）を真空蒸着法により成膜した後、こ
の透明導電膜を、フオトリソ法によりエツチング
液として、塩酸と塩化第２鉄の混合溶液を用いて
複数帯状（第１図において左右方向）に配列し、
透明電極２を形成した。次に、金属タンタルをス
パツタターゲツトとして、酸素ガスを30％混入し
たArガス（分圧：６×10＝-1Pa）をスパツタ装
置に導入し、高周波出力9W／cm2で反応性スパツ
タを行い、Ta2 O5からなる第１誘電体層３（膜
厚：3000Å）を成膜した。次に、前記第１誘電体
層３上に、活性物質として0.5重量％のMnを添加
したZnS：Mn焼結ペレツトを蒸着源として真空
蒸着法によりZnS：MnからなるEL発光層４（膜
厚：6000Å）を成膜し、次に前記第１誘電体層３
と同様に反応性スパツタリング法によりTa2 O5
からなる第２誘電体層５（膜厚：3000Å）を成膜
した。次に、ゲルマニウムのスパツタターゲツト
を用いて、窒素ガスを40％混入したArガス（分
圧：６×10-1Pa）をスパツタ装置に導入し、高
周波出力6W／cm2にて反応性スパツタを行い、ゲ
ルマニウムに窒素を実質的に均一に含有してなる
光吸収層１１（膜厚：15000Å、比抵抗：105Ω・
cm、成膜速度：120Å／分）を前記第２誘電体層
５上に積層した。次に前述した第１、第２誘電体
層３，５と同様に反応性スパツタリング法により
Ta2 O5からなる第３誘電体層１２（膜厚：1000
Å）を成膜した。そして、この第３誘電体層１２
上に、Al膜（膜厚：3000Å）を真空蒸着法によ
り成膜した後、このAl膜を、フオトリソ法によ
りエツチツング液として硝酸とリン酸の混合溶液
を用いて、複数帯状（第１図において紙面垂直方
向）に配列して背面電極６形成した。したがつ
て、透明電極２と背面電極６とは、従来と同様に
互いに直交するように複数帯状に配列している。 First, aluminosilicate glass (e.g.
A transparent conductive film (thickness: 2000 Å) made of indium oxide mixed with tin oxide was vacuum-deposited on the surface 10 facing the observation surface 9 of the transparent substrate 1 made of NA40 (manufactured by HOYA Corporation). After forming the transparent conductive film by photolithography, the transparent conductive film was arranged in a plurality of strips (in the horizontal direction in FIG. 1) using a mixed solution of hydrochloric acid and ferric chloride as an etching solution.
A transparent electrode 2 was formed. Next, Ar gas mixed with 30% oxygen gas (partial pressure: 6 x 10 = -1 Pa) was introduced into the sputtering device using tantalum metal as a sputtering target, and reactive sputtering was performed using a high frequency output of 9W/ cm2. Then, a first dielectric layer 3 (thickness: 3000 Å) made of Ta 2 O 5 was formed. Next, on the first dielectric layer 3, an EL light emitting layer 4 (film thickness: :6000Å), and then the first dielectric layer 3
Ta 2 O 5 by the reactive sputtering method in the same manner as
A second dielectric layer 5 (thickness: 3000 Å) was formed. Next, Ar gas mixed with 40% nitrogen gas (partial pressure: 6 x 10 -1 Pa) was introduced into the sputtering device using a germanium sputtering target, and a reactive sputtering target was introduced with a high frequency output of 6 W/cm 2. The light absorption layer 11 (thickness: 15000 Å, specific resistance: 10 5 Ω・
cm, film formation rate: 120 Å/min) was laminated on the second dielectric layer 5. Next, similar to the first and second dielectric layers 3 and 5 described above, a reactive sputtering method is applied.
Third dielectric layer 12 made of Ta 2 O 5 (thickness: 1000
Å) was formed into a film. Then, this third dielectric layer 12
After forming an Al film (thickness: 3000 Å) on top of the film by vacuum evaporation, this Al film was formed into multiple strips (as shown in Figure 1) by photolithography using a mixed solution of nitric acid and phosphoric acid as an etching solution. The back electrodes 6 were formed so as to be arranged in a direction perpendicular to the plane of the paper. Therefore, the transparent electrode 2 and the back electrode 6 are arranged in a plurality of strips so as to be orthogonal to each other as in the conventional case.
このようにして製作した本実施例の薄膜EL素
子は、透明電極２と背面電極６との間に交流電圧
（周波数 100Hzの正弦波）を印加することによ
り、ピーク波長580nｍで橙黄色に発光し、その
ときの発光輝度は100cd／m2であつた。 The thin film EL device of this example produced in this way emits orange-yellow light with a peak wavelength of 580 nm by applying an AC voltage (sine wave with a frequency of 100 Hz) between the transparent electrode 2 and the back electrode 6. The luminance at that time was 100 cd/m 2 .
以上、本実施例によれば、透光性基板１側から
入射した外部光は、光吸収層１１によりほとんど
吸収されて、背面電極６への到達が防止され、一
部到達して背面電極６から反射した戻り光があつ
ても、この光吸収層１１により同様に吸収され
る。その結果、透光性基板１から入射した外部光
の強さと、観測表面９から観測した入射光の戻り
光の強さとの比、すなわち透光性基板１の観測表
面９側の反射率特性は、第４図の曲線Ａに示すよ
うに低く、可視光領域（波長400〜700nｍ）にお
ける平均反射率は約10％であり、コントラストの
良好な薄膜EL素子が得られた。 As described above, according to this embodiment, most of the external light incident from the side of the transparent substrate 1 is absorbed by the light absorption layer 11 and prevented from reaching the back electrode 6, and some of it reaches the back electrode 6. Even if there is return light reflected from the light absorbing layer 11, it is similarly absorbed by the light absorbing layer 11. As a result, the ratio of the intensity of external light incident from the transparent substrate 1 to the intensity of the returned light of the incident light observed from the observation surface 9, that is, the reflectance characteristic of the observation surface 9 side of the transparent substrate 1 is As shown by curve A in FIG. 4, the average reflectance in the visible light region (wavelength 400 to 700 nm) was about 10%, and a thin film EL element with good contrast was obtained.
第５図はArガス中の窒素ガス混入率に対する、
光吸収層１１の光学定数（ｎ：屈折率、ｋ：消衰
係数）を波長600nｍにおいて測定した特性図で
ある。 Figure 5 shows the ratio of nitrogen gas mixed into Ar gas.
FIG. 2 is a characteristic diagram of optical constants (n: refractive index, k: extinction coefficient) of the light absorption layer 11 measured at a wavelength of 600 nm.
ここで、第５図から言えることは、反応性スパ
ツタリング法において窒素ガスの混入率が高くな
れば、膜中に含まれる窒素の含有量が増え、その
特性が変化しているのであろうということであ
る。 What can be said from Figure 5 is that as the rate of nitrogen gas mixing increases in the reactive sputtering method, the nitrogen content in the film increases and its properties change. It is.
なお、光吸収層の構造は、はつきりとしたこと
は言えないが、全てのゲルマニウムに窒素が化学
量論的に結合しているものではなく、不完全な結
合となつているようである。本実施例の光吸収層
１１の屈折率ｎ及び消衰係数ｋは、波長600nｍ
においてｎ＝３及びｋ＝0.3であり、第２誘電体
層５と光吸収層１１との界面における反射率を後
述する式(1)に準じて計算すると2.7％である。な
お、第２誘電体層５と光吸収層１１との界面にお
ける反射を低減するために、本実施例の光吸収層
１１の可視光領域における平均屈折率及び平均
消衰係数は、第２誘電体層５のTa2 O5やその
他Hf O2、Si3 N4及びY2 O3等の誘電体の屈折率
が２前後であることから、≦４、≦１である
ことが望ましい。光吸収層１１の光学定数は、薄
膜EL素子の反射率特性が良好になるように、前
述した窒素ガス混入率と成膜速度を適宜選択して
設定される。 Although the structure of the light absorption layer cannot be definitively stated, it appears that nitrogen is not stoichiometrically bonded to all germanium, but rather is bonded incompletely. . The refractive index n and extinction coefficient k of the light absorption layer 11 of this example are at a wavelength of 600 nm.
, n=3 and k=0.3, and the reflectance at the interface between the second dielectric layer 5 and the light absorption layer 11 is 2.7% when calculated according to equation (1) described later. Note that in order to reduce reflection at the interface between the second dielectric layer 5 and the light absorption layer 11, the average refractive index and average extinction coefficient in the visible light region of the light absorption layer 11 of this embodiment are Since the refractive index of the body layer 5 of Ta 2 O 5 and other dielectric materials such as Hf O 2 , Si 3 N 4 and Y 2 O 3 is around 2, it is desirable that ≦4 and ≦1. The optical constants of the light absorption layer 11 are set by appropriately selecting the above-mentioned nitrogen gas mixing rate and film formation rate so that the reflectance characteristics of the thin film EL element are good.
また、本実施例によれば、EL発光層４と光吸
収層１１との間に第２誘電体層５を設けているの
で、第６図の印加電圧−発光輝度特性図において
曲線Ｅで示すように（比較例として前述の第７図
で示した薄膜EL素子の特性を曲線Ｄで示す。）発
光輝度の立ち上りが急峻となり、かつ前述した発
光輝度100cd／m2を得るための印加電圧も低く抑
えることができ、絶縁破壊をも防止することがで
きる。さらに、光吸収層１１の比抵抗は、光吸収
効果を得る膜厚（数百Å以上）のもとでは、一般
的に103Ω・cm以上であれば、クロストークの防
止効果を奏する。したがつて、本実施例の光吸収
層１１の膜厚が1500Åであり、かつその比抵抗が
105Ω・cmであることから、クロストークも十分
に防止することができる。さらに、本実施例の光
吸収層はゲルマニウムに窒素を含有させたことで
耐薬品性に優れ、電界中における計時変化が極め
て少なく安定している。 Further, according to this embodiment, since the second dielectric layer 5 is provided between the EL light emitting layer 4 and the light absorption layer 11, it is shown by curve E in the applied voltage-emission brightness characteristic diagram in FIG. As shown in FIG. It can be kept low and dielectric breakdown can also be prevented. Furthermore, if the specific resistance of the light absorption layer 11 is generally 10 3 Ω·cm or more at a film thickness (several hundred Å or more) that provides a light absorption effect, crosstalk can be prevented. Therefore, the film thickness of the light absorption layer 11 in this example is 1500 Å, and its specific resistance is
Since it is 10 5 Ω・cm, crosstalk can be sufficiently prevented. Furthermore, the light absorption layer of this example has excellent chemical resistance due to germanium containing nitrogen, and is stable with very little change in time measurement in an electric field.
光吸収層１１と背面電極６との間に挿入した第
３誘電体層１２（Ta2 O5）は、背面電極６
（Al）を形成する湿式エツチング液である硝酸酸
性液によつて、光吸収層１１が侵されることを防
止するのみならず、薄膜EL素子の絶縁破壊を防
止する上でも有効である。第２誘電体層５の膜厚
を小さくして（例：3000Å→1000Å）、第３誘電
体層１２の膜厚を大きくしても（例：1000Å→
3000Å）、印加電圧−発光輝度特性及びコントラ
スト比は、基本的には本実施例と同様である。第
３誘電体層１２の代りにSi、SiC等の半導体層を
使用しても、本実施例と同様な効果を奏し、この
半導体層の比抵抗もクロストークを防止する上
で、103Ω・cm以上であることが望ましい。 The third dielectric layer 12 (Ta 2 O 5 ) inserted between the light absorption layer 11 and the back electrode 6
This is effective not only in preventing the light absorption layer 11 from being attacked by the nitric acid acidic solution, which is a wet etching solution for forming (Al), but also in preventing dielectric breakdown of the thin film EL element. Even if the thickness of the second dielectric layer 5 is decreased (e.g. from 3000 Å to 1000 Å) and the thickness of the third dielectric layer 12 is increased (e.g. from 1000 Å to
3000 Å), applied voltage-emission brightness characteristics, and contrast ratio are basically the same as in this example. Even if a semiconductor layer such as Si or SiC is used in place of the third dielectric layer 12, the same effect as in this embodiment is obtained, and the specific resistance of this semiconductor layer is 10 3 Ω to prevent crosstalk.・It is desirable that it is at least cm.
一方、本実施例の製造方法は、スパツタリング
法によつて、前記光吸収層１１を成膜しているの
で、膜質を緻密にし、かつ経時変化も抑えること
ができる。 On the other hand, in the manufacturing method of this embodiment, since the light absorption layer 11 is formed by a sputtering method, the film quality can be made dense and changes over time can be suppressed.
実施例 ２ 本実施例を第２図に基づいて詳述する。Example 2 This embodiment will be explained in detail based on FIG.
先ず、前述した透光性基板１の観測表面９と対
向する表面１０上に透明電極２、第１誘電体層
３、EL発光層４及び第２誘電体層５を前記実施
例１と同様に順次積層する。次に、ゲルマニウム
のスパツタターゲツトを用いて、窒素ガスを50％
混入したArガス（分圧：６×10-1Pa）をスパツ
タ装置に導入し、高周波出力6W／cm2にて反応性
スパツタを行い、ゲルマニウムに窒素を実質的に
均一に含有してなる第１光吸収層１３（膜厚：
300Å、比抵抗：106Ω・cm、成膜速度110Å／分）
を成膜し、引き続き、窒素ガスを30％混入した
Arガス（分圧：６×10-1Pa）をスパツタ装置内
に導入し、高周波出力6W／cm2にて反応性スパツ
タを行い、ゲルマニウムに窒素を実質的に均一に
含有してなる第２光吸収層１４（膜厚：1000Å、
比抵抗：105Ω・cm、成膜速度125Å／分）を成膜
し、前記第１光吸収層１３と前記第２光吸収層１
４とからなる、すなわち、後記する背面電極６側
に向つて段階的に窒素含有率を減少させた光吸収
層１５を成膜した。 First, a transparent electrode 2, a first dielectric layer 3, an EL light emitting layer 4, and a second dielectric layer 5 are formed on the surface 10 of the transparent substrate 1, which is opposite to the observation surface 9, in the same manner as in Example 1. Stack them one after another. Next, using a germanium sputter target, add 50% nitrogen gas.
The mixed Ar gas (partial pressure: 6 × 10 -1 Pa) was introduced into a sputtering device, and reactive sputtering was performed at a high frequency output of 6 W/cm 2 to produce a sputtering material made of germanium containing nitrogen substantially uniformly. 1 light absorption layer 13 (thickness:
300Å, resistivity: 10 6 Ω・cm, deposition rate 110Å/min)
was formed into a film, and then 30% nitrogen gas was mixed in.
Ar gas (partial pressure: 6 × 10 -1 Pa) was introduced into the sputtering device, and reactive sputtering was performed at a high frequency output of 6 W/cm 2 . Light absorption layer 14 (thickness: 1000 Å,
The first light absorption layer 13 and the second light absorption layer 1
4, that is, a light absorption layer 15 was formed in which the nitrogen content was gradually decreased toward the back electrode 6 side, which will be described later.
次に、第３誘電体層１２及び背面電極６を前記
実施例１同様に成膜し形成した。 Next, the third dielectric layer 12 and the back electrode 6 were formed in the same manner as in Example 1 above.
このようにして製作した本実施例の薄膜EL素
子は、前記実施例１と同様に電圧印加して、ピー
ク波長5800nｍで橙黄色に発光し、そのときの発
光輝度も100cd／m2であつた。 The thin film EL device of this example produced in this way emitted orange-yellow light with a peak wavelength of 5800 nm when a voltage was applied in the same manner as in Example 1, and the luminance at that time was also 100 cd/ m2 . .
そして、本実施例の光吸収層１５について、第
５図に示すとおり、第１光吸収層１３の屈折率は
n13＝2.9、消衰係数はk13＝0.2であり、また第２
光吸収層１４の屈折率はn14＝3.5、消衰係数はk14
＝0.6であり、一方、本実施例の第２誘電体層５
の屈折率はn5＝2.2であることから、第２誘電体
層５と第１光吸収層１３との界面での反射率
R5 Regarding the light absorption layer 15 of this example, as shown in FIG. 5, the refractive index of the first light absorption layer 13 is
n 13 = 2.9, the extinction coefficient k 13 = 0.2, and the second
The refractive index of the light absorption layer 14 is n 14 = 3.5, and the extinction coefficient is k 14
= 0.6, and on the other hand, the second dielectric layer 5 of this example
Since the refractive index of n 5 = 2.2, the reflectance at the interface between the second dielectric layer 5 and the first light absorption layer 13 is
R5
Claims (1)
誘電体層とを透明電極と背面電極との間に介在し
てそれぞれ透光性基板上に積層し、両電極間に電
圧印加することにより前記EL発光層からEL発光
を呈する薄膜EL素子において、前記光吸収層が
ゲルマニウムに窒素を含有している層であること
を特徴とする薄膜EL素子。 ２ 光吸収層中の窒素の含有が実質的に均一に分
布していることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の薄膜EL素子。 ３ 光吸収層中の窒素の含有がEL発光層側から
背面電極側に向つて連続的又は段階的に減少して
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の薄膜EL素子。 ４ EL発光層上に、誘電体層と、光吸収層と、
誘電体層又は半導体層と、背面電極とを順次積層
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第
２項又は第３項記載の薄膜EL素子。 ５ EL発光層上に、誘電体層と、光吸収層と、
背面電極とを順次積層したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載の薄膜
EL素子。[Claims] 1. An EL light emitting layer, a light absorption layer that absorbs incident light,
A thin film EL element in which a dielectric layer is interposed between a transparent electrode and a back electrode, each laminated on a transparent substrate, and the EL light emitting layer emits EL light by applying a voltage between both electrodes, A thin film EL device, wherein the light absorption layer is a layer containing germanium and nitrogen. 2. Claim 1, characterized in that the nitrogen content in the light absorption layer is distributed substantially uniformly.
The thin film EL device described in Section 1. 3. The thin film EL device according to claim 1, wherein the nitrogen content in the light absorption layer decreases continuously or stepwise from the EL light emitting layer side to the back electrode side. 4. On the EL light emitting layer, a dielectric layer, a light absorption layer,
A thin film EL device according to claim 1, 2 or 3, characterized in that a dielectric layer or a semiconductor layer and a back electrode are laminated in sequence. 5 On the EL light emitting layer, a dielectric layer, a light absorption layer,
The thin film according to claim 1, 2, or 3, characterized in that a back electrode is sequentially laminated.
EL element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079900A JPS61239598A (en) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60079900A JPS61239598A (en) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Thin film el element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61239598A JPS61239598A (en) | 1986-10-24 |
| JPH0326919B2 true JPH0326919B2 (en) | 1991-04-12 |
Family
ID=13703153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60079900A Granted JPS61239598A (en) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | Thin film el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61239598A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854583A (en) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | 日本精機株式会社 | Electric field light emitting element |
| JPS6240837A (en) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Fujitsu Ltd | Error rate measuring instrument |
-
1985
- 1985-04-15 JP JP60079900A patent/JPS61239598A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5854583A (en) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | 日本精機株式会社 | Electric field light emitting element |
| JPS6240837A (en) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Fujitsu Ltd | Error rate measuring instrument |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61239598A (en) | 1986-10-24 |
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