JPH03259616A - Output buffer circuit - Google Patents

Output buffer circuit

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JPH03259616A
JPH03259616A JP5672390A JP5672390A JPH03259616A JP H03259616 A JPH03259616 A JP H03259616A JP 5672390 A JP5672390 A JP 5672390A JP 5672390 A JP5672390 A JP 5672390A JP H03259616 A JPH03259616 A JP H03259616A
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JP
Japan
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transistor
level
control
driving
input signal
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Application number
JP5672390A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Nunogami
布上 裕之
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To suppress ringing caused in an output signal outputted from a driving transistor(TR) by providing a control TR to suppress a voltage applied to the control electrode of the driving TR lower at a change in the input signal. CONSTITUTION:For example, when an input signal is changed from an H level and an L level, a TR 4 is conductive to bring the gate voltage of a drive TR 1 to the level of a power supply, thereby making the driving TR 1 nonconductive. Since the output of an inverter 3 goes to an H level, control TRs 6-8 are nonconductive. However, TRs 9-11 are conductive and the gate voltage of a driving TR 2 goes to an H level. Since the H potential is lower than the power supply potential by 3VTH, a drain current LDS is decreased and the control TR 2 is conductive. However, the continuity resistance is increased to suppress the ringing caused in an output signal.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、出力バッファ回路、特にその入力信号が変
化する時に出力信号に起こるリンギングを防止する出力
バッファ回路に関するものである[従来の技術] 第3図は従来の出力バッファ回路を示す回路図であり、
図において(z)、 (2)は負荷を駆動する駆動用ト
ランジスタ例えばそれぞれPチャンネルMOSFET 
(以下PMOSFETと称す)、NチャンネルMOSF
ET (以下NMO8FETと称す)であり、これら駆
動用トランジスタ(1)と(2)は電源と接地の間で互
いに直列に接続され、その一方の主電極例えばドレイン
電極が共に負荷へ接続されている。(3)は信号伝達用
インバータであり、その出力が駆動用トランジスタ(1
)及び(2)の制御電極例えばゲート電極に接続されて
いる。また、インバータ(3)の入力端は入力信号源例
えば内部回路に接続されている。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an output buffer circuit, and particularly to an output buffer circuit that prevents ringing that occurs in an output signal when its input signal changes [Prior Art] FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional output buffer circuit.
In the figure, (z) and (2) are driving transistors that drive the load, such as P-channel MOSFETs, respectively.
(hereinafter referred to as PMOSFET), N-channel MOSFET
ET (hereinafter referred to as NMO8FET), these driving transistors (1) and (2) are connected in series with each other between the power supply and ground, and one of the main electrodes, such as the drain electrode, is both connected to the load. . (3) is a signal transmission inverter whose output is a driving transistor (1
) and (2) are connected to the control electrode, for example, the gate electrode. Further, the input end of the inverter (3) is connected to an input signal source, for example, an internal circuit.

次に第3図に示した従来の出力バッファ回路の動作を、
第4図の波形図について説明する。入力信号鯨からイン
バータ(3)の入力端に印加される入力信号が第4図(
a)に示すように低レベル(以下Lレベルと呼ぶ)にあ
ると、インバータ(3)の出力は高レベル(以下Hレベ
ルと呼ぶ)になるので、駆動用トランジスタ(1)は非
導通状態となり、かつ駆動用トランジスタ(2)は非導
通状態となる。
Next, the operation of the conventional output buffer circuit shown in Fig. 3 is as follows.
The waveform diagram in FIG. 4 will be explained. The input signal applied from the input signal to the input terminal of the inverter (3) is shown in Figure 4 (
As shown in a), when it is at a low level (hereinafter referred to as L level), the output of the inverter (3) becomes a high level (hereinafter referred to as H level), so the driving transistor (1) becomes non-conductive. , and the driving transistor (2) becomes non-conductive.

従って負荷に印加される出力信号は第4図(b)に示す
ようにLレベルの接地電位となる。次に人力信号がLレ
ベルからHレベルへ変化すると、インバータ(3)の出
力はHレベルからLレベルへ変化する。入力信号のレベ
ル変化により駆動用トランジスタ(1)は非導通状態か
ら導通状態に切り換わりかつ駆動用トランジスタ(2)
は導通状態から非導通状態に切り換わる。従って出力信
号は接地電位からHレベルの電源電位へ切り換わる。人
力信号がHレベルから再びLレベル変化時ると、駆動用
トランジスタ(1)が導通状態から非導通状態へ切り換
わり、かつ駆動用トランジスタ(2)が非導通状態から
導通状態に切り換わり、出力信号は電源電位から接地電
位へ切り換わる。以上の場合、負荷駆動能力を上げるた
めには、駆動用トランジスタ(1)及び(2)の導通時
の抵抗を下げなければならない。ところが、このような
駆動用トランジスタ(1)及び(2)が搭載されている
パッケージ(図示しない)のリードフレーム(図示しな
い)が持つインダクタンス分りと負荷の容tcと駆動用
トランジスタ(1)又は(2)の導通抵抗及び負荷抵抗
(図示しない)の相RとによってRLC回路か形成され
、出力信号のレベル変化時に第4図(b)に示すリンギ
ングか起こる。この状態は、特に出力バッファ回路の負
荷駆動能力を高くした場合すなわち上述のRを小さくし
た場合に顕著に起こる。
Therefore, the output signal applied to the load becomes an L level ground potential as shown in FIG. 4(b). Next, when the human input signal changes from L level to H level, the output of the inverter (3) changes from H level to L level. Due to a change in the level of the input signal, the driving transistor (1) switches from a non-conducting state to a conducting state, and the driving transistor (2) switches from a non-conducting state to a conducting state.
switches from a conducting state to a non-conducting state. Therefore, the output signal is switched from the ground potential to the H level power supply potential. When the human input signal changes from the H level to the L level again, the driving transistor (1) switches from a conductive state to a non-conducting state, and the driving transistor (2) switches from a non-conducting state to a conductive state, and the output The signal switches from power supply potential to ground potential. In the above case, in order to increase the load driving capability, it is necessary to lower the resistance when the driving transistors (1) and (2) are turned on. However, the inductance of the lead frame (not shown) of the package (not shown) on which the driving transistors (1) and (2) are mounted, the load capacity tc, and the driving transistor (1) or ( An RLC circuit is formed by the conduction resistance of 2) and the phase R of the load resistance (not shown), and the ringing shown in FIG. 4(b) occurs when the level of the output signal changes. This condition occurs particularly when the load driving capability of the output buffer circuit is increased, that is, when the above-mentioned R is decreased.

[発明が解決しようとする課題] 上述したような従来の出力バッファ回路では、人力信号
のレベルか変化すると、出力信号にリンギングが起こり
、これが外部に負荷として接続された素子等の誤動作を
招くと云う問題点かあった。
[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional output buffer circuit as described above, ringing occurs in the output signal when the level of the human input signal changes, and this may lead to malfunction of elements connected externally as a load. There were some problems.

この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たもので、入力信号の変化時に出力信号に起こるリンギ
ングを防止する出カッ\7フア回路を得ることを目的と
する。
The present invention has been made to solve these problems, and an object of the present invention is to provide an output buffer circuit that prevents ringing from occurring in the output signal when the input signal changes.

この発明は、入力信号変化時運のリンキングを防止する
とともに入力信号安定時の負荷駆動能力を高くする出力
バッファ回路を得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an output buffer circuit that prevents linking when an input signal changes and increases load driving capability when the input signal is stable.

[課題を解決するための手段] この発明に係る出力バノファ回路は、駆動用トランジス
タの制御電極に印加される電圧を、入力信号の変化時に
は低く抑える制御用トランジスタを設け、また駆動用ト
ランジスタの制御電極に印加される電圧を、入力信号の
安定時には高くする他の制御用トランジスタを付加した
ものである。
[Means for Solving the Problems] An output bannofer circuit according to the present invention is provided with a control transistor that suppresses the voltage applied to the control electrode of the drive transistor to a low level when an input signal changes, and also has a control transistor that suppresses the voltage applied to the control electrode of the drive transistor. Another control transistor is added to increase the voltage applied to the electrode when the input signal is stable.

[作 用] この発明においては、人力信号の変化時に、制御用トラ
ンジスタが駆動用トランジスタの制御電極に印加される
電圧を低く抑えることにより駆動用トランジスタはその
導通抵抗が高くなり、これにより駆動用トランジスタか
ら出力される出力信号に起こるリンギングを抑える。ま
た、入力信号の安定時には、他の制御用トランジスタが
駆動用トランジスタの制御電極に印加される電圧を高く
することにより駆動用トランジスタはその導通抵抗が低
くなり、こりにより負荷駆動能力を高くする。
[Function] In this invention, when the human input signal changes, the control transistor suppresses the voltage applied to the control electrode of the drive transistor, thereby increasing the conduction resistance of the drive transistor. Suppresses ringing that occurs in the output signal output from the transistor. Further, when the input signal is stable, the other control transistors increase the voltage applied to the control electrode of the drive transistor, thereby lowering the conduction resistance of the drive transistor, thereby increasing the load driving ability.

[実施例コ 第1図はこの発明の一実施例を示す回路図であり、図に
おいて(1)〜(3)は第3図について説明したものと
全く同しである。(4)は駆動用トランジスタ(1)を
非導通状態にするトランジスタ例えばPMO3FETで
あり、そのソース電極か電源へ接続され、そのドレイン
電極か駆動用トランジスタ(1)のケート電極へ接続さ
れ、かつそのケート電極か入力信号源に接続されている
。同様に(5)は駆動用トランジスタ(2)を非導通状
態にするトランジスタ例えばNMOSFETであり、そ
のソース電極か接地され、そのドレイン電極が駆動用ト
ランジスタ(2)のゲート電極へ接続され、かつそのケ
ート電極が人力信号源に接続されている。(6)〜(8
)は入力信号の変化時に駆動用トランジスタ(1)に印
加されるゲート’I圧を低く抑えるように制御する制御
用トランジスタ例えばPMO3FETであり、駆動用ト
ランジスタ(1)のケート電極と接地の間で互いに直列
に接続され、これらのゲート電極が全てインバータ(3
)の出力側に接続され、かつこれらの第2ゲート電極が
全て電源へ接続されている。同様に、(9)〜(11)
は入力信号の変化時に駆動用トランンスタ(2)に印加
されるゲート電圧を低く抑えるように制御する制御用ト
ランジスタ例えば11M05FETであり、電源と駆動
用トランジスタ(2)のゲート電極の間で互いに直列に
接続され、これらのゲート電極が全てインバータ(3)
の出力側に接続され、かつこれらの第2ゲート電極が全
て接地されている。更に、(12)は入力信号の安定時
に駆動用トランジスタ(1)に印加されるゲート電圧を
高くするように制御する田の制御用トランジスタ例えば
NMO3FETであり、そのドレイン電極が駆動用トラ
ンジスタ(1)のゲート電極へ接続され、そのソース電
極が接地され、かつそのゲート電極が駆動用トランジス
タ(1)のドレイン電極へ接続されている。同様に、(
13)は入力信号の安定時に駆動用トランジスタ(2)
に印加されるゲート電圧を高くするように制御する他の
制御用トランジスタ例えばPMOSFETであり、その
ソース電極が電源へ接続され、そのドレイン電極が駆動
用トランジスタ(2)のゲート電極へ接続され、かつそ
のゲート電極が駆動用トランジスタ(2)のドレインへ
接続されている。
[Embodiment] FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and in the figure, (1) to (3) are exactly the same as those explained with respect to FIG. 3. (4) is a transistor that makes the driving transistor (1) non-conductive, such as a PMO3FET, whose source electrode is connected to the power supply, whose drain electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor (1), and whose connected to the gate electrode or input signal source. Similarly, (5) is a transistor, such as an NMOSFET, which makes the driving transistor (2) non-conductive, and whose source electrode is grounded, whose drain electrode is connected to the gate electrode of the driving transistor (2), and whose source electrode is grounded. The gate electrode is connected to a human signal source. (6)~(8
) is a control transistor, such as a PMO3FET, that controls the gate 'I voltage applied to the drive transistor (1) to be kept low when the input signal changes, and is connected between the gate electrode of the drive transistor (1) and the ground. They are connected in series with each other, and all these gate electrodes are connected to an inverter (3
), and all of these second gate electrodes are connected to the power supply. Similarly, (9) to (11)
are control transistors, for example, 11M05FETs, which control the gate voltage applied to the drive transistor (2) to be kept low when the input signal changes, and are connected in series with each other between the power supply and the gate electrode of the drive transistor (2). connected, and all these gate electrodes are connected to the inverter (3)
, and all of these second gate electrodes are grounded. Furthermore, (12) is a control transistor such as an NMO3FET that controls the gate voltage applied to the drive transistor (1) to be high when the input signal is stable, and its drain electrode is connected to the drive transistor (1). Its source electrode is grounded, and its gate electrode is connected to the drain electrode of the driving transistor (1). Similarly, (
13) is the driving transistor (2) when the input signal is stable.
Another control transistor, such as a PMOSFET, which controls the gate voltage applied to the drive transistor (2) to be high, whose source electrode is connected to the power supply, whose drain electrode is connected to the gate electrode of the drive transistor (2), and Its gate electrode is connected to the drain of the driving transistor (2).

この発明の出力バッファ回路は上述したように構成され
ており、以下にその動作を詳しく説明する。先ず、入力
信号が既にHレベルにあって安定している時には、トラ
ンジスタ(4)は非導通状態、トランジスタ(5)は導
通状態になっている。インバータ(3)の出力がLレベ
ルであるので、制御用トランジスタ(6)〜(8)は導
通状態、制御用トランジスタ(9)〜(11)は非導通
状態となっている。駆動用トランジスタ(1)はそのゲ
ート電圧がLレベルであるので導通状態駆動用トランジ
スタ(2)はそのゲート電圧がLレベルであるので非導
通状態になっており、従って出力信号は電源電位になっ
ている。これにより他の制御用トランジスタ(12)は
導通状態で駆動用トランジスタ(1)のゲート電圧を接
地電位にしているが、他の制御用トランジスタ(13)
は非導通状態にある。
The output buffer circuit of the present invention is constructed as described above, and its operation will be explained in detail below. First, when the input signal is already at H level and stable, the transistor (4) is in a non-conducting state and the transistor (5) is in a conducting state. Since the output of the inverter (3) is at L level, the control transistors (6) to (8) are in a conductive state, and the control transistors (9) to (11) are in a non-conductive state. The driving transistor (1) is in a conductive state because its gate voltage is at L level.The driving transistor (2) is in a non-conducting state because its gate voltage is at an L level, so the output signal is at the power supply potential. ing. As a result, the other control transistor (12) is in a conductive state and the gate voltage of the drive transistor (1) is set to the ground potential, but the other control transistor (13)
is in a non-conducting state.

次に入力信号がHレベルからLレベルへ変化すると、ト
ランジスタ(4)は導通状態になって駆動用トランジス
タ(1)のゲート電圧を電源電位にすることにより駆動
用トランジスタ(1)を非導通状態にする。また、トラ
ンジスタ(5)は非導通状態になる。インバータ(3)
の出力がHレベルになるので、制御用トランジスタ(6
)〜(8)は非導通状態になるが、制御用トランジスタ
(9)〜(11)は導通状態になり、駆動用トランジス
タ(2)のゲート電圧をHレベルにする。このHレベル
は、電源電位そのままではなく、電源電位をV。0とし
かつ導通状態にある制御用トランジスタ(9)〜(11
)の各閾値電圧をV7Nとすれば、Voo  3VTN
であって電源電位より3VtN低い。第2図に示すよう
にゲト電圧が低い程ドレイン電流■。8が小さくなり、
制御用トランジスタ(2)は導通状態になるが、その導
通抵抗が大きくなり、出力信号に起こるリンギングを抑
えることができる。出力信号がLレベルになって安定す
る(すなわち入力信号が変化時を通過して安定する)と
、他の制御用トランジスタ(13)が導通状態になり、
駆動用トランジスタ(2)のゲート電圧を上述した低い
ゲート電圧から電源電位まで高め、その導通抵抗を小さ
くさせる。
Next, when the input signal changes from the H level to the L level, the transistor (4) becomes conductive, and by setting the gate voltage of the driving transistor (1) to the power supply potential, the driving transistor (1) becomes non-conductive. Make it. Further, the transistor (5) becomes non-conductive. Inverter (3)
Since the output of the control transistor (6
) to (8) become non-conductive, but the control transistors (9) to (11) become conductive, setting the gate voltage of the driving transistor (2) to H level. This H level is not the power supply potential as it is, but the power supply potential is V. 0 and in a conductive state.
) is V7N, then Voo 3VTN
and is 3VtN lower than the power supply potential. As shown in Figure 2, the lower the gate voltage, the higher the drain current. 8 becomes smaller,
Although the control transistor (2) becomes conductive, its conduction resistance increases, and ringing that occurs in the output signal can be suppressed. When the output signal becomes L level and stabilizes (that is, the input signal passes through the period of change and becomes stable), the other control transistor (13) becomes conductive.
The gate voltage of the driving transistor (2) is increased from the above-mentioned low gate voltage to the power supply potential to reduce its conduction resistance.

このことにより駆動用トランジスタ(2)の負荷駆動能
力を通常通り高めることができる。
As a result, the load driving ability of the driving transistor (2) can be increased as usual.

入力信号がLレベルから再びHレベルへ変化すると、駆
動用トランジスタ(1)のゲート電圧は制御用トランジ
スタ(6)〜(8)によって接地電位よりも3VTNた
け持ち上げられ、その導通抵抗が大きくなり、出力信号
にリンギングを起こさない。その後他の制御用トランジ
スタ(12)が導通状態になると駆動用トランジスタ(
1)のゲート電圧は接地電位まで引き下げられ、駆動用
トランジスタ(1)の導通抵抗が小さくなり、負荷駆動
能力は高められる。
When the input signal changes from the L level to the H level again, the gate voltage of the driving transistor (1) is raised by 3VTN above the ground potential by the control transistors (6) to (8), and its conduction resistance increases. No ringing in the output signal. After that, when the other control transistor (12) becomes conductive, the drive transistor (
The gate voltage of 1) is lowered to the ground potential, the conduction resistance of the driving transistor (1) is reduced, and the load driving capability is increased.

[発明の効果コ この発明は、以上詳しく説明したとおり、負荷を駆動す
る駆動用トランジスタと、この駆動用トランジスタの制
御電極に印加される電圧を、入力信号の変化時には低く
抑える制御用トランジスタとを備えているので、駆動用
トランジスタから出力される出力信号にリンギングを起
こすことがなく、従って出力信号で駆動される素子等の
誤動作を防止でき、更に駆動用トランンスタの制御電極
に印加される電圧を、入力信号の安定時には高くする他
の制御用トランジスタを付加したので負荷駆動能力か高
いと云う効果を奏する。
[Effects of the Invention] As explained in detail above, the present invention provides a driving transistor that drives a load and a control transistor that suppresses the voltage applied to the control electrode of this driving transistor to a low level when an input signal changes. This prevents ringing from occurring in the output signal output from the drive transistor, thereby preventing malfunctions of elements driven by the output signal, and further reducing the voltage applied to the control electrode of the drive transistor. Since another control transistor is added which increases the voltage when the input signal is stable, the load driving capability is increased.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図は第
1図中の駆動用トランジスタの電圧電流特性図、第3図
は従来の出力バノファ回路を示す回路図、第4図は従来
の出力バッファ回路の入力信号と出力信号を示す波形図
である。 図において、(1)と(2〉は駆動用トランジスタ、(
6)〜(8)と(9)〜(11)は制御用トランジスタ
、(12)〜(13)は他の制御用トランジスタである
。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 昂1図
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a voltage-current characteristic diagram of the driving transistor in Fig. 1, Fig. 3 is a circuit diagram showing a conventional output vanofer circuit, and Fig. 4 1 is a waveform diagram showing input signals and output signals of a conventional output buffer circuit. In the figure, (1) and (2> are driving transistors, (
6) to (8) and (9) to (11) are control transistors, and (12) to (13) are other control transistors. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Figure 1

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)負荷を駆動する駆動用トランジスタと、この駆動
用トランジスタの制御電極に印加される電圧を、入力信
号の変化時には低く抑える制御用トランジスタとを備え
たことを特徴とする出力バッファ回路。
(1) An output buffer circuit comprising: a driving transistor that drives a load; and a control transistor that keeps the voltage applied to the control electrode of the driving transistor low when an input signal changes.
(2)駆動用トランジスタの制御電極に印加される電圧
を、入力信号の安定時には高くする他の制御用トランジ
スタを更に備えたことを特徴とする請求項1記載の出力
バッファ回路。
(2) The output buffer circuit according to claim 1, further comprising another control transistor that increases the voltage applied to the control electrode of the drive transistor when the input signal is stable.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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