JPH03255951A - 単結晶インゴットの結晶方位測定装置 - Google Patents
単結晶インゴットの結晶方位測定装置Info
- Publication number
- JPH03255951A JPH03255951A JP2053862A JP5386290A JPH03255951A JP H03255951 A JPH03255951 A JP H03255951A JP 2053862 A JP2053862 A JP 2053862A JP 5386290 A JP5386290 A JP 5386290A JP H03255951 A JPH03255951 A JP H03255951A
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- Japan
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- ingot
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、円筒状の単結晶インゴットの結晶方位をＸ
線回折によって測定する結晶方位測定装置に関する。
線回折によって測定する結晶方位測定装置に関する。
［従来の技術］
Ｓｉウェハを製造するためのＳｉ単結晶インゴットは、
るつぼから引き上げられた状態のときは、第２図（ａ）
に示すようにほぼ円筒状をしており、両端がとがってい
る。この未加工のインゴット１０は両端をカットされて
、第２図（ｂ）に示すように端面１３と未加工の外周面
１２とを有する両端カット・インゴット１１となる。そ
の後、第２図（Ｃ）に示すように、オリエンテーション
・フラット面１６（以下、オリフラ面と略す。）を切削
加工するとともに、外周面１８を研削加工して、加工済
みのインゴット１４とする。
るつぼから引き上げられた状態のときは、第２図（ａ）
に示すようにほぼ円筒状をしており、両端がとがってい
る。この未加工のインゴット１０は両端をカットされて
、第２図（ｂ）に示すように端面１３と未加工の外周面
１２とを有する両端カット・インゴット１１となる。そ
の後、第２図（Ｃ）に示すように、オリエンテーション
・フラット面１６（以下、オリフラ面と略す。）を切削
加工するとともに、外周面１８を研削加工して、加工済
みのインゴット１４とする。
ところで、Ｓｉインゴットは所定の結晶方位となるよう
に製造しており、上述のオリフラ面１６を加工するとき
も、特定の格子面がオリフラ面に平行となるように加工
している。そのためには第２図（ｂ）の両端カット・イ
ンゴット１１の外周面１２にＸ線を照射しながらインゴ
ット１１を軸回りに回転させて目的の結晶方位を探して
から、片方の端面１３にオリフラ面加工用のマーキング
を行う。
に製造しており、上述のオリフラ面１６を加工するとき
も、特定の格子面がオリフラ面に平行となるように加工
している。そのためには第２図（ｂ）の両端カット・イ
ンゴット１１の外周面１２にＸ線を照射しながらインゴ
ット１１を軸回りに回転させて目的の結晶方位を探して
から、片方の端面１３にオリフラ面加工用のマーキング
を行う。
このマーキング作業のための結晶方位測定を第３図を参
照して詳しく説明する。この第３図は結晶方位測定装置
の正面図である。このような結晶方位測定装置は、例え
ば特開昭６２−１１６２４３号公報に開示されている。
照して詳しく説明する。この第３図は結晶方位測定装置
の正面図である。このような結晶方位測定装置は、例え
ば特開昭６２−１１６２４３号公報に開示されている。
まず、第２図（ｂ）の両端カット・インゴット１１を支
持ローラ２０，２２の上に水平に載せる。
持ローラ２０，２２の上に水平に載せる。
Ｘ線管２８のＸ線源２６からのＸ線は基準線２４に対し
て入射角θでインゴット１１の外周面に当たるようにし
、Ｘ線検出器３０も基準線２４に対して角度θのところ
に配置する。Ｘ線管２８とＸ線検出器３０はベース３２
に取り付けられている。
て入射角θでインゴット１１の外周面に当たるようにし
、Ｘ線検出器３０も基準線２４に対して角度θのところ
に配置する。Ｘ線管２８とＸ線検出器３０はベース３２
に取り付けられている。
角度θは、オリフラ面と平行になるべき格子面３４の種
類によって定まる。角度θが設定されたらインゴット１
１を回転させながらＸ線回折測定を行い、検出強度が最
大になったところでインゴット１１を停止する。そして
、インゴット１１の端面にマーカーペン等で水平にオリ
フラ面の加工線を描く。
類によって定まる。角度θが設定されたらインゴット１
１を回転させながらＸ線回折測定を行い、検出強度が最
大になったところでインゴット１１を停止する。そして
、インゴット１１の端面にマーカーペン等で水平にオリ
フラ面の加工線を描く。
［発明が解決しようとする課題］
インゴットの外周面は、るつぼから引き上げた状態では
完全な円形ではなくて凹凸があるので、上述のマーキン
グ作業では次のような不具合がある。すなわち、目的の
格子面を検出するまでインゴットは軸回りに回転させる
必要があるが、インゴットの外周面に凹凸があるため、
インゴットの回転につれて、Ｘ線回折測定部の照射点（
第３図の符号３５）がインゴットの外周面からずれてし
まうことになる。このようなずれがあると、結晶方位測
定に誤差が生じてしまう。
完全な円形ではなくて凹凸があるので、上述のマーキン
グ作業では次のような不具合がある。すなわち、目的の
格子面を検出するまでインゴットは軸回りに回転させる
必要があるが、インゴットの外周面に凹凸があるため、
インゴットの回転につれて、Ｘ線回折測定部の照射点（
第３図の符号３５）がインゴットの外周面からずれてし
まうことになる。このようなずれがあると、結晶方位測
定に誤差が生じてしまう。
この発明の目的は、インゴットの外周面の凹凸に対して
Ｘ線回折測定部が追従できるような結晶方位測定装置を
提供することにある。
Ｘ線回折測定部が追従できるような結晶方位測定装置を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、この発明に係る結晶方位
測定装置は、インゴットの外周面にＸ線を照射して回折
Ｘ線を検出するＸ線回折測定部と、インゴットの外周面
の位置を検出する位置検出装置と、前記Ｘ線回折測定部
と前記位置検出装置とを搭載するベースとを備えている
。そして、前記位置検出装置の出力に基づいて前記ベー
スを移動させ、もって前記Ｘ線回折測定部の照射点をイ
ンゴットの外周面に合わせている。
測定装置は、インゴットの外周面にＸ線を照射して回折
Ｘ線を検出するＸ線回折測定部と、インゴットの外周面
の位置を検出する位置検出装置と、前記Ｘ線回折測定部
と前記位置検出装置とを搭載するベースとを備えている
。そして、前記位置検出装置の出力に基づいて前記ベー
スを移動させ、もって前記Ｘ線回折測定部の照射点をイ
ンゴットの外周面に合わせている。
［作用コ
インゴットの外周面に凹凸がある場合、位置検出装置で
外周面の位置を検出して、この出力に基づいてベースを
移動させている。そして、Ｘ線照射点がインゴットの外
周面に一致したときにベスを停止する。これにより、Ｘ
線回折測定部はインゴットの外周面の凹凸に追従し、常
に正確な結晶方位測定が行われる。
外周面の位置を検出して、この出力に基づいてベースを
移動させている。そして、Ｘ線照射点がインゴットの外
周面に一致したときにベスを停止する。これにより、Ｘ
線回折測定部はインゴットの外周面の凹凸に追従し、常
に正確な結晶方位測定が行われる。
［実施例コ
次に、図面を参照してこの発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の一実施例の正面図である。
第３図と同じ部分には同じ符号を付けである。両端カッ
ト・インゴット１１は外周面が未加工なので外周面１２
に凹凸が付いている。第１図では凹凸を強調して描いで
ある。Ｘ線照射点を外周面１２の凹凸に追従させるため
には、ベース３２を上下に移動させる必要がある。モー
タ３６は歯車伝動装置３８を介してねじ４０を回転させ
、上下部品４２を上下移動できる。上下部品４２はベス
３２に固定されている。したがってモータ３６を回転す
ることによりベース３２を上下移動できる。Ｘ線管２８
とＸ線検出器３０はベース３２に搭載されている。
ト・インゴット１１は外周面が未加工なので外周面１２
に凹凸が付いている。第１図では凹凸を強調して描いで
ある。Ｘ線照射点を外周面１２の凹凸に追従させるため
には、ベース３２を上下に移動させる必要がある。モー
タ３６は歯車伝動装置３８を介してねじ４０を回転させ
、上下部品４２を上下移動できる。上下部品４２はベス
３２に固定されている。したがってモータ３６を回転す
ることによりベース３２を上下移動できる。Ｘ線管２８
とＸ線検出器３０はベース３２に搭載されている。
ベース３２には光源４４と光センサ４６とが固定されて
いる。この先センサ系の光軸はＸ線照射点を通るように
なっている。光センサ４６には受光素子４８があって、
受光素子４８の出力は所定の基準値と比較され、その差
分が出力される。インゴット１１の外周面１２がちょう
ど光センサ系の光軸の高さに一致しているときは、光源
４４からの光の半分がインゴット１１で遮断され、残り
の半分が受光素子４８に到達する。このときの受光素子
４８の出力は基準値と等しくなる。インゴット１１の外
周面１２がＸ線照射点よりも高くなると（すなわち光セ
ンサ系の光軸よりも高くなると）、受光素子４８の出力
が小さくなり、基準値との差分は負の値となる。この情
報に基づいてモータ３６が回転し、ベース３２を上昇さ
せる。Ｘ線照射点がインゴット１１の外周面１２に一致
するまで、ベース３２は上昇することになる。インゴッ
ト１１の外周面１２がＸ線照射点よりも低くなると、受
光素子４８の出力が小さくなり、基準値との差分は正の
値となる。この情報に基づいて今度はモータ３６が逆回
転し、ベース３２を下降させる。このようなフィルドパ
ック制御により、インゴット１１が回転する間、Ｘ線照
射点は常にインゴット１１の外周面１２に一致するよう
に追従する。
いる。この先センサ系の光軸はＸ線照射点を通るように
なっている。光センサ４６には受光素子４８があって、
受光素子４８の出力は所定の基準値と比較され、その差
分が出力される。インゴット１１の外周面１２がちょう
ど光センサ系の光軸の高さに一致しているときは、光源
４４からの光の半分がインゴット１１で遮断され、残り
の半分が受光素子４８に到達する。このときの受光素子
４８の出力は基準値と等しくなる。インゴット１１の外
周面１２がＸ線照射点よりも高くなると（すなわち光セ
ンサ系の光軸よりも高くなると）、受光素子４８の出力
が小さくなり、基準値との差分は負の値となる。この情
報に基づいてモータ３６が回転し、ベース３２を上昇さ
せる。Ｘ線照射点がインゴット１１の外周面１２に一致
するまで、ベース３２は上昇することになる。インゴッ
ト１１の外周面１２がＸ線照射点よりも低くなると、受
光素子４８の出力が小さくなり、基準値との差分は正の
値となる。この情報に基づいて今度はモータ３６が逆回
転し、ベース３２を下降させる。このようなフィルドパ
ック制御により、インゴット１１が回転する間、Ｘ線照
射点は常にインゴット１１の外周面１２に一致するよう
に追従する。
上述の実施例ではＳｉ単結晶インゴットを例にして説明
してきたが、この発明はその他の単結晶インゴットにも
適用できる。
してきたが、この発明はその他の単結晶インゴットにも
適用できる。
［発明の効果コ
以上説明したようにこの発明は、インゴットの外周面の
位置を検出して、これに基づいてＸ線回折測定部のベー
スを移動させているので、Ｘ線回折測定部はインゴット
の外周面の凹凸に常に追従し、正確な結晶方位測定が可
能となる。
位置を検出して、これに基づいてＸ線回折測定部のベー
スを移動させているので、Ｘ線回折測定部はインゴット
の外周面の凹凸に常に追従し、正確な結晶方位測定が可
能となる。
第１図はこの発明の一実施例の正面図、−第２図はイン
ゴットの加工手順を示す説明図、第３図はオリフラ面加
工用のマーキング作業を示す正面図である。 １１・・・インゴット １２・・・外周面 ２８・・・Ｘ線管 ３０・・・Ｘ線検出器 ３２・・・ベース ３６・・・モータ ４４・・・光源 ４６・・・光センサ
ゴットの加工手順を示す説明図、第３図はオリフラ面加
工用のマーキング作業を示す正面図である。 １１・・・インゴット １２・・・外周面 ２８・・・Ｘ線管 ３０・・・Ｘ線検出器 ３２・・・ベース ３６・・・モータ ４４・・・光源 ４６・・・光センサ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 円筒状の単結晶インゴットの結晶方位をＸ線回折によっ
て測定する結晶方位測定装置において、前記インゴット
の外周面にＸ線を照射して回折Ｘ線を検出するＸ線回折
測定部と、前記インゴットの外周面の位置を検出する位
置検出装置と、 前記Ｘ線回折測定部と前記位置検出装置とを搭載するベ
ースとを備え、 前記位置検出装置の出力に基づいて前記ベースを移動さ
せ、もって前記Ｘ線回折測定部の照射点を前記インゴッ
トの外周面に合わせることを特徴とする結晶方位測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053862A JP2908498B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 単結晶インゴットの結晶方位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2053862A JP2908498B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 単結晶インゴットの結晶方位測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255951A true JPH03255951A (ja) | 1991-11-14 |
| JP2908498B2 JP2908498B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=12954583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2053862A Expired - Fee Related JP2908498B2 (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | 単結晶インゴットの結晶方位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2908498B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072854A (en) * | 1996-12-04 | 2000-06-06 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for X-ray topography of single crystal ingot |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP2053862A patent/JP2908498B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072854A (en) * | 1996-12-04 | 2000-06-06 | Rigaku Corporation | Method and apparatus for X-ray topography of single crystal ingot |
| WO2004090522A1 (ja) * | 1996-12-04 | 2004-10-21 | Tetsuo Kikuchi | 単結晶インゴットのx線トポグラフィー方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2908498B2 (ja) | 1999-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |