JPH03255614A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
上に塗布されたレジストを薬液により膨潤、溶解せしめ
て除去する装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置の製造装置は、第３図に示す
様に、半導体基板上に塗布されたホトレジストの溶解除
去を行う第１の処理槽１及び第２の処理槽２、薬液の循
環・排液を行う配管７Ａ。

７Ｂポンプ９Ａ、９Ｂ、フィルタ８Ａ、８Ｂ、バルブＩ
ＯＡ、ＩＯＢにより構成されており、有機系の薬液によ
りホトレジストの溶解・除去を行う。その際、薬液は処
理槽下部よりポンプ及びフィルターを通って処理槽に戻
るという循環をくり返す。またホトレジストの膨潤・溶
解を行う薬液（以下剥離液と称す〉３と、半導体基板の
洗浄を行う薬液（以下リンス液と称す）４は別々に循環
・廃液される。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の半導体装置の製造装置は、ホトレジスト
除去量の増加に伴い、処理槽内に持ち込まれるパティク
ル及びレジストの溶解物により、薬液中のパーティクル
が増加する。そこでパーティクル増加がある許容値を越
えた段階で薬液を排液し、新たに薬液を供給する。しが
るに、特に剥離液の場合粘度が高い為、排液処理を行っ
ても、第１の処理槽内壁及びその配管内にパーティクル
汚染された剥離液が残留し、新しく剥離液が供給された
時、残留していた剥離液のパーティクルにより槽内の清
浄度が低下する。

通常、残留した剥離液による清浄度低下を避ける為、排
液した後第１の処理槽内を清掃するが、剥離液がリンス
液以外の薬品との置換性が悪く、処理槽内の清浄度が向
上せず、作業能率が悪くて設備稼働率が大幅に低下する
６リンス液で清掃した場合においても、配管内に残留し
た剥離液については清掃できないため、高い清浄度を保
てず、何より剥離液とリンス液の有害性により、清掃時
の安全性が問題となる。また、清浄度を高める為、剥離
液の排液及び供給、循環を何度かくり返す方法も一般に
用いられるが、配管内に残留したパーティクルにより清
浄度は上がらず、高い清浄度を保つには不十分で、薬液
の使用量の増加及び設備稼働率の大幅な低下は避けられ
ない。

近年のＬＳＩの高Ｓ積化、微細化にともない、上述した
清浄度の低下は無視できない問題となっている。

上述した従来の半導体製造装置に対し本発明は、薬液の
排液、供給を行う際、剥離液を排出した第１の処理槽内
に排出したリンス液を供給し、剥離液との置換性の高い
リンス液を循環させる事により、第１の処理槽及び配管
内に残留した剥離液によるパーティクルを清浄化し、設
備稼働率向上及び安全性の確保あるいは、清浄度向上に
より歩留を向上させるという相違点を有する。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造装置は、半導体基板上に形成
されたホトレジスト膜を剥離するための剥離液を満す第
１の処理槽と、ホトレジスト膜が剥離された半導体基板
を洗浄するためのリンス液が満される第２の処理槽とを
有する半導体装置の製造装置において、前記第２の処理
槽から排出されるリンス液を前記第１の処理槽に供給す
るための手段を設けたものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の第１の実施例の模式断面図である。

半導体装置の処理装置は、ホトレジスト膜を剥離する剥
離液３を満す第１の処理槽１と、ホトレジスト膜が剥離
された半導体基板を洗浄するためのリンス液４を満す第
２の処理槽２とから構成されるが、特に排出されるリン
ス液４を第１の処理槽１内に供給するための配管６とポ
ンプ５とを備えている。以下薬液の排液及び供給の際に
ついて更に説明る。

まず第１の処理槽１内の剥離液３を５０℃以下に冷却後
、バルブ１０Ａより排出する。次に第２の処理槽２内の
排出されるリンス液４をポンプ５を用いて配管６を介し
て空の第１の処理槽１内に供給する。第１の処理槽１内
に供給されたリンス液４は、第１の処理槽１の下部より
配管７Ａを通り、ポンプ９Ａ、フィルター８Ａを通って
再び第１の処理槽１内にもどるという循環をくり返す。

この循環の間に、第１の処理槽１の内壁及び配管７Ａ内
に残留しているホトレジスト溶解物及びパーティクルを
含む剥離液１は、リンス液４と十分に置換される。循環
したパーティクルを含むリンス液は、バルブＩＯＡを通
して排出される。しがるのち、清浄化された第１の処理
槽１．配管７Ａ内に新しい剥離？？ｆｌを供給する。

第２図は本発明の第２の実施例の模式断面図である。

この第２の実施例ではリンス液４を配管６を通して第１
の処理槽１内に供給する際、フィルター８Ｃによりパー
ティクルをトラップするようにしたものであり、より清
浄なリンス液４で第１の処理槽１及び配管７Ａを洗浄と
する事ができ、高い清浄度を達成できる利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、剥離液を満す第１の処理
槽内に第２の処理槽がら排出されるリンス液を供給する
ための手段を設けることにより、ホトレジストの溶解物
並びに処理槽内に持ち込まれたパーティクルを含有する
剥離液を清浄化できるため、第１の処理槽内に新しく供
給した剥離液の清浄度を著しく向上させることができる
という効果がある。特に、配管内を清浄化できる事によ
り、半導体基板の処理中に起こる突発的な配管内からの
パーティクル汚染を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の模
式断面図、第３図は従来例の模式断面図である。 １・・・第１の処理槽、２・・・第２の処理槽、３・・
・剥離液、４・・・リンス液、５・・・ポンプ、６・・
・配管、７Ａ、７Ｂ・・・配管、８Ａ、８Ｂ、８Ｃ・・
・フィルター、９Ａ、９Ｂ・・・ポンプ、ＩＯＡ、ＩＯ
Ｂ・・・バルブ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に形成されたホトレジスト膜を剥離する
   ための剥離液を満す第１の処理槽と、ホトレジスト膜が
   剥離された半導体基板を洗浄するためのリンス液が満さ
   れる第２の処理槽とを有する半導体装置の製造装置にお
   いて、前記第２の処理槽から排出されるリンス液を前記
   第１の処理槽に供給するための手段を設けたことを特徴
   とする半導体装置の製造装置。