JPH03230339A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03230339A JPH03230339A JP2443390A JP2443390A JPH03230339A JP H03230339 A JPH03230339 A JP H03230339A JP 2443390 A JP2443390 A JP 2443390A JP 2443390 A JP2443390 A JP 2443390A JP H03230339 A JPH03230339 A JP H03230339A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、光磁気記録媒体に間し、さらに詳しくいう
と、オーバーライドを可能にした光磁気記録媒体に間す
るものである。
と、オーバーライドを可能にした光磁気記録媒体に間す
るものである。
［従来の技術］
光磁気記録媒体は、消去可能な光デイスクメモリとして
知られている。光磁気ディスクは従来の磁気ヘッドを用
いた磁気記録媒体に比べ、高記録密度で非接触記録再生
ができる利点を有しているが、記録部分を事前に一度消
去する過程が必要であった。
知られている。光磁気ディスクは従来の磁気ヘッドを用
いた磁気記録媒体に比べ、高記録密度で非接触記録再生
ができる利点を有しているが、記録部分を事前に一度消
去する過程が必要であった。
上記の欠点を除去し、従来の光磁気記録再生装置に簡単
な磁界方向一定の磁界発生装置を設け、照射するレーザ
光の強度を変調することでオーバーライドを可能にする
方法が「光学メモリに関する国際シンポジウム報告（１
９８７） 、日本応用物理学会誌第２６巻（１９８））
増刊２６ ４Ｊ （Ｐｒｏｃ。
な磁界方向一定の磁界発生装置を設け、照射するレーザ
光の強度を変調することでオーバーライドを可能にする
方法が「光学メモリに関する国際シンポジウム報告（１
９８７） 、日本応用物理学会誌第２６巻（１９８））
増刊２６ ４Ｊ （Ｐｒｏｃ。
Ｉｎｔ、 ５ｙｓｐ、 ｏｎ ０ｐｔｉｃａｌ Ｍｅｍ
ｏｒｙ、 １９８７： Ｊｐｎ、 Ｊ。
ｏｒｙ、 １９８７： Ｊｐｎ、 Ｊ。
＾ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｖｏｌ、２６ （１９８７）
５ｕｐｐｌｅ＋＊ｅｎｔ ２６−４）に報告されてい
る。この方式について以下に説明する。第２図（ａ）に
おいて、記録媒体（１＾）は、透明基板（２）に第１磁
性層（３）および第２磁性層（４）が形成されたもので
、磁性層はそれぞれＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏなどのフェ
リ磁性体が用いられる。第１磁性層（３）と第２磁性層
（４） とは交換結合しており、情報は第１磁性層（３
）に記録される。同図（ｂ）において、（７）は第１磁
界発生装置、（８）は第２磁界発生装置（永久磁石）で
あり、レーザー光（１０）はレンズ（５）により集光さ
れ磁性層に照射される。
５ｕｐｐｌｅ＋＊ｅｎｔ ２６−４）に報告されてい
る。この方式について以下に説明する。第２図（ａ）に
おいて、記録媒体（１＾）は、透明基板（２）に第１磁
性層（３）および第２磁性層（４）が形成されたもので
、磁性層はそれぞれＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏなどのフェ
リ磁性体が用いられる。第１磁性層（３）と第２磁性層
（４） とは交換結合しており、情報は第１磁性層（３
）に記録される。同図（ｂ）において、（７）は第１磁
界発生装置、（８）は第２磁界発生装置（永久磁石）で
あり、レーザー光（１０）はレンズ（５）により集光さ
れ磁性層に照射される。
第１磁界発生装置（７）は、読み出し時のレーザー出力
では記録媒体（１＾）の磁化状態に変化は与えず、レー
ザー出力が記録・消去のときにのみ関与する。
では記録媒体（１＾）の磁化状態に変化は与えず、レー
ザー出力が記録・消去のときにのみ関与する。
第２磁界発生装置（８）は、第１磁性層（３）の磁化状
態に関係なく第２１ｉｉ性層（４）の磁化方向を一様に
揃える。このとき、第１磁性層（３）の磁化方向は第２
磁界発生装置（８）や第２磁性層（４）との交換結合力
の影響では磁化状態は保持されるように、記録媒体（１
＾）が構成されている。
態に関係なく第２１ｉｉ性層（４）の磁化方向を一様に
揃える。このとき、第１磁性層（３）の磁化方向は第２
磁界発生装置（８）や第２磁性層（４）との交換結合力
の影響では磁化状態は保持されるように、記録媒体（１
＾）が構成されている。
以下にオーバーライドについて説明する。第２磁界発生
装置（８）により第２磁性層（４）の磁化方向が上向き
に揃えられる。レーザー光（１０）の出力を上げ、照射
部（６）の第２磁性層（４〉の磁化反転温度以下で第１
磁性層（３）が交換結合力により第２磁性層（４）の磁
化方向に揃うとき、第２１１１！性層（４）の磁化方向
が第１磁性層（３）に転写され第１磁性層（３）の磁化
方向は上向きとなる。また、第２磁性層（４）の磁化反
転温度以上では第１磁化発生装置（７）により第２磁性
層（４）の磁化方向は下向きになり、さらに第２磁性層
（４）の磁化方向が第１磁性層（３）に転写され、第１
磁性層（３）の磁化方向は下向きとなる。このようにレ
ーザー光（１０）の出力を変えるだけで第１磁性層（３
）の磁化状態を変えることができ直接オーバーライドが
可能となる。
装置（８）により第２磁性層（４）の磁化方向が上向き
に揃えられる。レーザー光（１０）の出力を上げ、照射
部（６）の第２磁性層（４〉の磁化反転温度以下で第１
磁性層（３）が交換結合力により第２磁性層（４）の磁
化方向に揃うとき、第２１１１！性層（４）の磁化方向
が第１磁性層（３）に転写され第１磁性層（３）の磁化
方向は上向きとなる。また、第２磁性層（４）の磁化反
転温度以上では第１磁化発生装置（７）により第２磁性
層（４）の磁化方向は下向きになり、さらに第２磁性層
（４）の磁化方向が第１磁性層（３）に転写され、第１
磁性層（３）の磁化方向は下向きとなる。このようにレ
ーザー光（１０）の出力を変えるだけで第１磁性層（３
）の磁化状態を変えることができ直接オーバーライドが
可能となる。
他方、光磁気記録媒体に中間層を用い特性を改善する技
術が特開昭５１２１７２４７号公報に示されている。こ
れは希土類金属と遷移金属の２源蒸着（スパッタ）法で
の成膜において、希土類金属層と遷移金属層間に両成分
を含む中間層を設け、積層し膜形成するもので、膜厚方
向に希土類金属と遷移金属の各成分が周期的に変化して
いる光磁気記録媒体である。この媒体は膜の均一性を向
上させるものであり直接オーバーライドの機能は持たな
い。
術が特開昭５１２１７２４７号公報に示されている。こ
れは希土類金属と遷移金属の２源蒸着（スパッタ）法で
の成膜において、希土類金属層と遷移金属層間に両成分
を含む中間層を設け、積層し膜形成するもので、膜厚方
向に希土類金属と遷移金属の各成分が周期的に変化して
いる光磁気記録媒体である。この媒体は膜の均一性を向
上させるものであり直接オーバーライドの機能は持たな
い。
また、光磁気記録媒体にアルゴン等の不活性ガスを含む
透明誘電体膜を用いる技術について特開昭６２−２８９
９４７号公報に示されている。これはアルゴンを含む透
明誘電体膜を用いて見かけのカー回転角を増加させ、性
能指数を向上させるものである。
透明誘電体膜を用いる技術について特開昭６２−２８９
９４７号公報に示されている。これはアルゴンを含む透
明誘電体膜を用いて見かけのカー回転角を増加させ、性
能指数を向上させるものである。
［発明が解決しようとする課題］
従来の光磁気記録媒体では、記録装置に簡単な磁界発生
装置を設けることで直接重ね書き（オーバーライド）を
可能とした場合、初期化に必要な磁界強度が大きく、光
磁気記録装置が大がかりとなる欠点があった。
装置を設けることで直接重ね書き（オーバーライド）を
可能とした場合、初期化に必要な磁界強度が大きく、光
磁気記録装置が大がかりとなる欠点があった。
この発明はかような課題を解決するためになされたもの
で、簡単な光磁気記録装置によりオーバーライド可能な
光磁気記録媒体を得ることを目的とする。
で、簡単な光磁気記録装置によりオーバーライド可能な
光磁気記録媒体を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る光磁気記録媒体は、膜面に垂直方向に磁
化容易軸を示し、低いキュリー温度と高い保磁力を有す
る第１磁性層と、この第１磁性層と交換結合し、この第
１磁性層に対し高いキュリー温度と低い保磁力を有し膜
面に垂直方向に磁化容易軸を示す第２磁性層と、これら
第１磁性層と第２磁性層との間に両者の交換結合力を制
御する中間層が設けられている。
化容易軸を示し、低いキュリー温度と高い保磁力を有す
る第１磁性層と、この第１磁性層と交換結合し、この第
１磁性層に対し高いキュリー温度と低い保磁力を有し膜
面に垂直方向に磁化容易軸を示す第２磁性層と、これら
第１磁性層と第２磁性層との間に両者の交換結合力を制
御する中間層が設けられている。
［作 用］
この発明においては、中間層により交換結合力を減少さ
せ、初期化に必要な磁界強度を減少させることができる
ので、簡単な外部磁界発生装置を設けて直接重ね書き（
オーバーライド）ができる。
せ、初期化に必要な磁界強度を減少させることができる
ので、簡単な外部磁界発生装置を設けて直接重ね書き（
オーバーライド）ができる。
［実施例］
第１図はこの発明の一実施例を示し、記録媒体（１）に
は新たに中間層（９）を設ける。その他は第２図と同様
である。
は新たに中間層（９）を設ける。その他は第２図と同様
である。
これら非晶質合金層（３）、 （９）、 （４）は膜面
に垂直方向に磁化容易軸を有し、室温にて以下の条件を
みたすものである。
に垂直方向に磁化容易軸を有し、室温にて以下の条件を
みたすものである。
１１ｃ＋ Ｈｃｚ＞ Ｈ−＋ ＋ ８Ｍ２ｆｆｃ２＋
Ｌ２＜Ｌ＊＋ Ｌ＊＋：初期化磁界Ｈｃ２−Ｈ，，
＞Ｈ，Ｉｆ、 ：記録バイアス磁界Ｔｒｏｏｍ＜Ｔｃ
＋＜Ｔｅ２Ｔｒｏｏｍ：室温Ｈ□＝ ｃｙＪ （２−Ｌ
ｔ−ｔ＋） ｉ＝第１、第２の磁性層（３）、 （４）それぞれにつ
いて、１．２ Ｍｓ、 Ｈｃ、 ｔ、 Ｔｃは、それぞれ非晶質合金層
の飽和磁化、保磁力、膜厚、キュリー温度であり、σ６
は２つの非晶買磁性層間の磁壁エネルギーである。
Ｌ２＜Ｌ＊＋ Ｌ＊＋：初期化磁界Ｈｃ２−Ｈ，，
＞Ｈ，Ｉｆ、 ：記録バイアス磁界Ｔｒｏｏｍ＜Ｔｃ
＋＜Ｔｅ２Ｔｒｏｏｍ：室温Ｈ□＝ ｃｙＪ （２−Ｌ
ｔ−ｔ＋） ｉ＝第１、第２の磁性層（３）、 （４）それぞれにつ
いて、１．２ Ｍｓ、 Ｈｃ、 ｔ、 Ｔｃは、それぞれ非晶質合金層
の飽和磁化、保磁力、膜厚、キュリー温度であり、σ６
は２つの非晶買磁性層間の磁壁エネルギーである。
また、■□、Ｈ１２は室温における交換結合力である。
磁性層（３）、 （４）、中間層（９）は、例えばスパ
ッタリング法や真空蒸着法によって成膜する。
ッタリング法や真空蒸着法によって成膜する。
以下、具体例によって詳細に説明するが、これによりこ
の発明を限定するものではない。
の発明を限定するものではない。
具体例１
基板（２） ： １．２１１１Ｍ厚ガラス基板
第１磁性層（３） ： ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁
性合金層Ｔｂ２＋Ｆｅ、４ＣＯｓ 膜厚：５００人
保磁カニ １０ｋ（ｌｅ キュリー温度：１８０℃ 中間層（９） ： ＴｂＦｅＣｏ＋ Ｎ非晶質磁
性合金層膜厚：５０人 第１磁性層と同一ターゲット を用い反応スパッタ法で成膜 第２磁性層＜４）： ＤｙＦｅＣｏ ３元系非晶質磁性合金層ＤＶｚＪｅｓｏ
Ｃｏ＋ｓ 膜厚： １０００人保磁カニ ２．５ｋｌ
ｌｌｅ キュリー温度＝２５０℃ 上記構成材料を用い、スパッタリング法によって光磁気
記録媒体（１）を得た。中間層（９）の成膜には、第１
磁性層（３）と同じターゲットを用い、スパッタガスに
窒素ガスを混入させ反応スパッタ法により行った。この
中間層（９）の成膜に、ターゲットに多くの不純物（Ｎ
、０）を含むものを使用してもよい。
第１磁性層（３） ： ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁
性合金層Ｔｂ２＋Ｆｅ、４ＣＯｓ 膜厚：５００人
保磁カニ １０ｋ（ｌｅ キュリー温度：１８０℃ 中間層（９） ： ＴｂＦｅＣｏ＋ Ｎ非晶質磁
性合金層膜厚：５０人 第１磁性層と同一ターゲット を用い反応スパッタ法で成膜 第２磁性層＜４）： ＤｙＦｅＣｏ ３元系非晶質磁性合金層ＤＶｚＪｅｓｏ
Ｃｏ＋ｓ 膜厚： １０００人保磁カニ ２．５ｋｌ
ｌｌｅ キュリー温度＝２５０℃ 上記構成材料を用い、スパッタリング法によって光磁気
記録媒体（１）を得た。中間層（９）の成膜には、第１
磁性層（３）と同じターゲットを用い、スパッタガスに
窒素ガスを混入させ反応スパッタ法により行った。この
中間層（９）の成膜に、ターゲットに多くの不純物（Ｎ
、０）を含むものを使用してもよい。
具体例２゜
第１表に示すような構成材料を用いる他は具体例１と同
様の光磁気記録媒体を得た。第１磁性層（３）および第
２磁性層（４）については具体例１と同じものを用いた
。
様の光磁気記録媒体を得た。第１磁性層（３）および第
２磁性層（４）については具体例１と同じものを用いた
。
ＴｂＦｅＣｏ＋ Ｎを中間層（９）に用いた光磁気記録
媒体（１）の直接オーバーライド特性の評価を行った。
媒体（１）の直接オーバーライド特性の評価を行った。
条件は回転数１８０Ｏｒｐｍ 、記録周波数ＩＭＨｚ、
記録磁界２５００ｅ、記録パワー１０ ｍＨ７５ｍｌ’
ｌの光変調である。また初期化磁石は４ ｋＱｅと７
ｋｉｔｅである。
記録磁界２５００ｅ、記録パワー１０ ｍＨ７５ｍｌ’
ｌの光変調である。また初期化磁石は４ ｋＱｅと７
ｋｉｔｅである。
不純物量に対する消去比を第３図に示す、同図において
、実線が初期化磁石４ ｋｏｅであり、破線が７ ｋｏ
ｅでの消去比を示している。不純物量１０ａｔ％以上で
は初期化磁石４ ｋＱｅで消去比−３０ｄＢ以上の良好
なオーバーライド特性となっている。不純物量５ａｔ％
以上でも大きな初期化磁石（７ｋＱｅ）を用いれば直接
オーバーライド可能であるが、初期化磁界の低減の効果
は少ない、従って、不純物量としては１０ａｔ％以上が
望ましい。
、実線が初期化磁石４ ｋｏｅであり、破線が７ ｋｏ
ｅでの消去比を示している。不純物量１０ａｔ％以上で
は初期化磁石４ ｋＱｅで消去比−３０ｄＢ以上の良好
なオーバーライド特性となっている。不純物量５ａｔ％
以上でも大きな初期化磁石（７ｋＱｅ）を用いれば直接
オーバーライド可能であるが、初期化磁界の低減の効果
は少ない、従って、不純物量としては１０ａｔ％以上が
望ましい。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、膜面に垂直方向に磁
化容易軸を示し、低いキュリー温度と高い保磁力を有す
る第１磁性層と、この第１磁性層に対し高いキュリー温
度と低い保磁力を有し膜面に垂直方向に磁化容易軸を示
す第２磁性層と、これら第１磁性層と第２磁性層との間
に中間層を設けたことにより、交換結合力を減少させ、
初期化に必要な磁界強度を減少させることができるため
、光磁気記録装置に簡単な磁界発生装置を設けることに
より直接重ね書き（オーバーライド）を可能とする効果
がある。
化容易軸を示し、低いキュリー温度と高い保磁力を有す
る第１磁性層と、この第１磁性層に対し高いキュリー温
度と低い保磁力を有し膜面に垂直方向に磁化容易軸を示
す第２磁性層と、これら第１磁性層と第２磁性層との間
に中間層を設けたことにより、交換結合力を減少させ、
初期化に必要な磁界強度を減少させることができるため
、光磁気記録装置に簡単な磁界発生装置を設けることに
より直接重ね書き（オーバーライド）を可能とする効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例の断面−図、第２図（ａ）
は従来の光磁気記録媒体の断面図、同図（ｂ）は同じく
動作説明斜視図、第３図は第１図のものの不純物量に対
する消去比の変化の特性線図である。 （１）・・・光磁気記録媒体、（２）・・・透明基板、
（３）。 （４）・・・第１、第２磁性層、（９）・・・中間層。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照ヤへ（ｖ）
→■ 第２図 （ａ） （ｂ’１
は従来の光磁気記録媒体の断面図、同図（ｂ）は同じく
動作説明斜視図、第３図は第１図のものの不純物量に対
する消去比の変化の特性線図である。 （１）・・・光磁気記録媒体、（２）・・・透明基板、
（３）。 （４）・・・第１、第２磁性層、（９）・・・中間層。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照ヤへ（ｖ）
→■ 第２図 （ａ） （ｂ’１
Claims (1)
- 膜面に垂直方向に磁化容易軸を示し低いキュリー温度と
高い保磁力を有する第１磁性層と、この第１磁性層と交
換結合しこの第１磁性層に対し高いキュリー温度と低い
保磁力を有し膜面に垂直方向に磁化容易軸を示す第２磁
性層と、これら第１磁性層と第２磁性層との交換結合力
を制御するための中間層とが形成されている光磁気記録
媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2443390A JPH03230339A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2443390A JPH03230339A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230339A true JPH03230339A (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=12138021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2443390A Pending JPH03230339A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03230339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
| CN113764153A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-07 | 中国科学院半导体研究所 | 多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器 |
-
1990
- 1990-02-05 JP JP2443390A patent/JPH03230339A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965285A (en) * | 1995-03-27 | 1999-10-12 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium and reproducing method for the same |
| CN113764153A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-07 | 中国科学院半导体研究所 | 多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器 |
| CN113764153B (zh) * | 2021-09-06 | 2024-07-23 | 中国科学院半导体研究所 | 多层磁性薄膜器件及其制备方法、磁存储器 |
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