JPH03228296A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH03228296A
JPH03228296A JP2024076A JP2407690A JPH03228296A JP H03228296 A JPH03228296 A JP H03228296A JP 2024076 A JP2024076 A JP 2024076A JP 2407690 A JP2407690 A JP 2407690A JP H03228296 A JPH03228296 A JP H03228296A
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JP
Japan
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flop
input terminal
flip
logic gate
potential
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JP2024076A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Nakazato
浩 中里
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To omit a refresh operation without increasing the scale of a semiconductor integrated circuit IC by providing a switch means provided between an input terminal and an input terminal of a logic gate and a MOS transistor TR where a gate whose source and drain are connected between a power supply and the input terminal of the logic gate is connected to the output terminal of the logic gate. CONSTITUTION:In a master-slave type flip-flop, a switch means using the MOS TR 20 and 21 is cascaded to an information holding circuit consisting of the logic gates 10 and 11. This flip-flop is provided with the MOS TR 30 and 31 having their sources connected to a power potential VDD, gates connected to the outputs of logic gates 10 and 11, and drains connected to the inputs of logic gates 10 and 11 respectively. In such a constitution, it is not required to recharge the electric charge of a stray capacity in each fixed period unlike a dynamic flip-flop nor to use many elements unlike a static flip-flop. Thus no refresh operation is needed without increasing the circuit scale.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路装置に関し、特にマスター・ス
レーブ型フリップ・フロップ回路を含む半導体集積回路
装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and particularly to a semiconductor integrated circuit device including a master-slave type flip-flop circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種のMOSトランジスタを用いたマスタース
レーブ型フリップフロップは、大きく分けて2つの回路
方式がある。一つは第10図に示すダイナミック型、も
う一つは第11図に示すスタティック型である。
Conventionally, master-slave type flip-flops using this type of MOS transistor can be roughly divided into two circuit systems. One is a dynamic type shown in FIG. 10, and the other is a static type shown in FIG. 11.

ダイナミック型フリップ・フロップは第10図に示すよ
うに、Nチャネル型MO3トランジスタ(以下NMO3
と略す)201反転反転器10および配線容量や入力容
量などの浮遊容量C1によってH(ハイレベル)または
L(ロウレベル)の情報を保持する回路がマスター側、
NMO321、反転増幅器11および浮遊容量C2によ
ってL又はHの情報を保持する回路がスレーブ側である
。ここで情報H,Lは電位の高低によって表わされる。
As shown in FIG. 10, the dynamic flip-flop is an N-channel MO3 transistor (hereinafter referred to as NMO3).
A circuit that holds H (high level) or L (low level) information using the 201 inverter 10 and stray capacitance C1 such as wiring capacitance and input capacitance is on the master side,
A circuit that holds L or H information using the NMO 321, the inverting amplifier 11, and the stray capacitance C2 is on the slave side. Here, the information H and L are expressed by the level of potential.

φl、φ2は逆相のクロック入力で、φ1が高電位の時
はφ2は低電位、φ1が低電位の時はφ2は高電位とな
る。
φl and φ2 are clock inputs of opposite phases; when φ1 is at a high potential, φ2 is at a low potential, and when φ1 is at a low potential, φ2 is at a high potential.

次にダイナミック型フリップフロップの動作を説明する
。今、ノードD、が低電位、D2が高電位で入力Din
に高電位を印加した場合を考える。先ずφlが高電位に
なると、NMO320が導通し、浮遊容量C1を充電し
始め、ノートD。
Next, the operation of the dynamic flip-flop will be explained. Now, node D is at a low potential, D2 is at a high potential, and the input Din
Consider the case where a high potential is applied to First, when φl becomes a high potential, NMO320 becomes conductive and starts charging the stray capacitance C1, which causes Note D.

の電位は接地電位から高電位へと向かう。そして反転増
幅器10によりノードDMは今まで高電位だったのか低
電位へと向かう。この一連の動作においてはφ2が低電
位のためNMO321はしゃ断されており、ノードD2
への影響はない。
The potential of goes from ground potential to high potential. Then, by the inverting amplifier 10, the node DM, which has been at a high potential until now, moves to a low potential. In this series of operations, NMO321 is cut off because φ2 is at a low potential, and node D2
There is no impact on

やがてφ1が低電位になるのとほぼ同時にφ2が高電位
になり、NMO321は導通し、浮遊容量C2に充電さ
れていた電荷はNMO321を通して放電される。そし
て反転増幅器11により出力Doutは最終的に低電位
となる。入力Dinに高電位が印加された時も上記と同
様に考えることができる。
Eventually, almost at the same time as φ1 becomes a low potential, φ2 becomes a high potential, NMO 321 becomes conductive, and the charge stored in stray capacitance C2 is discharged through NMO 321. Then, the output Dout finally becomes a low potential due to the inverting amplifier 11. The same consideration as above can be given when a high potential is applied to the input Din.

ここで注意すべきことは、ダイナミック型は浮遊容量C
1およびC2に充電された電荷によってHまたはLの情
報を保持していることである。
What should be noted here is that the dynamic type has stray capacitance C
1 and C2 hold H or L information.

従って、電荷すなわち情報が消滅しないようにφ1.φ
2をある一定期間ごとに印加して書き替える、いわゆる
リフレッシュが必要となる。
Therefore, φ1. φ
2 is applied every certain period of time to rewrite the data, so-called refresh is required.

リフレッシュが必要なダイナミック型と異なり第11図
に示すスタティック型はNMO328゜29と反転増幅
器15.16を追加し、さらにクロックφl、φ2を図
に示すように入力することにより情報を保持するフィー
ドバックループを形成しているため、定期的なりロック
φ1.φ2の印加がなくとも情報が消滅することがない
のが特徴である。
Unlike the dynamic type that requires refreshing, the static type shown in Figure 11 adds an NMO 328゜29 and an inverting amplifier 15,16, and also has a feedback loop that retains information by inputting clocks φl and φ2 as shown in the figure. φ1. The feature is that information does not disappear even if φ2 is not applied.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来のマスタースレーブ型フリップフロップ回
路は、ダイナミック型では浮遊容量に充電した電荷によ
り情報を保持しているため定期的な再充電(リフレッシ
ュ)をしないと情報が消滅してしまうという欠点がある
。又、スタティック型では、情報の消滅はないが、フィ
ードバックループを形成するために回路が複雑となり規
模も大きくなってしまうという欠点がある。
The above-mentioned conventional master-slave type flip-flop circuit has the drawback that in the dynamic type, information is retained by the charge stored in the stray capacitance, so the information will be lost if it is not periodically recharged (refreshed). . Further, in the static type, although information does not disappear, it has the disadvantage that the circuit becomes complicated and large in size due to the formation of a feedback loop.

本発明の目的は、回路規模を大きくすることなくリフレ
ッシュの必要のない半導体集積回路装置を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device that does not require refreshing without increasing the circuit scale.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の半導体集積回路装置は、論理ゲートと、入力端
子と前記論理ゲートの入力端間に設けられたスイッチ手
段と、ソース・ドレイン路が電源と前記論理ゲートの入
力端間に接続されゲートが前記論理ゲートの出力端に接
続されたMOS)−ランジスタとを有することを特徴と
する。
The semiconductor integrated circuit device of the present invention includes a logic gate, a switch means provided between an input terminal and an input terminal of the logic gate, and a source/drain path connected between a power supply and an input terminal of the logic gate. MOS)-transistor connected to the output terminal of the logic gate.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例のマスタースレーブ型フリッ
プフロップの論理回路図である。20゜21はNMO3
,10,11は反転増幅器、30.31は一方の端を電
源電位VDDに接続したPチャネル型MOSトランジス
タ、C1,C2は浮遊容量、φ1.φ2は互いに逆相の
クロック入力である。第2図は反転増幅器の相補型MO
3トランジスタを用いた具体的回路である。32はPチ
ャネル型MO3)−ランジスタ(以下PMO3と略f)
、22はNMO3で一方が導通している時は1方はしゃ
断しており、直流電源の消費しない回路として近年盛ん
に使用されている。第3図はデル−ジョン型のNMO3
40とNMO323とを使用した具体的回路である。こ
の回路は23のNMO3が導通している時は電源から接
地へ直流電源を消費するため、消費電力を抑える必要の
ある所にはあまり使用されない。
FIG. 1 is a logic circuit diagram of a master-slave type flip-flop according to an embodiment of the present invention. 20°21 is NMO3
, 10, 11 are inverting amplifiers, 30.31 is a P-channel MOS transistor whose one end is connected to the power supply potential VDD, C1, C2 are floating capacitances, φ1. φ2 are clock inputs having mutually opposite phases. Figure 2 shows the complementary MO of an inverting amplifier.
This is a concrete circuit using three transistors. 32 is a P-channel type MO3) transistor (hereinafter referred to as PMO3)
, 22 are NMO3, and when one is conducting, the other is cut off, and has been widely used in recent years as a circuit that does not consume DC power. Figure 3 shows Del-John type NMO3
40 and NMO323. This circuit consumes DC power from the power supply to ground when 23 NMO3 is conductive, so it is not often used in places where it is necessary to suppress power consumption.

第4図を参照しながら本実施例の動作について説明する
。先ず入力Dinが低電位から高電位に向かう場合を考
える。入力Dinが高電位になった後、クロックφ2が
先ず低電位となってNMO321がしゃ断される。これ
はマスター側とスレーブ側の分離を意味する。その後ク
ロックφ1が高電位となると、入力DinからNMOS
 20を通って浮遊容量C1が充電される。そしてノー
ドD1が反転増幅器10の反転電位を越えると、図中の
■に示すように、ノードDMの電位は下がり、やがてP
MOS30は導通する。次に、クロツクφlの電位が下
がり、φ2の電位が上がると、浮遊容量C2に充電され
ていた電荷はNMO321を通って放電し、やがてノー
ドD2の電位が反転増幅器11の反転電位に達すると図
中の■に示すように、出力Dou tの電位は上昇する
と同時にPMO331はしゃ断する。
The operation of this embodiment will be explained with reference to FIG. First, consider the case where the input Din goes from a low potential to a high potential. After the input Din becomes a high potential, the clock φ2 first becomes a low potential and the NMO 321 is cut off. This means separation of the master side and slave side. After that, when the clock φ1 becomes high potential, the input Din is connected to the NMOS
20, the stray capacitance C1 is charged. Then, when the node D1 exceeds the inversion potential of the inverting amplifier 10, the potential of the node DM decreases, and eventually P
MOS30 becomes conductive. Next, when the potential of the clock φl decreases and the potential of φ2 increases, the charges stored in the floating capacitance C2 are discharged through the NMO 321, and when the potential of the node D2 eventually reaches the inverted potential of the inverting amplifier 11, as shown in FIG. As shown in (■) in the middle, the potential of the output Dout rises and at the same time the PMO 331 is cut off.

入力Dinが低電位の時は、クロックφ1が高電位にな
ると図中の■に示すようにノードDMが上がり、PMO
330はしゃ断する。クロックφ1が下がり、φ2が上
がると図中の■に示すように、出力Doutは下がり、
PMO531は導通する。ここでPMOS30.31は
、スイッチであるNMO320または21がしゃ断し、
かつ浮遊容量が充電され高電位になっている時に電源V
DDにつられているなめ、電荷の自然放電がなく、従来
のダイナミック型フリップフロ71時のようなリフレッ
シュは必要なくなる。第4図には従来例においてクロッ
クサイクルTcycが比較的大きな時に数十m5ec〜
数百m5ecに自然放電して電位が変動している様子を
破線で示している。
When the input Din is at a low potential, when the clock φ1 becomes a high potential, the node DM rises as shown by ■ in the figure, and the PMO
330 is cut off. When the clock φ1 decreases and φ2 increases, the output Dout decreases, as shown by ■ in the figure.
PMO 531 becomes conductive. Here, PMOS30.31 is cut off by the switch NMO320 or 21,
And when the stray capacitance is charged and has a high potential, the power supply V
There is no natural discharge of charges connected to the DD, and there is no need for refreshing as in the case of the conventional dynamic flip-flop 71. FIG. 4 shows that in the conventional example, when the clock cycle Tcyc is relatively large, it is several tens of m5ec~
The broken line shows how the potential fluctuates due to spontaneous discharge over several hundred m5ec.

第5図は本発明の第2の実施例を説明するための論理回
路図である。本実施例の第1の実施例との違いは、スイ
ッチ用のMOSトランジスタとして相補型を採用してい
る点である。33.34はPMO3,12,13はクロ
ックφ1.φ2の逆相を作るための反転増幅器である。
FIG. 5 is a logic circuit diagram for explaining a second embodiment of the present invention. The difference between this embodiment and the first embodiment is that complementary type MOS transistors are used as the switch MOS transistors. 33.34, PMO3, 12, 13 are clock φ1. This is an inverting amplifier for creating the opposite phase of φ2.

本実施例では、スイッチに相補型MOSトランジスタを
使っているため、NMO3の時にノードDl、D2の電
位がMOSトランジスタのスレッショルド電位■7分だ
け入力DinまたはノードDMの電位より落ちる、いわ
ゆる−段落ちが生じないという利点がある。この様子を
第6図に示す。
In this embodiment, since complementary MOS transistors are used for the switches, when NMO3 is selected, the potentials of nodes Dl and D2 fall below the potential of input Din or node DM by the threshold potential of the MOS transistor ■7, a so-called -step drop. It has the advantage of not occurring. This situation is shown in FIG.

第7図は本発明の第3の実施例を説明するための論理回
路図である。本実施例は、フリップフロップ回路を初期
状態に設定することが可能なリセット回路を有している
。同図に示すように、50は2人力NAND回路、60
は2人力NOR回路、14はリセット信号R3Tの反転
電位を2人力NOR回路に入力するための反転増幅器で
ある。第8図および第9図はそれぞれ2人力NAND回
路、2人力NOR回路の相補型MO3トランジスタを用
いた具体的回路である。35,36゜37.38はPM
O3,24,25,26,27はNMO3である。
FIG. 7 is a logic circuit diagram for explaining a third embodiment of the present invention. This embodiment has a reset circuit that can set the flip-flop circuit to an initial state. As shown in the figure, 50 is a two-man NAND circuit, 60
14 is a two-man powered NOR circuit, and 14 is an inverting amplifier for inputting the inverted potential of the reset signal R3T to the two-man powered NOR circuit. FIGS. 8 and 9 show specific circuits using complementary MO3 transistors for a two-man powered NAND circuit and a two-man powered NOR circuit, respectively. 35,36°37.38 is PM
O3, 24, 25, 26, 27 are NMO3.

まず、リセット信号R3Tに低電位が入力された場合を
考える。2人力NAND回路50によりノードD1の電
位にかかわらずノードDMは高電位となる。同様にリセ
ット信号R3Tの逆電位が2人力NOR回路60に入力
されているため、ノードD2の電位にかかわらず出力D
outは低電位となる。
First, consider the case where a low potential is input to the reset signal R3T. The two-man power NAND circuit 50 brings the node DM to a high potential regardless of the potential of the node D1. Similarly, since the opposite potential of the reset signal R3T is input to the two-man power NOR circuit 60, the output D
out becomes a low potential.

以上のように、本実施例によれば、入力またはノードの
電位にかかわらずマスター側およびスレーブ側の電位を
強制的に初期状態にすることができるという利点がある
As described above, this embodiment has the advantage that the potentials on the master side and the slave side can be forcibly set to the initial state regardless of the input or node potentials.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、MOS)−ランジスタを
用いたスイッチおよび論理ゲートによって構成された情
報保持回路を縦続に接続したマスタースレーブ型フリッ
プフロップに、ソースか電源電位にゲートが論理ゲート
の出力にトレインが論理ゲートの入力に接続されたMO
Sトランジスタを設けることにより、ダイナミック型フ
リップフロップのようにある一定期間ごとに浮遊容量の
電荷を再充電(リフレッシュ)する必要がなくなる一方
、スタティック型フリップフロップのように多くの素子
を必要としないため、フリップフロップを数十個〜1万
個も使うような大規模半導体集積回路を構成するのに極
めて小面積で実現できるという効果がある。
As explained above, the present invention provides a master-slave type flip-flop in which information holding circuits configured by switches and logic gates using MOS transistors are connected in cascade, and the gate is connected to the source or power supply potential to output the output of the logic gate. MO whose train is connected to the input of the logic gate
By providing an S transistor, there is no need to recharge (refresh) the stray capacitance at regular intervals like in a dynamic flip-flop, and it also does not require as many elements as in a static flip-flop. This has the advantage that large-scale semiconductor integrated circuits using several tens to 10,000 flip-flops can be constructed in an extremely small area.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例を説明するための論理回
路図、第2図は第1図の反転増幅器を相補型MOSトラ
ンジスタで実現した回路図、第3図は反転増幅器をNM
O3のみで実現した回路図、第4図は第1図の動作を説
明するための電位波形図、第5図は本発明の第2の実施
例を示す論理回路図、第6図は第5図で説明するための
電位波形図、第7図は本発明の第3の実施例を示す論理
回路図、第8図、第9図はそれぞれ第7図の2人力NA
ND回路と2人力NOR回路を相補型MOASトランジ
スタで実現した回路図、第10図は従来例を説明するた
めの論理回路図、第11図は従来のスタティック型マス
タースレーブ・フリップフロップの論理回路図である。 10.11,12,13,14,15.16・・・反転
増幅器、20,21,22,23,24゜25.26.
27・・・Nチャネル型MOSトランジスタ、30,3
1,32,33,34,3536.37.38・・・P
チャネル型MO8トランジスタ、40・・・デプレーシ
ョン型Nチャネル型MOSトランジスタ、50・・・2
人力NAND回路、60・・・2人力NOR回路。
Fig. 1 is a logic circuit diagram for explaining the first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram in which the inverting amplifier of Fig. 1 is implemented using complementary MOS transistors, and Fig. 3 is a circuit diagram of the inverting amplifier shown in NM
4 is a potential waveform diagram for explaining the operation of FIG. 1, FIG. 5 is a logic circuit diagram showing the second embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a circuit diagram realized using O3 only. 7 is a logic circuit diagram showing the third embodiment of the present invention, and FIGS. 8 and 9 are two-manual NA of FIG. 7.
A circuit diagram in which an ND circuit and a two-way NOR circuit are realized using complementary MOAS transistors. Figure 10 is a logic circuit diagram for explaining a conventional example. Figure 11 is a logic circuit diagram of a conventional static master-slave flip-flop. It is. 10.11, 12, 13, 14, 15. 16... Inverting amplifier, 20, 21, 22, 23, 24° 25. 26.
27...N-channel type MOS transistor, 30,3
1, 32, 33, 34, 3536.37.38...P
Channel type MO8 transistor, 40...Depletion type N-channel type MOS transistor, 50...2
Human powered NAND circuit, 60...2 human powered NOR circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、論理ゲートと、入力端子と前記論理ゲートの入力端
間に設けられたスイッチ手段と、ソース・ドレイン路が
電源と前記論理ゲートの入力端間に接続されゲートが前
記論理ゲートの出力端に接続されたMOSトランジスタ
とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。 2、前記論理ゲートを制御信号により初期状態に設定す
る手段を有することを特徴とする請求項1記載の半導体
集積回路装置。
[Claims] 1. A logic gate, a switch means provided between an input terminal and an input terminal of the logic gate, a source/drain path connected between a power supply and an input terminal of the logic gate, and a switch means provided between an input terminal and an input terminal of the logic gate; 1. A semiconductor integrated circuit device comprising: a MOS transistor connected to an output end of a logic gate. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, further comprising means for setting the logic gate to an initial state using a control signal.
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