JPH03228232A - 光ピックアップ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は光ピックアップ装置に関する。

（ロ）従来の技術 従来の光ピックアップ装置の光学系の一例を第３図に示
す。図において（１）は半導体レーザ、（２）はコリメ
ートレンズ、（３）はプリズム、（４）は偏光ビームス
プリッタ、（５）は１板、（６）は対物レンズ、（７）
は媒体、（８）はフォーカスエラー及びトラッキングエ
ラー検出用光学系、（９）はフォトディテクタである。

斯かる光ピツクア、ツブ装置に用いられる偏光ビームス
プリッタ（４）は、Ｐ波を透過しＳ波を反射するもので
、半導体レーザ（１）から出射される直線偏光ビームが
偏光ビームスプリッタ（４）に対してＰ波となる様に光
学系が設定されている。従って、半導体レーザ（１）か
らのビームは、偏光ビームスプリッタ（４）を透過する
。一方、媒体（７）からの反射ビームは、１板（５）の
作用により偏光面が９０°だけ回転されるため、ビーム
スプリッタ（４）に対してＳ波となる。このため、斯か
る反射ビームは、ビームスプリッタ（４）によりフォト
ディテクタ（９）側に反射される。

斯かる光とツクナツプ装置を、コンパクトディスク等基
板に複屈折を有さない様な媒体の再生用に用いる場合に
は問題はないが、光カード等の様に基板に複屈折が存在
する媒体を再生する場合には問題−が生じる。つまり、
第３図において、基板（７ａ）に複屈折が存在すると、
ビームが基板（７ａ）を通る間にビームの偏光状態に乱
れが生じる。基板（７ａ）に複屈折が存在しない場合、
１板（５）を通った半導体レーザ（１）からのビームは
円偏光に変換されるが、前述の様に基板（７ａ）に複屈
折が存在すると、媒体（７）からの反射ビームはだ円偏
光となり、このため、このビームは１板（ａ）を通って
も前記Ｓ波の直線偏光とはならない。斯かる場合には、
媒体（７）からの反射ビームは、その一部が偏光ビーム
スブリシタ（４）を透過する様になり、このビームの透
過によって、フォトディテクタ（９）に向かうビームに
ノイズが重畳されてしまう。このため、フォトディテク
タ（９）から出力される電気信号にもノイズが重畳され
てしまう。

（ハ）発明が解決しようとする課題 本発明は、基板に複屈折が存在してもフォトディテクタ
ーからの信号にノイズが重畳されない様な光ピックアッ
プ装置を提供せんとするしのである。

（ニ）課題を解決するための手段 ビームスプリンタとして、Ｓ波及びＰ波に対する反射率
が等しいビームスプリンタを用いる。

（ホ）作　用 図１で示される光学系においてフォトディテクター側へ
ビームスプリンターによって反射されるレーザパワーの
ジョーンズベクトル解析を行う。

半導体レーザからの放射光はＰ波であるとし、ビームス
プリッタ−のＰ波、Ｓ波に対する振幅反射率をそれぞれ
Ｒ７、Ｒ５、振幅透過率Ｔ１、Ｔ５、光デイスク基板等
の複屈折による位相差を２乙複屈折方位をαとするとジ
ョーンズベクトル表示は以下の様になる。

、ｌＥｌ’＝ｌＥｘｌ”ｌＥア１！＝ｌＴｐｌ″ＩＲ，
Ｉ’−ＩＴＰＩ’（ＩＲ。

Ｒｓｌ”）Ｓｉｎ’２ａ’（１−Ｃｏｓ２ｙ）よって１
ＲＰｌ＝ｌＲ８ｌならば上式右辺第２項は０となり Ｅｌ”’１Ｔｐｌ！　１Ｒｐｌ　　　・　・　　（１）
となって複屈折α、γの影響を補正できるピックアップ
が得られる。尚、ジョーンズベクトル解析については、
森北出版発行の「結晶光学ＪＰ１２８に説明されており
、ここではその説明を省略する。

（へ）実施例 以下、本発明の実施例につき図面を用いて説明する。尚
、従来例で用いた第３図と同一部分には同一符号を付し
、説明を省略する。

第１図は第１の実施例の光学系を示す図である。図にお
いて、　（１０）がビームスプリフタで、Ｐ波及びＳ波
に対する反射率が夫々５０％に設定されている。ビーム
スプリッタ（１０）の反射率をこの様に設定することに
より、７オトデノテクター（９）によって受光されるビ
ームの強度を最大にする二とができる。つまり、前記第
１式において、ＴＰｌ＝１−ＩＲＰＩであるから、ビー
ムスプリンタ（１０）によってフォトディテクタ（７）
側に反射されるビームの強度ｌＥｉは Ｅｌ＝（１−ｌＲｐｌ）ｌＲｐ：”＝−（ｌＲｐニー０
．５）”（１，２５・・（２）となり、Ｐ波に対する反
射率（＝Ｓ波に対する反射率）が５０％のとき１Ｅ］が
最大となり、このときのビーム強度ＩＥＩは、半導体レ
ーザ（１）から出射されるビーム強度の２５％となる。

斯かるビームスプリッタ（１０）の反射率は、必要に応
じて種々変更すれば良い。上記の如く、フォトディテク
ター（９）上におけるビーム強度の点からすると、ビー
ムスプリンタ（１０）のＰ波、Ｓ波に対する反射率を５
０％にすると良いが、記録用ビームの強度を考えて媒体
上のビーム強度を大きくしようとすると、斯かる反射率
は小さい方が良い。ビームスプリッタの反射率は、これ
らを考慮して決定すれば良い。

ところで、上記実施例では、媒体からの反射ビームの一
部がビームスプリッタ（］０）を通って半導体レーザ（
１）に戻ってしまう。斯かる戻り光は、半導体レーザ（
１）からの出射ビームと干渉し、この出射ビームを不安
定にならしめる。第２図は斯かる不都合を解消する第２
の実施例を示すものである。本実施例は先の実施例に比
べて、ファラデー回転素子（１１）及び偏光子（１２）
を配した点において相違している。ここで、偏光子（１
２）はビームスアリツタ（１０）のＰ波相当の線温光ビ
ームを透過する様に設定されている。又、ファラデー回
転素子（１１）は、ビーム偏光面を半導体レーザ（１）
側から見て時計方向に４５°だけ回転させる。半導体レ
ーザ（１）から出射される直線偏光ビームの偏光面は、
ビームスプリッタ（１０）のＰ波に対して反時計方向に
４５°回転している。

半導体レーザ（１）からのビームは、ファラデー回転素
子によって時計方向に４５°回転され、ビームスプリッ
タ（川）のＰ波相当の偏光面に一致せしめられる。斯か
るビームは偏光子（］２）を透過した後、ビームスプリ
ッタ（１０）に入射される。該ビームの内、その一部は
ビームスプリ・ｌ夕（１０）を透過し、然る後対物レン
ズ（６）によって媒体上に収束される。媒体（７）から
の反射ビームは、入射時と同様の光路を逆行してビーム
スプリシタ（１０）に入射され、その一部がフォトディ
テクター（９）側に反射される。前記媒体（７）からの
反射ビームの内、ビームスプリッタ（１０）を透過した
ビームは、偏光子（１２）を通ることによってノイズ成
分がカットされる。然る後このビームは、ファラデー回
転素子（１１）によって、半導体レーザ（１）から見て
時計方向に４５°だけ偏光面が回転された後、半導体レ
ーザ（１）に戻る。

斯かる戻り光と、半導体レーザ（１）からの出射ビーム
とを比較すると、両ビームの偏光面は互いに直交してい
る。つまり、半導体レーザ（１）からの出射ビームが媒
体に反射された後半導体レーザ（１）に戻るまでにファ
ラデー回転素子（１１）を２回通り、この際ビームの偏
光面が４５°ずつ同一方向に回転されるため、半導体レ
ーザ（１ビ＼の戻り光の偏光面は出射ビームの偏光面に
対して９０゜だけ回転される。この様に、出射ビームと
戻り光の偏光面が直交している場合には両ビーム間に干
渉は生じない。従って、本実施例では、戻り光による出
射ビームの乱れは生じない。

以上、本発明の２つの実施例について説明したが、本発
明はこれら実施例に限定されず、必要に応じて構成を変
更できることは言うまでもない。

（ト）発明の効果 以上、本発明に依れば、媒体の基板等に複屈折が存在し
ていても、全く支障なく媒体のデータ再生を行うことが
できる光ピツクアンプ装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す図、第２図は第２
の実施例を示す図、第３図は従来例を示す図である。 （１）・・・半導体レーザ、（９）・・・フォトディテ
クタ、（］　Ｉ）　）・・・ビームスプリンタ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザ光源から媒体への光路中に配され、且つ媒
   体から同一光路を通って入射される反射ビームをフォト
   ディテクタへと導くビームスプリッタを有する光ピック
   アップ装置において、前記ビームスプリッタを、Ｐ偏光
   及びＳ偏光に対する反射率が略等しいものとしたことを
   特徴とする光ピックアップ装置。