JPH0320016A - ホットプレート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置製造工程のレジスト膜の加熱工程
にかいてレジストの気化戒分による発塵を防止し、極め
て清浄度の高いレジスト膜の加熱装置を実現するホット
プレートに関するものである。

従来の技術 半導体装置製造工程におけるレジスト膜の加熱は、半導
体基板上に塗布したレジスト膜の溶剤を除去する目的と
、半導体基板上に形戒されたレジストハターンを硬化さ
せる目的でおこなわれている。加熱方法は、ホットプレ
ートの上で半導体基板と供に加熱するのが一般的である
。レジスト膜を加熱するとレジストの樹脂或分および感
光剤１たはそれらの分解生戒物が気化する。従来のホッ
トプレートの覆いは、簡単な箱形であるため気化或分が
壁面で急冷され塵となって壁面に付着し排気を行っても
充分に除去されない。このため工程上の発塵源となる。

発明が解決しよりとする課題 本発明は、上記のレジスト膜を加熱した場合に発生する
レジストの気化或分による発謳を防止しよりとするもの
であり、極めて清浄度の高いレジスト膜の加熱装置を提
供するものである。

課題を解決するための手段 気化或分による発塵を防止するためには気化成分を速や
かに排気して覆いの壁面に接触させない必要が有る。本
発明では、ホットプレート上に断面形状が円弧状の覆い
を円弧が下側に凹になるよりに設置して円弧の最頂部よ
υ円弧の内側の両接線方向に気体を注入し、円弧の両端
よりこれを排気する構造を有しているため有効に発塵を
防止できる。

作　　用 円弧の最頂部より円弧の内側の両接線方向に注入した気
体の多くは、円弧の内壁に沿って流れ円弧の両端より排
気されるため円弧状の内壁面に対して有効な流体シール
ドとなシ気化戒分が直接に内壁面と接触できず内壁面に
塵の付着は生じない。

１た気体の流れは、ホットプレートと円弧の間に循環流
を形戊するため有効に気化或分が排気される。本発明の
特徴は、覆いが円弧状であるために注入した気体が乱流
を生じにくい。

実施例 本発明の詳細を実施例をもって説明する。

第１図に本発明によるホットプレートの概略断面図を示
す。１は断面が円弧状の覆いで円弧の半径は１６０ｍで
ある。２は窒素の注入口であう毎分１２の窒素を供給す
る。３は排気口であう大気圧に対して５０ＩＩＩＩＨ２
０の減圧状態にある。４はホットプレートであυ２ｏＯ
Ｉｍｌ＋角の平面である。ホットプレートは、１６０℃
に加熱されている。６はレジヌトを塗布した半導体基板
であシノボラック樹脂系のホトレジストを塗布してある
。

２の注入口より発した窒素の多くは、１０円弧状の件蚤
扶寺断面を有する覆いの内壁に沿って流れ３の両端の排
気口より排気される。覆いの断面が円弧であるために窒
素の流れは、乱流を生じにくくスムーズに排気される。

４のホットプレートによって加熱された６のレジストを
塗布した半導体基板からはレジストの気化戒分が発生し
窒素の流れに乗って３の両排気口より排気される。窒素
の流れは、１の覆いに対して有効な流体シールドとなる
ため覆いの壁面に気化成分が直接に接触しないため壁面
に気化或分が凝縮して付着することがない。このため発
塵を大幅に低減させることができる。

以上、本発明を実施例をもとに詳細に説明したが、円弧
断面の覆いとホットプレートの寸法は、流体シールドが
安定して形戒できる範囲において自由であυ、覆いの円
弧断面も真円の円弧である必要はない。

発明の効果 以上、本発明によると、パターンの微細化が進み高集積
超ＬＳＩの製造工程におけるレジスト膜加熱用のホット
プレートとして低発塵を実現するものであシ工業的価値
が高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のホットプレートの概略断面
図である。 １・・・・・・円弧状断面を有する覆い、２・・・・・
・窒素の注入口、３・・・・・・排気口、４・・・・・
・ホットプレート、６・・・・・・レジストを塗布した
半導体基板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）覆いの断面形状が円弧状であり、円弧が下側に凹
   面形であることを特徴とするホットプレート。
2. （２）円弧状の覆いの最頂部より円弧の内側の両接線方
   向に気体を注入し、円弧の両端より排気することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項に記載のホットプレート。