JPH03154668A - Method and apparatus for forming organic membrane - Google Patents

Method and apparatus for forming organic membrane

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JPH03154668A
JPH03154668A JP29333089A JP29333089A JPH03154668A JP H03154668 A JPH03154668 A JP H03154668A JP 29333089 A JP29333089 A JP 29333089A JP 29333089 A JP29333089 A JP 29333089A JP H03154668 A JPH03154668 A JP H03154668A
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solvent
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organic
particles
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Abstract

PURPOSE:To form an org. membrane used as a photoresist or a color film having a uniform surface by accumulating fine droplets containing org. matter on a substrate and volatilizing the solvent contained in the fine droplets to form a build-up membrance. CONSTITUTION:Fine particles 20 of org. matter and the solvent of the fine particles 20 are bonded in a container 30 to form fine droplets 20c containing the org. matter. The fine droplets 20c are accumulated on a substrate 1 and the solvent contained in the fine droplets 20c is volatilized to form a build-up membrane. As a result, an org. membrane having no coating irregularity or thickness irregularity and used as a photoresist or a color film having a uniform surface can be formed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体デバイス、液晶デイスプレィなどを製
造する際、基板上にフォトレジストやカラーフィルタな
どとして用いられる有機薄膜を形成する方法および該有
機薄膜の形成装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for forming an organic thin film used as a photoresist or a color filter on a substrate when manufacturing semiconductor devices, liquid crystal displays, etc. The present invention relates to a thin film forming apparatus.

C従来の技術・発明が解決しようとする課題〕半導体デ
バイス、液晶デイスプレィなどの製造プロセスにおいて
は、シリコン、ガリウム・ヒ素、ガラスなどからなる基
板上に複数回のフォトリソグラフィ工程を含む多数の工
程を経て、トランジスタや配線、その他の素子が作りこ
まれていく。
C. Prior Art/Problems to be Solved by the Invention] In the manufacturing process of semiconductor devices, liquid crystal displays, etc., many steps including multiple photolithography steps are performed on a substrate made of silicon, gallium arsenide, glass, etc. Over time, transistors, wiring, and other elements were built in.

これらの素子形成過程において、基板上には様々な凹凸
形状ができてくるが、この過程中のフォトリソグツイエ
程においては、これらの凹凸に起因して以下に詳述する
ような不都合が発生することがある。
In the process of forming these elements, various uneven shapes are created on the substrate, and in the photolithography process during this process, these unevenness cause problems as detailed below. Sometimes.

たとえば、従来の半導体デバイスの製造プロセスにおけ
るフォトリングラフィ工程においては、多くのばあいス
ピン塗布法により基板上にフォトレジストなどの有機薄
膜を形成し、これに紫外光などを用いて所望のパターン
を転写し、現像処理によりレジストパターンをえている
。第9図はスピン塗布法を用いた従来の有機薄膜の形成
装置を模式的に示す概略断面図であり、図中、(1)は
基板、(2)は基板(1)を真空吸着などの方法により
その上面で保持するチャックであり、内部には真空導入
路、上部には吸着口が形成されている(図示省略)。
For example, in the photolithography process in the conventional semiconductor device manufacturing process, in many cases, an organic thin film such as photoresist is formed on a substrate using a spin coating method, and a desired pattern is applied to this using ultraviolet light or the like. A resist pattern is obtained by transferring and developing. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view schematically showing a conventional organic thin film forming apparatus using the spin coating method. It is a chuck that is held on its upper surface by a method, and has a vacuum introduction path inside and a suction port formed at the top (not shown).

チャック(2)はスピンドル(3)を介してモータ(4
)に接続されており、モータ(4)を回転させることに
より基板(1)が回転する。基板(1)の上部にはノズ
ル(5)が配置されており、ノズル(5)はフォトレジ
ストなどの塗布溶液の保管容器と接続されている(図示
省略)。また、基板(1)およびチャック(2の周囲を
取り囲むようにレジストカップ(6)が配置されており
、その上部には開口部(6a)が形成され、底部にはド
レイン(6b)が設けられている。
The chuck (2) is connected to the motor (4) via the spindle (3).
), and by rotating the motor (4), the substrate (1) is rotated. A nozzle (5) is arranged above the substrate (1), and the nozzle (5) is connected to a storage container for a coating solution such as photoresist (not shown). Further, a resist cup (6) is arranged to surround the substrate (1) and the chuck (2), and an opening (6a) is formed in the upper part of the resist cup (6), and a drain (6b) is provided in the bottom part. ing.

前記スピン塗布法においては、まず第10a図に示すよ
うに、チャック(2)上に保持された基板(1)上に、
ノズル(5)よりフォトレジストなどの塗布溶液(7)
が所要量滴下される。続いて、第10b図に示すように
、モータ(4)(図示省略)を回転させることにより、
スピンドル(3)およびチャック(2)を介して基板(
1)を水平面内で回転させ、この際発生する遠心力によ
り基板(1)上の塗布溶液(7)を中心部から周辺部に
広げる。このとき、余分な塗布溶液(7a)は基板(1
)外へ振り飛ばされ、レジストカップ(6)内に回収さ
れ、ドレイン(6b)より排出される。さらに回転を継
続することにより基板(1)上の塗布溶液(7)中の溶
媒は揮発し、最終的にフォトレジストなどの薄膜(7b
)かえられる(第10c図)。
In the spin coating method, first, as shown in FIG. 10a, a coating is applied onto the substrate (1) held on the chuck (2).
Coating solution (7) such as photoresist from nozzle (5)
is dripped in the required amount. Subsequently, as shown in FIG. 10b, by rotating the motor (4) (not shown),
The substrate (
1) is rotated in a horizontal plane, and the centrifugal force generated at this time spreads the coating solution (7) on the substrate (1) from the center to the periphery. At this time, the excess coating solution (7a) is removed from the substrate (1).
) is blown away, collected into the resist cup (6), and discharged from the drain (6b). By further continuing the rotation, the solvent in the coating solution (7) on the substrate (1) evaporates, and finally a thin film (7b) of photoresist etc.
) hatched (Figure 10c).

また、カラーイメージセンサ、液晶カラーデイスプレィ
などの製造プロセスにおいて、シリコンやガラスなどの
基板上にオンチップ型またはオンウェハ型カラーフィル
タを形成する工程においても、フィルタ材料の薄膜を基
板上に形成する際に前記のようなスピン塗布法が採用さ
れている。
In addition, in the manufacturing process of color image sensors, liquid crystal color displays, etc., in the process of forming on-chip type or on-wafer type color filters on substrates such as silicon or glass, when forming a thin film of filter material on the substrate. The above-mentioned spin coating method is used for this purpose.

従来の有機薄膜の形成方法は以上のように構成されてい
るので、基板(1)の回転により発生する遠心力により
基板(1)上の塗布溶液(7)が基板(1)の中央部か
ら周辺部へ流動する過程で、第11図に示すように基板
(1)表面の凹凸に起因する放射状の膜厚ムラを発生し
やすいという問題点がある。
Since the conventional organic thin film forming method is configured as described above, the coating solution (7) on the substrate (1) is dispersed from the center of the substrate (1) by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate (1). In the process of flowing to the periphery, there is a problem in that radial film thickness unevenness is likely to occur due to unevenness on the surface of the substrate (1), as shown in FIG.

第11図は、半導体デバイスの製造プロセスにおいて比
較的大きな凹凸形状が形成された基板(1)に、塗布溶
液をスピン塗布した結果を模式的に表わす平面図であり
、図中、00)は1個の半導体デバイスに対応する複数
のチップ、01)はこれらチップQO1間の分離のため
のスクライブラインである。多くのばあい、スクライブ
ライン01)はチップ001部分よりも高さが1〜5遍
程度低く、50〜100−程度の幅の段差を有している
。このような凹凸を有する基板(1)上に第9図に示す
ような従来のスピン式の薄膜形成装置により液体状ない
しはペースト状の塗布溶液をスピン塗布すると、第11
図に示すように、基板(1)上の凹凸部分で塗布溶液の
流動が乱れるため、放射状の塗布ムラすなわち膜厚ムラ
(+21が発生する。また、このような放射状のムラ0
2)は、段差の高さが10分の数ミクロンから数ミクロ
ンのオーダーの比較的小さな段差であっても現われるこ
とがある。
FIG. 11 is a plan view schematically showing the result of spin coating a coating solution on a substrate (1) on which a relatively large uneven shape is formed in the manufacturing process of a semiconductor device, and in the figure, 00) is 1 A plurality of chips 01) corresponding to each semiconductor device are scribe lines for isolation between these chips QO1. In many cases, the scribe line 01) is about 1 to 5 times lower in height than the chip 001 portion, and has a step with a width of about 50 to 100 degrees. When a liquid or paste coating solution is spin-coated onto a substrate (1) having such unevenness using a conventional spin-type thin film forming apparatus as shown in FIG.
As shown in the figure, since the flow of the coating solution is disturbed by the uneven parts on the substrate (1), radial coating unevenness, that is, film thickness unevenness (+21) occurs.
2) may appear even if the height of the step is relatively small, on the order of several tenths of a micron to several microns.

前記のような塗布ムラは、フォトレジスト膜のばあい、
それを利用したエツチングなどにより形成されるパター
ンの寸法制御性を低下させるという問題を生じ、ときと
してパターン配線の断線やショートの原因にもなる。ま
た、カラーイメージセンサのオンチップ型カラーフィル
タや液晶カラーデイスプレィのオンウェハ型カラーフィ
ルタにおいては、このような塗布ムラによりフィルタ膜
が不均一になり、その分光感度特性がばらついたり不均
一になるなどの問題が生じる。
The above-mentioned uneven coating is caused by photoresist film,
This poses a problem of reducing the dimensional controllability of patterns formed by etching or the like using this, and sometimes causes disconnections or short circuits in pattern wiring. In addition, in on-chip color filters for color image sensors and on-wafer color filters for liquid crystal color displays, such coating unevenness causes the filter film to become uneven, resulting in variations in spectral sensitivity characteristics and non-uniformity. The problem arises.

さらに、スピン塗布法では、第12a−c図に示すよう
に基板(1)表面の凹凸によりフォトレジスト膜の表面
が平坦にならず、波状にうねった形になるという問題点
がある。
Furthermore, the spin coating method has a problem in that the surface of the photoresist film is not flat due to the unevenness of the surface of the substrate (1), as shown in FIGS. 12a-c, and has a wavy shape.

第12a−c図は、表面に3種類の異なる凹凸形状を有
する基板(1)上に、フォトレジスト液を塗布してえら
れたフォトレジスト膜(8)の表面形状を模式的に示す
断面図である。
12a-c are cross-sectional views schematically showing the surface shape of a photoresist film (8) obtained by applying a photoresist solution onto a substrate (1) having three different types of uneven shapes on the surface. It is.

第12a図に示す基板(1)の表面には、たとえばフォ
トリソグラフィ工程の露光工程で利用される位置合わせ
用の凹凸パターンにが形成されているが、この凹凸パタ
ーン03上のフォトレジスト膜(8)の表面は平坦には
ならず波状にうねった形となる。また、このうねりの形
状(8a)は、フォトレジスト液の流動の影響により左
右非対称の形状となり、下のパターンにの凹凸形状に比
べて左右対称とはならない。したがって、レーザービー
ムなどによりこの凹凸パターン(13)を検出して露光
パターンの位置合わせを行なうばあい、このフォトレジ
スト膜(8)の形状の非対称性により検出信号にズレを
生じ、位置合わせ精度が低下するという問題点が生じる
The surface of the substrate (1) shown in FIG. ) is not flat but has a wavy shape. Further, the shape of the undulations (8a) is asymmetrical due to the influence of the flow of the photoresist liquid, and is not as symmetrical as compared to the uneven shape of the underlying pattern. Therefore, when aligning the exposure pattern by detecting the uneven pattern (13) with a laser beam or the like, the asymmetry of the shape of the photoresist film (8) causes a deviation in the detection signal, which impairs the alignment accuracy. The problem arises that the amount of energy decreases.

また、第12bおよびC図に示されるように、基板(1
)の表面に1個の凸部041や凹部旧を有するような単
純なパターンであっても、この非対称性により、うねり
の凸部や四部の中心にズレ(14a、 15a)が生じ
、その凸部04)や凹部四の左右でのフォトレジスト膜
(8)の膜厚に差異を生じ、寸法制御性を低下させると
いう問題がある。
Also, as shown in Figures 12b and 12c, the substrate (1
) Even if the pattern is as simple as one convex part 041 or concave part 041 on the surface of the undulation, due to this asymmetry, the center of the convex part or four parts of the undulation (14a, 15a) will be misaligned, and the convex part There is a problem in that there is a difference in the thickness of the photoresist film (8) on the left and right sides of the portion 04) and the recessed portion 4, which reduces dimensional controllability.

同様の問題がカラーイメージセンサのオンチップ型カラ
ーフィルムでも生じている。
Similar problems occur with on-chip color films for color image sensors.

本発明は前記のような不都合、問題点を解消するために
なされたものであり、塗布ムラや膜厚ムラがなく、均一
な表面を有するフォトレジストやカラーフィルタなどと
して用いられる有機薄膜の形成方法および該有機薄膜の
形成装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages and problems, and provides a method for forming an organic thin film used as a photoresist, color filter, etc., which has a uniform surface without uneven coating or film thickness. The present invention also aims to provide an apparatus for forming the organic thin film.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は、 有機物の微粒子と該微粒子の溶媒とを容器内で結合させ
て有機物を含む微滴を形成し、該微滴を基板上に堆積さ
せ、微滴に含まれまていた溶媒を揮発させて堆積膜を形
成することを特徴とする有機薄膜の形成方法および 有機物の微粒子と該微粒子の溶媒とが結合する空間を取
り囲むチャンバに、有機物の微粒子の導入口ならびに溶
媒のガスおよび(または)ミストの導入口が設けられ、
さらに該チャンバ内に基板を保持するチャックが備えら
れた有機薄膜の形成装置 に関する。
The present invention involves combining fine organic particles and a solvent for the fine particles in a container to form fine droplets containing the organic substance, depositing the fine droplets on a substrate, and volatilizing the solvent contained in the fine droplets. A method for forming an organic thin film is characterized in that a chamber surrounding a space in which the organic particles and the solvent of the particles are combined is provided with an inlet for the organic particles and a solvent gas and/or A mist inlet is provided,
The present invention further relates to an organic thin film forming apparatus including a chuck for holding a substrate within the chamber.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の有機薄膜の形成方法において、有機物
を含む微滴が形成されるようすを示す説明図であり、図
中、(1)は基板、■は基板(1)上に成膜される有機
物の微粒子、(20a)は溶媒に溶解しはじめた状態に
ある有機物の微粒子、(20b)はさらに溶媒にとけ半
溶解状態にある有機物の微粒子、(20c)は微粒子囚
が溶媒に溶解して均一な溶液状態となった状態にある有
機物を含む微滴、のの斜線部は溶媒雰囲気に満たされた
空間を示す。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing how microdroplets containing organic matter are formed in the method for forming an organic thin film of the present invention. In the figure, (1) is a substrate, and (20a) is a fine organic particle that has begun to dissolve in a solvent, (20b) is a fine organic particle that has further dissolved in a solvent and is in a semi-dissolved state, (20c) is a fine particle of an organic substance that is dissolved in a solvent. The diagonally shaded area of the microdroplet containing the organic substance in a uniform solution state indicates a space filled with a solvent atmosphere.

本発明の方法においては、成膜しようとする有機物の微
粒子囚とこれを溶解する溶媒とを容器内で結合させ、有
機物を含む微1(20a〜20c)を形成させる。
In the method of the present invention, fine particles of an organic substance to be formed into a film are combined with a solvent for dissolving them in a container to form particles 1 (20a to 20c) containing organic substances.

前記有機物は溶媒に溶解させうるものである限りとくに
限定はないが、その具体例としては、たとえばフォトレ
ジスト材料や、透明樹脂、ゼラチン、カゼインなどのカ
ラーフィルタ材料となる有機物があげられる。有機物の
微粒子の粒径は、0.1〜lO−程度が好ましく、さら
には0.05〜0.5虜程度に超微粒化したものが好ま
しい。該粒径が0.1 am未満では個々の微粒子が互
いに結合して凝集物を形成し、実質的に粒径が大きくな
る傾向があり、lO虜をこえると通常半導体プロセスで
用いられる10−程度以下の膜厚の薄膜の均一性がえに
くくなる傾向がある。
The organic substance is not particularly limited as long as it can be dissolved in a solvent, but specific examples include organic substances that can be used as color filter materials such as photoresist materials, transparent resins, gelatin, and casein. The particle size of the organic particles is preferably about 0.1 to 1O-, and more preferably ultrafine to about 0.05 to 0.5O. When the particle size is less than 0.1 am, the individual fine particles combine with each other to form aggregates, and the particle size tends to become substantially large. There is a tendency that it becomes difficult to maintain the uniformity of a thin film having a thickness below.

前記溶媒は、成膜しようとする有機物、成膜条件などに
応じて適宜選択しうるが、その具体例としては、たとえ
ばエチルセロソルブアセテート、キシレンなどの有機溶
媒や、水溶性の有機物のばあいには水などがあげられる
The solvent can be appropriately selected depending on the organic substance to be formed into a film, the film forming conditions, etc., and specific examples include organic solvents such as ethyl cellosolve acetate and xylene, and in the case of water-soluble organic substances. Water, etc. can be given.

前記有機物の微粒子と溶媒との結合は、たとえばチャン
バー状容器内の一部(第1図の斜線部分)に溶媒がガス
やミストの状態で満たされた溶媒雰囲気空間のを形成し
、この溶媒雰囲気空間のに乾燥空気、チッ素ガスなどの
キャリアガス中に分散、浮遊させた有機物の微粒子のを
導入し、微粒子頭を重力などの外力の作用により下方へ
落下させ、溶媒雰囲気空間nを通過させる方法が好まし
い。
The bonding between the organic particles and the solvent creates, for example, a solvent atmosphere space in which a part of the chamber-like container (the shaded area in Figure 1) is filled with the solvent in the form of gas or mist. Microparticles of organic matter dispersed and suspended in a carrier gas such as dry air or nitrogen gas are introduced into the space, and the microparticle heads are caused to fall downward under the action of an external force such as gravity and pass through the solvent atmosphere space n. The method is preferred.

前記溶媒雰囲気空間は、この空間内を有機物の微粒子■
が通過する際に充分溶媒を吸着するための時間を確保し
つる大きさが必要であり、−船釣には30cm〜1m程
度の高さが望ましい。また、水平方向の広さは基板(1
)の幅または直径の1.5〜5倍程度の大きさが望まし
い。また、溶媒濃度はほぼ飽和(100%)から809
6程度までが適当である。
The solvent atmosphere space is filled with organic matter particles.
The height of the rope must be large enough to allow enough time for the solvent to adsorb the solvent as it passes through, and - for boat fishing, a height of about 30 cm to 1 m is desirable. Also, the width in the horizontal direction is the substrate (1
) is preferably about 1.5 to 5 times the width or diameter. In addition, the solvent concentration ranges from almost saturation (100%) to 809%.
Up to about 6 is appropriate.

この微粒子頭を溶媒雰囲気空間のを通過させる過程で、
微粒子■に溶媒ガスが吸着したり、溶媒ミストが付着し
たりすることにより、微粒子■は溶媒に溶解し始めた状
態の粒子(20a)から半溶解状態の粒子(20b)を
経て、完全に溶解した微滴(20c)となる。
In the process of passing this particle head through the solvent atmosphere space,
By adsorbing solvent gas or adhering solvent mist to the fine particles (■), the fine particles (■) change from particles (20a) that have begun to dissolve in the solvent, to particles (20b) that are semi-dissolved, and then completely dissolve. This results in fine droplets (20c).

つぎに、微滴(20c)は基板(1)上に堆積し、微滴
(20c)に含まれていた溶媒が揮発することにより目
的とする有機薄膜が形成される。
Next, the microdrops (20c) are deposited on the substrate (1), and the solvent contained in the microdrops (20c) evaporates to form the desired organic thin film.

基板(1)に微滴(20c)を堆積させるには、基板(
1)を溶媒雰囲気空間■の重力方向下方に配置すればよ
い。この際、膜厚の均一性をさらに高めるため、基板(
1)を回転させてもよい。
To deposit the droplet (20c) on the substrate (1), the substrate (
1) may be placed below the solvent atmosphere space (2) in the direction of gravity. At this time, in order to further improve the uniformity of the film thickness, the substrate (
1) may be rotated.

該微滴は、基板上に堆積される際には微滴同士が相互に
接触し、さらにこの接触部より結合が始まることが必要
である。また結合し、一体化した結合微滴(20d)が
均一な組成を持つためには、有機物が完全に溶解した微
滴(20c)であるのが好ましいが、一部が溶媒に溶解
し始めた状態の粒子(20a)や半溶解状態の粒子(2
0a)であってもよい。
When the fine droplets are deposited on the substrate, it is necessary that the fine droplets come into contact with each other and that bonding begins from this contact area. In addition, in order for the combined microdroplets (20d) that are combined and integrated to have a uniform composition, it is preferable that the organic matter is completely dissolved in the microdroplets (20c), but some of the organic matter has begun to dissolve in the solvent. Particles in a state (20a) and particles in a semi-dissolved state (20a)
0a).

該微滴の大きさおよび濃度は、前記微粒子の粒径、溶媒
雰囲気空間の溶媒濃度および溶媒雰囲気空間やチャンバ
の高さなどにより制御しうるが、微滴の大きさは成膜す
る薄膜の均一性、表面平坦性を高めるため、所望の膜厚
の1/10〜!/100程度の粒径となるよう制御する
のが望ましい。
The size and concentration of the fine droplets can be controlled by the particle size of the fine particles, the solvent concentration in the solvent atmosphere space, the height of the solvent atmosphere space and the chamber, etc., but the size of the fine droplets depends on the uniformity of the thin film to be formed. 1/10 of the desired film thickness to improve surface smoothness and surface flatness! It is desirable to control the particle size to about /100.

基板(1)上に堆積した微1(20c)は、第2a −
c図に示すように、基板(1)の表面を濡らすとともに
隣りあった微滴(20c)と接触、結合し、結合微滴(
20d)を形成する。そして微滴(20c)および結合
微滴(20d)は時間の経過とともに結合、一体化し、
その表面張力により表面は平坦化し薄膜−を形成する。
The fine 1 (20c) deposited on the substrate (1) is the second a-
As shown in Figure c, the surface of the substrate (1) is wetted, and the adjacent droplets (20c) come into contact with and combine with each other, forming bonded droplets (20c).
20d) is formed. Then, the microdroplet (20c) and the combined microdroplet (20d) combine and integrate over time,
The surface tension flattens the surface and forms a thin film.

前記溶媒を揮発させる方法にとくに限定はなく、たとえ
ば第2c図に示すように薄膜刀を形成したのち50〜2
00℃程度のベーク処理をすることにより溶媒を揮発さ
せることができる。
There is no particular limitation on the method of volatilizing the solvent. For example, as shown in FIG. 2c, after forming a thin film,
The solvent can be volatilized by baking at about 00°C.

前記の例では第2a−c図に示した状態すなわち、基板
(1)上に微1(20c)が堆積し、これらが結合し、
薄膜(2ツを形成していく過程を主としてこれら微滴の
表面エネルギーによる結合力に依存しているが、第3図
に示すように、たとえば基板(1)の下方より30〜1
00℃程度に加熱することによりこれら微滴の結合力を
高め、薄膜(2v状態への変化を促進してもよい。また
、溶媒の揮発により薄膜(2′D近傍の溶媒濃度が高ま
り、薄膜C21+中からの揮発速度が低下するが、第4
図に示すように、この領域を排気して揮発速度を高めて
もよい。さらに、前記ベータ処理、基板の加熱、排気な
どの方法を適宜併用してもよい。
In the above example, the state shown in FIGS. 2a-c, that is, the particles 1 (20c) are deposited on the substrate (1), and these are combined,
The process of forming a thin film mainly depends on the bonding force due to the surface energy of these fine droplets.
By heating to about 00°C, the bonding force of these microdroplets may be increased and the change to the thin film (2V state) may be promoted. In addition, the solvent concentration in the vicinity of 2'D increases as the solvent evaporates, forming a thin film. The rate of volatilization from C21+ decreases, but the fourth
As shown, this region may be evacuated to increase the rate of volatilization. Furthermore, methods such as the beta treatment, substrate heating, and exhaust may be used in combination as appropriate.

以上のごとき本発明の方法により、膜厚ムラなどのない
均一な、厚さ0.5〜50虜程度のフォトレジスト、カ
ラーフィルタなどとして有用な有機薄膜をうろことがで
きる。
By the method of the present invention as described above, it is possible to produce a uniform organic thin film with a thickness of about 0.5 to 50 mm, which is useful as a photoresist, a color filter, etc., without any unevenness in film thickness.

つぎに、′本発明の有機薄膜の形成装置の例を、第5〜
8図を用いて説明する。
Next, examples of the organic thin film forming apparatus of the present invention will be described in Sections 5 to 5.
This will be explained using Figure 8.

第5図は有機薄膜の形成装置の一実施例を示す概略断面
図であり、(1)は基板、(aは真空吸着などの方法で
基板(1)を保持するチャック、■は基板(1)の上方
に配置されたチャンバであり、はぼ円筒形をしており・
、その上部には円錐状部分を介して倚機物の微粒子導入
口(31)が設けられている。また、チャンバ■の側部
には溶媒導入口(32)が設けられている。チャンバの
容積は通常6インチシリコンウェハ上への成膜用では2
0〜100g程度、高さは通常0.5〜2rA程度であ
る。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of an organic thin film forming apparatus, in which (1) is a substrate, (a is a chuck that holds the substrate (1) by a method such as vacuum suction, and ■ is a substrate (1). ) is a cylindrical chamber located above the
A particulate inlet (31) of the chewing device is provided at the upper part thereof through a conical portion. Further, a solvent inlet (32) is provided on the side of the chamber (2). The chamber volume is typically 2 for deposition on 6-inch silicon wafers.
The weight is usually about 0 to 100 g, and the height is usually about 0.5 to 2 rA.

また、薄膜の膜厚均一性を向上させる目的で、微滴の堆
積中に基板(1)を回転させるための装置を設けてもよ
い。
Further, for the purpose of improving the uniformity of the thickness of the thin film, a device may be provided for rotating the substrate (1) during deposition of the microdroplets.

以上のような構成の装置では、先に説明したとおり、乾
燥空気などのキャリアガスにのってフォトレジストなど
の有機物の微粒子囚が、微粒子導入口(31)より送り
込まれてくる。チャンバ■内には溶媒導入口(32)よ
り、微粒子■を溶解する溶媒ガスまたは溶媒ミストが送
り込まれており、溶媒雰囲気空間のを形成している。な
お、チャンバ内の斜線部分は溶媒雰囲気空間の高濃度の
部分を摸成約に示すものである(第6〜8図においても
同様である)。チャンバ国上部の微粒子■は微小である
ため浮遊しているが、重力の作用により次第に落下し、
溶媒雰囲気空間のにおいて溶媒と結合し、微滴(20c
)を生成し、さらに落下し、下部の基板(1)上に堆積
される。これらの空間はチャンバ■により外界と遮蔽さ
れており、外部の気流の影響による乱れを防止している
In the apparatus configured as described above, as described above, particulate particles of organic matter such as photoresist are sent through the particulate inlet (31) on a carrier gas such as dry air. A solvent gas or solvent mist that dissolves the fine particles (2) is fed into the chamber (2) from a solvent inlet (32), forming a solvent atmosphere space. Note that the hatched area in the chamber is a representation of a high concentration area in the solvent atmosphere space (the same applies to FIGS. 6 to 8). The fine particles in the upper part of the chamber are so small that they float, but they gradually fall down due to the action of gravity.
It combines with the solvent in the solvent atmosphere space and forms fine droplets (20c
), which further falls and is deposited on the lower substrate (1). These spaces are shielded from the outside world by chamber (2) to prevent disturbances caused by external air currents.

所定量の微滴(20c)を基板(1)上に堆積させたの
ち、微粒子■および溶媒の導入を止め、基板(1)上の
薄膜をプリベーク処理することにより目的の薄膜をうろ
ことができる。
After depositing a predetermined amount of microdroplets (20c) on the substrate (1), the introduction of the microparticles (2) and the solvent is stopped, and the thin film on the substrate (1) is prebaked to form the desired thin film. .

前記装置は、基本的には垂直方向に材料を堆積させる方
式であるため、基板上の段差による放射状の膜厚ムラお
よび塗布ムラが生じず、薄膜が凸凹パターン前後で非対
称にならない。
Since the device basically deposits material in the vertical direction, radial film thickness unevenness and coating unevenness due to steps on the substrate do not occur, and the thin film does not become asymmetrical before and after the uneven pattern.

つぎに、別の本発明の有機RHの形成装置の一実施例を
、第6図を用いて説明する。
Next, another embodiment of the organic RH forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.

図中、チャンバ■の下部はシール(30を介してチャッ
ク(′2Jと密着されており、これにょリチャンバω内
は密閉されている。また、チャンバ■側壁下側には排気
口(33)が設けられている。この装置では、有機物の
微粒子の導入口(31)は3ケ所設けられており、ここ
から微粒子■が送りこまれてくる。また、溶媒導入口(
32)は左右に2カ所ずつ設けられており、これによっ
て溶媒雰囲気空間のを上下方向に拡げている。
In the figure, the lower part of the chamber (■) is in close contact with the chuck ('2J) via a seal (30), which seals the inside of the chamber (ω). Also, there is an exhaust port (33) on the lower side wall of the chamber (■). In this device, there are three introduction ports (31) for organic particles, from which the particles (3) are fed.
32) are provided at two locations on the left and right sides, thereby expanding the solvent atmosphere space in the vertical direction.

チャック(2)は段付き形状をしており、図示していな
い上下動機構により、第6図に示したように上位置にあ
るばあいはシール(34)と接触してチャンバω下部の
開口部を塞ぎ、下降し下位置にあるばあいは基板(1)
の載せかえが可能となる。また、この装置のように複数
の微粒子導入口(31)を設けることにより、大口径、
大面積の基板(1)にも成膜が可能になる。
The chuck (2) has a stepped shape, and by a vertical movement mechanism (not shown), when it is in the upper position as shown in Fig. 6, it contacts the seal (34) and closes the opening at the bottom of the chamber ω. If it is in the lower position, the board (1)
It becomes possible to replace the In addition, by providing multiple fine particle introduction ports (31) like this device, large diameter,
It becomes possible to form a film even on a large-area substrate (1).

以上のような構成の装置では、微1(20c)を基板(
1)上に堆積中は排気口(33)をバルブなど(図示省
略)により閉じておき、所定量の微滴(20c)を堆積
させたのち、バルブ操作などにより微粒子■および溶媒
の導入を止める。つぎに排気口(33)のバルブを開け
、基板(1)上の薄膜近傍の雰囲気を排気する。これに
より、薄膜中からの溶媒揮発が促進され、有機薄膜が形
成される。また、微滴(20c)の堆積中であっても排
気口(33)を開け、排気量を調整することにより、基
板(1)上の溶媒濃度、溶媒雰囲気空間のの溶媒濃度な
ど、チャンバω内の濃度分布を調整することも可能であ
り、またこれらの調整により基板(1)上に堆積される
微滴(20c)中の溶媒含有量、粘度、表面張力などを
変化させることができる。
In the device configured as above, the micro 1 (20c) is connected to the substrate (
1) During deposition, the exhaust port (33) is closed with a valve or the like (not shown), and after a predetermined amount of fine droplets (20c) have been deposited, the introduction of the fine particles ■ and the solvent is stopped by operating the valve, etc. . Next, the valve of the exhaust port (33) is opened to exhaust the atmosphere near the thin film on the substrate (1). This promotes solvent volatilization from the thin film and forms an organic thin film. In addition, by opening the exhaust port (33) and adjusting the exhaust volume even during the deposition of the fine droplets (20c), the solvent concentration on the substrate (1), the solvent concentration in the solvent atmosphere space, etc. It is also possible to adjust the concentration distribution within the droplets (20c), and by these adjustments, it is possible to change the solvent content, viscosity, surface tension, etc. in the microdroplets (20c) deposited on the substrate (1).

第6図に示す装置ではこのような操作により、基板(1
)上の凹凸形状の大きさ、深さに応じて堆積膜の粘度、
表面張力など°の物理特性を変化させることができ、下
地凹凸形状の平坦化などのための条件の最適化を図るこ
とができる。また、前述のようにこの装置によれば原理
的に第11図で示したような放射状の塗布ムラや凹凸形
状の前後位置での薄膜の表面形状の非対称性などの不良
を発生することはない。
In the apparatus shown in FIG. 6, the substrate (1
) The viscosity of the deposited film depends on the size and depth of the uneven shape on the top.
Physical properties such as surface tension can be changed, and conditions for flattening the uneven shape of the base can be optimized. In addition, as mentioned above, this device does not, in principle, cause defects such as radial coating unevenness or asymmetry in the surface shape of the thin film at the front and back positions of uneven shapes as shown in FIG. 11. .

つぎに、さらに別の本発明の有機薄膜の形成装置の一実
施例を、第7図を用いて説明する。
Next, another embodiment of the organic thin film forming apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.

基本的な構造は第6図を用いて説明した装置と同様であ
るが、この装置ではチャック(a内にヒータ(35)が
埋めこまれている。ヒータ(35)は外部のヒータ電源
(39)と接続されている。チャック(2)はその側壁
部分でシール(34)を介してチャンバのと密着してお
り、チャンバω内の密閉性を保ち、外部の気流の影響に
よる乱れを防止している。チャンバ■の上部には微粒子
■の導入口(31)と溶媒導入口(32)が設けられて
おり、これらの直下の領域が溶媒雰囲気空間のとなって
おり、微滴(20c)が生成される。
The basic structure is the same as the device explained using FIG. 6, but in this device, a heater (35) is embedded in the chuck (a. ).The chuck (2) is in close contact with the chamber through a seal (34) at its side wall, maintaining airtightness within the chamber ω and preventing turbulence due to the influence of external airflow. An inlet (31) for fine particles (3) and a solvent inlet (32) are provided at the top of the chamber (2), and the area directly below these serves as a solvent atmosphere space, in which fine droplets (20c) is generated.

第7図に示す装置では、ヒータ(35)はチャック(2
1を通して基板(1)を必要に応じて加熱し、前述した
ように微滴<20c)および結合微滴(20d)の薄膜
への変化を促進する。また、薄膜が形成されたのちは、
排気口(33)よりの排気の効果と合わせて薄膜中から
の溶媒の揮発を促進する。また、ヒータ(35)による
加熱により、チャンバ内で薄膜のべ一り処理を行なうこ
とも可能である。
In the apparatus shown in FIG. 7, the heater (35) is connected to the chuck (2).
The substrate (1) is optionally heated through 1 to promote the transformation of microdroplets <20c) and bound microdroplets (20d) into thin films as described above. In addition, after the thin film is formed,
Together with the effect of exhaust from the exhaust port (33), this promotes the volatilization of the solvent from within the thin film. Furthermore, it is also possible to perform a flattening process on the thin film within the chamber by heating with a heater (35).

なお、第7図に示す装置では加熱用のヒータはチャック
(a内に埋め込んだ例を示したが、チャンバ■の外周に
設置してもよく、また内側に配置してもよい。さらに、
チャンバ■側壁に光学的ガラス窓を設は外部より赤外線
ランプなどの放射光源により加熱してもよく、また、こ
れらを併用してもよい。
In addition, in the apparatus shown in FIG. 7, the heater for heating is shown as an example embedded in the chuck (a), but it may be installed on the outer periphery of the chamber (2), or it may be placed inside.Furthermore,
An optical glass window may be provided on the side wall of the chamber and may be heated from the outside by a radiation light source such as an infrared lamp, or these may be used in combination.

つぎに、微粒子導入口(31)よりチャンバ印内へ送り
込まれた微粒子■の分散状態をさらに均一にさせるため
の手段を設けた装置の一実施例を、第8図を用いて説明
する。
Next, an embodiment of an apparatus provided with means for making the dispersion state of the particles (1) more uniformly distributed through the particle introduction port (31) into the chamber mark will be described with reference to FIG.

基本的構造は先に第6図を用いて説明した装置と同様で
あるが、はぼ円錐形をしたチャンバ■の上部には分散用
ガス導入口(38)が設けられている。
The basic structure is the same as that of the apparatus described above with reference to FIG. 6, but a dispersion gas inlet (38) is provided in the upper part of the conical chamber (2).

また、その下方、チャンバ国内にはメツシュ(37)と
ハニカム状の整流筒(38)が垂直方向に設置されてい
る4 基板(1)上への有機薄膜の形成機構は先に説明したも
のと同様であるのでその説明は省略し、これら新たに付
加された物について説明を加える。
In addition, a mesh (37) and a honeycomb-shaped rectifier tube (38) are vertically installed below the chamber inside the chamber.4 The formation mechanism of the organic thin film on the substrate (1) is the same as described above. Since they are similar, their explanation will be omitted, and the newly added items will be explained.

微粒子導入口(31)より、乾燥空気などのキャリアガ
スにより運搬されてきた微粒子のはその物性によっては
凝集しやすく充分な分散状態にならないものがある。ま
た、チャンバの内で均一に分散させるためにも何らかの
分散手段を用いるのが有効である。第8図に示す装置で
は、導入口(31)より流入してきた微粒子に対して分
散用ガス導入口(3B)より乾燥空気などの分散用ガス
を作用させ、チャンバ印内で均一に分散させる構造とし
ている。
Depending on their physical properties, the fine particles transported by the carrier gas such as dry air through the fine particle inlet (31) tend to aggregate and may not be sufficiently dispersed. It is also effective to use some kind of dispersion means to uniformly disperse the particles within the chamber. The apparatus shown in Fig. 8 has a structure in which a dispersion gas such as dry air is applied to the fine particles flowing in through the inlet (31) through the dispersion gas inlet (3B), and the particles are uniformly dispersed within the chamber. It is said that

分散用ガス導入口(36)はその向きを調整することに
より、チャンバ国内・で引き起こされる気流の状態を変
え、たとえば弱い渦巻流としてもよい。
By adjusting the direction of the dispersing gas inlet (36), the state of the air flow generated within the chamber may be changed, for example, into a weak swirling flow.

メツシュ(37)および整流筒(38)はチャンバ印肉
上部での気流の影響が下部の溶媒雰囲気空間のおよび基
板(1)上の空間に及ぶのを防止し、メツシュ(3γ)
でまず弱められた気流は垂直方向に孔の向いた整流筒に
より垂直方向に流れる弱い気流となる。
The mesh (37) and the rectifying cylinder (38) prevent the influence of the air flow at the upper part of the chamber ink pad from reaching the lower solvent atmosphere space and the space above the substrate (1), and the mesh (3γ)
The weakened airflow becomes a weak airflow that flows vertically by the rectifying cylinder with holes facing vertically.

第8図に示す装置においても、基板(1)上へ所要量の
微滴(20c)が堆積した時点で導入口(31)がら微
粒子■および溶媒の供給は停止され、また、分散用ガス
導入口(36)からの乾燥空気の送風が停止される。
In the apparatus shown in FIG. 8 as well, when the required amount of microdroplets (20c) are deposited on the substrate (1), the supply of microparticles and solvent is stopped through the inlet (31), and the dispersion gas is introduced. The blowing of dry air from the mouth (36) is stopped.

第8図に示すように微粒子囚の分散手段として分散用ガ
スとその導入口(36)、さらに整流手段としてメツシ
ュ(37)および整流筒(37)を用いたことにより、
基板(1)上に形成される有機薄膜をさらに均一なもの
にすることが可能となる。
As shown in FIG. 8, by using a dispersion gas and its inlet (36) as a means for dispersing particulate particles, and a mesh (37) and a rectifying cylinder (37) as a rectifying means,
It becomes possible to make the organic thin film formed on the substrate (1) more uniform.

なお、第8図に示す装置では分散手段として乾燥空気な
どのガスを用いる例を示したが、これに限られるもので
はなく回転羽根、加振器などの機械的手段を用いてもよ
い。
In the apparatus shown in FIG. 8, an example is shown in which a gas such as dry air is used as a dispersing means, but the present invention is not limited to this, and mechanical means such as a rotating blade or a vibrator may also be used.

本発明の有機薄膜の形成装置は第5℃8図に示す装置に
限定されるものではなく、チャンバ印の形状、微粒子導
入口(31)の位置、数、形状、溶媒導入口(32)の
位置、数、形状、排気口(33)の位置、数、形状など
も例示したものに限定されるものではない。
The organic thin film forming apparatus of the present invention is not limited to the apparatus shown in FIG. The position, number, shape, and position, number, shape, etc. of the exhaust ports (33) are not limited to those illustrated.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、本発明の有機薄膜の形成方法および形成
装置によれば有機物を含む微滴を基板上に堆積させて薄
膜を形成するようにしたので、放射状の膜厚ムラや下地
凹凸パターン上の膜断面形状が非対称になるのを防止す
ることができる。したがって、たとえばフォトレジスト
膜のばあいには線幅制御性、パターン露光時の位置合せ
精度などを向上させることができるという効果がある。
As described above, according to the method and apparatus for forming an organic thin film of the present invention, a thin film is formed by depositing fine droplets containing an organic substance on a substrate. It is possible to prevent the cross-sectional shape of the membrane from becoming asymmetrical. Therefore, in the case of a photoresist film, for example, there is an effect that line width controllability, positioning accuracy during pattern exposure, etc. can be improved.

また、カラーフィルタ膜のばあいにはその分光特性の均
一性なども併せて向上させることができるという効果が
ある。
In addition, in the case of a color filter film, the uniformity of its spectral characteristics can also be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は有機物を含む微滴が形成されるようすを示す説
明図、第2a−c図は本発明における有機薄膜の形成過
程の説明図、第3図は加熱処理を示す説明図、第4図は
排気処理を示す説明図、第5〜8図は本発明の有機薄膜
の形成装置の概略断面図、第9図は従来の有機薄膜の形
成装置の概略断面図、第10a−c図は従来の有機薄膜
の形成装置による有機薄膜の形成過程の説明図、第11
図は従来の方法によりえられた塗膜を模式的に示す平面
図、第12a−c図は従来の方法によりえられた塗膜の
表面形状を模式的に示す断面図である。 (図面の符号) (1):基 板 ■:有機物の微粒子 (20c) :有機物を含む微滴 (2D;薄 膜 n:溶媒雰囲気空間 ■:チャンバ (31):有機物の微粒子導入口 <32) :溶媒導入口 (33) :排気口 (34) :シール (35) :ヒータ (3B) :分散用ガス導入口 (37) :メッシュ (38) :整流筒 代  理  人      大  岩  増  雄体2
a図 寸2b図 材2c図 才1 井3図 第4図 第5図 31:微粒子導入口 32:溶媒導入口 第7図 65:ヒータ 第6図 1 36:排気口 寸8図 66:分散用ガス導入口 37:メツシュ 38:整流筒 凭9図 5 牙10a図 第10b図 第10C図 第12a図 書(自発)
FIG. 1 is an explanatory diagram showing how fine droplets containing organic matter are formed; FIGS. 2a-c are explanatory diagrams of the process of forming an organic thin film in the present invention; FIG. 3 is an explanatory diagram showing heat treatment; The figure is an explanatory diagram showing exhaust treatment, Figures 5 to 8 are schematic sectional views of the organic thin film forming apparatus of the present invention, Figure 9 is a schematic sectional view of a conventional organic thin film forming apparatus, and Figures 10a to 10c are Explanatory diagram of the process of forming an organic thin film using a conventional organic thin film forming apparatus, No. 11
The figure is a plan view schematically showing a coating film obtained by a conventional method, and FIGS. 12a-12c are cross-sectional views schematically showing the surface shape of a coating film obtained by a conventional method. (Symbols in drawings) (1): Substrate ■: Organic particles (20c): Microdroplets containing organic substances (2D; thin film n: solvent atmosphere space ■: Chamber (31): Organic particle inlet <32) : Solvent inlet (33) : Exhaust port (34) : Seal (35) : Heater (3B) : Gas inlet for dispersion (37) : Mesh (38) : Rectifier tube 2
a Dimensions 2b Diagrams 2c Dimensions 1 Well 3 Figure 4 Figure 5 Figure 31: Particle inlet 32: Solvent inlet Figure 7 65: Heater Figure 6 Figure 1 36: Exhaust port size 8 Figure 66: For dispersion Gas inlet 37: Mesh 38: Rectifier tube 9 Figure 5 Fang 10a Figure 10b Figure 10C Figure 12a Book (self-produced)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)有機物の微粒子と該微粒子の溶媒とを容器内で結
合させて有機物を含む微滴を形成し、該微滴を基板上に
堆積させ、微滴に含まれていた溶媒を揮発させて堆積膜
を形成することを特徴とする有機薄膜の形成方法。
(1) Organic fine particles and the solvent of the fine particles are combined in a container to form fine droplets containing the organic substance, the fine droplets are deposited on a substrate, and the solvent contained in the fine droplets is evaporated. A method for forming an organic thin film, the method comprising forming a deposited film.
(2)有機物の微粒子と該微粒子の溶媒とが結合する空
間を取り囲むチャンバに、有機物の微粒子の導入口なら
びに溶媒のガスおよび(または)ミストの導入口が設け
られ、さらに該チャンバ内に基板を保持するチャックが
備えられた有機薄膜の形成装置。
(2) An inlet for the organic particles and an inlet for the solvent gas and/or mist are provided in a chamber surrounding the space where the organic particles and the solvent for the particles are combined, and the substrate is further placed in the chamber. An organic thin film forming device equipped with a holding chuck.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008221049A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Iwate Univ Manufacturing method of fine particle
EP3419765A4 (en) * 2016-02-26 2019-10-30 Beneq OY Improved coating process and apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60112380U (en) * 1983-12-28 1985-07-30 株式会社島津製作所 Surface treatment agent coating equipment
JPS61249567A (en) * 1985-04-30 1986-11-06 Tokyo Copal Kagaku Kk Method and apparatus for coating coating liquid such as sizing agent

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60112380U (en) * 1983-12-28 1985-07-30 株式会社島津製作所 Surface treatment agent coating equipment
JPS61249567A (en) * 1985-04-30 1986-11-06 Tokyo Copal Kagaku Kk Method and apparatus for coating coating liquid such as sizing agent

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008221049A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Iwate Univ Manufacturing method of fine particle
EP3419765A4 (en) * 2016-02-26 2019-10-30 Beneq OY Improved coating process and apparatus

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