JPH03142886A - 半導体発光装置 - Google Patents

半導体発光装置

Info

Publication number
JPH03142886A
JPH03142886A JP1280357A JP28035789A JPH03142886A JP H03142886 A JPH03142886 A JP H03142886A JP 1280357 A JP1280357 A JP 1280357A JP 28035789 A JP28035789 A JP 28035789A JP H03142886 A JPH03142886 A JP H03142886A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
edge
package
emitting element
fresnel lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1280357A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Ito
嘉則 伊藤
Koichi Imanaka
今仲 行一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP1280357A priority Critical patent/JPH03142886A/ja
Priority to US07/533,764 priority patent/US5130531A/en
Publication of JPH03142886A publication Critical patent/JPH03142886A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の技術分野〉 本発明は、発光素子を光学的に透明な樹脂で外形が直方
体に成形されたパッケージの内部に設けた構成の半導体
発光装置に係り、特にパッケージへの発光素子の実装形
態を工夫してより一層の小型化を図るようにした技術に
関する。
〈従来の技術〉 従来のこの種の半導体発光装置として、本件出願人は既
に第9図及び第1O図に示すようなものを提案している
(特願平1−215208号公報の第2図及び第3図参
照)。
図に示すように、半導体発光装置は、光学的に透明な樹
脂で外形をほぼ直方体に成形したパッケージ10を用い
、このパッケージ10の幅狭な一端面11からリード端
子20.21を突出する構造とし、平面視はぼL形のリ
ード端子20の内端部に端面発光型発光素子30を実装
し、さらに、パンケージ10の幅広面12にマメクロフ
レネルレンズ40を透明接着剤50により貼着した構造
である。なお、発光素子として端面発光型発光素子30
を用いるために、この端面発光型発光素子30をその幅
広面31がパッケージ10の幅広面12に対して直交す
るように立てた姿勢で実装する形態をとっている。つま
り、マイクロフレネルレンズ40が貼着されるパンケー
ジ10の幅広面12に対して端面発光型発光素子30の
光出射面である端面32が面するようになっている。ま
た、端面発光型発光素子30の端面32とマイクロフレ
ネルレンズ40との対面間隔がそのまま光導波距離とな
るために、光学的には前記両者をある程度遠ざけて配置
する必要があって薄型化の障害になっている。
なお、発光素子として面発光型発光素子を採用すること
もあるが、それが面発光で発光径が大きく集光スポット
径が大きくなるので受光側での検出精度が低下する不都
合があることに着目し、上述したように端面発光型発光
素子を用い、受光側での検出精度の向上を図っている。
〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、第9図及び第10図に示す半導体発光装置で
は、いわゆるハーメチックシール型と称する一般的なタ
イプの半導体発光装置と比べれば格段に小型化できるも
のの、より一層の小型化を実現するためには改良の余地
がある。
本発明は、このような事情に鑑みて創案されたもので、
より一層の小型化を図ることを目的としている。
く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を遠戚するために、光学的に
透明な樹脂で外形がほぼ直方体に底形されたパッケージ
と、このパンケージの内部に設けられる発光素子と、発
光素子の電極に電気的に接続されて前記パッケージの幅
狭な一端面から外部に突出するリード端子と、前記パッ
ケージの幅広面に前記発光素子からの出射光を外部に導
出するよう設けられたマイクロフレネルレンズとを具備
した半導体発光装置において、次のような構成をとる。
本発明の半導体発光装置は、前記発光素子を端面から発
光する端面発光型発光素子を用いるとともに、この端面
発光型発光素子をその幅広面が前記パッケージの幅広面
に対してほぼ平行となるような姿勢で該パンケージ内に
配置し、かつ、該パンケージ内に前記端面発光型発光素
子の端面から出射される光を前記マイクロフレネルレン
ズ側へ反射させる反射手段を設けていることに特徴を有
する。
く作用〉 上記構成によると、端面発光型発光素子の端面から出射
される光は、パンケージの端面へ進1テするが、光の進
行途中で反射手段により反射させられてマイクロフレネ
ルレンズが設けられるパンケージの幅広面側へ方向が変
えられるから、マイクロフレネルレンズを介して外部へ
放出できることになる。
即ち、端面発光型発光素子を構成するチップの幅広面を
直方体のパッケージの幅広面に対してほぼ平行となるよ
うに端面発光型発光素子を寝かせた姿勢でパッケージ内
に配置するから、従来のように立てた姿勢で配置する構
造に比べてパッケージの厚みを薄くできるようになる。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
第1図及び第2図に本発明の第1実施例を示している。
この第1実施例では従来例とした第9図及び第1O図に
示す構造の半導体発光装置に本発明を適用して実施した
例を挙げている。ゆえに、本実施例の図面において従来
例の第9図及び第1O図に示す部品1部分と同一のもの
に同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
本実施例では、パッケージ10内における端面発光型発
光素子30の実装形態を従来例と変えるとともに、端面
発光型発光素子30の端面32から出射される光を所定
角度をもって反射する反射手段60を設けたことが従来
例と異なる。
具体的には、端面発光型発光素子30は、端面発光型発
光ダイオードや半導体レーザなどが利用できる。この端
面発光型発光素子30の幅広な底面に設けられるマイナ
ス電極層が、L形のリード端子20の内端部表面に接合
され、幅広な表面に設けられるプラス電極がボンディン
グワイヤを介して夏形のリード端子21の内端部に接続
されている。これらのリード端子20.21は光学的に
透明な樹脂でモールド封止されることにより直方体に底
形されたパッケージlOの内部に埋設され、かつ端部が
外方へ突出させられている。このパンケージlOの一方
の幅広面12には、平板状のマイクロフレネルレンズ4
0が透明接着剤50を介して貼着されている。
したがって、光学的に透明な樹脂で直方体に底形された
パンケージ10を例えば横に寝かせた姿勢としたときに
、前記パンケージlOと近似した外形の端面発光型発光
素子30も同様に寝かせた姿勢となり、パッケージ10
の幅広面12に対して端面発光型発光素子30の幅広面
31がほぼ平行になる。
そして、端面発光型発光素子30において光出射される
端面32の前方で、L形のリード端子20の内端部の先
端部にはシリコンなどからなる断面はぼ三角形状の反射
台61が搭載されている。この反射台61の斜面62が
端面発光型発光素子30の光出射側の端面32と向き合
っており、この斜面62の表面には、図示しないがAu
膜やAN膜などのHR(旧gh Reflective
 )の反射膜が被覆形成されている。前述の反射手段6
0は上記反射台61及び反射膜を含む。
この反射手段60で反射される光の光軸が、マイクロフ
レネルレンズ40の光軸に一敗するように、反射台61
のマウント位置や斜面62の傾斜角度が適宜に設定され
ている。
したがって、上記半導体発光装置では、端面発光型発光
素子30を発光させると、その端面32から出射される
光の進行方向はパッケージ10の端面側へ向かうものの
、反射台61の斜面62でほぼ直角に反射されるために
進路が変えられてパッケージ10の幅広面12側へ導か
れることになり、この幅広面12に設けられているマイ
クロフレネルレンズ40を介して外部へ放出される。こ
のように、端面発光型発光素子30を寝かせた姿勢でパ
ッケージ内にマウントすることに加えて、光導波経路を
屈曲させることによって光導波距離を長く確保でき、そ
の分、端面発光型発光素子30とマイクロフレネルレン
ズ40とを可及的に近づけることができるようになり、
薄型化に有利となる。
次に、本発明の第2実施例を第3図及び第4図に示して
説明する。ここでは、上述したような半導体発光装置に
受光素子を内蔵させて反射型光センサとして実施した場
合を例に挙げている。この実施例において第1実施例の
図で示した部品1部分と同一のものに同じ符号を付し、
その詳細な説明を省略する。
図に示すように、受光素子70を端面発光型発光素子3
0とともに表面に導電膜が被着された絶縁基板71上に
搭載して、画素子30.70の例えばマイナス電極を前
記絶縁基板71表面の導電膜に接合し、さらに、導電膜
をコモン端子となるリード端子20′に、端面発光型発
光素子30のプラス電極を信号端子となるリード端子2
1’に、また、受光素子70のプラス電極を信号端子と
なるリード端子22にそれぞれボンディングワイヤで接
続している。
そして(マイクロフレネルレンズ40としては、端面発
光型発光素子用のフレネルレンズ部41と、受光素子用
のフレネルレンズ部42との二つのレンズ部を有する構
成になっている。なお、反射手段60は、前述の絶縁基
板71に図示するように取り付けられている。
上記構成の反射型光センサの動作を説明する。
端面発光型発光素子30からの出射光が反射手段60で
反射されてマイクロフレネルレンズ40の一方フレネル
レンズ部41を介して外部へ第4図の実線矢印のように
集束されつつ投光される。この光は外部のターゲツト面
72で反射されて第1図の破線矢印で示すようにマイク
ロフレネルレンズ40の他方フレネルレンズ部42を介
して受光素子70の受光面へ集束されつつ入射させられ
ることになる。
この反射型光センサは、被検査物体の存在の有無を検出
したり、被検査物体の大きさまたは被検査物体までの離
間距離を測定したりすることに利用される。
また、本発明の第3実施例を第5図及び第6図に示して
説明する。
この実施例において上記第2実施例と異なる構成は、端
面発光型発光素子30と受光素子70との間に反射手段
60を配置したことである。この反射手段60は、絶縁
基板71と一体に形成されており、絶縁基板71上に導
電膜を形成してから反射手段60をtiTIi、する反
射台61の斜面62にのみ上述した反射膜(図示省略)
が被着されている。この反射手段60を端面発光型発光
素子30と受光素子70との間に存在させていると、両
者の光学的な分離が良好となって光の干渉に基づくセン
サの暗電流を減少できるという効果をもたらす、なお、
画素子30. TOの離間間隔を狭くすれば、反射手段
60の高さを高くしなくとも光干渉の防止効果が高まる
さらに、本発明の第4実施例として第7図に示すように
構成することもできる。この実施例は、上記第3実施例
のように絶縁基板71を用いずに、端面発光型発光素子
30と受光素子70とをそれぞれリード端子20’ 、
 22上に直接、搭載接合するとともに、端面発光型発
光素子30を実装するリード端子20′の内端部に反射
手段60となる反射台61を一体に形成した構造である
。この実施例においては特に絶縁基板71が不要なので
、構成部品点数を少なくできるとともに、パッケージ厚
みを他の反射型光センサに比べて薄くできる。
加えて、本発明の第5実施例として第8図に示すように
構成することもできる。本実施例では、パッケージ10
で各リード端子20’ 、 21’ 、 22及び端面
発光型発光素子30.受光素子70をモールドせず、パ
ッケージ10に二つの凹部13.14を形成しておいて
、この両凹部13.14にそれぞれ端面発光型発光素子
30.受光素子70を収納し、この凹部13゜14を塞
ぐようにパッケージ10にマイクロフレネルレンズ40
を透明接着剤5Gで接着した構造としている。一方の凹
部13の内面は反射手段60として機能するように斜め
に形成されており、この斜面13Aに反射膜(図示省略
)が被覆される。そして、凹部13.14の少なくとも
底面に導電膜(図示省略)が被着形成され、この導電膜
に対して画素子30゜70の裏面電極層(図示省略)が
接合される。この両凹部13.14の導電膜とリード端
子20’とをボンディングワイヤで接続するとともに、
各素子30゜70の表面電極層(図示省略)と両端のリ
ード端子21’ 、 22とをボンディングワイヤで接
続する。なお、凹部13.14にN8などのガスを封入
しておくと好ましい、また、この実施例の場合、フレネ
ルレンズ部41.42の突起を外部に露出しないように
パッケージlOの凹部13.14側にはませるようにし
て実施することも可能で、その場合には該フレネルレン
ズ部41.42を構成する突起間にゴξなどが詰まるこ
とがないとともに、損傷を回避できる。
さらに、凹部13の斜面13Aに被覆する反射膜を導電
性を有する素材とすれば、凹部13.14の底面に被覆
する導電膜も前記反射膜と同じものとして同時に形成で
きる。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明では、端面発光型発光素子
の実装姿勢を工夫するとともに、その姿勢からの光導出
方向を変えるよう反射手段を用いて工夫したから、可能
な限りの小型化を実現できる結果となり、特に本発明の
半導体発光装置を使用する各種の電子機器のコンパクト
化に貢献できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の第1実施例に係り、第1図
は半導体発光装置の一部分解斜視図、第2図は第1図の
n−n線断面図である。第3図及゛び第4図は本発明の
第2実施例に係り、第3図は反射型光センサの一部分解
斜視図、第4図は第3図のTV−IV線断面図である。 第5図及び第6図は本発明の第3実施例に係り、第5図
は反射型光センサの一部分解斜視図、第6図は第5図の
VT−Vl線断面図である。第7図は本発明の第4実施
例に係る反射型光センサの一部分解斜視図である。さら
に、第8図は本発明の第5実施例に係り第6図に対応す
る断面図である。 また、第9図及び第10図は従来例に係り、第9図は半
導体発光装置の一部分解斜視図、第10図は第9図のX
−Xa断面図である。 10・・・パンケージ、    11・・・端面、12
・・・幅広面、    20〜22・・・リード端子、
30・・・端面発光型発光素子、31・・・幅広面、3
2・・・端面(光出射面)、 40・・・マイクロフレネルレンズ、 60・・・反射手段。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光学的に透明な樹脂で外形がほぼ直方体に成形さ
    れたパッケージと、このパッケージの内部に設けられる
    発光素子と、発光素子の電極に電気的に接続されて前記
    パッケージの幅狭な一端面から外部に突出するリード端
    子と、前記パッケージの幅広面に前記発光素子からの出
    射光を外部に導出するよう設けられたマイクロフレネル
    レンズとを具備した半導体発光装置において、 前記発光素子を端面から発光する端面発光型発光素子を
    用いるとともに、この端面発光型発光素子をその幅広面
    が前記パッケージの幅広面に対してほぼ平行となるよう
    な姿勢で該パッケージ内に配置し、かつ、該パッケージ
    内に前記端面発光型発光素子の端面から出射される光を
    前記マイクロフレネルレンズ側へ反射させる反射手段を
    設けていることを特徴とする半導体発光装置。
JP1280357A 1989-06-09 1989-10-27 半導体発光装置 Pending JPH03142886A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1280357A JPH03142886A (ja) 1989-10-27 1989-10-27 半導体発光装置
US07/533,764 US5130531A (en) 1989-06-09 1990-06-06 Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1280357A JPH03142886A (ja) 1989-10-27 1989-10-27 半導体発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03142886A true JPH03142886A (ja) 1991-06-18

Family

ID=17623881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1280357A Pending JPH03142886A (ja) 1989-06-09 1989-10-27 半導体発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03142886A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5825054A (en) * 1995-12-29 1998-10-20 Industrial Technology Research Institute Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser
US5875205A (en) * 1993-12-22 1999-02-23 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic component and method for the manufacture thereof
JP2007059492A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Citizen Electronics Co Ltd フレネルレンズ付チップledの構造およびその製造方法。

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5875205A (en) * 1993-12-22 1999-02-23 Siemens Aktiengesellschaft Optoelectronic component and method for the manufacture thereof
US5825054A (en) * 1995-12-29 1998-10-20 Industrial Technology Research Institute Plastic-molded apparatus of a semiconductor laser
JP2007059492A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Citizen Electronics Co Ltd フレネルレンズ付チップledの構造およびその製造方法。

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5130531A (en) Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens
KR100459347B1 (ko) 광 반도체 장치 및 이것을 실장한 광 반도체 모듈
TWI290245B (en) Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package
US20070291164A1 (en) Compact and miniature optical navigation device
JPH06209124A (ja) 狭い開口角を持つ光電子装置
US4419011A (en) Automatic range finder
JPH03142886A (ja) 半導体発光装置
JPH10163533A (ja) 投光装置
US6990262B2 (en) Optical module
JPH0660811B2 (ja) 反射型傾き検出素子
JP5266859B2 (ja) 光電センサ
JP2001156325A (ja) フォトリフレクター
JPH05175614A (ja) 光半導体装置
JP4999596B2 (ja) 反射型フォトセンサ
JP3385723B2 (ja) カセットテープのテープ端検出機構
JPH11261110A (ja) 発光装置およびそれに用いられる上面電極接続部材
JP3976420B2 (ja) 光半導体装置
KR19980018997A (ko) 대물 렌즈용 2축 구동 장치를 구비한 광학 픽업 장치(optical pickup device with biaxial drive for objective lens)
JP2000077686A (ja) 半導体装置の実装構造
JPH09312414A (ja) 投光装置と受光装置及びそれらを備えた物体検出装置
JP3508396B2 (ja) バーコード読み取り用複合光学装置の製造方法
JPH0315129A (ja) 反射型光センサ
JPH10223926A (ja) 光結合装置
JPH0421114Y2 (ja)
KR0132184B1 (ko) 반도체 레이저 장치 및 그 제조방법