JPH03125348A - Optical memory element - Google Patents

Optical memory element

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JPH03125348A
JPH03125348A JP1265989A JP26598989A JPH03125348A JP H03125348 A JPH03125348 A JP H03125348A JP 1265989 A JP1265989 A JP 1265989A JP 26598989 A JP26598989 A JP 26598989A JP H03125348 A JPH03125348 A JP H03125348A
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Abstract

PURPOSE:To obtain sufficient reflected light and to improve the position control of an objective lens by providing a reflecting layer which increases its reflectivity at least at >=1 kinds of waveforms in the optical memory element. CONSTITUTION:The reflecting layer 2 consisting of Al, etc., is provided on a substrate 1 consisting of glass, etc., and further, recording layers R1 to R3 are superposed. The recording layers consist of photochromic materials which are changed in coloring state by a photoreaction and are subjected to recording with light of respective waveforms lambda1 to lambda3 by varying the materials. The photochromic materials are, for example, the hetero type fulgide (Me is a methyl group) expressed by the formula and are disposed with the group of an oxazole type in the position of X in the case of the layer R1, a thiophene type in the case of the layer R2 and a pyrrole type in the case of the layer R3, respectively. The reflectivity increases at the intrinsic waveforms. The large reflected light is obtd. when the irradiation light to the optical memory coincides with lambda1 to lambda3. The position control of the objective lens by focus servo is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光により情報信号の記録、再生、および消去
を行う光メモリ素子に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical memory device that records, reproduces, and erases information signals using light.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、光により情報信号の記録、再生および消去を行う
光メモリ素子は、高密度大容量メモリ素子として年々そ
の必要性が高まっている。そこで、例えば特開昭62−
165751号公報には、第4図に示すように、互いに
異なる波長λ1〜λ7で記録可能な記録層Q1〜Q7が
基板31に積層して形成された光メモリ素子が開示され
ている。
In recent years, the need for optical memory devices that record, reproduce, and erase information signals using light has been increasing year by year as high-density, large-capacity memory devices. Therefore, for example, JP-A-62-
Publication No. 165751 discloses an optical memory element in which recording layers Q1 to Q7 capable of recording at mutually different wavelengths λ1 to λ7 are laminated on a substrate 31, as shown in FIG.

これにより、光メモリ素子は、情報信号を記録する場合
、各記録層Q1〜Q、に対応した波長λ。
Thereby, when recording an information signal, the optical memory element uses a wavelength λ corresponding to each recording layer Q1 to Q.

〜λ7の光を照射することでn層の多重記録ができるよ
うになっている。
Multiplex recording of n layers can be performed by irradiating light of ~λ7.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら、上記従来の光メモリ素子では、各記録層
Q、〜Q7に光スポットを形成する対物レンズの位置制
御が困難になっている。
However, in the conventional optical memory element described above, it is difficult to control the position of the objective lens that forms a light spot on each recording layer Q, to Q7.

即ち、光メモリ素子に情報信号を記録する場合には、一
般に対物レンズと記録層Q、〜Q、との距離を一定に保
つため、対物レンズにフォーカスサーボをかけることが
必要になっている。この際、上記のフォーカスサーボは
、記録層Q、〜Q7からの反射光をサーボ用誤差信号に
利用することで行われている。ところが、上記の記録層
Q1〜Q7では、入射される光の大半が透過してしまい
、殆ど反射光を得ることができない。従って、従来の光
メモリ素子は、サーボ用誤差信号が不十分なため、対物
レンズと記録層Q、〜Qfiとの距離を一定に維持する
ことが困難なものになっている。
That is, when recording an information signal on an optical memory element, it is generally necessary to apply focus servo to the objective lens in order to maintain a constant distance between the objective lens and the recording layer Q, -Q. At this time, the above-mentioned focus servo is performed by using reflected light from the recording layers Q to Q7 as a servo error signal. However, in the recording layers Q1 to Q7, most of the incident light is transmitted, and almost no reflected light can be obtained. Therefore, in the conventional optical memory element, it is difficult to maintain a constant distance between the objective lens and the recording layers Q, .about.Qfi because the servo error signal is insufficient.

このように、光メモリ素子は、複数の記録層Q。In this way, the optical memory element has a plurality of recording layers Q.

〜Q7を有することで多重記録が可能になっているが、
各記録NQ1〜Qnからの反射光が不十分なため、フォ
ーカスサーボによる対物レンズの位置制御が困難なもの
になっている。従って、本発明においては、充分な反射
光が得られるようにすることで、フォーカスサーボによ
る対物レンズの位置制御を良好なものにすることができ
る光メモリ素子を提供することを目的としている。
~ Multiple recording is possible by having Q7, but
Since the reflected light from each recording NQ1 to Qn is insufficient, it is difficult to control the position of the objective lens using focus servo. Therefore, it is an object of the present invention to provide an optical memory element that can improve the position control of the objective lens by focus servo by obtaining sufficient reflected light.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明に係る光メモリ素子は、上記課題を解決するため
に、波長を異ならせた複数の光がフォーカスサーボによ
り位置制御された対物レンズを介して照射されることで
、複数の情報信号が多重に記録される光メモリ素子にお
いて、上記光メモリ素子には、少なくとも1種類似上の
波長で大きな反射率となる反射層が形成されていること
を特徴としている。
In order to solve the above problems, the optical memory element according to the present invention multiplexes a plurality of information signals by irradiating a plurality of lights with different wavelengths through an objective lens whose position is controlled by a focus servo. The optical memory element for recording is characterized in that the optical memory element is provided with a reflective layer that exhibits a large reflectance at at least one similar wavelength.

〔作 用〕[For production]

上記の構成によれば、情報信号は、光が対物レンズを介
して照射されることで記録される。上記の対物レンズは
、フォーカスサーボにより位置制御されて−おり、この
フォーカスサーボは、光メモリ素子に照射された光の反
射光を利用してサーボ用誤差信号とすることで行われて
いる。
According to the above configuration, the information signal is recorded by being irradiated with light through the objective lens. The position of the objective lens described above is controlled by a focus servo, and the focus servo is performed by using the reflected light of the light irradiated on the optical memory element as a servo error signal.

上記の反射光は、光メモリ素子に照射される光の波長が
反射層を大きな反射率にする波長に一敗した場合に、反
射層により効率良く得られる。従って、サーボ用誤差信
号は、上記の反射光により充分に安定したものになる。
The above reflected light can be efficiently obtained by the reflective layer when the wavelength of the light irradiated to the optical memory element exceeds the wavelength that makes the reflective layer have a high reflectance. Therefore, the servo error signal becomes sufficiently stable due to the above reflected light.

これにより、光メモリ素子は、上記の反射光を対物レン
ズのフォーカスサーボに用いることで、対物レンズの位
置制御を良好に行うことが可能になる。
As a result, the optical memory element uses the above-mentioned reflected light for focus servo of the objective lens, thereby making it possible to satisfactorily control the position of the objective lens.

〔実施例1〕 本発明の一実施例を第1図および第2図に基づいて説明
すれば、以下の通りである。
[Example 1] An example of the present invention will be described below based on FIGS. 1 and 2.

本実施例に係る光メモリ素子は、第1図に示すように、
基板1と、この基板1の面上に形成された反射層2と、
この反射層2の面上に積層して形成された記録NR1〜
R1とからなっている。尚、記録層R1の面上には、保
護層が形成されていても良い。
As shown in FIG. 1, the optical memory device according to this example has the following features:
a substrate 1; a reflective layer 2 formed on the surface of the substrate 1;
Recordings NR1~ formed in layers on the surface of this reflective layer 2
It consists of R1. Note that a protective layer may be formed on the surface of the recording layer R1.

上記の基板1は、例えばガラス、プラスチック、または
アルミニウム等で形成されており、反射層2および記録
層R1〜R3を支持するようになっている。また、基板
lの面上に形成された反射層2は、例えばアルミニウム
、金、銀、またはタンタル等で反射率が大きくなるよう
に形成されており、入方向から入射された光をB方向へ
反射するようになっている。さらに、上記の反射層2の
面上に形成された記録層RI−R3は、光反応により着
色状態が変化するフォトクロミック材料からなる光感応
性記録膜であり、各記録層R1〜R3は、フォトクロミ
ック材料を異ならせることで、それぞれの波長λ1〜λ
、を有する光で記録されるようになっている。
The substrate 1 is made of, for example, glass, plastic, aluminum, or the like, and supports the reflective layer 2 and the recording layers R1 to R3. Further, the reflective layer 2 formed on the surface of the substrate l is made of aluminum, gold, silver, tantalum, etc., for example, so as to have a high reflectance, and it directs the light incident from the incident direction to the B direction. It is reflective. Further, the recording layer RI-R3 formed on the surface of the reflective layer 2 is a photosensitive recording film made of a photochromic material whose colored state changes due to a photoreaction, and each of the recording layers R1 to R3 is By using different materials, each wavelength λ1~λ
It is designed to be recorded using light that has .

上記のフォトクロミック材料には、例えば下記の式で示
すヘテロ型フルギドがある。尚、Meは、メチル基であ
る。
Examples of the above-mentioned photochromic materials include hetero-fulgide represented by the following formula. Note that Me is a methyl group.

そして、記録NR1には、下記の式で示すオキサゾール
型をヘテロ型フルギドのX位置に配置したフォトクロミ
ック材料が用いられている。これにより、記録層R1は
、光が462rvの波長λ。
For recording NR1, a photochromic material in which an oxazole type represented by the following formula is arranged at the X position of a hetero-fulgide is used. As a result, the recording layer R1 has a wavelength λ of 462rv.

を有するときに記録が行えるようになっている。Recording can be performed when the

尚、Phは、フェニル基である。In addition, Ph is a phenyl group.

また、記録層R2には、下記の式で示すチオフェン型を
ヘテロ型フルギドのX位置に配置したフォトクロミンク
材料が用いられている。これにより、記録層R2は、光
が523nmの波長λ2を有するときに記録が行えるよ
うになっている。
Further, the recording layer R2 uses a photochromic material in which a thiophene type represented by the following formula is arranged at the X position of a hetero-fulgide. Thereby, recording can be performed on the recording layer R2 when light has a wavelength λ2 of 523 nm.

さらに、記録層R3には、下記の弐で示すビロール型を
ヘテロ型フルギドのX位置に配置したフォトクロミック
材料が用いられている。これにより、記録層R1は、光
が614nmの波長λ3を有するときに記録が行えるよ
うになっている。
Further, the recording layer R3 uses a photochromic material in which a virol type shown by 2 below is arranged at the X position of a hetero-fulgide. Thereby, recording can be performed on the recording layer R1 when light has a wavelength λ3 of 614 nm.

尚、上記の光メモリ素子は、3層の記録層R1・R2・
R3を有しているがこれに限定されることはない。即ち
、光メモリ素子は、第2図に示すように、フォトクロミ
ンク材料を異ならせることで、3層以上の多数層に積層
された記録層RI〜R7を有していても良い。また、フ
ォトクロミック材料は、上記のへテロ型フルギドに限定
されることはなく、他種類のフォトクロミック材料であ
っても良い。さらに、記録層Rl−R,は、異なる波長
の光を吸収する色素材料を混入させた少なくとも2種類
以上のフォトクロミンク材料で形成されていても良い。
Note that the above optical memory element has three recording layers R1, R2,
Although it has R3, it is not limited thereto. That is, as shown in FIG. 2, the optical memory element may have recording layers RI to R7 stacked in three or more layers by using different photochromic materials. Further, the photochromic material is not limited to the above-mentioned heterofulgide, and may be other types of photochromic materials. Furthermore, the recording layer Rl-R may be formed of at least two types of photochromic materials mixed with dye materials that absorb light of different wavelengths.

上記の構成において、光メモリ素子に情報信号を記録す
る場合には、第1図に示すように、先ず一定の波長を有
した光が例えば半導体レーザ光源から光メモリ素子へA
方向に照射される。そして、上記の光が462nmの波
長ハを有していた場合には、記録層R3のフォトクロミ
ック材料の着色状態が光化学反応により変化する。また
、上記の光が523nmの波長λ2の場合には、記録層
R2のフォトクロミック材料の着色状態が光化学反応に
より変化し、614nmの波長λ3の場合には、記録層
R3のフォトクロミック材料の着色状態が光化学反応に
より変化することになる。これにより、上記の記録層R
1・R2・R3には、各波長λ、・λ2 ・λユの光に
より、それぞれ別個の情報信号が記録されることになる
In the above configuration, when recording an information signal on the optical memory element, as shown in FIG.
irradiated in the direction. When the light has a wavelength of 462 nm, the colored state of the photochromic material of the recording layer R3 changes due to a photochemical reaction. Further, when the above-mentioned light has a wavelength λ2 of 523 nm, the colored state of the photochromic material of the recording layer R2 changes due to a photochemical reaction, and when the wavelength of the above light has a wavelength λ3 of 614 nm, the colored state of the photochromic material of the recording layer R3 changes. It will change due to photochemical reaction. As a result, the above recording layer R
Separate information signals are recorded in 1, R2, and R3 by light having wavelengths λ, .lambda.2, and .lambda., respectively.

この際、上記の各波長ハ ・λ2 ・λ、を有する光は
、大半が記録層R+’Rz  ・R3を透過するが、大
きな反射率を有する反射層2でB方向に反射される。こ
のB方向に反射された反射光は、反射層2で効率良く反
射されているため、充分に安定したサーボ用誤差信号と
して利用することが可能になる。従って、対物レンズは
、反射層2により安定したフォーカスサーボをかけるこ
とが可能になり、位置制御が容易になる。
At this time, most of the light having each of the wavelengths C, λ2 and λ passes through the recording layer R+'Rz and R3, but is reflected in the direction B by the reflective layer 2 having a large reflectance. Since the reflected light reflected in the B direction is efficiently reflected by the reflective layer 2, it can be used as a sufficiently stable error signal for servo. Therefore, the objective lens can be subjected to stable focus servo by the reflective layer 2, and position control becomes easy.

〔実施例2〕 本発明の他の実施例を第3図に基づいて説明すれば、以
下の通りである。
[Embodiment 2] Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

本実施例に係る光メモリ素子は、第3図に示すように、
例えばガラスやアクリルまたはポリカーボネート等のプ
ラスチックからなる基板7を有しており、この基板7は
、記録する光を充分に透過するようになっている。また
、基板7の面上には、反射層8・9と記録層S、−S、
とがこの順に形成されている。
The optical memory device according to this example, as shown in FIG.
It has a substrate 7 made of, for example, glass, acrylic, or plastic such as polycarbonate, and this substrate 7 is designed to sufficiently transmit recording light. Further, on the surface of the substrate 7, reflective layers 8 and 9 and recording layers S, -S,
are formed in this order.

上記の反射層8・9は、高屈折率層3・5と低屈折率層
4・6とからなっており、高屈折率層3・5は、ZnS
が約160nmの膜厚で形成されたものである。また、
低屈折率層4・6は、MgF。
The above reflective layers 8 and 9 are composed of high refractive index layers 3 and 5 and low refractive index layers 4 and 6, and the high refractive index layers 3 and 5 are made of ZnS.
is formed with a film thickness of approximately 160 nm. Also,
The low refractive index layers 4 and 6 are made of MgF.

が約280nmの膜厚で形成されたものである。そして
、反射層8・9は、上記の高屈折率層3・5と低屈折率
層4・6とを組み合わせることで、520nm付近の波
長を有する光を効率良く反射するようになっている。
is formed with a film thickness of approximately 280 nm. The reflective layers 8 and 9 are configured to efficiently reflect light having a wavelength around 520 nm by combining the high refractive index layers 3 and 5 and the low refractive index layers 4 and 6 described above.

また、上記の反射層9の面上に形成された記録層Sl 
 ’ S=は、下記の式で示す化合物を有している。
Further, a recording layer Sl formed on the surface of the reflective layer 9 described above
'S= has a compound represented by the following formula.

記録層S、は、CHz OCOCt+ H42およびN
O□を上記の化合物のX位置およびY位置にそれぞれ配
置したものであり、約10nmの膜厚に形成されている
。これにより、記録層S、は、618nmの波長λ4を
有する光で記録されるようになっている。また、記録層
S2は、0CI(、およびNO□を上記の化合物のX位
置およびY位置にそれぞれ配置したものであり、約10
nmの膜厚に形成されている。これにより、記録層St
は、600nmの波長λ、を有する光で記録されるよう
になっている。
The recording layer S is CHZ OCOCt+ H42 and N
O□ is placed at the X position and Y position of the above compound, respectively, and the film thickness is about 10 nm. Thereby, the recording layer S is recorded with light having a wavelength λ4 of 618 nm. In addition, the recording layer S2 is one in which 0CI (and NO□ are arranged at the X and Y positions of the above compound, respectively, and about 10
It is formed to have a film thickness of nm. As a result, the recording layer St
is recorded with light having a wavelength λ of 600 nm.

上記の構成において、光メモリ素子に情報信号を記録す
る場合には、先ず一定の波長を有した光が例えば半導体
レーザ光源から光メモリ素子へ照射される。この際、上
記の光は、基板7が充分に透明であるため、記録層S+
’Sg側または基板7側の何れの側から照射されても良
い。但し、光が基板7側であるC方向から照射される場
合には、基板7が0.5〜2.0 nm程度の厚みであ
ることが望ましい。
In the above configuration, when recording an information signal on the optical memory element, first, light having a certain wavelength is irradiated onto the optical memory element from, for example, a semiconductor laser light source. At this time, since the substrate 7 is sufficiently transparent, the above light is transmitted to the recording layer S+.
'The light may be irradiated from either the Sg side or the substrate 7 side. However, when the light is irradiated from the direction C, which is the side of the substrate 7, it is desirable that the thickness of the substrate 7 is about 0.5 to 2.0 nm.

そして、上記の光が618nmの波長λ4を有していた
場合には、記録層Slに情報信号が記録され、600n
mの波長λ、の場合には、記録層S2に情報信号が記録
される。上記の各波長λ4 ・λ。
Then, when the above light has a wavelength λ4 of 618 nm, an information signal is recorded in the recording layer Sl, and the wavelength λ4 is 600 nm.
In the case of a wavelength λ of m, an information signal is recorded on the recording layer S2. Each of the wavelengths λ4 and λ above.

を有する光は、大半が光メモリ素子を通過するが、52
0nmの波長λ6を有する光が照射された場合には、約
60%が反射層8・9で反射される。
Most of the light with 52
When irradiated with light having a wavelength λ6 of 0 nm, about 60% is reflected by the reflective layers 8 and 9.

従って、上記の波長λ6を有する光は、サーボ用誤差信
号として充分に利用できる反射光になる。
Therefore, the light having the wavelength λ6 becomes reflected light that can be fully used as a servo error signal.

このように、本実施例に係る光メモリ素子は、記録用以
外にサーボ用誤差信号用の光を照射することで、対物レ
ンズに対して安定してフォーカスサーボをかけることが
可能になり、対物レンズの位置制御が容易になる。
In this way, the optical memory element according to this embodiment makes it possible to stably apply focus servo to the objective lens by irradiating light for servo error signals in addition to recording, and it is possible to stably apply focus servo to the objective lens. position control becomes easier.

尚、上記の光メモリ素子は、2Nの反射N8・9を有し
ているが、これに限定されることはなく1層であっても
良い。これは、−層の反射率であっても、反射光がサー
ボ用誤差信号として充分に使用できるためである。また
、反射層8・9の高屈折率層3・5および低屈折率層4
・6は、ZnSおよびM g F zに限定されること
はない。即ち、反射層8・9は、屈折率の大きな材料と
屈折率の小さな材料とを組み合わせることで、特定の波
長の光に対して大きな反射率を有するものであれば良い
Although the optical memory element described above has a reflection of 2N N8 and 9, it is not limited to this and may have a single layer. This is because even if the reflectance of the layer is -, the reflected light can be sufficiently used as a servo error signal. In addition, the high refractive index layers 3 and 5 and the low refractive index layer 4 of the reflective layers 8 and 9
-6 is not limited to ZnS and M g F z. That is, the reflective layers 8 and 9 may have a high reflectance for light of a specific wavelength by combining a material with a high refractive index and a material with a low refractive index.

さらに、上記の反射層8・9が窒化アルミニウムや窒化
シリコン等の熱良導体で形成された場合には、記録時に
おける記録層S+  −3zの温度上昇を防止すること
が可能になり、ひいては記録層S1 ・S2の過熱によ
る破壊を防止することが可能になる。また、記録層S、
・S2は、層状に形成されている必要はなく、異なる波
長の光に感光する材料が混合して形成されたものであっ
ても良〔発明の効果〕 本発明に係る光メモリ素子は、以上のように、波長を異
ならせた複数の光がフォーカスサーボにより位置制御さ
れた対物レンズを介して照射されることで、複数の情報
信号が多重に記録される光メモリ素子において、上記光
メモリ素子には、少なくともl[r類以上の波長で大き
な反射率となる反射層が形成されている構成である。
Furthermore, if the reflective layers 8 and 9 are formed of a good thermal conductor such as aluminum nitride or silicon nitride, it becomes possible to prevent the temperature of the recording layer S+ -3z from rising during recording, and as a result, the recording layer It becomes possible to prevent destruction of S1 and S2 due to overheating. In addition, the recording layer S,
- S2 does not need to be formed in a layered form, and may be formed by mixing materials sensitive to light of different wavelengths [Effects of the Invention] The optical memory element according to the present invention has the above-mentioned properties. In an optical memory element in which a plurality of information signals are recorded multiplexed by irradiating a plurality of lights with different wavelengths through an objective lens whose position is controlled by a focus servo, the optical memory element has the following features: This is a configuration in which a reflective layer having a large reflectance at least at wavelengths of the l[r class or higher is formed.

これにより、大きな反射率となる反射層により効率良く
反射光を得ることができることで、フォーカスサーボに
よる対物レンズの位置制御を良好なものにすることが可
能になるという効果を奏する。
As a result, reflected light can be efficiently obtained by the reflective layer having a large reflectance, thereby achieving the effect that the position control of the objective lens by the focus servo can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図および第2図は、本発明の一実施例を示すもので
ある。 第1@は、3層の記録層を有する光メモリ素子の縦断面
図である。 第2図は、多数層の記録層を有する光メモリ素子の縦断
面図である。 第3図および第4図は、従来例を示すものであり、光メ
モリ素子の縦断面図である。 ■・7は基板、2・8・9は反射層、3・5は高屈折率
層、4・6は低屈折率層である。
1 and 2 show an embodiment of the present invention. The first @ is a vertical cross-sectional view of an optical memory element having three recording layers. FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of an optical memory element having multiple recording layers. FIG. 3 and FIG. 4 show a conventional example, and are longitudinal sectional views of an optical memory element. (2) 7 is a substrate, 2, 8 and 9 are reflective layers, 3 and 5 are high refractive index layers, and 4 and 6 are low refractive index layers.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、波長を異ならせた複数の光がフォーカスサーボによ
り位置制御された対物レンズを介して照射されることで
、複数の情報信号が多重に記録される光メモリ素子にお
いて、 上記光メモリ素子には、少なくとも1種類似上の波長で
大きな反射率となる反射層が形成されていることを特徴
とする光メモリ素子。
[Claims] 1. In an optical memory element in which a plurality of information signals are recorded in multiplex by irradiating a plurality of lights with different wavelengths through an objective lens whose position is controlled by a focus servo, the above-mentioned An optical memory element characterized in that the optical memory element is formed with a reflective layer that exhibits a large reflectance at at least one similar wavelength.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63146244A (en) * 1986-12-10 1988-06-18 Hitachi Ltd Wavelength multiplex light recording device

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JPS63146244A (en) * 1986-12-10 1988-06-18 Hitachi Ltd Wavelength multiplex light recording device

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