JPH03116921A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 半導体装置の製造方法に係り、詳しくはシンクロトロン
放射光にて形成される複数の回折光にて複数の被露光物
の露光を行なうようにした半導体装置の製造方法に関し
、 精度の高い半導体装置を短納期、低コストで製造できる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とし、 シンクロトロン放射光を、異なる向きの結晶格子面を複
数備えた回折体に照射してブラング条件を満たす複数の
回折光を形成させ、これら複数の回折光にて複数の被露
光物の露光を行なうようにした。

［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置の製造方法に係り、詳しくはシンク
ロトロン放射光にて形成される複数の回折光にて複数の
被露光物の露光を行なうようにした半導体装置の製造方
法に関するものである。

近年、半導体装置の高集積化に伴い、プロセス工程にお
いてはサブミクロンオーダーの精度が要求されている。

従って、このサブミクロンオーダーの半導体装置の製造
にはシンクロトロン放射光のようにシャープで指向性が
良い強い光を使用することが必要である。

［従来の技術］ 従来、一般に、ＬＳＩ製造に使用されるレチクル、マス
ク等の作製には電子ビーム描画装置が使用されている。

この電子ビーム描画装置はプロセス工程においてミクロ
ンオーダーまでの半導体装置の製造には適しているが、
サブミクロンオーダーの半導体装置では電子ビームの回
折、干渉等が発生して正確なパターンを露光することが
できないという問題がある。

そこで、サブミクロンオーダーの精度が要求される半導
体装置の製造において、シンクロトロン装置のストレー
ジリングから放射されたシンクロトロン放射光（Ｘ線）
のようなシャープで指向性が良い強い光を用いてレチク
ル、マスク等を露光することが考えられている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の方法では大型のシンクロトロン装
置より放射された１本のシンクロトロン放射光に対して
１つのレチクル又はマスクしか露光できず、製造コスト
が非常に高（なるばかりでなく、短納期化を図ることも
できないという問題がある。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
って、その目的は精度の高い半導体装置を短納期、低コ
ストで製造できる半導体装置の製造方法を提供すること
にある。

［課題を解決するための手段］ シンクロトロン放射光を、異なる結晶格子面を複数備え
た回折体に照射してブラック条件を満たす複数の回折光
を形成させる。そして、これら複数の回折光にて複数の
被露光物の露光を行なうようにした。

［作用１ シンクロトロン放射光が異なる結晶格子面を複数備えた
回折体に照射されると、同放射光は極単波長で指向性に
優れているため、各結晶格子面に対してブラック条件を
満たして回折し、それぞれ向きの異なる回折光が複数形
成される。この複数の回折光にて複数の被露光物の露光
を行なうと、サブミクロンオーダーの半導体装置におい
ても各回折光の回折、干渉等が起こらず高精度のパター
ンを作成することができる。

［実施例］ 以下、本発明を具体化した一実施例を図面に従って説明
する。

第１図は本発明を具体化した一実施例における露光方法
を説明するための概略構成図、第２図はガラスホルダの
断面図である。

第１図に示すように、第１真空室１内にはガラスホルダ
２が図示しない固定部材にて立設固定されている。第２
図に示すように、このガラスホルダ２の中央部には正方
形状の透孔３が形成され、同透孔３内にはシリコン（Ｓ
ｉ）の単結晶粉末を押し固めた回折体４が嵌合されてい
る。即ち、この回折体４を構成する各単結晶粉末の結晶
格子面はそれぞれ異なる向きを向いていることになる。

前記ガラスホルダ２の透孔３の縦方向寸法ａ及び横方向
寸法すは本実施例ではそれぞれ２ｃｍとしており、同ホ
ルダ２の厚さ方向寸法は厚いほどよい。

従って、第１図に示すようにこの回折体４に対してシン
クロトロン装置のストレージリング（図示路）から放射
されたシンクロトロン放射光、即ち、Ｘ￥ａＬＯを角度
θにて照射すると、同Ｘ線ＬＯの径は各単結晶粉末の結
晶粒よりも大きいため複数の結晶粒に対して照射される
こととなり、各結晶粒に対してブラック条件を満たして
回折し、それぞれ向きの異なる複数（本実施例では３本
）の回折光Ｌ１〜Ｌ３が形成される。

一方、第２真空室５内には前記各回折光Ｌ１〜Ｌ３の延
長線上に被露光物としてのレチクル６〜８が配置され、
各レチクル６〜８には第１及び第２真空室１．５の境界
部Ｂに配設されたコリメータ９〜１１により各回折光Ｌ
１〜Ｌ３の径が露光に必要な径に絞られて照射される。

従って、各レチクル６〜８をそれぞれｘ、　　ｙ矢印方
向に移動させることにより、各レチクル６〜８に対して
それぞれ所望（同−又は異なる）のパターンを露光する
ことができる。

このように、本実施例ではブラック条件を満たす極単波
長で指向性に優れたＸｖＡＬＯを、結晶格子面がそれぞ
れ異なる向きを向いているシリコンの単結晶粉末よりな
る回折体４に照射し、同Ｘ￥ａＬＯを各結晶粒にて回折
させ、それぞれ向きの異なる複数の回折光Ｌ１〜Ｌ３を
形成した。そして、各回折光Ｌ１〜Ｌ３にて複数のレチ
クル６〜８の露光を行なうようにしたので、サブミクロ
ンオーダーの半導体装置においても各回折光の回折、干
渉等が起こらず高精度のパターンを作成することができ
精度の高い半導体装置を製造することができる。

又、Ｘ線ＬＯから回折光Ｌ１〜Ｌ３を形成し、各回折光
Ｌ１〜Ｌ３にて複数のレチクル６〜８の露光を行なうよ
うにしたので、低コスト化を図ることができるとともに
、短納期化を図ることができる。

さらに、本実施例では第１真空室１内にシリコンの単結
晶粉末を押し固めた回折体４を配置し、レチクル６〜８
を第２真空室５内に配置したので、Ｘ線ＬＯの照射に伴
う、単結晶粉末の飛散によるレチクル６〜８の汚染を防
止することができるとともに、汚染及び空気による回折
線Ｌｌ−Ｌ３の散乱を防止することができる。

なお、本実施例では回折体４をシリコン（Ｓｉ）の単結
晶粉末を押し固めて構成したが、これ以外に例えばゲル
マニウム（Ｇｅ）等の単結晶粉末を押し固めて形成して
もよい。

又、本実施例では被露光物をレチクル６〜８としたが、
これ以外に例えばマスクや、ウェハ上に設けられたフォ
トレジストを露光するようにしてもよい。

［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明によれば精度の高い半導体
装置を短納期、低コストで製造できる優れた効果がある
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を具体化した一実施例における露光方法
を説明するための概略構成図、第２図はガラスホルダを
示す断面図である。 図において、 ２はガラスホルダ、 ４は回折体、 ６〜８はレチクル、 ９〜１１はコリメータ、 ＬＯはシンクロトロン放射光としてのＸ線、Ｌ１〜Ｌ３
は回折光である。 代　理　人　　　　弁理士 井桁

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　シンクロトロン放射光を、異なる向きの結晶格子面
   を複数備えた回折体に照射してブラック条件を満たす複
   数の回折光を形成させ、これら複数の回折光にて複数の
   被露光物の露光を行なうようにしたことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。