JPH0294659A - Ｉｃリード用部材 - Google Patents
Ｉｃリード用部材Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣリード用部材に関するものである。
従来、ＩＣリード用部材としては４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
、各種Ｃｕ合金等が主に用いられており、スタンピング
やエツチング加工により所定のリードフレーム形状に成
形されていた。
、各種Ｃｕ合金等が主に用いられており、スタンピング
やエツチング加工により所定のリードフレーム形状に成
形されていた。
しかしながら、近年のＩＣの高集積化にともないリード
用部材に対して多ビン化、高密度実装化の要求が強まる
中、これまでのような単一材のリードフレーム材ではリ
ードフレーム材自体の厚さのために微細加工も限界に達
し、リードフレーム板厚よりも狭い幅のリード加工は困
難となってきた。
用部材に対して多ビン化、高密度実装化の要求が強まる
中、これまでのような単一材のリードフレーム材ではリ
ードフレーム材自体の厚さのために微細加工も限界に達
し、リードフレーム板厚よりも狭い幅のリード加工は困
難となってきた。
また、ある程度以上の微細加工を行なうとリード強度劣
化によるリード位置ずれ、変形が発生しボンディング不
良を引き起こすという問題を有していた。
化によるリード位置ずれ、変形が発生しボンディング不
良を引き起こすという問題を有していた。
多ピン化対応のパッケージ技術としては、多数のリード
ピンをパッケージ下面に配したＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）や、絶縁テープ上に金属箔リードを配
したＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔ＋ｎａｔｓｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）などが知られている。
ピンをパッケージ下面に配したＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉ
ｄ Ａｒｒａｙ）や、絶縁テープ上に金属箔リードを配
したＴ Ａ Ｂ （Ｔａｐｅ Ａｕｔ＋ｎａｔｓｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）などが知られている。
しかしながら、ピン装入型であるＰＧＡは高密度実装に
限界が有り、また通常のセラミックスＰＧＡは熱放散性
不良、高価格といった問題を有する。また、熱放散性改
善、低価格化を狙ったプラスチックＰＧＡでは耐湿性が
劣化してしまう。
限界が有り、また通常のセラミックスＰＧＡは熱放散性
不良、高価格といった問題を有する。また、熱放散性改
善、低価格化を狙ったプラスチックＰＧＡでは耐湿性が
劣化してしまう。
ＴＡＢはリード部が箔で形成されているためエツチング
による微細加工が可能であるが、絶縁テープの伸縮によ
るリード位置精度の低下ならびに耐湿信頼性に欠けると
いった欠点を有している。
による微細加工が可能であるが、絶縁テープの伸縮によ
るリード位置精度の低下ならびに耐湿信頼性に欠けると
いった欠点を有している。
本発明は、以上の欠点を解消し多ピン化および高密度実
装化が可能なＩＣリード用部材の提供を課題とする。
装化が可能なＩＣリード用部材の提供を課題とする。
本発明者は種々検討した結果、第１図に示すように重量
％でＮｉ ３５−５５％、残部実質的にＦｅからなる基
板部３と重量％でＮｉ ３５〜５５％、残部実質的にＦ
ｅからなり厚さ１００μＩ以下の箔状であるリード部１
とが絶縁層２を介して接合されている構造のＩＣリード
用部材とすることにより前記課題を解決した。
％でＮｉ ３５−５５％、残部実質的にＦｅからなる基
板部３と重量％でＮｉ ３５〜５５％、残部実質的にＦ
ｅからなり厚さ１００μＩ以下の箔状であるリード部１
とが絶縁層２を介して接合されている構造のＩＣリード
用部材とすることにより前記課題を解決した。
本発明レト−おいて、基板部に重量％でＮｉ ３５〜５
５％。
５％。
残部実質的にＦｅからなるＦｅ−Ｎｉ合金を用いるのは
、半導体チップとの熱的整合性を持たせるためである６ Ｎｉ量が３５％未満ではオーステナイト単相組織が得ら
れず、熱膨張係数の変動をきたす可能性があるため３５
％以上とする。また、５５％を越えると熱膨張係数が大
きくなりチップとの整合性が維持できなくなるため５５
％以下とした。またこの成分系であれば基板として必要
な機械的強度を十分満足できる。
、半導体チップとの熱的整合性を持たせるためである６ Ｎｉ量が３５％未満ではオーステナイト単相組織が得ら
れず、熱膨張係数の変動をきたす可能性があるため３５
％以上とする。また、５５％を越えると熱膨張係数が大
きくなりチップとの整合性が維持できなくなるため５５
％以下とした。またこの成分系であれば基板として必要
な機械的強度を十分満足できる。
リード部を形成する金属箔については前記ＴＡＢには導
電性に優れたＣｕが用いられているが、Ｃｕは強度が低
いためワイヤーボンディング時に変形を起こしやすい。
電性に優れたＣｕが用いられているが、Ｃｕは強度が低
いためワイヤーボンディング時に変形を起こしやすい。
また、基板部との熱膨張整合性、めっき性、はんだ付は
性等を考慮した場合、基板部と同等の組成を有すること
が望ましい。
性等を考慮した場合、基板部と同等の組成を有すること
が望ましい。
本発明では以上の事項を考慮し、リード部に機械的強度
に優れたＮｉ３５〜５５％、残部実質的にＦｅからなる
Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いることにした。
に優れたＮｉ３５〜５５％、残部実質的にＦｅからなる
Ｆｅ−Ｎｉ合金を用いることにした。
リード部の厚さをｌＯＯμ−以下とするのは微細加工を
容易にするためである。
容易にするためである。
前記基板部とリード部とは絶縁層を介して接合されてい
る。
る。
絶縁層を介して接合するのは、絶縁層によって基板部と
リード部とを電気的に分離させるためである。すなわち
リード部は絶縁層を介して接合された箔をエツチングに
よりリード形状に加工するが、その際にリード部のみが
エツチングされる必要があり、また形成されたリード同
志が短絡しないように絶縁層を介して接合するのである
。絶縁層の耐熱性を１５０℃以上としたのは、１５０℃
未満では、チップやワイヤーのボンディング時の加熱の
際に絶縁層が変質を起すため、１５０℃以上とした。
リード部とを電気的に分離させるためである。すなわち
リード部は絶縁層を介して接合された箔をエツチングに
よりリード形状に加工するが、その際にリード部のみが
エツチングされる必要があり、また形成されたリード同
志が短絡しないように絶縁層を介して接合するのである
。絶縁層の耐熱性を１５０℃以上としたのは、１５０℃
未満では、チップやワイヤーのボンディング時の加熱の
際に絶縁層が変質を起すため、１５０℃以上とした。
なお、絶縁層を介して前記基板部とリード部となる箔を
接合する方法としては、エポキシ系樹脂等の絶縁性の接
着剤で接着する。またはエポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂等に紙、布等の基材を含浸させたシート、フィ
ルムの状態で前記基材を含浸させたシート、フィルムの
状態で前記基板部とリード部との間に介在させ、加熱、
加圧を施すことにより接合する等の方法が適用されるに
の場合、基板部およびリード部を形成するＦｅ−Ｎｉ合
金と絶縁層をなす樹脂との密着性について本発明者が種
々検討した結果、合金の表面粗さが１０点平均粗さ（Ｒ
ｚ）で０．２μ−以上とすることにより樹脂との密着性
を強固にすることが確認された。ただし、Ｒｚが３．０
μ腸を越えると密着性は良好であるが、エツチング形状
不良、めっき性、はんだ性の劣化が生じるので０．２μ
厘以上３．０μｍ以下とすることが重要である。
接合する方法としては、エポキシ系樹脂等の絶縁性の接
着剤で接着する。またはエポキシ樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂等に紙、布等の基材を含浸させたシート、フィ
ルムの状態で前記基材を含浸させたシート、フィルムの
状態で前記基板部とリード部との間に介在させ、加熱、
加圧を施すことにより接合する等の方法が適用されるに
の場合、基板部およびリード部を形成するＦｅ−Ｎｉ合
金と絶縁層をなす樹脂との密着性について本発明者が種
々検討した結果、合金の表面粗さが１０点平均粗さ（Ｒ
ｚ）で０．２μ−以上とすることにより樹脂との密着性
を強固にすることが確認された。ただし、Ｒｚが３．０
μ腸を越えると密着性は良好であるが、エツチング形状
不良、めっき性、はんだ性の劣化が生じるので０．２μ
厘以上３．０μｍ以下とすることが重要である。
本発明によれば形成されたリード部が基板部および絶縁
層に固定されているため、リードの寄りや段差が生じる
ことはなく、多ピン化、高密度実装化の要求に十分対応
し得る。
層に固定されているため、リードの寄りや段差が生じる
ことはなく、多ピン化、高密度実装化の要求に十分対応
し得る。
また、基板部はそのままパッケージの外周として用いる
ことが可能であり、従来のセラミックスやプラスチック
封止に比べて熱放散性にも優れる。
ことが可能であり、従来のセラミックスやプラスチック
封止に比べて熱放散性にも優れる。
本発明の実施例について述べる。
基板部として、厚さ０．３５＋ｎｍ、幅５００＋ｍの４
２％Ｎｉ−Ｆｅ合金の鋼帯を用い、厚さ０．０５ｍ、幅
５００ｍのビスフェノールＡエポキシ系樹脂を絶縁層（
接着剤として使用）として、リード部として厚さ０．０
５■、幅５００ｍｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金の箔を接合
させた。得られた帯素材について平均熱膨張係数、引張
試験と電気伝導度の測定を行った。
２％Ｎｉ−Ｆｅ合金の鋼帯を用い、厚さ０．０５ｍ、幅
５００ｍのビスフェノールＡエポキシ系樹脂を絶縁層（
接着剤として使用）として、リード部として厚さ０．０
５■、幅５００ｍｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金の箔を接合
させた。得られた帯素材について平均熱膨張係数、引張
試験と電気伝導度の測定を行った。
また、リード用箔をリード幅０．３ｍ、リードピッチ０
．６５ｍｍ、リード長１５ａ＋＋のＱ Ｆ Ｐ （Ｑｕ
ａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）パターンにフォトエツ
チングを行いリード位置の判定を行った。エツチング液
は濃度４２ボーメ、液温４０℃の塩化第二鉄水溶液を用
いた。
．６５ｍｍ、リード長１５ａ＋＋のＱ Ｆ Ｐ （Ｑｕ
ａｄ ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）パターンにフォトエツ
チングを行いリード位置の判定を行った。エツチング液
は濃度４２ボーメ、液温４０℃の塩化第二鉄水溶液を用
いた。
さらに、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金と絶縁層との密着強度の
評価は、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金の表面粗さを種々変えて
絶縁層との接合を行ない、得られた帯素材について１８
０°曲げ戻し試験（曲げ部のＲは０．２５ｍｍＲである
）を行なった。
評価は、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金の表面粗さを種々変えて
絶縁層との接合を行ない、得られた帯素材について１８
０°曲げ戻し試験（曲げ部のＲは０．２５ｍｍＲである
）を行なった。
なお、比較例として４２Ｎｉ−Ｆｅ合金単体、２．３も
同様の測定、判定を行なった。
同様の測定、判定を行なった。
結果を第１表に示す。第１表中の評価は以下の通りであ
る。
る。
Ｓｉチップとの熱的整合性は、常温から３００℃までの
平均熱膨張係数が１２Ｘ１０−＠／”Ｃ以下を良、１２
ＸＩＯ’／’Ｃを越えるものを不良とした。
平均熱膨張係数が１２Ｘ１０−＠／”Ｃ以下を良、１２
ＸＩＯ’／’Ｃを越えるものを不良とした。
機械的強度は引張強さが５０ ｋｇ ｆ ／ ｗｓ ”
以上を良。
以上を良。
５０ｋｇｆ／ｍｕ”未満を不良とした。
リード位置の判定は、リードの寄りまたは段差が生じな
いものを良、生じたものを不良とした。
いものを良、生じたものを不良とした。
樹脂密着性は１８０°曲げ戻し試験後絶縁層が剥離して
隙間が生じたものを不良、剥離が生じないものを良とし
た。
隙間が生じたものを不良、剥離が生じないものを良とし
た。
第１表
ｆＪ１図
第１表から明らかなように本発明はＩＣリード用部材に
要求される諸特性を十分に満足するものである。
要求される諸特性を十分に満足するものである。
本発明によれば、多ピン化、高密度実装化が可能で、か
つ熱放散性に優れたＩＣリード用部材を提供することが
でき、その効果は大きい。
つ熱放散性に優れたＩＣリード用部材を提供することが
でき、その効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明ＩＣ用リード部材の断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量％でＮｉ３５〜５５％残部実質的にＦｅからな
るＦｅ−Ｎｉ合金の基板部と重量％でＮｉ３５〜５５％
残部実質的にＦｅからなり厚さ１００μｍ以下の箔状で
あるリード部とが絶縁層を介して接合されていることを
特徴とするＩＣリード用部材。 ２ 絶縁層の耐熱性が１５０℃以上である請求項１記載
のＩＣリード用部材。 ３ 基板部およびリード部を形成する合金の表面粗さが
１０点平均粗さ（Ｒ＿ｚ）０．２〜３．０μｍである請
求項１または請求項２記載のＩＣリード用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24716988A JP2672349B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Ｉｃリード用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24716988A JP2672349B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Ｉｃリード用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294659A true JPH0294659A (ja) | 1990-04-05 |
| JP2672349B2 JP2672349B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=17159468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24716988A Expired - Fee Related JP2672349B2 (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | Ｉｃリード用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2672349B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241954A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24716988A patent/JP2672349B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241954A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2672349B2 (ja) | 1997-11-05 |
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