JPH029153Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、半導体製造用の高純度ガス供給系に
使用される弁に関する。

（従来の技術） 弁箱に形成された弁孔を開閉するために用いら
れる弁体においては、弁座に着座した閉鎖状態に
おける漏洩を極小にするため、弁座に接離する弁
シートを合成樹脂により形成する場合がある。

このような合成樹脂製弁シートは金属製の弁ス
テムに連結しなければならない。

従来においては、第２図に示すような圧入構
造、第３図に示すかしめ付け構造、あるいは第４
図に示すねじ結合構造が採用されていた。

（考案が解決しようとする課題） しかしながら、上記従来の構造の場合、合成樹
脂製弁シートと金属製の弁ステムの間に微小〓間
が発生し、この微小〓間に異種流体が侵入し、こ
の異種流体が実用時に侵出して正規な流体を汚染
することがある。

特に半導体製造用の高純度ガス供給系に使用さ
れる弁の場合は、高純度ガス供給ラインが完成し
た時、このラインの水分を除去するためライン全
体を加熱してベーキング処理をするようになつて
いるが、前記のように合成樹脂製弁シートと金属
製の弁ステムの間の微小〓間に水分が残り易く、
高純度ガスを汚染する原因になる。

また、従来の場合、金属製弁ステムの加工バリ
が有害な塵埃の発生原因にもなり、かつ弁シート
が弁ステムから離脱し易い不具合もある。

さらに、上記半導体製造用の高純度ガス供給ラ
インにおいて水分を除去するためライン全体を加
熱処理する場合は、水分の除去効率を高めるのに
加熱温度が高ければ高い程有効であり、通常300
〜500℃程度に加熱する。このようなラインに適
用される弁の従来の合成樹脂製弁シートでは耐熱
性に劣り、熱劣化してしまつて使用不能になる不
具合がある。

本考案は上述のような事情にもとづきなされた
もので、弁ステムから弁シートが離脱したり、こ
れらの間に異種流体が侵入する〓間が発生した
り、汚染の原因となる有害な塵埃を発生したり、
あるいは熱劣化する等の不具合が防止される高純
度ガス供給系用の弁を提供しようとするものであ
る。

（課題を解決するための手段） 本考案は、弁箱に形成された弁座に接離自在に
着座して弁孔を開閉可能に閉塞する弁体を有し、
この弁体は、弁ステムに合成樹脂製の弁シートを
取着して構成してなる高純度ガス供給系用の弁に
おいて、上記合成樹脂製の弁シートはポリイミド
系樹脂からなり、この弁シートは上記弁ステムに
形成した凹凸部を一体に埋設することによりこの
凹凸部を覆つてこの弁ステムに被着されているこ
とを特徴とする。

（作用） 本考案によると、弁ステムに形成した凹凸部は
弁シートに一体に埋設されているので、これら弁
シートと弁ステムが相互に離脱することはなく、
かつ両者の間に微小〓間を発生させることがな
い。このため、微小〓間に水分等の異種流体が侵
入してこれが残留し、正規に使用するときに高純
度ガス中に侵出することがなくなる。また、弁シ
ートは加工バリを覆うので有害な塵埃の発生源に
なる心配もない。さらに、この弁シートはポリイ
ミド系樹脂により形成されているので、耐熱性に
優れ、半導体製造用の高純度ガス供給ラインにお
いて水分を除去するためライン全体を300〜500℃
程度に加熱処理しても、弁シートが熱劣化せず、
不純物の発生もない。したがつて半導体製造用の
高純度ガス供給ラインに適用して不純物の発生が
極めて少い弁が得られる。

（実施例） 以下本考案を図示の一実施例について説明す
る。

第１図は半導体製造用の高純度ガス供給系に使
用される弁を示し、弁箱１には弁室２、流路３お
よび４、これら流路３および４を連通させる弁孔
５、この弁孔５の上記弁室２に臨む端部に設けた
弁座６が形成されている。

上記弁室２には軸方向に変位自在な弁体７と、
この弁体７を開方向に付勢するばね部材８が収容
されている。

弁体７は、上記弁座６に接離自在に対向する合
成樹脂製の弁シート９と、この弁シート９を支持
する金属製の弁ステム１０とで構成されている。

弁箱１には弁軸１１が螺挿されており、この弁
軸１１の内端部は介挿部材１２およびダイヤフラ
ムを介して上記弁ステム１０に当接しているとと
もに、外端部にはハンドル１３が取り付けられて
いる。このハンドル１３を回動操作することによ
り弁体７が駆動され、これにより弁孔５が開閉さ
れるようになつている。

上記弁ステム１０には、側面に例えば環状溝な
どのような凹部１４が形成され、この先端側に連
接して凸部１５が形成されている。上記弁シート
９は、高温度に適し、吸着ガスの放出量が少な
く、かつ弁ステム１０と熱膨脹係数がほぼ等しい
ポリイミド系樹脂で製造されている。このポリイ
ミド系樹脂からなる弁シート９はその成形時に、
上記弁ステム１０の凹部１４および凸部１５を一
体に埋設して成形してあり、つまりこのポリイミ
ド系樹脂からなる弁シート９は上記弁ステム１０
の凹部１４および凸部１５の外側に一体に被着さ
れているものである。

このような構成によれば、弁ステム１０の凹凸
部１４，１５は弁シート９の内部に一体に埋設さ
れているので、これら弁シート９と弁ステム１０
が相互に剥がれることはなく、かつ両者の間に微
小〓間を発生させることもない。

このため、微小〓間に水分等の異種流体が侵入
してこれが残留し、正規に使用するときに高純度
ガス中に侵出することがない。

また、弁ステム１０の凹凸部１４，１５が弁シ
ート９に覆われているので、加工バリ部が露出せ
ず、有害な塵埃の発生源になる心配もない。

さらに、この弁シート９はポリイミド系樹脂に
より形成されているので、耐熱性に優れ、半導体
製造用の高純度ガス供給ラインにおいて水分を除
去するためライン全体を300〜500℃程度に加熱処
理しても、このポリイミド系樹脂からなる弁シー
ト９は熱劣化せず、不純物の発生もない。

さらに、弁シート９表面の成形面は滑らかであ
り、したがつてこの滑らかな成形面をそのまま使
用すればよいので、製造が容易であり、合成樹脂
の使用量も僅かでよく、安価に得られる。

なお、本考案は上記実施例に限定されるもので
はない。例えば弁ステム１０の凹凸部は必要に応
じて位置、形状および数などを適宜に設定してよ
く、その他、本考案の要旨とするところの範囲で
種々の変更ないし応用が可能である。

（考案の効果） 以上説明したように本考案によれば、半導体製
造用の高純度ガス供給系に使用して、不純物の発
生が極めて少なく、弁ステムから弁シートが離脱
したり、これらの間に異種流体が侵入する〓間が
発生したり、汚染の原因となる有害な塵埃を発生
したり、あるいは熱劣化する等の不具合が防止さ
れる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２
図、第３図および第４図はそれぞれ異なる従来例
を示す説明図である。 １……弁箱、５……弁孔、６……弁座、７……
弁体、９……弁シート、１０……弁ステム、１２
……弁軸、１４……凹部、１５……凸部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 弁箱に形成された弁座に接離自在に着座して弁
   孔を開閉可能に閉塞する弁体を有し、この弁体
   は、弁ステムに合成樹脂製の弁シートを取着して
   構成してなる高純度ガス供給系用の弁において、 上記合成樹脂製の弁シートはポリイミド系樹脂
   からなり、この弁シートは上記弁ステムに形成し
   た凹凸部を一体に埋設することによりこの凹凸部
   を覆つてこの弁ステムに被着されていることを特
   徴とする高純度ガス供給系用の弁。