JPH0290076A - Inspecting apparatus - Google Patents

Inspecting apparatus

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JPH0290076A
JPH0290076A JP63241108A JP24110888A JPH0290076A JP H0290076 A JPH0290076 A JP H0290076A JP 63241108 A JP63241108 A JP 63241108A JP 24110888 A JP24110888 A JP 24110888A JP H0290076 A JPH0290076 A JP H0290076A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
inspection
time
control part
test
Prior art date
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Pending
Application number
JP63241108A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naomi Eguchi
江口 直巳
Masahito Yoshimoto
吉本 政仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP63241108A priority Critical patent/JPH0290076A/en
Publication of JPH0290076A publication Critical patent/JPH0290076A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To make it possible to improve inspection efficiency by summing up defect occurring rates for every specified inspecting time. CONSTITUTION:A control part 2 controls a pattern generating part 5 through a bus line 3. A test signal (a) is outputted into burn-in boards 10 through each driver 12. The signal (a) which is inputted into each semiconductor device through the board 10 makes the semiconductor device perform a specified operation, and a test result signal (b) is outputted. The signal (b) is inputted into a comparator 13 and compared with a threshold value signal (t) from the generating part 5. The judged result signal (c) from the comparator 13 is sent into the control part 2 through the line 3. In the control part 2, the defect occurring rate per unit time in all boards is computed based on the judged result signals. The control part 2 sums up the defect occurring rates which are computed for every unit time in time series and computes the changing state for every detected time. As a result, the control part 2 judges the end of inspection when the defect occurring rate becomes less than a preset constant reference.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、1.C,LSI等の半導体装置の検査に係り
、特に半導体装置を作動させて行ういわゆるダイナミッ
クバーンインテストに適用して有効な技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Field of Application] The present invention comprises: 1. The present invention relates to testing of semiconductor devices such as C, LSI, etc., and particularly relates to a technique that is effective when applied to a so-called dynamic burn-in test performed by operating a semiconductor device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

この種の技術について記載されている例としては、株式
会社工業調査会、昭和62年11月18日発行、「19
88年版、超LSI製造・試験装置ガイドブックJP2
25〜P232がある。
An example of this type of technology described is “19
1988 edition, VLSI manufacturing and testing equipment guidebook JP2
There are 25 to P232.

上記文献においては、種々の環境試験装置およびその目
的等が説明されている。
In the above-mentioned documents, various environmental test devices and their purposes are explained.

一般に、信頼性試験とよばれるこの種の検査では、製品
(半導体装[1りが製造元から出荷され、最終ニーデー
に納入され、この最終ユーザーのもとて規定の作動を行
い、製品寿命となるまでを加速的にシミュレーションし
て、初期不良の防止あるいはその後の製品信頼性に役立
てようというものである。
In general, in this type of inspection called reliability testing, a product (semiconductor device) is shipped from the manufacturer, delivered on the final day, operates as specified to the final user, and reaches the end of its product life. The aim is to simulate this at an accelerated pace and use it to prevent initial failures and improve subsequent product reliability.

上記のような検査の一つとして、半導体装置に対して電
源電圧とクロックとを与えて加熱環境下で一定時間放置
し、その後の不良発生率を調べるいわゆるダイナミック
・バーンインテストが知られている。
As one of the above-mentioned tests, a so-called dynamic burn-in test is known, in which a power supply voltage and a clock are applied to a semiconductor device, the device is left in a heated environment for a certain period of time, and the failure rate thereafter is checked.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上記従来技術においては、加熱環境下の、い
わゆる加速時間下で実行される検査であるため、対象と
なる半導体装置にとって最適な条件で検査が実行されて
いるか否か、とくに検査時間が適正であるか否かについ
て判断する基準がなく、必要以上に長い検査時間を確保
してしまい、量産時における半導体装置の検査効率を低
下させる一因となってた。
However, in the above-mentioned conventional technology, since the test is performed in a heated environment under so-called acceleration time, it is difficult to determine whether the test is being performed under the optimal conditions for the target semiconductor device, especially when the test time is appropriate. There is no standard for determining whether or not this is the case, which results in an unnecessarily long inspection time, which is one of the causes of lower inspection efficiency of semiconductor devices during mass production.

本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、そ
の目的は、個々の種類の半導体装置の検査において最適
な検査時間を把暗することによって、検査効率を向上さ
せることのできる技術を提供することにある。
The present invention has been made with a focus on the above-mentioned problems, and its purpose is to develop a technology that can improve inspection efficiency by understanding the optimal inspection time for testing individual types of semiconductor devices. It is about providing.

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。
[Means for Solving the Problems] A brief summary of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、テストボード上の半導体装置に対してテスト
信号を発生する信号パターン発生手段と、上記半導体装
置からの出力信号を検査する出力データ判定手段と、こ
の判定結果に基づいて一定検査時間毎の不良発生率を算
出する集計手段とを設けたものである。
That is, a signal pattern generation means for generating a test signal for the semiconductor device on the test board, an output data judgment means for inspecting the output signal from the semiconductor device, and a defect detection unit for each fixed inspection time based on the judgment result. This system also includes aggregation means for calculating the incidence rate.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、一定検査時間毎に不良発生率を
集計し、その不良発生率の推移に注目して、これが一定
状態に安定した時点を検査完了の目安とすることができ
る。
According to the above-mentioned means, it is possible to total up the defective occurrence rate every fixed inspection time, pay attention to the change in the defective occurrence rate, and use the time point when the defective occurrence rate stabilizes at a constant state as a guideline for completion of the inspection.

このため、個別の種類の半導体装置毎に、検査完了時間
の把渥がきわめて容易となり、量産時における検査時間
の設定を適正に行うことができる。
Therefore, it is extremely easy to ascertain the inspection completion time for each individual type of semiconductor device, and it is possible to appropriately set the inspection time during mass production.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例である検査装置の概略的な構
成を示すブロック図、第2図は本実施例による不良発生
率の推移を示す説明図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing a change in defect occurrence rate according to this embodiment.

本実施例の検査装置1は、第1図に示すように検査装置
1全体の主制御を行う制御1部2を有しており、この制
御部2にはパスライン3を通じて記憶部4、パターン発
生部5および電源供給部6が接続されている。同図中7
で示される恒温槽は、加熱手段としてのヒータ8を備え
ており、槽内に収容されるバーンインボード群10を所
定のil、1条件とすることができるように制御されて
いる。
As shown in FIG. 1, the inspection apparatus 1 of this embodiment has a control section 2 that performs main control of the entire inspection apparatus 1, and this control section 2 is connected to a storage section 4 and a pattern pattern via a pass line 3. A generating section 5 and a power supply section 6 are connected. 7 in the same figure
The constant temperature bath shown in is equipped with a heater 8 as a heating means, and is controlled so that the burn-in board group 10 housed in the bath can be brought to a predetermined il and 1 condition.

なお、上記ヒータ8はパスライン3を通じてその加熱温
度を制御部2によって制御可能とされている。
The heating temperature of the heater 8 can be controlled by the control section 2 through the pass line 3.

上記バーンインボード群IOに対応して槽外には判定部
11が設けられてふり、各判定1fllll内には上記
パターン発生部5からのテスト信号を各バーンインボー
ド群10に出力するドライバ12と、バーンインボード
群IOからのテスト結果出力信号をパターン発生部5か
らのしきい値信号と比較する比較器13とを有しており
、この比較器I3からの出力はパスライン3を通じて制
御部2に人力される構成となっている。
A determination section 11 is provided outside the tank corresponding to the burn-in board group IO, and a driver 12 for outputting a test signal from the pattern generation section 5 to each burn-in board group 10 is provided in each determination 1fllll. The comparator 13 compares the test result output signal from the burn-in board group IO with the threshold signal from the pattern generation section 5, and the output from the comparator I3 is sent to the control section 2 through the pass line 3. It is configured to be operated manually.

なお、図示しないが恒温槽7内のバーンインボード群1
0には電源電圧およびテスト信号の他、クロック信号等
も与えられるようになっている。
Although not shown, the burn-in board group 1 in the thermostatic chamber 7
In addition to a power supply voltage and a test signal, clock signals and the like can also be applied to 0.

また、上記パスライン3には表示装置14およびフロッ
ピーディスクドライブ等の外部入出力装置15も接続さ
れており、データおよびテスト結果の表示ならびに格納
が可能となっている。
Further, a display device 14 and an external input/output device 15 such as a floppy disk drive are also connected to the pass line 3, so that data and test results can be displayed and stored.

次に、本実施例による検査工程について説明する。Next, the inspection process according to this embodiment will be explained.

バーンインボード10に、複数の半導体装置が装着され
、恒温槽7内に収容されると、制御部2の制御によりヒ
ータ8が加熱を開始するとともに、電源供給部6がバー
ンインボード10上の半導体装置に対して駆動電源の供
給を開始する。駆動電源の電圧値が安定した状態となっ
た段階で、制御R2はパスライン3を通じてパターン発
生部5を制御し、判定部11のドライバ12を通じてテ
スト(ff 号a ヲバーンインボード10に対して出
力する。このバーンインボード10を通じて各半導体装
置に入力されたテスト信号aは、半導体装置に所定の動
作を行わせて、テスト結果信号すを出力させる。このテ
スト結果信号すは、上記判定部11の比較器13に人力
され、パターン発生部5からのしきい値信号tと比較さ
れる。この比較器13からの判定結果信号Cは、パスラ
イン3を通じて制H部2に送られる。
When a plurality of semiconductor devices are mounted on the burn-in board 10 and housed in the constant temperature oven 7, the heater 8 starts heating under the control of the control section 2, and the power supply section 6 connects the semiconductor devices on the burn-in board 10. Start supplying driving power to. At the stage when the voltage value of the driving power supply becomes stable, the control R2 controls the pattern generating section 5 through the pass line 3, and outputs the test (ff No. a) to the burn-in board 10 through the driver 12 of the determining section 11. The test signal a input to each semiconductor device through this burn-in board 10 causes the semiconductor device to perform a predetermined operation and output a test result signal S. This test result signal S The signal C is input to the comparator 13 and compared with the threshold signal t from the pattern generating section 5. The determination result signal C from the comparator 13 is sent to the H control section 2 through the path line 3.

制@部2では、上記判定結果信号に基づいて、バーンイ
ンボードlO全体の単位時間あたりの不良発生率を算出
する。このように算出された不良発生率は、パスライン
3を通じて記憶部40所定アドレスに格納される。ここ
で単位時間とは、前回の不良発生率の検出時間から今回
の検出時間までの間の時間(例えば1時間)を指す。
The control unit 2 calculates the failure rate per unit time for the entire burn-in board 10 based on the determination result signal. The failure rate calculated in this way is stored at a predetermined address in the storage unit 40 through the pass line 3. Here, the unit time refers to the time (for example, 1 hour) between the previous detection time of the defect occurrence rate and the current detection time.

このようにして制御部2は、単位時間毎に不良発生率を
算出し、これを経時的に集計し、その変化の状態を検出
時間毎に算出する。
In this way, the control unit 2 calculates the defective occurrence rate for each unit time, totals this over time, and calculates the state of change for each detection time.

この結果、不良発生率があらかじめ設定された一定基準
以下となった場合(第2図で示すCの時点)、制御部2
は検査終了を判断し、ヒータ8による加熱の停止および
電源供給部6による電R電圧の印加停止を指示するとと
もに、CRT等の表示装置I4を通じて、その旨をオペ
レータに通知する。
As a result, if the defect rate falls below a preset standard (point C shown in FIG. 2), the control unit 2
determines the end of the test, instructs the heater 8 to stop heating and the power supply unit 6 to stop applying the electric voltage R, and notifies the operator of this through the display device I4 such as a CRT.

このとき制御部2は、検査開始Sから上記検査終了時E
までの延べ時間を外部入出力装置15内の記録媒体(図
示せず)上に記録する。
At this time, the control unit 2 controls from the test start S to the test end E.
The total time until then is recorded on a recording medium (not shown) in the external input/output device 15.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。たとえば、実施例では検
査終了が制S部2によって判断され、ヒータ8の停止お
よび電源供給部6の停止等が制@部2の指示によって自
動的に行われる場合について説明したが、制御部2は不
良発生率があらかじめ設定された一定基準以下となった
際に表示装置14等に表示するのみで、後の操作はオペ
レータがマニュアルによって行うようにしてもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, in the embodiment, a case has been described in which the end of the test is determined by the control unit 2, and the stopping of the heater 8, the power supply unit 6, etc. are automatically performed according to instructions from the control unit 2. may be displayed on the display device 14 or the like only when the failure rate falls below a preset certain standard, and the subsequent operations may be performed manually by the operator.

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるバーンインテストに用
いられる検査装置に適用した場合について説明したが、
これに限定されるものではなく、他のII境試験装置等
においても広く適用できる。
The above explanation has mainly been about the case where the invention made by the present inventor is applied to an inspection device used in a so-called burn-in test, which is the field of use of the invention.
The present invention is not limited to this, and can be widely applied to other II environment test equipment.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、本発明によれば、一定検査時間毎に不良発生
率を集計し、その不良発生率の推移に注目して、これが
一定状態に安定した時点を検査完了の目安とすることが
できる。そのため、個別の種類の半導体装置毎に、検査
完了時間の把握がきわめて容易となり、量産時における
検査時間の設定を適正に行い、効率的な検査を実現する
ことが可能となる。
That is, according to the present invention, it is possible to total up the defective occurrence rate for each fixed inspection time, pay attention to the change in the defective occurrence rate, and use the time when the defective occurrence rate stabilizes at a constant state as a guide for completion of the inspection. Therefore, it becomes extremely easy to grasp the inspection completion time for each individual type of semiconductor device, and it becomes possible to appropriately set the inspection time during mass production and realize efficient inspection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例である検査装置1の概略的な
構成を示すブロック図、 第2図は本実施例による不良発生率の推移を示す説明図
である。 1・・・検査装置、2・・・制御部、3・・・パスライ
ン、4・・・記憶部、5・・・パターン発生部、6・・
・電源供給部、7・・・恒温槽、8・・・ヒータ、10
・・・バーンインボード、11・・・判定部、12・・
・ドライバ 13・・・比較器、14・・・表示装置、
15・・・外部入出力装置。
FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an inspection apparatus 1 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing a change in defect occurrence rate according to this embodiment. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Inspection device, 2... Control part, 3... Pass line, 4... Storage part, 5... Pattern generation part, 6...
・Power supply unit, 7... Constant temperature chamber, 8... Heater, 10
... Burn-in board, 11... Judgment section, 12...
・Driver 13... Comparator, 14... Display device,
15...External input/output device.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、テストボード上に装着された複数個の半導体装置に
対して少なくとも駆動電源の供給を継続しながら検査を
行う検査装置であって、上記テストボード上の半導体装
置に対してテスト信号を発生する信号パターン発生手段
と、上記半導体装置からの出力信号を検査する出力デー
タ判定手段と、この判定結果に基づいて一定検査時間毎
の不良発生率を算出する集計手段とを設け、この集計結
果により検査の続行・終了の判定を容易にした検査装置
。 2、上記集計結果に基づく検査の続行・終了の判定手段
を備えたことを特徴とする請求項1記載の検査装置。
[Claims] 1. An inspection device that tests a plurality of semiconductor devices mounted on a test board while continuing to supply at least driving power to the semiconductor devices mounted on the test board. and a signal pattern generating means for generating a test signal using the semiconductor device, an output data determining means for inspecting an output signal from the semiconductor device, and a totalizing means for calculating a failure rate for each predetermined inspection time based on the result of the determination. , an inspection device that makes it easy to decide whether to continue or end the inspection based on the aggregated results. 2. The inspection apparatus according to claim 1, further comprising means for determining whether to continue or terminate the inspection based on the total result.
JP63241108A 1988-09-28 1988-09-28 Inspecting apparatus Pending JPH0290076A (en)

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JP63241108A JPH0290076A (en) 1988-09-28 1988-09-28 Inspecting apparatus

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH075226A (en) * 1991-02-18 1995-01-10 Nec Corp Monitored burn-in apparatus
CN104865518A (en) * 2015-05-08 2015-08-26 北京航空航天大学 CLB dynamic aging configuration method of SRAM type FPGA

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