JPH0282249A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0282249A JPH0282249A JP23547988A JP23547988A JPH0282249A JP H0282249 A JPH0282249 A JP H0282249A JP 23547988 A JP23547988 A JP 23547988A JP 23547988 A JP23547988 A JP 23547988A JP H0282249 A JPH0282249 A JP H0282249A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- discharge nozzle
- pressurized vessel
- vent valve
- developing soln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路素子を製造する半導体製造装置
（フォトレジスト現像装置）に関する。
（フォトレジスト現像装置）に関する。
本発明はフォトレジスト現像装置において、ガスにより
圧送された現像液中に溶存するガスの脱ガスによる不具
合を防止しようとするものである。
圧送された現像液中に溶存するガスの脱ガスによる不具
合を防止しようとするものである。
従来、第２図に示すように、圧送タンクｌに充填された
現像液２は加圧ガス３により加圧、圧送され制御弁４の
開閉により吐出ノズル５から吐出され基板６上に一定時
間保持され、選択的に露光された基板６を現像する。現
像後他のノズルより吐出されるリンス液により基板６の
表面は清浄化され、さらに高速回転によりリンス液が除
去され、現像工程は終了する。
現像液２は加圧ガス３により加圧、圧送され制御弁４の
開閉により吐出ノズル５から吐出され基板６上に一定時
間保持され、選択的に露光された基板６を現像する。現
像後他のノズルより吐出されるリンス液により基板６の
表面は清浄化され、さらに高速回転によりリンス液が除
去され、現像工程は終了する。
しかし、従来の現像装置は、現像液２中に溶存した加圧
ガス３が気化員、気泡が基板６の表面に付着し現像の均
一性を著しく低下させることがしばしばであった。この
現像は、圧送りンク１の位置が吐出ノズル５より、より
低い位置にある場合に著しい。本発明はこのような欠点
を解決するためになされたもので、現像の均一性を改善
することを目的としている。
ガス３が気化員、気泡が基板６の表面に付着し現像の均
一性を著しく低下させることがしばしばであった。この
現像は、圧送りンク１の位置が吐出ノズル５より、より
低い位置にある場合に著しい。本発明はこのような欠点
を解決するためになされたもので、現像の均一性を改善
することを目的としている。
上記問題を解決するため、本発明は加圧容器７およびガ
ス抜き弁８を配管９の制御弁４の近傍に設は現像液２の
中の溶存ガスを加圧容器中でガス化させ、加圧容器中に
溜まったガスをガス抜き弁８で大気放出させ、現像液の
みを吐出ノズル５から吐出させるようにしたものである
。
ス抜き弁８を配管９の制御弁４の近傍に設は現像液２の
中の溶存ガスを加圧容器中でガス化させ、加圧容器中に
溜まったガスをガス抜き弁８で大気放出させ、現像液の
みを吐出ノズル５から吐出させるようにしたものである
。
上記のように構成されたフォトレジスト現像装置は、加
圧容器内で溶存ガス、現像基板が分離されるため、吐出
ノズル５より吐出される現像液２は現像液のみとなる。
圧容器内で溶存ガス、現像基板が分離されるため、吐出
ノズル５より吐出される現像液２は現像液のみとなる。
このため基板６表面に圧送ガスの気泡がつかず、現像の
均一性を著しく改善するにとができるのである。
均一性を著しく改善するにとができるのである。
以下にこの発明の実施例を図面に基づき説明する。第１
図において、加圧容器７を配管９の途中に吐出ノズル５
近傍に設置する。加圧容器７にはガス抜き弁８を設置し
た。圧送タンク１は容量１００１のステンレスタンク、
加圧ガス２には乾燥Ｎ ｔ ＋加圧容器７は４０ＣＣの
テフロン製、吐出ノズル５と圧送タンク位置差は５ｍで
あった。又、圧送圧力は圧送タンク位置で２ｋｇ／ｃＩ
Ａとした。基板６はＳｉウェハ１５０ｍｍを使用した。
図において、加圧容器７を配管９の途中に吐出ノズル５
近傍に設置する。加圧容器７にはガス抜き弁８を設置し
た。圧送タンク１は容量１００１のステンレスタンク、
加圧ガス２には乾燥Ｎ ｔ ＋加圧容器７は４０ＣＣの
テフロン製、吐出ノズル５と圧送タンク位置差は５ｍで
あった。又、圧送圧力は圧送タンク位置で２ｋｇ／ｃＩ
Ａとした。基板６はＳｉウェハ１５０ｍｍを使用した。
従来方法では現像を同一条件で１０００枚処理し、１０
０枚程度の現像不均一ウェハが発生したが、本発明の方
法では現像不均一ウェハはほぼ０枚となった。
０枚程度の現像不均一ウェハが発生したが、本発明の方
法では現像不均一ウェハはほぼ０枚となった。
実施例ではガス抜き弁８は手動とし、ガスが圧力容器上
部に一定量発生後、手動でガス抜きを行ったが、液面セ
ンサーを設置し、一定量のガスが発生した状態でガス抜
き弁８を自動、開放し、ガス抜きが終了した時点で自動
閉鎖する、自動化ができるのは当然である。
部に一定量発生後、手動でガス抜きを行ったが、液面セ
ンサーを設置し、一定量のガスが発生した状態でガス抜
き弁８を自動、開放し、ガス抜きが終了した時点で自動
閉鎖する、自動化ができるのは当然である。
本発明は以上説明してきたように、加圧容器とガス抜き
弁を吐出ノズル近傍に取りつけたという簡単な構造で現
像の均一性を著しく向上させるという効果がある。
弁を吐出ノズル近傍に取りつけたという簡単な構造で現
像の均一性を著しく向上させるという効果がある。
第１図は本発明にかかる半導体製造装置の構造図、第２
図は従来の半導体製造装置の構造図であ・圧送タンク ・現像液 加圧ガス 吐出ノズル ・基板 ガス抜き弁 ・加圧容器 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
図は従来の半導体製造装置の構造図であ・圧送タンク ・現像液 加圧ガス 吐出ノズル ・基板 ガス抜き弁 ・加圧容器 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助
Claims (1)
- フォトレジストが塗布され選択的に露光された基板に一
枚毎に、ガスで圧送された現像液を吐出させて現像を行
なう半導体製造装置において、前記現像液を吐出させる
配管系統の吐出部近傍に圧力容器とガス抜き弁を設置し
たことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547988A JPH0282249A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23547988A JPH0282249A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282249A true JPH0282249A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16986677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23547988A Pending JPH0282249A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282249A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428646U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-06 | ||
| JP2007273568A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237923B2 (ja) * | 1979-11-08 | 1987-08-14 | Iseki Agricult Mach |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23547988A patent/JPH0282249A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237923B2 (ja) * | 1979-11-08 | 1987-08-14 | Iseki Agricult Mach |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428646U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-06 | ||
| JP2007273568A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| JP4703467B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-06-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05304087A (ja) | 処理装置 | |
| US5858466A (en) | Photoresist supply system with air venting | |
| JP2001244233A (ja) | ウェット処理装置 | |
| JPH0282249A (ja) | 半導体製造装置 | |
| US6575645B2 (en) | Method and apparatus for improving resist pattern developing | |
| KR20140047636A (ko) | 포토레지스트액 공급장치 | |
| KR100780936B1 (ko) | 화학용액 내에 포함된 기포를 제거하기 위한 기포제거장치및 이를 이용한 기포제거방법 | |
| JP3150690B2 (ja) | 薬液処理装置 | |
| JPH0290167A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH11121422A (ja) | 薬液供給装置 | |
| JP2992206B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2022059728A (ja) | 基板処理装置、及び基板処理方法 | |
| JPS61198723A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH0697145A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR200222119Y1 (ko) | 포토레지스트공급라인 | |
| JP2669054B2 (ja) | 現像装置 | |
| JP2813197B2 (ja) | 処理液供給装置 | |
| JP2912595B2 (ja) | 現像装置 | |
| KR200269976Y1 (ko) | 반도체 제조 공정에서의 포토레지스트 공급장치 | |
| JP2001046945A (ja) | 薬液供給装置 | |
| KR20000061201A (ko) | 반도체장치 제조용 포토레지스트 필터링 장비 | |
| JPH0677122A (ja) | 薬液用配管と薬液供給装置 | |
| JPH0395559A (ja) | 現像方法 | |
| JPH0470838A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH01227437A (ja) | 現像装置 |