JPH0255927B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0255927B2 JPH0255927B2 JP7185682A JP7185682A JPH0255927B2 JP H0255927 B2 JPH0255927 B2 JP H0255927B2 JP 7185682 A JP7185682 A JP 7185682A JP 7185682 A JP7185682 A JP 7185682A JP H0255927 B2 JPH0255927 B2 JP H0255927B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic semiconductor
- case
- capacitor
- heating
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002537 isoquinolines Chemical group 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGBFAILGFRYCLA-UHFFFAOYSA-N 1-propylisoquinoline Chemical compound C1=CC=C2C(CCC)=NC=CC2=C1 WGBFAILGFRYCLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
本発明は有機半導体を固体電解質とする固体電
解コンデンサの製造方法に関する。 有機半導体を融解液化した状態でコンデンサ素
子に含浸し、その後冷却して固体電解質とする方
法は既に特願昭56−55816号や特願昭56−116861
号の発明として提案されている。 上記提案された方法に使用し得る有機半導体
は、例えばＮ位をｎ−プロピル又はisoプロピル
で置換したキノリン又はイソキノリンとTCNQ
（７、７、８、８テトラシアノキノジメタンの略
称）からなる錯塩であり、これらは融解液化した
後冷却固化しても依然として良電導性を保ち、コ
ンデンサ用電解質として機能する。しかしこの種
の有機半導体は、それを融解液化させた状態で長
時間放置すると冷却固化した時に絶縁体となる。
従つて上記提案された方法を実施する際には、有
機半導体はその融解液化後速やかに冷却されねば
ならない。 融解液化された有機半導体をコンデンサ素子に
含浸し冷却固化する最も原始的な方法は、有機半
導体を適当な槽内で融解液化し、その融解のタイ
ミングを見計らつてコンデンサ素子を上記槽内の
有機半導体液に浸漬し、その後冷却することであ
る。有機半導体はその融解後速やかに冷却されね
ばならないから、上記の如く融解のタイミングを
見計らうことは重要である。 しかし、量産性の面から考えると、有機半導体
の融解状態を観察して適切な時期にコンデンサ素
子に含浸することは煩雑な作業である。含浸に先
立つて、コンデンサ素子は予熱されることがしば
しば要求されるが、この様な要求が加わると作業
は一段と難しくなる。 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、そ
の特徴は、有機半導体を詰めたケースを、ほゞ垂
直に立てたコンデンサ素子上にかぶせた状態で高
温雰囲気中に放置することにより、有機半導体を
融解して素子に含浸することにある。 以下本発明を実施例につき具体的に説明する。 第１図Ａ，Ｂは第１の工程を示す。第１図Ａの
工程では、コンデンサ素子１のリード２，２の先
端を垂直配置の支持片３に固着することにより素
子１をほゞ垂直に保持する。素子１は陰極用アル
ミニウム箔と化成済の陽極用アルミニウム箔とを
セパレータ紙を介して巻取つたものであり、リー
ド２，２は上記各箔に結合されている。尚、斯る
素子自体の構成は周知である。 他方、第１図Ｂの工程では、有底円筒状の耐熱
性ケース、具体的にはアルミニウムケース４内に
粉末状の有機半導体５を適量詰める。このとき、
適度の加圧により上記粉末体はケース４の底部に
固められ、従つてケース４を倒置しても落下しな
い。有機半導体５としては、Ｎ位をｎ−プロピル
又はisoプロピルで置換したキノリン又はイソキ
ノリンとTCNQからなる錯塩が用いられる。 第２図は第２の工程を示し、この工程では、
ほゞ垂直に保持された素子１の上から上記ケース
４がかぶせられる。 第３図は第３の工程を示し、この工程では、第
２図に示す配置のものを所定時間加熱保持して、
有機半導体５を融解液化する。この液化に伴い、
有機半導体は素子１内に含浸し、それに応じてケ
ース４の位置は低下する。尚、素子やケースの傾
き、又は素子とケースとの相互のひつかかり等に
より有機半導体が完全に融解してもケースが低下
しないものが発生する。よつて、加熱保持中、ケ
ースが低下しやすい様にケース４の底部を上方よ
り軽く押すか、あるいは素子１に振動を与える手
段を備えることが望ましい。 加熱保持温度は250〜300℃が適当である。加熱
保持は有機半導体５が液化後熱分解して絶縁体に
ならない間に終了されねばならず、従つて有機半
導体の液化が完了してケース４が第３図に示す如
く低下しきつた時点で加熱保持を終了することが
好ましい。上記加熱保持温度では加熱保持時間は
２〜５分が適当である。加熱手段としては電気炉
や恒温槽が用いられる。電気炉の場合炉内におい
てその入口から出口に向けて被加熱物をベルトコ
ンベア式に連続的に移送し得るので量産的であ
る。即ち上記支持片３を長尺状としそれに素子１
を複数個垂直保持すると共にそれら各素子に第２
図の如くケース４をかぶせたものを上記加熱保持
時間に見合つた速度で電気炉の中を通過させるの
である。尚第３工程で素子１を予備加熱する必要
のないことに注意すべきである。 第４図は第４の工程を示し、この工程では上記
第３の工程での加熱後、素子をケース４と共に冷
却する。これにより、一旦融解液化した有機半導
体が素子内で再晶出し、素子を構成するセパレー
タ紙に固体電解質としての有機半導体が含浸形成
される。 本工程における冷却は、有機半導体の液化完了
後、即ち本実施例では上記第３工程終了後、直ち
に、好ましくは10秒以内に開始され、有機半導体
が熱分解により絶縁化するのが防止される。具体
的な冷却法としては、第３工程での加熱のための
電気炉や恒温槽から取り出された素子及びケース
の結合体を直ちに水シヤワー６中を通過させるの
が好適である。尚この水シヤワーはケース内の素
子にも下方より浴びせられる。 第５図は最終工程を示す。この工程では上記第
４工程の後、素子１及びケース４の結合体を乾燥
し、次いでケース４内にエポキシ等の樹脂７を充
填して封口し最後に支持片３を除去することによ
り固体電解コンデンサ８が完成する。尚第４工程
後ケース４は有機半導体５により素子１に仮固着
しており、従つて必要に応じてケース４をはずし
て他の適当なケース内に素子１を収納した後樹脂
封口してもよいが、上記実施例の如く、ケース４
をコンデンサの最終的外皮ケースとするのが量産
的にも好ましい。 下表は、有機半導体としてｎ−プロピル・イソ
キノリンとTCNQからなる錯塩を用いて、上記
実施例方法により作成したコンデンサと、冒頭で
述べた原始的方法により作成した参考例コンデン
サとの夫々の高温負荷特性を示す。
解コンデンサの製造方法に関する。 有機半導体を融解液化した状態でコンデンサ素
子に含浸し、その後冷却して固体電解質とする方
法は既に特願昭56−55816号や特願昭56−116861
号の発明として提案されている。 上記提案された方法に使用し得る有機半導体
は、例えばＮ位をｎ−プロピル又はisoプロピル
で置換したキノリン又はイソキノリンとTCNQ
（７、７、８、８テトラシアノキノジメタンの略
称）からなる錯塩であり、これらは融解液化した
後冷却固化しても依然として良電導性を保ち、コ
ンデンサ用電解質として機能する。しかしこの種
の有機半導体は、それを融解液化させた状態で長
時間放置すると冷却固化した時に絶縁体となる。
従つて上記提案された方法を実施する際には、有
機半導体はその融解液化後速やかに冷却されねば
ならない。 融解液化された有機半導体をコンデンサ素子に
含浸し冷却固化する最も原始的な方法は、有機半
導体を適当な槽内で融解液化し、その融解のタイ
ミングを見計らつてコンデンサ素子を上記槽内の
有機半導体液に浸漬し、その後冷却することであ
る。有機半導体はその融解後速やかに冷却されね
ばならないから、上記の如く融解のタイミングを
見計らうことは重要である。 しかし、量産性の面から考えると、有機半導体
の融解状態を観察して適切な時期にコンデンサ素
子に含浸することは煩雑な作業である。含浸に先
立つて、コンデンサ素子は予熱されることがしば
しば要求されるが、この様な要求が加わると作業
は一段と難しくなる。 本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、そ
の特徴は、有機半導体を詰めたケースを、ほゞ垂
直に立てたコンデンサ素子上にかぶせた状態で高
温雰囲気中に放置することにより、有機半導体を
融解して素子に含浸することにある。 以下本発明を実施例につき具体的に説明する。 第１図Ａ，Ｂは第１の工程を示す。第１図Ａの
工程では、コンデンサ素子１のリード２，２の先
端を垂直配置の支持片３に固着することにより素
子１をほゞ垂直に保持する。素子１は陰極用アル
ミニウム箔と化成済の陽極用アルミニウム箔とを
セパレータ紙を介して巻取つたものであり、リー
ド２，２は上記各箔に結合されている。尚、斯る
素子自体の構成は周知である。 他方、第１図Ｂの工程では、有底円筒状の耐熱
性ケース、具体的にはアルミニウムケース４内に
粉末状の有機半導体５を適量詰める。このとき、
適度の加圧により上記粉末体はケース４の底部に
固められ、従つてケース４を倒置しても落下しな
い。有機半導体５としては、Ｎ位をｎ−プロピル
又はisoプロピルで置換したキノリン又はイソキ
ノリンとTCNQからなる錯塩が用いられる。 第２図は第２の工程を示し、この工程では、
ほゞ垂直に保持された素子１の上から上記ケース
４がかぶせられる。 第３図は第３の工程を示し、この工程では、第
２図に示す配置のものを所定時間加熱保持して、
有機半導体５を融解液化する。この液化に伴い、
有機半導体は素子１内に含浸し、それに応じてケ
ース４の位置は低下する。尚、素子やケースの傾
き、又は素子とケースとの相互のひつかかり等に
より有機半導体が完全に融解してもケースが低下
しないものが発生する。よつて、加熱保持中、ケ
ースが低下しやすい様にケース４の底部を上方よ
り軽く押すか、あるいは素子１に振動を与える手
段を備えることが望ましい。 加熱保持温度は250〜300℃が適当である。加熱
保持は有機半導体５が液化後熱分解して絶縁体に
ならない間に終了されねばならず、従つて有機半
導体の液化が完了してケース４が第３図に示す如
く低下しきつた時点で加熱保持を終了することが
好ましい。上記加熱保持温度では加熱保持時間は
２〜５分が適当である。加熱手段としては電気炉
や恒温槽が用いられる。電気炉の場合炉内におい
てその入口から出口に向けて被加熱物をベルトコ
ンベア式に連続的に移送し得るので量産的であ
る。即ち上記支持片３を長尺状としそれに素子１
を複数個垂直保持すると共にそれら各素子に第２
図の如くケース４をかぶせたものを上記加熱保持
時間に見合つた速度で電気炉の中を通過させるの
である。尚第３工程で素子１を予備加熱する必要
のないことに注意すべきである。 第４図は第４の工程を示し、この工程では上記
第３の工程での加熱後、素子をケース４と共に冷
却する。これにより、一旦融解液化した有機半導
体が素子内で再晶出し、素子を構成するセパレー
タ紙に固体電解質としての有機半導体が含浸形成
される。 本工程における冷却は、有機半導体の液化完了
後、即ち本実施例では上記第３工程終了後、直ち
に、好ましくは10秒以内に開始され、有機半導体
が熱分解により絶縁化するのが防止される。具体
的な冷却法としては、第３工程での加熱のための
電気炉や恒温槽から取り出された素子及びケース
の結合体を直ちに水シヤワー６中を通過させるの
が好適である。尚この水シヤワーはケース内の素
子にも下方より浴びせられる。 第５図は最終工程を示す。この工程では上記第
４工程の後、素子１及びケース４の結合体を乾燥
し、次いでケース４内にエポキシ等の樹脂７を充
填して封口し最後に支持片３を除去することによ
り固体電解コンデンサ８が完成する。尚第４工程
後ケース４は有機半導体５により素子１に仮固着
しており、従つて必要に応じてケース４をはずし
て他の適当なケース内に素子１を収納した後樹脂
封口してもよいが、上記実施例の如く、ケース４
をコンデンサの最終的外皮ケースとするのが量産
的にも好ましい。 下表は、有機半導体としてｎ−プロピル・イソ
キノリンとTCNQからなる錯塩を用いて、上記
実施例方法により作成したコンデンサと、冒頭で
述べた原始的方法により作成した参考例コンデン
サとの夫々の高温負荷特性を示す。
【表】
上記特性比較により、本実施例によつても、十
分実用的な特性の得られることが判る。 以上の説明より明らかな如く、本発明によれば
有機半導体を詰めたケースをコンデンサ素子にか
ぶせ加熱するだけで素子への有機半導体の含浸が
行なわれるから、有機半導体の融解のタイミング
を見計つたり、素子を予備加熱することが不要と
なりこの種の固体電解コンデンサの量産性が飛躍
的に向上する。又必要に応じて上記ケースはコン
デンサの最終的な外皮ケースとすることができこ
れ亦量産上極めて有利である。
分実用的な特性の得られることが判る。 以上の説明より明らかな如く、本発明によれば
有機半導体を詰めたケースをコンデンサ素子にか
ぶせ加熱するだけで素子への有機半導体の含浸が
行なわれるから、有機半導体の融解のタイミング
を見計つたり、素子を予備加熱することが不要と
なりこの種の固体電解コンデンサの量産性が飛躍
的に向上する。又必要に応じて上記ケースはコン
デンサの最終的な外皮ケースとすることができこ
れ亦量産上極めて有利である。
図は本発明実施例の工程を示し、第１図Ａ及び
第４図は側面図、第１図Ｂ、第２図、第３図及び
第５図は断面図である。 １……コンデンサ素子、４……ケース、５……
有機半導体。
第４図は側面図、第１図Ｂ、第２図、第３図及び
第５図は断面図である。 １……コンデンサ素子、４……ケース、５……
有機半導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機半導体を詰めたケースを、ほゞ垂直に立
てたコンデンサ素子上にかぶせた状態で高温雰囲
気中に放置することにより、上記有機半導体を融
解して上記素子に含浸することを特徴とする固体
電解コンデンサの製造方法。 ２ 特許請求の範囲第１項において、上記有機半
導体はＮ位をｎ−プロピル又はisoプロピルで置
換したキノリン又はイソキノリンとTCNQから
なる錯塩であることを特徴とする固体電解コンデ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7185682A JPS58188125A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7185682A JPS58188125A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58188125A JPS58188125A (ja) | 1983-11-02 |
| JPH0255927B2 true JPH0255927B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=13472586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7185682A Granted JPS58188125A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58188125A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6164116A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-02 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品 |
| JPS61158131A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | 松下電器産業株式会社 | チツプアルミ電解コンデンサ |
| JP2594101B2 (ja) * | 1988-02-02 | 1997-03-26 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7185682A patent/JPS58188125A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58188125A (ja) | 1983-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01225112A (ja) | アルミニウム電解コンデンサの製造方法及び該方法によって得られる一体的アノードを有するコンデンサ | |
| JPH0255927B2 (ja) | ||
| JPS6251489B2 (ja) | ||
| US3124728A (en) | Ruben | |
| JPH01205412A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2951039B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0467331B2 (ja) | ||
| KR100390071B1 (ko) | 왁스를이용한고체전해캐패시터의외부보호재형성방법 | |
| JP3706511B2 (ja) | 電極構造体の製造方法 | |
| JP3481012B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3152572B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| KR970004277B1 (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조방법 | |
| JP2902679B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0992580A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0250611B2 (ja) | ||
| JP2771767B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0452987Y2 (ja) | ||
| JP3296717B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPS62185308A (ja) | 電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0252848B2 (ja) | ||
| JPH03175608A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH062675U (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH07183172A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3474986B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPS6267810A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |