JPH0249485A - 光共振器を圧電的に同調する方法および圧電的に同調させられる光共振器 - Google Patents
光共振器を圧電的に同調する方法および圧電的に同調させられる光共振器Info
- Publication number
- JPH0249485A JPH0249485A JP1103612A JP10361289A JPH0249485A JP H0249485 A JPH0249485 A JP H0249485A JP 1103612 A JP1103612 A JP 1103612A JP 10361289 A JP10361289 A JP 10361289A JP H0249485 A JPH0249485 A JP H0249485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- tuning
- resonator
- laser
- facet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 25
- 230000005534 acoustic noise Effects 0.000 abstract description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0606—Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/083—Ring lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/025—Constructional details of solid state lasers, e.g. housings or mountings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0627—Construction or shape of active medium the resonator being monolithic, e.g. microlaser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、全体として改良した圧電的に同調される改良
した光共振器に関するものであシ、更に詳しくいえば、
圧電的に同ル2tさせられるリングレーザに関するもの
である。
した光共振器に関するものであシ、更に詳しくいえば、
圧電的に同ル2tさせられるリングレーザに関するもの
である。
レーザダイオードによシポンピングされるモノリシック
レーザによって振動数が安定している単一モードレーザ
を製作できるようKなった。振動数が安定している単一
モードレーザはコヒーレント通信、レーザレーダ、およ
び高調波変換による可視光の発生において多くの用途を
有する。それらの用途の全てに対して、レーザの発振振
動数を迅速に同調できることは非常に重要である。
レーザによって振動数が安定している単一モードレーザ
を製作できるようKなった。振動数が安定している単一
モードレーザはコヒーレント通信、レーザレーダ、およ
び高調波変換による可視光の発生において多くの用途を
有する。それらの用途の全てに対して、レーザの発振振
動数を迅速に同調できることは非常に重要である。
レーザを同調させるKはレーザの共振空胴の光学的な長
さを変える必要がある。非モノリシックレーザの場合ぺ
は、共通技術はレーザの共振空胴を構成する反射鏡の1
枚を動かすために圧電素子を用いることである。この技
術はモノリシックレーザでは可能でない。モノリシック
レーザというのは、能動的なレーザ物質で製作される単
一の素子で構成される共振空胴を有するものとして定義
される。共振器の反射鏡は単一素子の表面上に形成され
る。したがって、別々の素子ではない反射鏡は通常のや
シ方では動かすことはできない。共振空胴の光学的な長
さを変えるためには他の何らかの技術を必要とする。
さを変える必要がある。非モノリシックレーザの場合ぺ
は、共通技術はレーザの共振空胴を構成する反射鏡の1
枚を動かすために圧電素子を用いることである。この技
術はモノリシックレーザでは可能でない。モノリシック
レーザというのは、能動的なレーザ物質で製作される単
一の素子で構成される共振空胴を有するものとして定義
される。共振器の反射鏡は単一素子の表面上に形成され
る。したがって、別々の素子ではない反射鏡は通常のや
シ方では動かすことはできない。共振空胴の光学的な長
さを変えるためには他の何らかの技術を必要とする。
従来は、振動数同調のために熱同調が用いられた。素子
の熱膨張が熱によシひき起される屈折率の変化に組合わ
されて、振動数同調のために必要とされる共振器の光学
的な長さが変化されることになる。非常に小さい物体で
も熱時定数は1秒程度あるから熱同調は必然的に非常に
遅い。応答時間が1ミリ秒よシ短いはるかに速い同調が
望まれている。
の熱膨張が熱によシひき起される屈折率の変化に組合わ
されて、振動数同調のために必要とされる共振器の光学
的な長さが変化されることになる。非常に小さい物体で
も熱時定数は1秒程度あるから熱同調は必然的に非常に
遅い。応答時間が1ミリ秒よシ短いはるかに速い同調が
望まれている。
物質の屈折率は応力が加えられた時に変化することが知
られている。また、最も硬い物質でも応力が加えられる
と膨張または収縮することも知られている。応力は固体
素子に非常に迅速に加えることができ、それの唯一の基
本的な物理的限界は物質中の音速である。したがって、
モノリシックレーザへ応力を加えることは屈折率および
寸法したがって光学的な長さを迅速に変化して、共振振
動数を同調させるための方法である。
られている。また、最も硬い物質でも応力が加えられる
と膨張または収縮することも知られている。応力は固体
素子に非常に迅速に加えることができ、それの唯一の基
本的な物理的限界は物質中の音速である。したがって、
モノリシックレーザへ応力を加えることは屈折率および
寸法したがって光学的な長さを迅速に変化して、共振振
動数を同調させるための方法である。
従来は、モノリシック棒状レーザの応力同調が行われて
いた。この従来の応力同調レーザにおいては、十分なパ
イアスカを加えてレーザ棒に応力を加えるためにレーザ
物置のモノリシック棒が固定構造中に保持される。固定
構造の一部は圧電素子のスタックを含む。モノリシック
棒レーザに加えられているパイアスカを変調して、90
GHzというような十分な同調範囲にわたってレーザを
同調させるために電圧が圧電素子へ印加される。そのよ
うな応力同調ダイオードレーザが雑誌「オプティックス
・レタース(Optics Letters)J 12
巻12号、1987年12月号の999〜1oo1ペー
ジ所載の論文に記載されている。
いた。この従来の応力同調レーザにおいては、十分なパ
イアスカを加えてレーザ棒に応力を加えるためにレーザ
物置のモノリシック棒が固定構造中に保持される。固定
構造の一部は圧電素子のスタックを含む。モノリシック
棒レーザに加えられているパイアスカを変調して、90
GHzというような十分な同調範囲にわたってレーザを
同調させるために電圧が圧電素子へ印加される。そのよ
うな応力同調ダイオードレーザが雑誌「オプティックス
・レタース(Optics Letters)J 12
巻12号、1987年12月号の999〜1oo1ペー
ジ所載の論文に記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の応力同調レーザに関連する諸問題には固定構造が
比較的大きいととが含まれる。同調構造が大きいことに
は2つの欠点がある。第1の欠点は系の応答時間が長い
ことである。第2の欠点は形状が大きいためにレーザ全
体が音響ノイズに一層敏感になってレーザの振動数安定
度が低くなることである。
比較的大きいととが含まれる。同調構造が大きいことに
は2つの欠点がある。第1の欠点は系の応答時間が長い
ことである。第2の欠点は形状が大きいためにレーザ全
体が音響ノイズに一層敏感になってレーザの振動数安定
度が低くなることである。
同調範囲が狭くはなっても、応答時間が短く、振動数安
定度が高い圧電的に同調されるモノリシックレーザを得
ることが望まれている。
定度が高い圧電的に同調されるモノリシックレーザを得
ることが望まれている。
本発明の原理は圧電的に同調される改良した光共振器と
、そのような光共振器を用いるレーザを得ることである
。
、そのような光共振器を用いるレーザを得ることである
。
本発明の1つの特徴においては、光共振器の振動数を同
調させるために1同詞小面の表面に全体として平行に向
けられたベクトル力を同調小面を通じ光学的に透明な部
材へ伝えるために、光共振器の光学的に透明な部材が同
調小面と、この同調小面に力を交換する関係で接合され
る薄い圧電部材とを含み、それによシ、得られた光共振
器の音響ノイズに対する感度を低くし、同調される共振
器の製作を容易にするために、圧電同調構造の寸法と質
量が大幅に小さくされる。
調させるために1同詞小面の表面に全体として平行に向
けられたベクトル力を同調小面を通じ光学的に透明な部
材へ伝えるために、光共振器の光学的に透明な部材が同
調小面と、この同調小面に力を交換する関係で接合され
る薄い圧電部材とを含み、それによシ、得られた光共振
器の音響ノイズに対する感度を低くし、同調される共振
器の製作を容易にするために、圧電同調構造の寸法と質
量が大幅に小さくされる。
本発明の別の特徴においては、光共振器の圧電的に同調
させられる部材には、光波エネルギーを小面の間で、お
よび囲まれた光路内で反射させてモノリシック光リング
共振器を形成するために配置および構成された前記小面
が設けられる。
させられる部材には、光波エネルギーを小面の間で、お
よび囲まれた光路内で反射させてモノリシック光リング
共振器を形成するために配置および構成された前記小面
が設けられる。
本発明の別の特徴では、圧電的に同調させられる光学的
に透明な小面付き部材がよシ高い利得の部材で製作され
、かつ光学的にポンピングされて圧電的に同調させられ
るモノリシックレーザを構成する。
に透明な小面付き部材がよシ高い利得の部材で製作され
、かつ光学的にポンピングされて圧電的に同調させられ
るモノリシックレーザを構成する。
本発明の更に別の特徴においては、光共振器の圧電的に
同調させられる光学的に透明な部材は磁気光学的な物質
で構成され、圧電的に同調させられる部材に磁界を加え
てその部材中にファラーデー回転効果を生じさせて、前
記光共振器内の出力光エネルギーとは逆の向きに進む共
振させられたレーザ光放射を選択的に減衰させるために
磁石が設けられる。
同調させられる光学的に透明な部材は磁気光学的な物質
で構成され、圧電的に同調させられる部材に磁界を加え
てその部材中にファラーデー回転効果を生じさせて、前
記光共振器内の出力光エネルギーとは逆の向きに進む共
振させられたレーザ光放射を選択的に減衰させるために
磁石が設けられる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
まず、本発明の諸特徴を含むリングレーザ発振器11が
示されている第1図と第2図を参照する。
示されている第1図と第2図を参照する。
リングレーザ発振器11はNa : YAGのようなレ
ーザ磁気光学物質の結晶12を含む。閉じた光路13に
沿ってレーザ光ビームを内部反射させて環状の光共振器
を構成するために、その結晶12に小面が形成される。
ーザ磁気光学物質の結晶12を含む。閉じた光路13に
沿ってレーザ光ビームを内部反射させて環状の光共振器
を構成するために、その結晶12に小面が形成される。
その結晶については後で第3図乃至第5図を参照して詳
しく説明する。
しく説明する。
東芝から市販されているF4048型レーザダイオード
のようなレーザダイオード15によシ発生された光ボン
ピング放射のビーム14を受けるために結晶12が配置
される。レーザダイオード15の出力ビーム14は5E
LFOC屈折率分布型レンズ16によシ結晶120人カ
ー出力面17の上に収束される。その屈折率分布型レン
ズ16は光学的接着剤によシレーザダイオード15の窓
に取付けられ、かつその窓から支持される。
のようなレーザダイオード15によシ発生された光ボン
ピング放射のビーム14を受けるために結晶12が配置
される。レーザダイオード15の出力ビーム14は5E
LFOC屈折率分布型レンズ16によシ結晶120人カ
ー出力面17の上に収束される。その屈折率分布型レン
ズ16は光学的接着剤によシレーザダイオード15の窓
に取付けられ、かつその窓から支持される。
結晶12の上側に一対の永久磁石18.19が位置させ
られる。結晶12の内部にファラデー回転効果を発生さ
せるために光ビーム14の向きに平行な、5KGのよう
な一方向磁界Hの強い成分を結晶12の内部に発生させ
るために、それらの永久磁石18.19は分極される。
られる。結晶12の内部にファラデー回転効果を発生さ
せるために光ビーム14の向きに平行な、5KGのよう
な一方向磁界Hの強い成分を結晶12の内部に発生させ
るために、それらの永久磁石18.19は分極される。
適当な永久磁石18.19は、アメリカ合衆国インデイ
アナ用ポルパライソ(Volparaito)所在のア
イ・ジー・コーポレーション(1,G、 Corpor
ation)からN*1gbt型崩28として市販され
ているNd:鉄:はう素型磁石である。
アナ用ポルパライソ(Volparaito)所在のア
イ・ジー・コーポレーション(1,G、 Corpor
ation)からN*1gbt型崩28として市販され
ているNd:鉄:はう素型磁石である。
レーザダイオード15はL型の熱伝導性物質たとえば銅
製のブラケット21に取付けられる。このブラケットは
熱電冷却器23を介して銅製の基板22の上に支持され
る。レーザ結晶12は銅のような熱伝導性物質製のブロ
ック25の主面へ紫外線で硬化する光学的接着剤によル
取付けられる。
製のブラケット21に取付けられる。このブラケットは
熱電冷却器23を介して銅製の基板22の上に支持され
る。レーザ結晶12は銅のような熱伝導性物質製のブロ
ック25の主面へ紫外線で硬化する光学的接着剤によル
取付けられる。
そのプロンぐ25は、融点が比較的低いはんだの比較的
厚い層27を介して加熱器26の主面へ取付けられる。
厚い層27を介して加熱器26の主面へ取付けられる。
適当なはんだは、アメリカ合衆国ニューヨーク州二一チ
カ(Uticm)所在のインジウム・コーポレーション
・オプ・アメリカ(Indlum Corporati
on of Am@r1ca)からLndalloyN
hlEとして市販されている、インジウムとt−fそれ
ぞれ重量比で52%、48qb含み、融点がセ氏130
度である熱可融合金である。典型的な例では、はんだ層
2Tの厚さは0.5flである。
カ(Uticm)所在のインジウム・コーポレーション
・オプ・アメリカ(Indlum Corporati
on of Am@r1ca)からLndalloyN
hlEとして市販されている、インジウムとt−fそれ
ぞれ重量比で52%、48qb含み、融点がセ氏130
度である熱可融合金である。典型的な例では、はんだ層
2Tの厚さは0.5flである。
加熱器26は溶融シリカのような熱絶縁物質製のブロッ
ク28の主面上に支持される。そのブロック28は紫外
線で硬化する光学的接着剤によシ基板22へ接合される
。そのような光学的接着剤は加熱器26をブロック28
へも接合する。
ク28の主面上に支持される。そのブロック28は紫外
線で硬化する光学的接着剤によシ基板22へ接合される
。そのような光学的接着剤は加熱器26をブロック28
へも接合する。
銅のような熱伝導性物質製のコツプ形キャップ29が基
板22の上で密閉される。そのキャップ29は複数のね
じ31によシ基板21へ固定され、密閉はたとえばゴム
製の圧縮可能なOIJングをキャップ29と基板22の
間に圧縮することによシ行われる。
板22の上で密閉される。そのキャップ29は複数のね
じ31によシ基板21へ固定され、密閉はたとえばゴム
製の圧縮可能なOIJングをキャップ29と基板22の
間に圧縮することによシ行われる。
基板22とキャップ29はリングレーザ11を納める排
気可能な外囲器を構成する。導電リード33が基板22
を貫通して外囲器の内部に導入されて、その内部の各種
の電気的素子へ電気的接続を行う。
気可能な外囲器を構成する。導電リード33が基板22
を貫通して外囲器の内部に導入されて、その内部の各種
の電気的素子へ電気的接続を行う。
光を通す窓34がキャップ29の側壁に設けられる。そ
の窓をレーザの出力光ビーム35が過つて外部へ出る。
の窓をレーザの出力光ビーム35が過つて外部へ出る。
外囲器30の内部を一旦排気した後で乾燥した窒素を入
れ、あるいはたとえば1×10−3 )ルのような真空
状態では対流による望ましくない熱交換が無いから、外
囲器の内部は真空状態にすることが好ましい。いずれの
場合にも、外囲器30の内部の清浄な環境によシ光学的
な表面に汚れがないきれいな状態に#持される。
れ、あるいはたとえば1×10−3 )ルのような真空
状態では対流による望ましくない熱交換が無いから、外
囲器の内部は真空状態にすることが好ましい。いずれの
場合にも、外囲器30の内部の清浄な環境によシ光学的
な表面に汚れがないきれいな状態に#持される。
次に、圧電的に同調させられる光リング共振器12が詳
しく示されている第3〜5図を参照する。
しく示されている第3〜5図を参照する。
圧電同調素子41がたとえばエポキシ接着剤によシリン
グ共振器結晶12の上側の自由な小面へ接合される。こ
こで説明している実施例においては、圧電同調素子41
は、アメリカ合衆国オハイオ州ベツドフォード(Bed
ford) 所在Oハーニトロン・ピエゾエレクトリッ
ク・デイビョン(Vernitron@Piezoel
eetrlc Dlvision)から市販されている
PZT−5Hのような圧電物質の正方形の板で構成され
る。典型的な例においては、圧電同調素子41の一辺の
長さが約5.08im(0,2インチ)で、厚さが約0
.254m (0,01インチ)である。圧電同調素子
41は小さい寸法の向きに分極される。圧電同調素子板
の2つの主面が銀めっきされて、圧電同調素子板41の
小さい寸法の間に同調電圧を印加するための電極を構成
する。
グ共振器結晶12の上側の自由な小面へ接合される。こ
こで説明している実施例においては、圧電同調素子41
は、アメリカ合衆国オハイオ州ベツドフォード(Bed
ford) 所在Oハーニトロン・ピエゾエレクトリッ
ク・デイビョン(Vernitron@Piezoel
eetrlc Dlvision)から市販されている
PZT−5Hのような圧電物質の正方形の板で構成され
る。典型的な例においては、圧電同調素子41の一辺の
長さが約5.08im(0,2インチ)で、厚さが約0
.254m (0,01インチ)である。圧電同調素子
41は小さい寸法の向きに分極される。圧電同調素子板
の2つの主面が銀めっきされて、圧電同調素子板41の
小さい寸法の間に同調電圧を印加するための電極を構成
する。
共振器結晶12に1互いに平行な上手面42および底小
面43と、前方入力小面44と、2つの細小面45.4
6と、端部小面47とが設けられる。典型的な例におい
ては、レーザ利得物質の厚板すなわち、リング共振器1
2高さが2罰、長さが4.988顛、幅が約4.34畦
である。細小面45゜46と端部小面47杖、上手面4
2または底小面43からの反射なしに、閉じた光路13
に沿って光ビーム14を全内部反射させるために配置お
よび構成される。閉じた光路13の一部48(第5図)
が閉じた光路13の残シの部分が含まれている平面から
外れて、米国特許筒4 、578 、793号明細書お
よび雑誌「オプチツクス・レタース(OpticsLe
tt@rs)J 1987年3月、12巻、3号、17
5〜177ページ所載の論文に記載されているような種
類の非平面リング共振器を構成する。永久磁石18 、
19によシ加えられた磁界によシフアラデー回転効果が
発生され、固有の分極によシ共振器内部を互向きに進む
光波の損失を大幅に異ならせて、光路13に沿う低損失
の向きだけの発振を支持する。端部でボンピングされる
と、リング発振器は空間的な穴あき効果を無くす。その
ためにリング発振器13は光学的な帰還を感ぜず、単一
軸線方向モードで動作する。
面43と、前方入力小面44と、2つの細小面45.4
6と、端部小面47とが設けられる。典型的な例におい
ては、レーザ利得物質の厚板すなわち、リング共振器1
2高さが2罰、長さが4.988顛、幅が約4.34畦
である。細小面45゜46と端部小面47杖、上手面4
2または底小面43からの反射なしに、閉じた光路13
に沿って光ビーム14を全内部反射させるために配置お
よび構成される。閉じた光路13の一部48(第5図)
が閉じた光路13の残シの部分が含まれている平面から
外れて、米国特許筒4 、578 、793号明細書お
よび雑誌「オプチツクス・レタース(OpticsLe
tt@rs)J 1987年3月、12巻、3号、17
5〜177ページ所載の論文に記載されているような種
類の非平面リング共振器を構成する。永久磁石18 、
19によシ加えられた磁界によシフアラデー回転効果が
発生され、固有の分極によシ共振器内部を互向きに進む
光波の損失を大幅に異ならせて、光路13に沿う低損失
の向きだけの発振を支持する。端部でボンピングされる
と、リング発振器は空間的な穴あき効果を無くす。その
ためにリング発振器13は光学的な帰還を感ぜず、単一
軸線方向モードで動作する。
細いリード線49.51が圧電同調素子41の銀めっき
された2つの表面へはんだづけされて、圧電同調素子4
1の小さい寸法の間に電圧を印加して、分極方向に電界
を加えることができるようKする。その加えられた電界
によシ圧電同調素子41はそれの面積を増減させられる
。圧電同調素子41の面積は、加えられた電界が分極の
方向に平行である場合は増大し、加えられた電界が分極
の方向に平行でない場合は減少する。圧電同調素子41
は硬いNd: YAG共振器12へ接合されているから
、圧電同調素子41が自由になっている時に収縮するよ
うには収縮できない。その代シに、その圧電同調素子4
1はせん断力の場をNd:YAG結晶へ加える。そのせ
ん断力の場は、圧電同調素子41が接合されている小面
42の平面内に全体として含まれる。加えられた力の場
Fは結晶12の屈折率と、形と、寸法とを変化させる。
された2つの表面へはんだづけされて、圧電同調素子4
1の小さい寸法の間に電圧を印加して、分極方向に電界
を加えることができるようKする。その加えられた電界
によシ圧電同調素子41はそれの面積を増減させられる
。圧電同調素子41の面積は、加えられた電界が分極の
方向に平行である場合は増大し、加えられた電界が分極
の方向に平行でない場合は減少する。圧電同調素子41
は硬いNd: YAG共振器12へ接合されているから
、圧電同調素子41が自由になっている時に収縮するよ
うには収縮できない。その代シに、その圧電同調素子4
1はせん断力の場をNd:YAG結晶へ加える。そのせ
ん断力の場は、圧電同調素子41が接合されている小面
42の平面内に全体として含まれる。加えられた力の場
Fは結晶12の屈折率と、形と、寸法とを変化させる。
結晶の屈折率、形および寸法が変化した結果として共振
器の光路の長さが変化させられ、その結果としてレーザ
の出力光ビーム35の振動数が変化させられる。
器の光路の長さが変化させられ、その結果としてレーザ
の出力光ビーム35の振動数が変化させられる。
典型的な例忙おいては、振動数の変化は圧電同調素子4
1に印加された電圧当シ1.5MHzであった。応答時
間は13ミリ秒よシ短かかった。したがってこの発振器
は電圧によシ制御される光発振器である。
1に印加された電圧当シ1.5MHzであった。応答時
間は13ミリ秒よシ短かかった。したがってこの発振器
は電圧によシ制御される光発振器である。
第1図に示されている別の実施例では、第2の圧電素子
52が結晶12の底小面43へ接合される。また、同調
電圧が第2の同調素子52へ印加されてその同調素子5
20面積を変化させる。その面積変化は底小面43によ
シ同調力として結晶中へ伝えられて光共振器すなわち結
晶12を圧電的に同調させる。
52が結晶12の底小面43へ接合される。また、同調
電圧が第2の同調素子52へ印加されてその同調素子5
20面積を変化させる。その面積変化は底小面43によ
シ同調力として結晶中へ伝えられて光共振器すなわち結
晶12を圧電的に同調させる。
更に別の実施例において杜、圧電同調素子41と52は
、光弁振器結晶12の同調について先に述べたように、
結晶12の上小面42と底小面43へ接合される。圧電
同調素子が上小面42と底小面43へ接合される場合に
は、印加電圧によシ圧電同調素子41と52の一方の面
積が増大させられ、他方の面積が減少させられるように
、それらの圧電同調素子へ電圧が印加される。
、光弁振器結晶12の同調について先に述べたように、
結晶12の上小面42と底小面43へ接合される。圧電
同調素子が上小面42と底小面43へ接合される場合に
は、印加電圧によシ圧電同調素子41と52の一方の面
積が増大させられ、他方の面積が減少させられるように
、それらの圧電同調素子へ電圧が印加される。
次に1本発明の別の実施例が示されている第6図を参照
する。この実施例では、光共振器は、Nd: YAGの
ようなレーザ利得物質で構成され、両端に反射鏡55.
56が付着されて、それらの反射鏡の間にモノリシック
光共振器を構成するモノリシック棒54で構成される。
する。この実施例では、光共振器は、Nd: YAGの
ようなレーザ利得物質で構成され、両端に反射鏡55.
56が付着されて、それらの反射鏡の間にモノリシック
光共振器を構成するモノリシック棒54で構成される。
ポンピングビーム14が棒54の軸線方向に導入されて
その棒を共直線的にボンピングする。棒54の一方の側
に治って同調小面55が形成され、圧電同調素子41が
同調小面55へ接合されて、同調力Fを同調小面を通じ
て棒54へ伝え、光共振器の共振振動数したかってレー
ザの出力振動数を同調させる。第1図に示されている実
施例と同様に1圧電同調素子41と52を棒54の両面
に接合できる。
その棒を共直線的にボンピングする。棒54の一方の側
に治って同調小面55が形成され、圧電同調素子41が
同調小面55へ接合されて、同調力Fを同調小面を通じ
て棒54へ伝え、光共振器の共振振動数したかってレー
ザの出力振動数を同調させる。第1図に示されている実
施例と同様に1圧電同調素子41と52を棒54の両面
に接合できる。
本発明の圧電的に同調させられる光共振器が従来の圧電
同調クランプ構造よシ優れている点は、本発明の光共振
器が従来の光共振器よりはるかく小型であるために応答
速度が非常に高いことが含まれる。応答速度は音の速さ
と光共振器の寸法によシ決定される。応答時間は、機械
的な系の一端から他端へ音が進むのに要する時間よシ短
くすることはできない。本発明においては、Nd:YA
G結晶12で主として構成されている同調系は従来の同
調系よりはるかく小型で、クランプ形共振器のような大
型の共振器よシ応答時間が非常に短い。
同調クランプ構造よシ優れている点は、本発明の光共振
器が従来の光共振器よりはるかく小型であるために応答
速度が非常に高いことが含まれる。応答速度は音の速さ
と光共振器の寸法によシ決定される。応答時間は、機械
的な系の一端から他端へ音が進むのに要する時間よシ短
くすることはできない。本発明においては、Nd:YA
G結晶12で主として構成されている同調系は従来の同
調系よりはるかく小型で、クランプ形共振器のような大
型の共振器よシ応答時間が非常に短い。
レーザの音響ノイズに対する感度はレーザの寸法にも依
存する。内部の音速が非常に高い小型の物体は音響ノイ
ズにより大きな影響を受けるヒとはない。大きくて複雑
な形は音響ノイズで駆動されると共振しやすい。共振に
よる大きな青畳応答は従来のレーザの振動数が不安定な
原因の多くを占める。本発F!Aにおいては、構造が比
較的小型であるために音響ノイズに対する系の応答を小
さくできる。
存する。内部の音速が非常に高い小型の物体は音響ノイ
ズにより大きな影響を受けるヒとはない。大きくて複雑
な形は音響ノイズで駆動されると共振しやすい。共振に
よる大きな青畳応答は従来のレーザの振動数が不安定な
原因の多くを占める。本発F!Aにおいては、構造が比
較的小型であるために音響ノイズに対する系の応答を小
さくできる。
本発明の圧電的に同調させられる共振器の別の利点は容
易に製作できることである。圧電物質片がモノリシック
共振器の同調小面へ単純に接合される。このことは、レ
ーザ全体を比較的大形のクランプ構造を用いて構成しな
ければならないクランプ型構造と極めて対照的である。
易に製作できることである。圧電物質片がモノリシック
共振器の同調小面へ単純に接合される。このことは、レ
ーザ全体を比較的大形のクランプ構造を用いて構成しな
ければならないクランプ型構造と極めて対照的である。
第1図は本発明のレーザ発振器の縦断面図、第2図は第
1図の矢印線2−2に沿う断面図、第3図は第2図の矢
印円3−3で囲まれた部分の光弁振器部分の拡大平面図
、第4図は第3図の矢印線4−4に沿う端面図、第5図
は第3図の矢印線5−5に溢う側面図、第6図は本発明
の諸特徴を含む別の圧電的に同調させられる棒状レーザ
の斜視図である。 11・・・・リングレーザ共振器、12・・・・レーザ
磁気光学物質の結晶(光共振器)、13・・の・閉じた
光路、15・・・・レーザダイオード、16・・・・分
布屈折率型レンズ、17.・・・・結晶12の入力−出
力面、18.19−・・・永久磁石、21・・・・熱伝
導性物質製のブラケット、23・・・・熱電冷却器、2
4・・・・サーミスタ、25・・・・熱伝導性物質製の
ブロック、26・・・−加熱器、28・・−・熱絶縁物
質製ブ四ツク、41.52・・・・圧電同調素子、42
.43,44,45,46.47 ・・・・結晶12
の小面。 2面の浄書(内容に変更なし) 特許出願人 ライトウエーフ・エレクトロニクス・
コーポレーション
1図の矢印線2−2に沿う断面図、第3図は第2図の矢
印円3−3で囲まれた部分の光弁振器部分の拡大平面図
、第4図は第3図の矢印線4−4に沿う端面図、第5図
は第3図の矢印線5−5に溢う側面図、第6図は本発明
の諸特徴を含む別の圧電的に同調させられる棒状レーザ
の斜視図である。 11・・・・リングレーザ共振器、12・・・・レーザ
磁気光学物質の結晶(光共振器)、13・・の・閉じた
光路、15・・・・レーザダイオード、16・・・・分
布屈折率型レンズ、17.・・・・結晶12の入力−出
力面、18.19−・・・永久磁石、21・・・・熱伝
導性物質製のブラケット、23・・・・熱電冷却器、2
4・・・・サーミスタ、25・・・・熱伝導性物質製の
ブロック、26・・・−加熱器、28・・−・熱絶縁物
質製ブ四ツク、41.52・・・・圧電同調素子、42
.43,44,45,46.47 ・・・・結晶12
の小面。 2面の浄書(内容に変更なし) 特許出願人 ライトウエーフ・エレクトロニクス・
コーポレーション
Claims (3)
- (1)光共振器の固体部材の少くとも一部へ接合されて
、その少くとも一部の上に置かれる境界面を有する圧電
素子に電圧を印加し、印加された電圧が接合されている
境界面の面積を変化させて、その結果として発生された
力の場を、接合されている境界面を介して光共振器の固
体部材の上に置かれている部分へ伝え、光共振器の少く
とも一部の屈折率と寸法に応力に関連する変化を生じさ
せて前記光共振器の光共振モードに対して振動数を同調
させるようにする過程を備えることを特徴とする光共振
器を圧電的に同調する方法。 - (2)共振させられた光波エネルギーの共振振動数を同
調させるために同調力を貫通させるための同調小面を有
し、共振させられた光波エネルギーを透過させる光学的
に透明な固体部材を含み、光波エネルギーを共振器させ
る光共振器手段と、前記光共振器手段の前記光学的に透
明な部材の前記同調小面へ力交換関係で接合された圧電
部材を含み、その圧電部材へ印加された電圧に応答して
、前記同調小面の表面に主として平行に向けられる結果
として生じた力のベクトルを前記同調小面を介して前記
光学的に透明な部材へ伝え、前記光学的に透明な部材の
屈折率と寸法に応力に関連する変化を生じさせて、前記
光共振器手段の光共振モードの振動数を同調させる圧電
手段と、を備えることを特徴とする圧電的に同調させら
れる光共振器。 - (3)光学的に透明なレーザ物質の小面を有する部材と
、 リング共振器と、 小面を有する前記部材へ磁界を加えてその部材内部にフ
ァラデー回転効果を生じさせ、出力光エネルギーの向き
とは逆の向きに前記リング共振器内部を進む光波エネル
ギーを選択的に減衰させる磁石と、 光ポンピングエネルギー源と、 小面を有する前記部材の前記小面の同調する1つの小面
に接合され、印加電圧に応答して、前記同調小面の表面
の平面内で主として向けられている同調力ベクトルを前
記同調小面を通じて伝えて、出力光エネルギーの振動数
を同調させる圧電物質のシートと、 を備え、レーザ物質の前記部材の複数の前記小面は、前
記部材内の非平面状の閉じた光路内の周囲を前記部材内
部で光エネルギーを反射させるために配置および向けら
れ、 前記内部で反射する小面の1つが入力光エネルギーを迂
回する入力光路に沿つて前記リング共振器内に結合し、
かつ出力光エネルギーを迂回する出力光路に沿つて前記
リング共振器から結合することを特徴とするリングレー
ザ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US185467 | 1988-04-25 | ||
US07/185,467 US4829532A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Piezo-electrically tuned optical resonator and laser using same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0249485A true JPH0249485A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=22681097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1103612A Pending JPH0249485A (ja) | 1988-04-25 | 1989-04-25 | 光共振器を圧電的に同調する方法および圧電的に同調させられる光共振器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4829532A (ja) |
EP (1) | EP0339543B1 (ja) |
JP (1) | JPH0249485A (ja) |
DE (1) | DE68914020T2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB8908304D0 (en) * | 1989-04-12 | 1989-05-24 | Secr Defence | Ring laser |
US4998255A (en) * | 1989-10-11 | 1991-03-05 | Lightwave Electronics Corporation | Resonant phase modulator |
WO1991010273A1 (en) * | 1989-12-28 | 1991-07-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Unidirectional, monolithic planar ring laser with birefringence |
US5177764A (en) * | 1989-12-28 | 1993-01-05 | Harmonic Lightwaves, Inc. | Unidirectional, planar ring laser with birefringence |
JP3152424B2 (ja) * | 1990-07-13 | 2001-04-03 | 株式会社日立製作所 | 波長可変半導体レーザ |
US5121402A (en) * | 1990-09-28 | 1992-06-09 | The United State Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Multiple element ring laser |
US5170409A (en) * | 1991-05-09 | 1992-12-08 | Coherent, Inc. | Laser resonator assembly |
JP3013121B2 (ja) * | 1991-05-10 | 2000-02-28 | 富士写真フイルム株式会社 | 光波長変換装置 |
US5329539A (en) * | 1991-10-28 | 1994-07-12 | Lightwave Electronics | Efficient laser configuration |
US5850308A (en) * | 1995-06-01 | 1998-12-15 | Dastidar; Pranab | Scanning arrangement for fast access of memory and display |
US6654392B1 (en) | 2000-01-31 | 2003-11-25 | Lightwave Electronics | Quasi-monolithic tunable optical resonator |
EP1358515A2 (en) | 2000-09-22 | 2003-11-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods of altering the resonance of waveguide micro-resonators |
US6687270B1 (en) * | 2002-08-14 | 2004-02-03 | Coherent, Inc. | Digital electronic synchronization of ultrafast lasers |
US9057927B2 (en) | 2005-07-08 | 2015-06-16 | Lockheed Martin Coroporation | High-power multi-function millimeter-wave signal generation using OPO and DFG |
US7620077B2 (en) * | 2005-07-08 | 2009-11-17 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for pumping and operating optical parametric oscillators using DFB fiber lasers |
US7940829B2 (en) * | 2006-06-09 | 2011-05-10 | Lulian Petrescu-Prahova | Laser devices using gain media operating in out of phase mode |
US8983238B2 (en) * | 2008-03-27 | 2015-03-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical resonator tuning using piezoelectric actuation |
US11394168B1 (en) * | 2019-06-05 | 2022-07-19 | United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | Micro non-planar ring oscillator with optimized output power and minimized noise in a reduced size package |
WO2022217077A1 (en) * | 2021-04-09 | 2022-10-13 | Raytheon Company | Method for non-line-of-sight detection of complex optical signals |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3555457A (en) * | 1967-03-27 | 1971-01-12 | Us Army | Modulated laser device |
US4578793A (en) * | 1984-07-13 | 1986-03-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Solid-state non-planar internally reflecting ring laser |
US4747111A (en) * | 1987-02-13 | 1988-05-24 | Hewlett-Packard Company | Quasi-planar monolithic unidirectional ring laser |
-
1988
- 1988-04-25 US US07/185,467 patent/US4829532A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-24 EP EP89107380A patent/EP0339543B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-24 DE DE68914020T patent/DE68914020T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-25 JP JP1103612A patent/JPH0249485A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68914020D1 (de) | 1994-04-28 |
DE68914020T2 (de) | 1994-07-21 |
EP0339543A3 (en) | 1990-07-25 |
EP0339543A2 (en) | 1989-11-02 |
EP0339543B1 (en) | 1994-03-23 |
US4829532A (en) | 1989-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0249485A (ja) | 光共振器を圧電的に同調する方法および圧電的に同調させられる光共振器 | |
WO2020207434A1 (zh) | 激光器和激光雷达 | |
US4797896A (en) | Solid state optical ring resonator and laser using same | |
US4847851A (en) | Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser | |
US4797893A (en) | Microlaser system | |
US6259711B1 (en) | Laser | |
US4955034A (en) | Planar solid state laser resonator | |
US8031749B2 (en) | Passively Q-switched microlaser with controllable peak power density | |
CN101728752B (zh) | 一种波长可调谐的光纤激光器 | |
US5148444A (en) | Tunable single-frequency ring laser | |
GB2300964A (en) | Lasers | |
US4749842A (en) | Ring laser and method of making same | |
US3466565A (en) | Laser mode selection | |
US5048051A (en) | Optically-stabilized plano-plano optical resonators | |
US5130995A (en) | Laser with Brewster angled-surface Q-switch alinged co-axially | |
US3828276A (en) | High efficiency acousto-optical q-switch | |
JPH11500577A (ja) | レーザ及び能動スイッチマイクロレーザ | |
US5172391A (en) | Polarization controlling system for lasers | |
JPS62298194A (ja) | レ−ザ発光装置 | |
EP0201854B1 (en) | Ring laser angular rate sensor | |
JPH08236848A (ja) | 第2高調波発生装置 | |
JPH104233A (ja) | 波長変換レーザー | |
JPS60112023A (ja) | 光波長変換素子 | |
US3533015A (en) | Radiation beam directing systems | |
JPH03189631A (ja) | 光導波路装置 |