JPH0241776B2 - - Google Patents

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JPH0241776B2
JPH0241776B2 JP58154441A JP15444183A JPH0241776B2 JP H0241776 B2 JPH0241776 B2 JP H0241776B2 JP 58154441 A JP58154441 A JP 58154441A JP 15444183 A JP15444183 A JP 15444183A JP H0241776 B2 JPH0241776 B2 JP H0241776B2
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semiconductor
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/14Error detection or correction of the data by redundancy in operation
    • G06F11/1402Saving, restoring, recovering or retrying
    • G06F11/1415Saving, restoring, recovering or retrying at system level
    • G06F11/1441Resetting or repowering
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
    • G06F11/2015Redundant power supplies

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体フアイルのデータ保持方式に
関し、特に高速アクセス化と揮発性対策が可能な
半導体フアイルのデータ退避・復元方式に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a data retention method for a semiconductor file, and particularly to a data saving and restoring method for a semiconductor file that enables high-speed access and measures against volatility.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

外部記憶装置(以下フアイルと記す)の記録媒
体としては、従来より、磁気デイスク、磁気ドラ
ムおよび磁気テープ等のメモリ媒体が使用されて
きたが、これらは回転時間や位置決め時間のため
半導体メモリから成るメイン・メモリに比べて5
桁程度アクセス時間が長く、この間のアクセス・
ギヤツプをどうして埋めるかが問題となつてい
た。
Conventionally, memory media such as magnetic disks, magnetic drums, and magnetic tapes have been used as recording media for external storage devices (hereinafter referred to as files), but these are made of semiconductor memory due to rotation time and positioning time. 5 compared to main memory
The access time is about an order of magnitude long, and the access time during this time is
The problem was how to fill the gap.

そこで、フアイルの記録媒体として、ランダ
ム・アクセス型の半導体メモリ素子を使用する試
みが、半導体メモリ素子の急激な大容量化、低価
格化に加え、フアイルに対する高速アクセス化の
要求により徐々に実現されつつある。
Therefore, attempts to use random access type semiconductor memory devices as a file storage medium were gradually realized due to the rapid increase in capacity and price reduction of semiconductor memory devices, as well as the demand for faster access to files. It's coming.

しかし、半導体メモリ素子には、電源断時、内
容データが揮発するという欠点があり、この対応
策として各種のデータ保持方式が考えられてい
る。
However, semiconductor memory devices have a drawback in that the content data volatizes when the power is turned off, and various data retention methods have been considered as a countermeasure to this problem.

従来のデータ揮発性フアイルのデータ保持方式
は、電源断時に、中央処理装置の指令により揮発
性フアイルの内容の一部を不揮発性メモリに記憶
するものであつた。
A conventional data retention system for volatile data files stores part of the contents of volatile files in nonvolatile memory upon command from a central processing unit when the power is turned off.

第1図は、従来の揮発性フアイルのデータ保持
方式の説明図である。第1図において、10は中
央処理装置(以下CPUと記す)、20,21はチ
ヤネル装置(CHL)、30,31はフアイル制御
装置(IOC)、40はデータ揮発性フアイル、4
1はデータ不揮発性フアイルである。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a conventional volatile file data retention system. In FIG. 1, 10 is a central processing unit (hereinafter referred to as CPU), 20 and 21 are channel devices (CHL), 30 and 31 are file control units (IOC), 40 is a data volatile file, and 4
1 is a data non-volatile file.

一般に、データ揮発性フアイル40の内容は、
バツクアツプ用のシステム・プログラムにより制
御単位で読出され、一旦フアイル制御装置30、
チヤネル装置20を経由してCPU10内に取込
まれた後、別のチヤネル装置21、フアイル制御
装置31を経由してデータ保持用のデータ不揮発
性フアイル41に書込まれる。
Generally, the contents of data volatile file 40 are:
It is read out in control units by the system program for backup, and once it is read out by the file control device 30,
After being taken into the CPU 10 via the channel device 20, the data is written into a data non-volatile file 41 for data retention via another channel device 21 and a file control device 31.

しかし、第1図の方式では、データを退避する
際に、多数の装置および経路を使用するため、フ
アイル40の容量が増加するに伴つてシステム的
なオーバヘツドも増加するという欠点がある。
However, the method shown in FIG. 1 uses a large number of devices and paths when saving data, so it has the disadvantage that as the capacity of the file 40 increases, the system overhead also increases.

また、停電時に揮発性メモリ部のデータを不揮
発性メモリ部に退避させる発明もあるが(特開昭
49−24050号公報、特開昭55−4651号公報参照)、
いずれも再開スタート時に必要な最小限のデータ
を退避させることにとどまり、全データの退避で
はないため、最新データの喪失量が大きい。ま
た、すべてCPUからの指示により退避しており、
揮発性フアイル独自の判断でデータの退避ができ
ないので、CPUとの交信がなくなつたときに最
新データを退避させて、できるだけ多く、更新後
のデータを保持するという方法が採用できない。
There is also an invention that saves data in volatile memory to non-volatile memory in the event of a power outage (Japanese Patent Laid-Open Publication No.
49-24050, JP-A-55-4651),
In either case, only the minimum amount of data required at the time of restarting is saved, and not all data, so a large amount of the latest data is lost. In addition, everything is evacuated according to instructions from the CPU,
Since data cannot be saved based on a volatile file's own judgment, it is not possible to save the latest data when there is no communication with the CPU and retain as much updated data as possible.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、このような従来の問題を解決
し、揮発性メモリ素子を用いたフアイルに、装置
単独で全データの退避機能を具備させ、ほぼ不揮
発性フアイルと同じように扱うことができるよう
にした半導体フアイルのデータ保持方式を提供す
ることにある。
The purpose of the present invention is to solve such conventional problems, to provide a file using a volatile memory element with a function to save all data on the device alone, and to be able to handle it almost in the same way as a non-volatile file. An object of the present invention is to provide a data retention method for a semiconductor file.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明による半導体フアイルのデータ保持方式
は、(イ)半導体記憶素子で構成された揮発性メモリ
(第2図の3)と、揮発性メモリと同等もしくは
それ以上の容量を有する不揮発性メモリ(第2図
の4)と、不揮発性メモリと揮発性メモリ間のデ
ータ転送を制御するデータ転送制御手段(第2図
の7,8)とを具備し、揮発性メモリに記憶され
たデータをデータ転送手段の制御により不揮発性
メモリに転送するとともに、動作が正しく実行さ
れたか否かを示す情報を保持し(第2図の4上の
制御セクタ部に書込み)、不揮発性メモリから揮
発性メモリへデータ転送制御手段の制御によりデ
ータ転送する場合、前記情報を参照して正しく記
憶されたデータであるときにデータ転送を実行す
ることに特徴がある。また(ロ)揮発性メモリと不揮
発性メモリ間のデータ転送の時点を判別する判別
手段(第2図の9,11)をさらに具備し、判別
手段の判別結果に基づき、揮発性メモリに記憶さ
れたデータをデータ転送制御手段の制御により不
揮発性メモリに転送することにも特徴がある。
The semiconductor file data retention system according to the present invention consists of (a) a volatile memory (3 in Figure 2) made up of semiconductor storage elements, and a non-volatile memory (3 in Figure 2) having a capacity equal to or greater than that of the volatile memory. 4) in Figure 2 and a data transfer control means (7 and 8 in Figure 2) that controls data transfer between the nonvolatile memory and the volatile memory, and transfers the data stored in the volatile memory. The data is transferred to the non-volatile memory under the control of the non-volatile memory, and information indicating whether or not the operation was executed correctly is retained (written to the control sector section above 4 in Figure 2), and the data is transferred from the non-volatile memory to the volatile memory. When data is transferred under the control of the transfer control means, the data transfer is performed when the data is correctly stored by referring to the information. (b) It further includes a determining means (9, 11 in FIG. 2) for determining the time point of data transfer between the volatile memory and the non-volatile memory, and based on the determination result of the determining means, the data is stored in the volatile memory. Another feature is that the data is transferred to the nonvolatile memory under the control of the data transfer control means.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第2図は、本発明の一実施例を示す半導体フア
イルの内部ブロツク図である。
FIG. 2 is an internal block diagram of a semiconductor file showing one embodiment of the present invention.

第2図において、1は半導体フアイル、2は半
導体フアイルを管理するマイクロプロセツサ、3
はユーザ・データが保存される半導体メモリ部、
4はバツクアツプ用磁気デイスク、5は上位制御
装置と接続するインタフエースの制御部、6は上
位装置とのデータ転送制御部、7は半導体メモリ
部3のデータを磁気デイスク4に退避する制御を
行うアンロード制御部、8は退避の逆にデータの
メモリ上への復元を制御するロード制御部、9は
電源制御部、12はフアイル全体に電力を供給す
ると共に、予備の蓄電部を含む電源部、11はタ
イミング回路である。また、矢印の単線は制御信
号線を示し、矢印の太線はデータ線を示し、矢印
の曲線は電源線を示している。
In FIG. 2, 1 is a semiconductor file, 2 is a microprocessor that manages the semiconductor file, and 3 is a microprocessor that manages the semiconductor file.
is a semiconductor memory section where user data is stored;
4 is a backup magnetic disk; 5 is an interface control unit that connects to a higher-level control device; 6 is a data transfer control unit with the higher-level device; and 7 controls the backup of data in the semiconductor memory unit 3 to the magnetic disk 4. An unload control unit, 8 a load control unit that controls restoration of data onto the memory as opposed to saving, 9 a power supply control unit, and 12 a power supply unit that supplies power to the entire file and includes a spare power storage unit. , 11 is a timing circuit. Further, the solid line of the arrow indicates a control signal line, the thick line of the arrow indicates a data line, and the curved line of the arrow indicates a power supply line.

半導体メモリ部3は複数個のフアイル・ボリユ
ームより構成され、各々のボリユームは上位装置
から使用するソフトインタフエースにより論理的
に分割されている。例えば、磁気デイスクに合わ
せたトラツク分割にされる。また、磁気デイスク
装置4は、半導体メモリ部3と同等以上の容量を
有し、各トラツクはN個の固定長セクタに分割さ
れており、各セクタはID部(位置識別情報部)
とデータ部とギヤツプから構成されている。
The semiconductor memory section 3 is composed of a plurality of file volumes, and each volume is logically divided by a software interface used from a host device. For example, tracks are divided according to the magnetic disk. The magnetic disk device 4 has a capacity equal to or greater than that of the semiconductor memory section 3, and each track is divided into N fixed length sectors, each sector having an ID section (location identification information section).
It consists of a data section and a gap.

さて、本発明の一例として、データ退避(アン
ロード)動作の開始点がシステム電源断時である
場合の制御シーケンスを、第3図により説明す
る。但し、この図では異常状態発生時における処
理が省略されている。
Now, as an example of the present invention, a control sequence when the data evacuation (unload) operation starts when the system power is turned off will be explained with reference to FIG. However, this diagram omits the processing when an abnormal state occurs.

まず、システムの電源が落ちた時、電源制御部
9はこれを検出すると、マイクロプロセツサ2に
割込みアンロード動作の開始を指示する(ステツ
プ51、52)。マイクロプロセツサ2はこの割込み
を契機として、まず磁気デイスク装置4の電源を
投入し、定常回転に達するまで待ち、リゼロ動作
によりシリンダ番号0、トラツク番号0ヘリー
ド/ライト・ヘツドを位置付ける(ステツプ53、
54、55)。マイクロプロセツサ2は、次にアンロ
ード制御部7の半導体メモリ部3のリード回路を
起動して、メモリ先頭アドレスからのリード準備
を行わせると共に、磁気デイスク装置4ではイン
デツクスへの位置決めを行う(ステツプ56、57)。
インデツクス位置決め後は、最初のセクタのID
部をまず読出し、該ID部の正常性を確認する
(ステツプ58,59)。セクタの正常性を確認後、半
導体メモリ部3中のデータは磁気デイスクの1セ
クタ分(固定長)リードされ、該デイスク4上の
該セクタのデータ部へライトされる(ステツプ
60)。この動作は、磁気デイスク4の媒体回転に
従い1トラツク中Nセクタ回繰返され、その後、
次にトラツクにスイツチして再度、同一動作が繰
返される(ステツプ62、63、64)。また、磁気デ
イスク4のシリンダ内、最終トラツクを処理した
場合は、次トラツク・スイツチの代わりに次シリ
ンダへシークする動作が行われる(ステツプ63、
65)。以上に述べた、メモリ内のデータを磁気デ
イスクの固定セクタ・データ長に分割し、シーケ
ンシヤルにアンロードする動作は、半導体メモリ
部3の全データをリードするまで繰返され、全デ
ータをリード完了したら、アンロード制御部7内
のメモリ・リード回路を停止させる(ステツプ
61、66)。これで、半導体メモリ部3に存在した
ユーザ・データは総て磁気デイスク装置4内に退
避されたが、次に該デイスク上に正しくアンロー
ドされたデータが有ることを保障するアンロード
完了フラグを、該磁気デイスク装置4上の制御セ
クタ部へ書込む(ステツプ67)。以上で磁気デイ
スク4は不要となり、電源が切断される(ステツ
プ68)。マイクロプロセツサ2はアンロード完了
信号を電源制御部9へ通知し、該電源制御部9は
電源切断の報告を上位装置へ報告すると同時に、
装置1全体の電源を切断する(ステツプ69、70)。
これで、アンロード・シーケンスが完了する。
尚、この電源断の原因が停電の場合、電源制御部
9が電源部12内の予備蓄電部の電力を用いて前
記動作を保持する。
First, when the power to the system is turned off, the power control section 9 detects this and instructs the microprocessor 2 to start an interrupt unload operation (steps 51 and 52). Taking this interrupt as a trigger, the microprocessor 2 first turns on the power to the magnetic disk device 4, waits until it reaches steady rotation, and positions the read/write head of cylinder number 0 and track number 0 by rezero operation (step 53,
54, 55). The microprocessor 2 then activates the read circuit of the semiconductor memory section 3 of the unload control section 7 to prepare for reading from the memory head address, and the magnetic disk device 4 performs positioning to the index ( Steps 56, 57).
After index positioning, ID of first sector
The ID section is first read out and the normality of the ID section is confirmed (steps 58 and 59). After confirming the normality of the sector, the data in the semiconductor memory section 3 is read for one sector (fixed length) of the magnetic disk, and written to the data section of the sector on the disk 4 (step
60). This operation is repeated N sectors in one track as the medium of the magnetic disk 4 rotates, and then
Next, the track is switched on and the same operation is repeated again (steps 62, 63, 64). Furthermore, when the last track in the cylinder of the magnetic disk 4 has been processed, the operation of seeking to the next cylinder is performed instead of the next track switch (step 63,
65). The above-mentioned operation of dividing the data in the memory into fixed sector data lengths of the magnetic disk and sequentially unloading them is repeated until all the data in the semiconductor memory section 3 is read, and once all the data has been read, , stop the memory read circuit in the unload control section 7 (step
61, 66). All of the user data that existed in the semiconductor memory section 3 has now been saved in the magnetic disk device 4. Next, set the unload completion flag to ensure that there is correctly unloaded data on the disk. , is written to the control sector section on the magnetic disk device 4 (step 67). With the above steps, the magnetic disk 4 is no longer needed, and the power is turned off (step 68). The microprocessor 2 notifies the power supply control section 9 of the unload completion signal, and the power supply control section 9 reports the power cutoff to the host device at the same time.
Turn off the power to the entire device 1 (steps 69 and 70).
This completes the unload sequence.
Note that if the cause of this power outage is a power outage, the power supply control section 9 maintains the above operation using the power of the reserve power storage section in the power supply section 12.

このシーケンスで特徴のある点は、半導体メモ
リ部3のデータ・フオーマツトを全く意識せず、
退避媒体である磁気デイスクの物理フオーマツト
に従つてメモリを分割し、データを退避すること
である。
What is unique about this sequence is that the data format of the semiconductor memory section 3 is not considered at all, and
This is to save data by dividing memory according to the physical format of a magnetic disk that is an evacuation medium.

第4図は、半導体メモリ部のフオーマツトおよ
び内蔵磁気デイスクのトラツク・フオーマツトを
説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating the format of the semiconductor memory section and the track format of the built-in magnetic disk.

第4図aに示す様に、半導体メモリ部3は上位
装置からHA部、カウント部、キー部、データ部
等から成る可変長フオーマツト(ソフトインタフ
エース・フオーマツト)で使用されるが、アンロ
ード時は、(第4図bのように、メモリ部3は内
蔵磁気デイスクの固定セクタ長に等分され(デイ
スク・インタフエース・フオーマツト)、シーケ
ンシヤルにデイスク上に書込まれる。このアンロ
ード動作は、メモリ部3の全セクタをデイスクに
書込んだ時点で終了となる。
As shown in FIG. 4a, the semiconductor memory section 3 is used in a variable length format (soft interface format) consisting of an HA section, a count section, a key section, a data section, etc. from the host device. (As shown in FIG. 4b, the memory section 3 is divided equally into fixed sector lengths of the built-in magnetic disk (disk interface format), and data is sequentially written onto the disk. This unloading operation is performed as follows: The process ends when all sectors of the memory section 3 are written to the disk.

第4図aのHA(Home Address)部にはトラ
ツクの位置が記憶されており、カウント部にはレ
コードの位置(何番目のレコードか)とレコード
長(可変長であるから)が記憶され、キー部には
ユーザがこのキー・データをもとにしてユーザ・
データを検索するための情報が記憶される。そし
て、1個のHA部に対して複数のレコード(カウ
ント部とデータ部)が連続して記憶される一方、
キー部は必要に応じて任意の位置に設けられる。
The HA (Home Address) section in Figure 4a stores the track position, and the count section stores the record position (what record it is) and record length (because it is variable length). The key part contains user input based on this key data.
Information for retrieving data is stored. While multiple records (count section and data section) are stored consecutively for one HA section,
The key portion can be provided at any position as required.

第4図bには、磁気デイスクの固定セクタ・デ
ータ部に分割された半導体メモリ部3のデータが
示されており、分割された各データは第4図c,
dに示すように、各トラツクごとにインデツクス
の後に連続するセクタ#0〜#(N−1)のデー
タ部内に書込まれる。ID部には、トラツク番号、
セクタ番号等が記憶されている。
FIG. 4b shows data in the semiconductor memory section 3 divided into fixed sector data sections of the magnetic disk, and each divided data is shown in FIG. 4c,
As shown in d, data is written in the data portion of consecutive sectors #0 to #(N-1) after the index for each track. The ID section contains the track number,
Sector numbers etc. are stored.

第5図は、データ復元動作のフローチヤートで
ある。
FIG. 5 is a flowchart of the data restoration operation.

ロード・シーケンスはシステム電源の投入を契
機として開始され、この時のデータの流れが磁気
デイスク4から半導体メモリ部3である点を除く
と、アンロードの場合とほぼ同一である。
The load sequence is started when the system power is turned on, and is almost the same as the unload sequence except that the flow of data at this time is from the magnetic disk 4 to the semiconductor memory section 3.

但し、ロードの開始条件として、アンロード完
了フラグ=1を使用する点が異つている。
However, the difference is that the unload completion flag=1 is used as the load start condition.

先ず、上位装置から電源制御部9に電源投入の
通知があると、電源制御部9からマイクロプロセ
ツサ2へロード開始の割込みが行われる(ステツ
71、72)。マイクロプロセツサ2は、磁気デイス
ク装置4の電源を投入し、定常回転に達したと
き、アンロード完了フラグをデイスク上の制御セ
クタ部から読出し、フラグ内容が“1”であるこ
とを識別して確実に半導体フアイル・データが退
避されていると判別し、ロードを開始する(ステ
ツプ73、74、75)。先頭シリンダのトラツクに位
置付けた後、ロード制御部8の半導体メモリ部ラ
イト回路を起動し、メモリ部3への書込み準備を
行わせる(ステツツプ76、77)。次に、磁気デイ
スクのインデツクス位置付けしてID部を読出し
1セクタ分だけリードし、それを半導体メモリ部
3にライトする(ステツプ78〜81)。これを各セ
クタに繰返して行い、トラツク内の最終セクタが
終つたならば、次のトラツクにスイツチし、シリ
ンダ内の最終トラツクが終つたならば次のシリン
ダにシークを行う(ステツプ83〜86)。全データ
のロードを完了したならば、ロード制御部8内の
メモリ・ライト回路を停止させた後、磁気デイス
ク装置4の電源を切断し、電源制御部9にロード
完了を通知する(ステツプ82、87〜89)。
First, when the host device notifies the power supply controller 9 that the power has been turned on, the power supply controller 9 issues an interrupt to the microprocessor 2 to start loading.
71, 72). When the magnetic disk device 4 is powered on and reaches steady rotation, the microprocessor 2 reads the unload completion flag from the control sector section on the disk, identifies that the flag content is "1", and reads the unload completion flag from the control sector section on the disk. It is determined that the semiconductor file data has been definitely saved, and loading is started (steps 73, 74, and 75). After locating the first cylinder on the track, the semiconductor memory section write circuit of the load control section 8 is activated to prepare for writing to the memory section 3 (steps 76 and 77). Next, the index of the magnetic disk is positioned, the ID section is read, one sector is read, and it is written into the semiconductor memory section 3 (steps 78 to 81). This is repeated for each sector, and when the last sector in the track is finished, it switches to the next track, and when the last track in the cylinder is finished, it seeks to the next cylinder (steps 83 to 86). . When the loading of all data is completed, the memory write circuit in the load control unit 8 is stopped, the power to the magnetic disk device 4 is cut off, and the power supply control unit 9 is notified of the completion of loading (step 82, 87-89).

上位装置は、電源制御部9からロード完了通知
を受けると、フアイルのアクセスが可能であるこ
とを知り、必要に応じてデータのアクセスを行
う。
When the host device receives the load completion notification from the power supply control unit 9, it learns that the file can be accessed, and accesses the data as necessary.

なお、第4図の実施例において、ロードとアン
ロード動作時に、フオーマツト変換を行つている
が、フオーマツト変換を行わずに、半導体のフオ
ーマツトのままデータをデイスクに退避できれ
ば、ロード、アンロード動作が高速に行える。
In the embodiment shown in FIG. 4, format conversion is performed during load and unload operations, but if the data can be saved to the disk in the semiconductor format without performing format conversion, the load and unload operations can be performed. Can be done quickly.

次に、上記退避動作を可能にする光デイスクの
書き込み方法について説明する。
Next, an optical disk writing method that enables the above-mentioned evacuation operation will be described.

第6図は、光デイスクのらせん状書き込み方法
を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a spiral writing method for an optical disc.

膨大なデータを記憶する場合に、安価な大容量
記憶装置としてデータをシリアルに記憶する光デ
イスク装置が実用化されてきている。この光デイ
スク装置は、データをらせん状にシリアルに書込
むため高速な書込み及びアクセスを可能である。
第6図に示すように、デイスク円板15にデータ
トラツク13をヘツドを連続的に徐々に移動させ
ることにより螺旋状に記録する。ただこの装置で
は、通常の同心トラツクを複数記録するセクタ状
の磁気デイスク装置と異なり、再書込みが直ちに
データ破壊につながるため、これに対する保護手
段が必要となる。
2. Description of the Related Art When storing a huge amount of data, optical disk devices that serially store data have been put into practical use as inexpensive large-capacity storage devices. This optical disk device enables high-speed writing and access because it writes data serially in a spiral manner.
As shown in FIG. 6, the data track 13 is recorded in a spiral manner on the disk 15 by continuously and gradually moving the head. However, in this device, unlike a normal sector-shaped magnetic disk device that records a plurality of concentric tracks, rewriting immediately leads to data destruction, so protection measures against this are required.

そこで、通常は、第7図に示すように、ID部
およびデータ部(DATA)にはそれぞれECC部
を付加し、また回転変動吸収用のギヤツプ部Gを
設けている。しかし、ECC部を付加すれば、第
4図aに示す半導体メモリ部のフオーマツトでも
差し支えがないので、半導体メモリ部のフオーマ
ツトと同一にすれば、退避時、復元時にフオーマ
ツト変換が不要となる。このデイスクへの記録
は、ヘツドの移動が螺旋状であり、外側から徐々
に内方に向うだけであるため制御が簡単であり、
かつ高速転送が可能である。
Therefore, as shown in FIG. 7, an ECC section is usually added to each of the ID section and the data section (DATA), and a gap section G for absorbing rotational fluctuations is provided. However, if an ECC section is added, there is no problem with the format of the semiconductor memory section shown in FIG. 4a, so if the format is the same as that of the semiconductor memory section, format conversion is not necessary when saving and restoring. Recording to this disk is easy to control because the head moves in a spiral, starting from the outside and gradually inward.
And high-speed transfer is possible.

なお、フオーマツト変換してセクタ状に書き直
してもよいのは勿論である。
Note that it is of course possible to convert the format and rewrite it in sectors.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

このように、本発明では、内蔵の不揮発メモリ
として磁気デイスクを使用できる。
Thus, in the present invention, a magnetic disk can be used as a built-in nonvolatile memory.

更に、ロード/アンロードの開始は、上位装置
からのコマンドによつても可能である。また、再
書き込み自在な光デイスク装置につても使用する
ことができる。
Furthermore, loading/unloading can also be started by a command from a higher-level device. Furthermore, it can also be used in a rewritable optical disk device.

実施例では、システム電源断時にデータを退避
させる場合を例にとつて説明したが、本発明では
フアイル装置が独自の判断によりデータの退避が
できるので、種々の時点でこれを行うことができ
る。例えば、フアイル装置でCPUの動作を一定
時間監視し、CPUからの通信が途絶えたとき、
全データを退避することによつて、CPUにより
更新された最新データをデイスクに蓄積すること
ができる。また、システムの仕事が終了したと
き、CPUからの指令により全データをデイスク
に退避させることも可能である。
In the embodiment, the case where data is saved when the system power is turned off has been described as an example, but in the present invention, the file device can save data based on its own judgment, so this can be done at various times. For example, if a file device monitors CPU operation for a certain period of time and communication from the CPU is interrupted,
By saving all data, the latest data updated by the CPU can be stored on the disk. Furthermore, when the system's work is completed, it is also possible to save all data to disk by command from the CPU.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の揮発性フアイルのデータ保持方
式を示す図、第2図は本発明の一実施例を示す半
導体フアイルの内部ブロツク図、第3図は第2図
におけるデータ退避動作のフローチヤート、第4
図は半導体メモリ部のフオーマツトと磁気デイス
クのトラツク・フオーマツトの変換を示す図、第
5図は第2図におけるデータ復元動作のフローチ
ヤート、第6図はデイスクのらせん状データ書込
み方法を示す図、第7図は第6図に示したデイス
クのフオーマツト図である。 1:半導体フアイル、2:マイクロプロセツ
サ、3:半導体メモリ部、4:磁気デイスク装
置、5:インタフエース制御部、6:データ転送
制御部、7:アンロード制御部、8:ロード制御
部、9:電源制御部、10:電源部、11:タイ
ミング回路。
FIG. 1 is a diagram showing a conventional volatile file data retention system, FIG. 2 is an internal block diagram of a semiconductor file showing an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a flowchart of the data saving operation in FIG. , 4th
The figure shows the conversion between the format of the semiconductor memory section and the track format of the magnetic disk, FIG. 5 is a flowchart of the data restoration operation in FIG. 2, and FIG. 6 is a diagram showing the method of writing spiral data on the disk. FIG. 7 is a format diagram of the disk shown in FIG. 1: semiconductor file, 2: microprocessor, 3: semiconductor memory section, 4: magnetic disk device, 5: interface control section, 6: data transfer control section, 7: unload control section, 8: load control section, 9: power supply control section, 10: power supply section, 11: timing circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 半導体記憶素子で構成された揮発性メモリ
と、該揮発性メモリと同等もしくはそれ以上の容
量を有する不揮発性メモリと、該不揮発性メモリ
と前記揮発性メモリ間のデータ転送を制御するデ
ータ転送制御手段とを具備し、前記揮発性メモリ
に記憶されたデータを前記データ転送手段の制御
により前記不揮発性メモリに転送するとともに、
該動作が正しく実行されたか否かを示す情報を保
持し、前記不揮発性メモリから前記揮発性メモリ
へ前記データ転送制御手段の制御によりデータを
転送する場合、前記情報を参照して正しく記憶さ
れたデータであるときにデータ転送を実行するこ
とを特徴とする半導体フアイルのデータ保持方
式。 2 半導体記憶素子で構成された揮発性メモリ
と、該揮発性メモリと同等もしくはそれ以上の容
量を有する不揮発性メモリと、該不揮発性メモリ
と前記揮発性メモリ間のデータ転送を制御するデ
ータ転送制御手段と、前記メモリ間のデータ転送
の時点を判別する判別手段とを具備し、前記判別
手段の判別結果に基づき、前記揮発性メモリに記
憶されたデータを前記データ転送制御手段の制御
により前記不揮発性メモリに転送するとともに、
該動作が正しく実行されたか否かを示す情報を保
持し、前記判別手段の判別結果に基づき、前記不
揮発性メモリから前記揮発性メモリへ前記データ
転送制御手段の制御によりデータ転送を行う場
合、前記情報を参照して正しく記憶されたデータ
であるときにデータ転送を実行することを特徴と
する半導体フアイルのデータ保持方式。 3 前記データ転送制御手段は、データ転送によ
りデータを退避ないし復元する際に、揮発性メモ
リの対上位インタフエース・フオーマツトと不揮
発性メモリの物理フオーマツト間の変換を行つ
て、該不揮発性メモリにはセクタ状に書込むこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項
記載の半導体フアイルのデータ保持方式。 4 前記データ転送制御手段は、データ転送によ
りデータを退避ないし復元する際に、揮発性メモ
リの対上位インタフエース・フオーマツトのまま
書込み/読出しを行い、不揮発性メモリには螺旋
状に書込むことを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第2項記載の半導体フアイルのデータ保
持方式。
[Claims] 1. A volatile memory configured with a semiconductor memory element, a non-volatile memory having a capacity equal to or greater than that of the volatile memory, and data transfer between the non-volatile memory and the volatile memory. a data transfer control means for controlling the data transfer means, and transfers the data stored in the volatile memory to the nonvolatile memory under the control of the data transfer means;
It retains information indicating whether or not the operation was executed correctly, and when data is transferred from the non-volatile memory to the volatile memory under the control of the data transfer control means, the information is referenced to determine whether the operation has been correctly stored. A data retention method for semiconductor files characterized by executing data transfer when the data is present. 2. A volatile memory configured with a semiconductor storage element, a nonvolatile memory having a capacity equal to or greater than the volatile memory, and a data transfer control that controls data transfer between the nonvolatile memory and the volatile memory. and a determining means for determining the time point of data transfer between the memories, and based on the determination result of the determining means, the data stored in the volatile memory is transferred to the non-volatile memory under the control of the data transfer control means. Along with transferring to sexual memory,
When data is transferred from the non-volatile memory to the volatile memory under the control of the data transfer control means, based on the determination result of the determination means, holding information indicating whether or not the operation has been executed correctly; A data retention method for a semiconductor file characterized in that data transfer is performed when the data is correctly stored by referring to information. 3. When saving or restoring data by data transfer, the data transfer control means converts between the upper interface format of the volatile memory and the physical format of the nonvolatile memory, and 3. A semiconductor file data retention system according to claim 1 or 2, characterized in that data is written in sectors. 4. When saving or restoring data by data transfer, the data transfer control means performs writing/reading in the volatile memory while maintaining the host interface format, and writes in the nonvolatile memory in a spiral manner. Characteristic claim 1
A data retention method of a semiconductor file according to item 1 or 2.
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