JPH0240524Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0240524Y2
JPH0240524Y2 JP1984110524U JP11052484U JPH0240524Y2 JP H0240524 Y2 JPH0240524 Y2 JP H0240524Y2 JP 1984110524 U JP1984110524 U JP 1984110524U JP 11052484 U JP11052484 U JP 11052484U JP H0240524 Y2 JPH0240524 Y2 JP H0240524Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
probe
protrusion
substrate
mounting base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1984110524U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6126156U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP11052484U priority Critical patent/JPS6126156U/en
Publication of JPS6126156U publication Critical patent/JPS6126156U/en
Application granted granted Critical
Publication of JPH0240524Y2 publication Critical patent/JPH0240524Y2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の属する技術分野〕 本考案は、たとえばシリコン基板上に突出する
ように形成された半導体装置の電極のような層状
構造の微細パターンの、パターン・基板間または
層間の接合強度を測定する測定装置、特に測定操
作が容易となる構成に関する。
[Detailed description of the invention] [Technical field to which the invention pertains] The present invention relates to a fine pattern of a layered structure such as an electrode of a semiconductor device formed to protrude on a silicon substrate, between a pattern and a substrate, or between layers. The present invention relates to a measuring device for measuring the bonding strength of a metal, particularly to a configuration that facilitates measurement operations.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

半導体装置においては、たとえば電極を形成す
る場合層状構造のパターンをシリコン基板上に突
出するようにして形成することがあり、この場合
前記パターンとシリコン基板間または前記パター
ンを形成する各層間の接合強度が半導体装置の寿
命、性能等を左右する重要な要件となるため、半
導体装置の製造工程等では前記接合強度を測定す
る必要がある。第7図はシリコン・ウエハーの平
面図で、同図における1に示す区画はシリコン・
ウエハー上に電気回路パターンが形成された半導
体装置チツプ、第8図は一個の半導体装置チツプ
1の拡大平面図、第9図は第8図のG−G断面の
一部拡大図である。第8図および第9図において
2はシリコン基板、3はシリコン基板2上に積み
重なつて突出するように形成された複数層構造の
突起物としての電極である。電極3は第8図にお
いては上下に各一列づつ列状に配置されていて各
電極の平面形状は短冊状に形成され、A,Bはこ
の短冊の寸法を示している。第8図においては説
明の便宜上電極3以外の電気回路パターンは示し
ていない。第9図におけるHおよびDはそれぞれ
電極3の高さおよび中心間距離であつて、電極3
はたとえばA=80μm、B=150μm、H=20μm、
D=100μmのような寸法を有している。半導体装
置チツプ1においては電極3が上述のように形成
されていて、信頼性の高いチツプ1を出荷するた
めにはこの電極のシリコン基板2に対する接合強
度および電極3を構成する各層間の接合強度が測
定される必要がある。
In a semiconductor device, for example, when forming an electrode, a pattern with a layered structure is sometimes formed so as to protrude on a silicon substrate, and in this case, the bonding strength between the pattern and the silicon substrate or between each layer forming the pattern is Since this is an important requirement that affects the lifespan, performance, etc. of a semiconductor device, it is necessary to measure the bonding strength in the manufacturing process of a semiconductor device. Figure 7 is a plan view of a silicon wafer, and the section marked 1 in the figure is a silicon wafer.
A semiconductor device chip having an electric circuit pattern formed on a wafer, FIG. 8 is an enlarged plan view of one semiconductor device chip 1, and FIG. 9 is a partially enlarged view of a section taken along line GG in FIG. In FIGS. 8 and 9, reference numeral 2 indicates a silicon substrate, and reference numeral 3 indicates an electrode as a protrusion of a multi-layered structure stacked on the silicon substrate 2 so as to protrude. In FIG. 8, the electrodes 3 are arranged in rows, one above the other, and each electrode has a rectangular planar shape, and A and B indicate the dimensions of the strip. In FIG. 8, electric circuit patterns other than the electrode 3 are not shown for convenience of explanation. H and D in FIG. 9 are the height and center-to-center distance of the electrodes 3, respectively;
For example, A=80μm, B=150μm, H=20μm,
It has dimensions such as D=100 μm. In the semiconductor device chip 1, the electrode 3 is formed as described above, and in order to ship the chip 1 with high reliability, the bonding strength of this electrode to the silicon substrate 2 and the bonding strength between each layer constituting the electrode 3 are required. needs to be measured.

さて、前述した電極3のように、基板上に多層
構造の突起物を接合によつて形成したものにおけ
る接合強度を測定する場合、従来第10図に示し
たような方法がよく採用されている。すなわち、
第10図において4は平板上基板、5は基板4上
に積み重なつて突出するように形成された多層金
属膜構造の突起物、6は一端面を突起物5の上面
に当接させ接着剤7によつて固定した測定用の棒
状部材で、この場合基板4を図示していない取り
付け台に固定した状態で部材6の他端においてP
矢印方向に力を加え、突起物5と基板4との間あ
るいは突起物を構成する層間に剥離が発生した時
の印加力を図外の検出装置によつて検出して、突
起物5と基板4との間および突起物5を構成する
各層間の接合(以下これら複数個所の接合を単に
突起物と基板との接合ということがある)の強度
を測定するようにしているが、このような測定方
法には、前記接合の部分が剥離する以前に接着剤
7の部分で剥離が生じて測定不能となることが多
く、また接着剤7による接着作業を行うために突
起物5の平面形状が1cm四方程度以上の大きさを
もつている必要があつて、第8図の電極3のよう
な突起物に対しては適用できないという問題があ
る。
Now, when measuring the bonding strength of a multilayered protrusion formed on a substrate by bonding, such as the electrode 3 mentioned above, the method shown in FIG. 10 has been commonly adopted. . That is,
In FIG. 10, 4 is a flat substrate, 5 is a protrusion of a multilayer metal film structure stacked on the substrate 4 and formed to protrude, and 6 is bonded by bringing one end surface into contact with the upper surface of the protrusion 5. A rod-shaped member for measurement fixed by a fixing agent 7. In this case, with the substrate 4 fixed to a mounting base (not shown), P is attached at the other end of the member 6.
A force is applied in the direction of the arrow, and a detection device (not shown) detects the applied force when separation occurs between the protrusion 5 and the substrate 4 or between the layers constituting the protrusion, and the protrusion 5 and the substrate are separated. 4 and between each layer constituting the protrusion 5 (hereinafter, the bond at multiple locations may simply be referred to as the bond between the protrusion and the substrate). In the measurement method, the adhesive 7 often peels off before the bonded part peels off, making measurement impossible, and the planar shape of the protrusion 5 is changed in order to perform the bonding work with the adhesive 7. It is necessary to have a size of about 1 cm square or more, and there is a problem that it cannot be applied to a protrusion like the electrode 3 in FIG. 8.

第11図は第10図とは異なる従来の測定装置
の説明図で、図の第10図と異なる所は、基板4
の突起物5が設けられている表面の位置に対応す
る基板4の裏面の位置に、一端面が該基板に当接
するようにして接着剤8で第2の棒状部材9が接
着、固定されていることで、この場合接合強度の
測定は部材6,9をそれぞれ図示の矢印方向に引
張るように力を加えることによつて行われるが、
この場合にも第10図の場合におけると同様な問
題があることは明らかである。
FIG. 11 is an explanatory diagram of a conventional measuring device different from FIG. 10, and the difference from FIG. 10 is that the substrate 4
A second rod-shaped member 9 is bonded and fixed with adhesive 8 to a position on the back surface of the substrate 4 corresponding to the position on the surface where the protrusion 5 is provided, with one end surface in contact with the substrate. In this case, the joint strength is measured by applying a force to each of the members 6 and 9 in the direction of the arrow shown in the figure.
It is clear that the same problem as in the case of FIG. 10 exists in this case as well.

〔考案の目的〕[Purpose of invention]

本考案は上述したような従来の接合強度測定に
おける問題を解消して、基板上に形成された微細
突起物における該突起物と基板、あるいは突起物
の層間の接合強度の測定を確実かつ容易に行うこ
とのできる接合強度測定装置を提供することを目
的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems in conventional bonding strength measurement, and makes it possible to reliably and easily measure the bonding strength between microscopic protrusions formed on a substrate, the protrusions and the substrate, or the layers of the protrusions. The purpose of the present invention is to provide a bonding strength measuring device that can perform the following steps.

〔考案の要点〕[Key points of the idea]

本考案は、上述の目的を達成するために、基板
の一面に接合によつて突起物が形成された試料を
取り付ける取り付け台と、試料を取り付け台に固
定する試料固定機構と、突起物と最鋭角部で接触
する錐体状あるいは楔状を有する棒状プローブの
一端に測定部が設けられこのプローブの他端に加
えられる力を測定部によつて測定する荷重計と、
試料を取り付け台に取り付けて固定した状態でプ
ローブの他端が前記試料の基板面との間隔を保持
すると共に前記突起物の側面を押圧するように取
り付け台と荷重計とを相対的に移動させる駆動機
構と、で接合強度測定装置を構成し、駆動機構に
よつて荷重計のプローブで試料に形成された突起
物にせん断力を加えて突起物と基板との間に接合
部あるいは突起物の層間に剥離を発生させ、この
剥離を生じた時のせん断力を荷重計の測定部で測
定して前記接合部における接合強度を測定するよ
うにすることによつて、前記突起物が微細であつ
ても該突起物と基板との接合あるいは突起物の層
間の強度が確実かつ容易に測定できるようにした
ものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention includes a mount for attaching a sample having protrusions formed by bonding on one surface of a substrate, a sample fixing mechanism for fixing the sample to the mount, and a mount for fixing the sample to the mount. A load cell having a measuring part provided at one end of a rod-like probe having a cone-like or wedge-like shape that contacts at an acute angle, and measuring force applied to the other end of the probe by the measuring part;
With the sample attached and fixed to the mounting base, the mounting base and the load cell are moved relatively so that the other end of the probe maintains a distance from the substrate surface of the sample and presses the side surface of the protrusion. The drive mechanism constitutes a bonding strength measurement device, and the drive mechanism applies shear force to the protrusion formed on the sample with the probe of the load cell, thereby forming a joint or a protrusion between the protrusion and the substrate. By causing peeling between the layers and measuring the shear force when this peeling occurs with the measuring section of the load cell, the bonding strength at the bonded portion can be measured. However, the bond between the protrusion and the substrate or the strength between the layers of the protrusion can be measured reliably and easily.

〔考案の実施例〕[Example of idea]

第1図は本考案の一実施例の構成図、第2図は
第1図における要部の拡大模式図、第3図は第1
図および第2図における荷重計のプローブの拡大
斜視図である。第1図ないし第3図において、1
2はシリコン基板2と突起物としての電極3とか
らなる試料11を、電極3が形成された面が表側
になるようにして載置するようにした板状取り付
け台で、試料11は取り付け台12に載置された
後、取り付け台12に設けた貫通孔等の図示して
いない内部機構およびパイプ13を介してポンプ
等を含む真空吸引装置14によつて取り付け台1
2に吸着、固定されている。15はこのようにし
て試料11を取り付け台12に固定する、前述の
取り付け台内部機構とパイプ13と真空吸引装置
14とからなる試料固定機構である。16は棒状
プローブ17と測定部18とを備えた荷重計で、
この場合、プローブ17は、突起物と最鋭角部で
接触する錐体状あるいは楔状を有する棒状プロー
ブで、例えば、その形状は、第3図に三角柱本体
部17aとこの本体部の一端に形成された三角錐
状錐体部17bとで構成されているものを示す
が、第4図に示したように錐体部17bのない本
体部17aのみからなる形状であつても差し支え
ない。ここで、突起物と接触する最鋭角部の箇所
は、第3図の三角錐状錐体部17bの場合では稜
線17cであり、第4図の本体部17aの場合で
は稜線17dである。プローブ17は本体部17
aの他端に固定されたレバー19を介して測定部
18に連結され、測定部18は図示していない歪
み検出器等の内部機構によつてプローブの錐体部
17bに加えられた力の大きさを測定し、測定結
果の最大値を記憶、保持して電気信号として出力
するように構成されている。20は測定部18の
出力信号をケーブル21を介して表示する表示器
である。図示していないが測定部18には出力信
号をリセツトするリセツト機構が設けられてい
る。22は測定部18を支持して装置台23に固
定するようにした脚である。表示器20も脚22
によつて装置台23に固定されている。
Fig. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is an enlarged schematic diagram of the main parts in Fig. 1, and Fig. 3 is a schematic diagram of the main parts of Fig. 1.
FIG. 3 is an enlarged perspective view of the probe of the load cell in FIG. 2; In Figures 1 to 3, 1
Reference numeral 2 denotes a plate-shaped mounting base on which a sample 11 consisting of a silicon substrate 2 and an electrode 3 as a protrusion is placed with the surface on which the electrode 3 is formed facing forward; After being placed on the mounting base 12, the mounting base 1 is removed by a vacuum suction device 14 including a pump etc. via an internal mechanism (not shown) such as a through hole provided in the mounting base 12 and a pipe 13.
2 is adsorbed and fixed. Reference numeral 15 denotes a sample fixing mechanism which fixes the sample 11 to the mount 12 in this manner and is composed of the above-mentioned mount internal mechanism, the pipe 13, and the vacuum suction device 14. 16 is a load cell equipped with a rod-shaped probe 17 and a measuring part 18;
In this case, the probe 17 is a rod-like probe having a cone-like or wedge-like shape that contacts the protrusion at its acutest corner.For example, the shape is formed as shown in FIG. Although the shape is shown as being composed of a triangular pyramid-like cone portion 17b, it is also possible to have a shape consisting only of the main body portion 17a without the cone portion 17b, as shown in FIG. Here, the point of the acutest corner that comes into contact with the protrusion is the ridgeline 17c in the case of the triangular pyramidal pyramidal part 17b in FIG. 3, and the ridgeline 17d in the case of the main body part 17a in FIG. 4. The probe 17 is the main body part 17
It is connected to a measuring section 18 via a lever 19 fixed to the other end of the probe, and the measuring section 18 measures the force applied to the pyramidal part 17b of the probe by an internal mechanism such as a strain detector (not shown). It is configured to measure the size, store and hold the maximum value of the measurement result, and output it as an electrical signal. A display 20 displays the output signal of the measurement section 18 via a cable 21. Although not shown, the measuring section 18 is provided with a reset mechanism for resetting the output signal. Reference numeral 22 denotes legs that support the measurement unit 18 and are fixed to the apparatus stand 23. Display unit 20 also has legs 22
It is fixed to the equipment stand 23 by.

24aはX軸用支持台24bに固定されたX軸
用モータ24cによつて第1図の紙面内の水平な
X軸方向に駆動されるX軸ブロツクで、取り付け
台12は試料11を取り付けた上面が水平になる
ようにしてX軸ブロツク24aに固定されてい
る。ブロツク24aは支持台24b上を移動する
ように構成されていて、24dはブロツク24a
を手動で移動させるつまみである。24はブロツ
ク24aと支持台24bとモータ24cとつまみ
24dとからなるX軸機構である。
Reference numeral 24a denotes an X-axis block driven in the horizontal X-axis direction in the paper plane of FIG. 1 by an X-axis motor 24c fixed to an It is fixed to the X-axis block 24a so that its top surface is horizontal. The block 24a is configured to move on a support base 24b, and the block 24d is configured to move on a support base 24b.
This is a knob to manually move the . 24 is an X-axis mechanism consisting of a block 24a, a support base 24b, a motor 24c, and a knob 24d.

25aは装置台23に固定されたY軸用モータ2
5cによつて第1図の紙面に垂直なY軸方向に駆
動されるY軸ブロツクで、支持台24bはブロツ
ク25aに固定されている。25はブロツク25
aとモータ25cとからなるY軸機構で、このY
軸機構にもブロツク25aを手動で移動させるつ
まみ25dが設けられている。第1図においては
X軸機構24とY軸機構25とが上述のように構
成されているのでモータ24c,25c、つまみ
24d,25dによつて取り付け台12、したが
つて試料11を二次元的に移動させることがで
き、この場合試料11を移動させることによつ
て、荷重計のプローブ17の錐体部17bが、試
料11における電極3の側面から、該電極を押圧
しうるように構成されている。26は試料11を
固定した取り付け台12を前述のように移動させ
る、X軸機構24とY軸機構25とからなる駆動
機構である。27はプローブ17が電極3を押圧
する状態を目視できるようにした顕微鏡で、28
は上述の各部からなる接合強度測定装置である。
25a is the Y-axis motor 2 fixed to the equipment stand 23
The support base 24b is fixed to the block 25a, which is a Y-axis block driven by a Y-axis block 5c in the Y-axis direction perpendicular to the paper plane of FIG. 25 is block 25
This Y-axis mechanism consists of a and a motor 25c.
The shaft mechanism is also provided with a knob 25d for manually moving the block 25a. In FIG. 1, since the X-axis mechanism 24 and the Y-axis mechanism 25 are configured as described above, the mounting table 12, and therefore the sample 11, can be moved two-dimensionally by the motors 24c, 25c and the knobs 24d, 25d. In this case, by moving the sample 11, the conical part 17b of the probe 17 of the load cell can press the electrode 3 from the side surface of the sample 11. ing. Reference numeral 26 denotes a drive mechanism consisting of an X-axis mechanism 24 and a Y-axis mechanism 25, which moves the mounting base 12 on which the sample 11 is fixed as described above. 27 is a microscope that allows the state in which the probe 17 presses the electrode 3 to be visually observed;
is a bonding strength measuring device consisting of the above-mentioned parts.

測定装置28は上述のように構成されているの
で、荷重計のプローブの錐体部17bの稜線17
cが取り付け台12に固定された試料11の電極
3の側面を押圧するように駆動機構26を操作す
ると、電極3と基板2との接合状態によつてほぼ
三種類の現象が発生する。第2図の矢印Qはこの
時のプローブ17に対する試料11の移動方向を
示している。すなわち第1の現象は、第5図に示
したように、プローブ17の押圧力によつて電極
3全体が基板2から剥離する現象であり、第2の
現象は第6図に示したように電極3がプローブ1
7によつて切断されて該電極の一部が基板2から
剥離する現象であり、第3の現象は電極3がプロ
ーブ17によつて切断されるだけで上述のような
剥離が全く発生しない現象である。ところが本測
装置28においては上述の第3現象が発生しない
ようにプローブの錐体部17bの形状が決定され
ているので、このような測定装置28によれば、
上述の第1および第2現象のいずれの場合におい
ても表示器20によつて電極3と基板2との接合
の強度を確実に測定することができ、かつこの測
定は電極3ならびにその配置が微細であつても駆
動機構26と顕微鏡27とによつて容易に行うこ
とができる。
Since the measuring device 28 is configured as described above, the ridgeline 17 of the conical portion 17b of the probe of the load cell
When the drive mechanism 26 is operated so as to press the side surface of the electrode 3 of the sample 11 fixed on the mounting base 12, approximately three types of phenomena occur depending on the bonding state between the electrode 3 and the substrate 2. An arrow Q in FIG. 2 indicates the direction of movement of the sample 11 with respect to the probe 17 at this time. That is, the first phenomenon is that the entire electrode 3 is peeled off from the substrate 2 due to the pressing force of the probe 17, as shown in FIG. 5, and the second phenomenon is as shown in FIG. Electrode 3 is probe 1
A third phenomenon is a phenomenon in which the electrode 3 is cut by the probe 17 and a part of the electrode peels off from the substrate 2.The third phenomenon is a phenomenon in which the electrode 3 is only cut by the probe 17 and no peeling occurs as described above. It is. However, in the main measurement device 28, the shape of the conical portion 17b of the probe is determined so that the above-mentioned third phenomenon does not occur, so according to such a measurement device 28,
In both of the first and second phenomena described above, the strength of the bond between the electrode 3 and the substrate 2 can be reliably measured by the display 20, and this measurement is possible even if the electrode 3 and its arrangement are minute. Even if it is, the drive mechanism 26 and the microscope 27 can easily perform this.

なお上述の実施例においては駆動機構26によ
つて取り付け台12を静止した荷重計16に対し
て移動させるようにしたが、本考案は取り付け台
12を静止させ荷重計16を移動させるように構
成しても差し支えないものであり、本考案が電極
3以外の突起物の接合強度測定にも適用できるも
のであることは説明するまでもなく明らかであ
る。
In the above-described embodiment, the mounting base 12 is moved relative to the stationary load cell 16 by the drive mechanism 26, but the present invention is configured such that the mounting base 12 is stationary and the load cell 16 is moved. There is no need to explain that the present invention can also be applied to measuring the bonding strength of protrusions other than the electrode 3.

〔考案の効果〕[Effect of idea]

上述したように、本考案においては、基板の一
面に接合によつて多層突起物が形成された試料を
取り付ける取り付け台と、試料を取り付け台に固
定する試料固定機構と、突起物と最鋭角部で接触
する錐体状あるいは楔状を有する棒状プローブの
一端に測定部が設けられ、このプローブの他端に
前記接触により加えられる直角方向の力の大きさ
を測定部によつて測定する荷重計と、試料を取り
付け台に取り付けて固定した状態で、プローブの
他端が試料の基板面との間隔を保持すると共に突
起物の側面を押圧するように取り付け台と荷重計
とを相対的に移動させる駆動機構と、で接合強度
測定装置を構成し、駆動機構によつて荷重計のプ
ローブで試料に形成された突起物にせん断力を加
えて突起物と基板との間の接合部あるいは突起物
の層間の接合部に剥離を発生させ、この剥離を生
じた時のせん断力を荷重計の測定部で測定して前
記接合部における接合強度を測定するようにした
ので、前記突起物が微細であつても該突起物と基
板との接合あるいは該突起物の層間の接合の強度
が確実かつ容易に測定できる効果がある。
As mentioned above, in the present invention, there is provided a mounting base for attaching a sample having multilayer protrusions formed by bonding on one surface of a substrate, a sample fixing mechanism for fixing the sample to the mounting base, and a mounting base for attaching a sample having multilayer protrusions formed by bonding on one surface of a substrate, a sample fixing mechanism for fixing the sample to the mounting base, and A measuring section is provided at one end of a rod-like probe having a cone-like or wedge-like shape that makes contact with the probe, and the measuring section measures the magnitude of a force in a right angle direction that is applied to the other end of the probe by the contact. With the sample attached and fixed to the mounting base, the mounting base and the load cell are moved relative to each other so that the other end of the probe maintains the distance from the substrate surface of the sample and presses the side of the protrusion. The drive mechanism constitutes a bonding strength measurement device, and the drive mechanism applies shear force to the protrusion formed on the sample with the probe of the load cell to measure the bond between the protrusion and the substrate or the protrusion. The bonding strength at the bonded portion is measured by causing peeling at the joint between the layers and measuring the shear force when this peeling occurs using the measuring section of the load cell. However, there is an effect that the strength of the bond between the protrusion and the substrate or the bond between the layers of the protrusion can be measured reliably and easily.

特に、多層から成る突起物においては、各層の
うち、どこの層がどれくらいの荷重で剥離したか
を調べることができるという顕著な効果がある。
In particular, in the case of a protrusion made of multiple layers, this method has a remarkable effect in that it is possible to check which layer of each layer was peeled off under what load.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本考案の一実施例の構成図、第2図は
第1図における要部の拡大模式図、第3図はプロ
ーブの拡大斜視図、第4図は第3図のプローブの
変形例の斜視図、第5図および第6図はそれぞれ
剥離現象説明用の第1説明図および第2説明図、
第7図はシリコン・ウエハーの平面図、第8図は
第7図における半導体装置チツプの拡大平面図、
第9図は第8図における要部の断面拡大図、第1
0図および第11図はそれぞれ従来の第1および
第2接合強度測定装置の各説明図である。 2,4……基板、3……突起物としての電極、
5……突起物、11……試料、12……取り付け
台、15……試料固定機構、16……荷重計、1
7……プローブ、18……測定部、26……駆動
機構、28……接合強度測定装置。
Fig. 1 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an enlarged schematic diagram of the main parts in Fig. 1, Fig. 3 is an enlarged perspective view of the probe, and Fig. 4 is a modification of the probe shown in Fig. 3. The perspective view of the example, FIGS. 5 and 6 are a first explanatory view and a second explanatory view for explaining the peeling phenomenon, respectively;
7 is a plan view of the silicon wafer, FIG. 8 is an enlarged plan view of the semiconductor device chip in FIG. 7,
Figure 9 is an enlarged cross-sectional view of the main parts in Figure 8;
FIG. 0 and FIG. 11 are explanatory views of conventional first and second bonding strength measuring devices, respectively. 2, 4... Substrate, 3... Electrode as a protrusion,
5... Protrusion, 11... Sample, 12... Mounting stand, 15... Sample fixing mechanism, 16... Load cell, 1
7...Probe, 18...Measuring unit, 26...Drive mechanism, 28...Joint strength measuring device.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 1 基板と,該基板の一面上に接合された多層突
起物と,からなる試料を取り付ける取り付け台
と;前記試料を前記取り付け台に固定する試料
固定機構と;前記突起物と最鋭角部で接触する
錐体状あるいは楔状を有する棒状プローブと;
前記棒状プローブの一端に測定部が設けられ,
前記プローブの他端に前記接触により加えられ
る直角方向の力の大きさを前記測定部によつて
測定する荷重計と;前記プローブの前記他端が
前記試料の基板面との間隔を保持すると共に前
記突起物の側面を押圧するように,前記試料固
定機構によつて前記試料を固定した前記取り付
け台と,前記荷重計とを相対的に移動させる駆
動機構と;を備えたことを特徴とする接合強度
測定装置。 2 実用新案登録請求の範囲第1項に記載の測定
装置において,荷重計の測定部はプローブの他
端に前記接触により加えられた直角方向の力の
最大値を記憶,保持するように形成されている
ことを特徴とする接合強度測定装置。
[Claims for Utility Model Registration] 1. A mounting base for mounting a sample, comprising a substrate and a multilayer protrusion bonded to one surface of the substrate; a sample fixing mechanism for fixing the sample to the mounting base; a rod-like probe having a cone-like or wedge-like shape that contacts the protrusion at its acutest corner;
A measuring section is provided at one end of the rod-shaped probe,
a load meter for measuring the magnitude of a force in the perpendicular direction applied to the other end of the probe due to the contact, using the measuring section; while maintaining the distance between the other end of the probe and the substrate surface of the sample; and a drive mechanism that relatively moves the mounting base to which the sample is fixed by the sample fixing mechanism and the load cell so as to press the side surface of the protrusion. Bonding strength measuring device. 2 Utility Model Registration In the measuring device according to claim 1, the measuring section of the load cell is formed to memorize and hold the maximum value of the force in the perpendicular direction applied to the other end of the probe due to the contact. A bonding strength measuring device characterized by:
JP11052484U 1984-07-20 1984-07-20 Bonding strength measuring device Granted JPS6126156U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11052484U JPS6126156U (en) 1984-07-20 1984-07-20 Bonding strength measuring device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11052484U JPS6126156U (en) 1984-07-20 1984-07-20 Bonding strength measuring device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6126156U JPS6126156U (en) 1986-02-17
JPH0240524Y2 true JPH0240524Y2 (en) 1990-10-29

Family

ID=30669651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11052484U Granted JPS6126156U (en) 1984-07-20 1984-07-20 Bonding strength measuring device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6126156U (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0613205D0 (en) * 2006-07-03 2006-08-09 Dage Prec Ind Ltd High speed test cartridge
JP5848952B2 (en) * 2011-11-01 2016-01-27 リンテック株式会社 Adhesive strength measuring apparatus and adhesive strength measuring method

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5226892A (en) * 1975-08-25 1977-02-28 Hitachi Ltd Strength measuring device
JPS55146942A (en) * 1979-05-03 1980-11-15 Mitsubishi Electric Corp Testing method for semiconductor device
JPS5810052U (en) * 1981-07-15 1983-01-22 株式会社倉田電子 Contact peel tester

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6126156U (en) 1986-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3123483B2 (en) Probe card and probe card forming method
KR100781856B1 (en) Probe card and semiconductor testing device using probe sheet or probe card and semiconductor device producing method
US4340860A (en) Integrated circuit carrier package test probe
US5739050A (en) Method and apparatus for assembling a semiconductor package for testing
TWI292602B (en)
JP3080047B2 (en) Bump structure and bump structure forming method
KR101191594B1 (en) Holding member for inspection and method for manufacturing holding member for inspection
KR20160106446A (en) Method of quantifying adhesion strength of interlayer adhesive element in tensile mode for staked semiconductor device and measurement apparatus for quantifying the same
JP2010276541A (en) Thin film probe sheet and manufacturing method thereof, probe card, and semiconductor chip inspection apparatus
KR20210151668A (en) Probe-head for electrical device inspection
JPH0240524Y2 (en)
JPH04330753A (en) Semiconductor inspection device
JP4195588B2 (en) Contactor manufacturing method and contactor
JPH11154694A (en) Wafer batch type measurement / inspection alignment method and probe card manufacturing method
JP2600745Y2 (en) Jig for integrated circuit inspection equipment
JP2901781B2 (en) Inspection method for semiconductor device
JPS59214235A (en) Method and apparatus for inspecting semiconductor wafer
JP2545964B2 (en) Magnetoresistive element
KR20140029699A (en) Testing apparatus for display device and manufacturing method thereof
JPS61292918A (en) thin plate flattening chuck
JP3337400B2 (en) Sensor electrode extraction structure
TWI241669B (en) Planarizing and testing of BGA packages
JPS61244035A (en) How to connect bump electrodes
JP3248195B2 (en) Circuit board inspection equipment
JPH06273484A (en) Inspection device of semiconductor element