JPH0230216A - Ttl circuit - Google Patents

Ttl circuit

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JPH0230216A
JPH0230216A JP63180579A JP18057988A JPH0230216A JP H0230216 A JPH0230216 A JP H0230216A JP 63180579 A JP63180579 A JP 63180579A JP 18057988 A JP18057988 A JP 18057988A JP H0230216 A JPH0230216 A JP H0230216A
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JP
Japan
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transistor
base
output
auxiliary
emitter
Prior art date
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Pending
Application number
JP63180579A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Taichi Saito
斎藤 太一
Akio Kiso
木曽 昭男
Mamoru Kitasuji
北筋 守
Minoru Takagi
稔 高木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0230216A publication Critical patent/JPH0230216A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve an output waveform of an output transistor(TR) and to quicken its processing operation by providing an auxiliary TR assisting the TR action of a couple of TRs in Darlington connection. CONSTITUTION:A collector of an auxiliary TR Q15 and a cross point of an emitter and a base of TRs Q12, Q11 in Darlington connection are connected and a base of the TR 15, is connected to the emitter of the TR Q14. With an output level changing from 'H' to 'L', since the auxiliary TR Q15 is connected in parallel with a series circuit comprising a diode D11 and a TR Q14, the level of the TR Q14 changes from 'H' into 'L' thereby extracting the electric charge without any inversion with respect to the polarity of an output TR Q13 till the clamp potential of the auxiliary TR Q15 even after the charge absorption depending on the base capacitance of the TR Q11 by components D11, D12, R14. Thus, a sharp descending toward the 'L' level is attained without causing an unsharpened part in the output waveform.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 TTL回路、特にバイポーラトランジスタを組み合わせ
た論理回路(Trans is tor −Trans
 is tor −Logic)の動作機能の向上に関
し、出力レベルのr HJから「L」への変化時に、オ
フバッファトランジスタのベース容量に依存される電荷
を積極的に抜いて、出力トランジスタの出力波形の改善
をすること、及びその処理動作を高速にすることを目的
とし、 ダーリントン接続される一対のオフバッファトランジス
タと、出力トランジスタと、フェイズスプリッタトラン
ジスタと、レベルシフトダイオードと、動作抵抗系とを
具備するTTL回路において、 前記オフバッファトランジスタのトランジスタ動作を補
助する補助トランジスタを設けていることを含み構成す
る。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] TTL circuits, especially logic circuits that combine bipolar transistors (Trans istor)
Regarding the improvement of the operational function of the istor-Logic), when the output level changes from r In order to improve the performance and speed up the processing operation, the present invention is equipped with a pair of Darlington-connected off-buffer transistors, an output transistor, a phase splitter transistor, a level shift diode, and an operating resistance system. In the TTL circuit, an auxiliary transistor is provided to assist the transistor operation of the off-buffer transistor.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、TTL回路に関するものであり、更に詳しく
言えば、バイポーラトランジスタを組み合わせた論理回
路(Transistor−Transistor −
Logic)の動作機能の向上に関するものである。
The present invention relates to a TTL circuit, and more specifically, a logic circuit combining bipolar transistors (Transistor-Transistor-
Logic).

近年、ゲートアレイやI10インターフェイス。In recent years, gate arrays and I10 interfaces.

レベル変換回路等において、電流増幅率が高いバイポー
ラトランジスタにより構成されるTTL回路(論理回路
)の要求がある。
In level conversion circuits and the like, there is a demand for TTL circuits (logic circuits) made up of bipolar transistors with high current amplification factors.

しかし、出力レベルがrH,→「L」に変化するとき、
特に出力波形の立ち下りが鈍り、高速な論理(動作)が
できないという問題がある。
However, when the output level changes from rH to "L",
In particular, there is a problem in that the fall of the output waveform becomes slow and high-speed logic (operation) cannot be performed.

そこで、TTL回路の出力波形の改善と、その高速化の
要求がある。
Therefore, there is a demand for improving the output waveform of the TTL circuit and increasing its speed.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第7〜8図は従来例に係る説明図であり、第7図は、従
来例に係るTTL回路を説明する図を示している。
7 and 8 are explanatory diagrams related to the conventional example, and FIG. 7 shows a diagram illustrating a TTL circuit according to the conventional example.

図において、Q11Q、はダーリントン接続される一対
のオフバッファトランジスタ、Q、は出力トランジスタ
、Q4はフェイズスプリッタトランジスタ%DI はス
ピードアップダイオード(ショットキーダイオード)D
□はプルダウンダイオード(ショットキーダイオード)
、R+、Ra。
In the figure, Q11Q is a pair of Darlington-connected off-buffer transistors, Q is an output transistor, Q4 is a phase splitter transistor %DI is a speed-up diode (Schottky diode) D
□ is a pull-down diode (Schottky diode)
, R+, Ra.

R言、Raは動作抵抗系、V eeは電源、GNDは接
地線、INは入力、OUTは出力である。なお、トラン
ジスタQ11Q11Q、はショットキー機能付のバイポ
ーラトランジスタである。
The R word, Ra, is an operating resistance system, Vee is a power supply, GND is a grounding line, IN is an input, and OUT is an output. Note that the transistor Q11Q11Q is a bipolar transistor with a Schottky function.

これ等によりTTL回路を構成し、その機能は、入力I
Nの「L」→rH,の変化を増幅して出力OUTにrH
,→[LJの変化を伝達するものである。
These constitute a TTL circuit, and its function is to
Amplify the change from “L” to rH of N and send rH to the output OUT.
,→[It transmits the change in LJ.

第8図は、従来例のTTL回路に係る課題を説明する図
である。
FIG. 8 is a diagram illustrating problems related to a conventional TTL circuit.

図において、縦軸は出力レベルであり、出力0UTV、
(v)を示している。横軸は時間L(s)である。
In the figure, the vertical axis is the output level, and the output is 0 UTV,
(v) is shown. The horizontal axis is time L(s).

なお、Aは波形なまり部分であり、出力レベルが「H」
→「L」に変化する時に生ずるものである。これは第1
の原因としてオフバッファトランジスタQ、が他のトラ
ンジスタQ、と共にダーリントン接続され、大電流動作
するため、許容電流等の関係からトランジスタ面積が大
きく形成され、これによるベース容量ccbが大きくな
り、該トランジスタQ、のOFF動作をさせるとき、ベ
ース容量に蓄積される電荷の放電(抜き)に時間を要し
、過渡的に波形が鈍るものである。
Note that A is the rounded part of the waveform, and the output level is "H".
→ This occurs when changing to "L". This is the first
The reason for this is that the off-buffer transistor Q is Darlington-connected with other transistors Q and operates at a large current, so the area of the transistor is large due to the allowable current etc. This increases the base capacitance ccb. When turning off the base capacitor, it takes time to discharge (remove) the charge accumulated in the base capacitor, and the waveform becomes dull transiently.

また、第2の原因として、オフバッファトランジスタQ
1のベース電位■Ilが出力トランジスタQ3のベース
電位■□コと、フェイズスプリッタトランジスタQ4の
コレクタの飽和電位v ctsと、スピードアップダイ
オードD、のシッットキー電位VFとの加算電位よりも
下る(例えば、Vcc=5(v)としてV□、 −0,
8(V)、Vcts 冨0.4  (V) 、VF−0
,4(v)とすると、V□+ =Vsts +Vcts
 +VF=1.6  (v)以下)と、スピードアップ
ダイオードDIの等価抵抗r6にフェイズスプリッタト
ランジスタQ4の等価抵抗r4を加え等価抵抗(r4+
r、)が大きくなり、これによるオフバッファトランジ
スタQ1の等価放電抵抗が増加し、ベース容量CCbと
該等価放電抵抗(ra+rn)に制限される時定数が大
きくなって、オフバッファトランジスタQ1のOFFが
遅くなり、出力レベル上、波形なまり部分Aを生ずるも
のである。
In addition, as a second cause, the off-buffer transistor Q
The base potential Il of the output transistor Q3 is lower than the sum of the base potential Il of the output transistor Q3, the saturation potential vcts of the collector of the phase splitter transistor Q4, and the Schittky potential VF of the speed-up diode D (for example, As Vcc=5(v), V□, -0,
8 (V), Vcts 0.4 (V), VF-0
, 4(v), then V□+ =Vsts +Vcts
+VF=1.6 (v) or less), the equivalent resistance r4 of the phase splitter transistor Q4 is added to the equivalent resistance r6 of the speed-up diode DI, and the equivalent resistance (r4+
r,) increases, the equivalent discharge resistance of the off-buffer transistor Q1 increases, and the time constant limited by the base capacitance CCb and the equivalent discharge resistance (ra+rn) increases, and the OFF of the off-buffer transistor Q1 increases. This causes a waveform rounding part A in the output level.

本発明は、かかる従来例の課題に鑑み創作されたもので
あり、出力レベルのrH,から「L」への変化時に、オ
フバッファトランジスタのベース容量に依存される電荷
を積橿的に抜いて、出力波形の改善をすること、及びそ
の処理動作を高速にすることを可能とするTTL回路の
提供を目的とする。
The present invention was created in view of the problems of the conventional example, and is designed to proactively remove the charge that depends on the base capacitance of the off-buffer transistor when the output level changes from rH to "L". The present invention aims to provide a TTL circuit that can improve the output waveform and speed up its processing operation.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明のTTL回路は、その原理図を第1図に、その一
実施例を第2〜6図に示すように、その原理構成をダー
リントン接続される一対のオフバッファトランジスタQ
 t r * Q Itと、出力トランジスタQ13と
、フェイズスプリッタトランジスタQ14と、スピード
アップダイオードD、と、プルダウンダイオードI)l
zと、動作抵抗系Rtl+  R11+R1!、R14
とを具備するTTL回路において、前記オフバッファト
ランジスタQ、のトランジスタ動作を補助する補助トラ
ンジスタQISを設けていることを特徴とし、 第1の回路を補助トランジスタQISのベースがフェイ
ズスプリッタトランジスタQ、4のエミッタに接続され
、 前記補助トランジスタQ + sのコレクタカターリン
トン接続される一対のオフバッファトランジスタQ11
、Q目のベース・エミッタの接合点に接続され、 前記補助トランジスタQlsのエミッタが接地線GND
に接続され、 前記出力トランジスタQ + sと分担して、該オフバ
ッファトランジスタQ + +の電荷を抜くことを特徴
とし、 第2の回路を補助トランジスタQ + sのベースがフ
ェイズスプリッタトランジスタQ + aのベースに接
続され、 前記補助トランジスタQ15のコレクタがダーリントン
接続される一対のオフバッファトランジスタQ + +
 +  Q lzのベース・エミッタの接合点に接続さ
れ、 前記補助トランジスタQ + sのエミッタがエミッタ
抵抗RI5を介して接地線GNDに接続され、前記フェ
イズスプリッタトランジスタQ I 4と分担して、該
オフバッファトランジスタQ + +の電荷を抜くこと
を特徴とし、 第3の回路が補助トランジスタQ + sのベースがフ
ェイズスプリッタトランジスタQ + aのベースに接
続され、 前記補助トランジスタQ + sのコレクタがダーリン
トン接続される一対のオフバッファトランジスタQ +
 + + Q l !のベース・エミッタの接合点に接
続され、 前記補助トランジスタQ r sのエミッタが出力トラ
ンジスタQ + sのベースに接続され、前記フェイズ
スプリットトランジスタQ、と分担して、該オフバッフ
ァトランジスタQ + +の電荷を抜くことを特徴とし
、上記目的を達成する。
The TTL circuit of the present invention has a principle configuration as shown in FIG. 1 and one embodiment thereof in FIG. 1 and FIGS. 2 to 6, respectively.
t r * Q It, output transistor Q13, phase splitter transistor Q14, speed-up diode D, and pull-down diode I)l
z and the operating resistance system Rtl+ R11+R1! , R14
A TTL circuit comprising: an auxiliary transistor QIS that assists the transistor operation of the off-buffer transistor Q; a pair of off-buffer transistors Q11 connected to the emitter and connected to the collector of the auxiliary transistor Q+s;
, is connected to the Q-th base-emitter junction, and the emitter of the auxiliary transistor Qls is connected to the ground line GND.
The second circuit is connected to the output transistor Q + s to drain the charge of the off-buffer transistor Q + s, and the base of the auxiliary transistor Q + s is connected to the phase splitter transistor Q + a. A pair of off-buffer transistors Q + + connected to the base of the auxiliary transistor Q15 and having a Darlington connection to the collector of the auxiliary transistor Q15.
The emitter of the auxiliary transistor Q + s is connected to the base-emitter junction of the auxiliary transistor Q + Q lz, and the emitter of the auxiliary transistor Q + The third circuit is characterized in that the charge of the buffer transistor Q + + is discharged, and the third circuit is connected to the base of the auxiliary transistor Q + s to the base of the phase splitter transistor Q + a, and the collector of the auxiliary transistor Q + s is connected to a Darlington. A pair of off-buffer transistors Q +
++Ql! The emitter of the auxiliary transistor Q r s is connected to the base of the output transistor Q + s, and the emitter of the auxiliary transistor Q + s is connected to the base-emitter junction of the off-buffer transistor Q + It is characterized by removing electric charge and achieves the above purpose.

〔作用〕[Effect]

本発明によれば、オフバッファトランジスタQ + +
のトランジスタ動作を補助する補助トランジスタQCs
を具備している。
According to the invention, the off-buffer transistor Q + +
Auxiliary transistor QCs that assists the transistor operation of
Equipped with:

このため、オフバッファトランジスタQ、のべ−大容量
に依存される電荷をフェイズスプリッタトランジスタQ
、や出力トランジスタQ r sに同相に動作して高速
に抜くことができる。
Therefore, the off-buffer transistor Q transfers the charge depending on the total large capacitance to the phase splitter transistor Q.
, and the output transistor Q r s to operate in the same phase and can be extracted at high speed.

これにより、特に出力レベル「H」→’LJ 変化時の
出力波形を高速に立ち下げ、従来の出力波形なまり部分
の発生をなくして出力波形を改善することが可能となる
This makes it possible to quickly lower the output waveform especially when the output level changes from "H" to 'LJ, eliminate the generation of the conventional output waveform rounded portion, and improve the output waveform.

また、第1の回路によれば、補助トランジスタQISが
スピードアップダイオードD I 1及びフェイズスプ
リッタトランジスタQ + aの直列回路と並列に接続
され、特にDI+の等価抵抗にQl4の内部抵抗を加え
た等価放電抵抗とオフバッファトランジスタのベース容
量とにより形成される時定数について、QISのクラン
プ電位に至るまで出力トランジスタQ + sと同相に
電荷を抜くことができる。
Also, according to the first circuit, the auxiliary transistor QIS is connected in parallel with the series circuit of the speed-up diode DI1 and the phase splitter transistor Q+a, and in particular the equivalent resistance of DI+ plus the internal resistance of Ql4 Regarding the time constant formed by the discharge resistor and the base capacitance of the off-buffer transistor, charge can be extracted in phase with the output transistor Q + s until the clamp potential of QIS is reached.

これにより、従来のような出力波形に波形なまり部分を
発生することなく、「L」レベルに鋭く立ち下げること
が可能となる。
As a result, it is possible to sharply fall to the "L" level without generating a waveform rounding part in the output waveform as in the conventional case.

さらに、第2の回路によれば、補助トランジスタQ r
 sがフェイズスプリッタトランジスタQ t aと並
列に接続される。
Furthermore, according to the second circuit, the auxiliary transistor Q r
s is connected in parallel with the phase splitter transistor Q t a.

このた゛め、Ql4とQ + sとが同相で動作され、
出力レベルrHJ→「L」変化時に、Ql、の動作閾値
電圧vllと、Q r sのクランプ電位v cis 
とを加算した電位までQ、のベース容量に蓄積される電
荷を抜くことができる。
For this reason, Ql4 and Q + s are operated in the same phase,
When the output level rHJ → “L” changes, the operating threshold voltage vll of Ql and the clamp potential v cis of Q r s
The charge accumulated in the base capacitance of Q can be extracted up to the potential that is the sum of Q and Q.

これにより、第2の実施例では第1の実施例に比べて、
Q 15の動作開始と共にQ、の電荷抜き動作を開始す
ることができるので、Q + aの動作時間分だけ波形
の立ち下りを高速にすることが可能となる。
As a result, in the second embodiment, compared to the first embodiment,
Since the charge removal operation of Q can be started at the same time as the operation of Q15 starts, it is possible to speed up the fall of the waveform by the operating time of Q + a.

第3の回路によれば、補助トランジスタQ、sのエミッ
タがQl3のベースに接続されている。
According to the third circuit, the emitter of the auxiliary transistor Q,s is connected to the base of Ql3.

このため、Q + sとQ、とは直列に動作し、Q +
 3のベース電流がQ、の抜き始めた電荷と、負荷抵抗
RI!に表れる電荷により合算されたものになり、これ
によりQ + sを高速に動作させることが可能となる
Therefore, Q + s and Q operate in series, and Q +
The base current of 3 is Q, the charge that has started to be removed, and the load resistance RI! It becomes the sum of the charges appearing in , and this makes it possible to operate Q + s at high speed.

〔実施例〕〔Example〕

次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第2〜6図は本発明の実施例に係るTTL回路を説明す
る図であり、第2図は本発明の第1の実施例に係るTT
L回路を説明する図を示している。
2 to 6 are diagrams for explaining the TTL circuit according to the embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram for explaining the TTL circuit according to the first embodiment of the present invention.
A diagram illustrating an L circuit is shown.

図において、Q、は例えばnpn型のバイポーラトラン
ジスタから成るオフバッファトランジスタであり、その
コレクタが電源線Vcc(=5(v))に負荷抵抗(コ
レクタ抵抗)R61を介し接続され、エミッタが出力O
UTに接続されている。
In the figure, Q is an off-buffer transistor consisting of, for example, an npn-type bipolar transistor, whose collector is connected to the power supply line Vcc (=5 (V)) via a load resistor (collector resistor) R61, and its emitter is connected to the output O
Connected to UT.

また、Q + tはショットキー機能付のバイポーラト
ランジスタであり、Q l 1とダーリントン接続され
、一対のオフバッファトランジスタを構成するものであ
る。なお、ダーリントン接続とは、Q1!のコレクタと
Q、のコレクタとが接続され、かつQI!のエミッタが
Q、のベースに接続され、Q + +の電流増幅率をh
rt++Q+*の電流増幅率をh Fitとすると両者
の積で表される接続方法である。
Further, Q + t is a bipolar transistor with a Schottky function, and is connected to Q l 1 in a Darlington manner to form a pair of off-buffer transistors. In addition, the Darlington connection is Q1! The collector of and the collector of Q are connected, and QI! The emitter of is connected to the base of Q, and the current amplification factor of Q is h
If the current amplification factor of rt++Q+* is hFit, this connection method is expressed as the product of both.

また、Q + sは出力トランジスタであり、npn型
のショットキー機能付のバイポーラトランジスタである
。なお、コレクタが出力OUTに接続され、ベースがQ
 + <のエミッタに接続され、エミッタが接地線GN
Dに接続される。
Further, Q + s is an output transistor, which is an npn type bipolar transistor with a Schottky function. Note that the collector is connected to the output OUT, and the base is connected to Q.
+ is connected to the emitter of <, and the emitter is connected to the ground wire GN
Connected to D.

なお、Q + aはフェイズスプリッタトランジスタで
あり、コレクタが電源線VCCと負荷抵抗R1□を介し
て接続され、ベースが入力INに接続され、エミッタが
I)ttと抵抗RI4とを介して接地線GNDに接続さ
れている。
Note that Q + a is a phase splitter transistor, whose collector is connected to the power supply line VCC via a load resistor R1□, whose base is connected to the input IN, and whose emitter is connected to the ground line via I)tt and a resistor RI4. Connected to GND.

また、D、はスピードアップダイオード(ショットキー
ダイオード)、D+zはプルダウンダイオード(ショッ
トキーダイオード)であり、Q、のベース電荷やQ +
 3のベース電荷を抜くダイオードである。
Also, D is a speed-up diode (Schottky diode), D+z is a pull-down diode (Schottky diode), and the base charge of Q and Q +
This is a diode that removes the base charge of 3.

Q + sはオフバッファトランジスタQ + +のト
ランジスタ動作を補助する補助トランジスタである。
Q + s is an auxiliary transistor that assists the operation of the off-buffer transistor Q + +.

なお、本発明の実施例ではnpn型のショットキー機能
付のバイポーラトランジスタを用いている。
Note that in the embodiment of the present invention, an npn type bipolar transistor with a Schottky function is used.

また、その接続方法はQ + sのコレクタと、ダーリ
ントン接続されるオフバッファトランジスタQl。
Moreover, the connection method is that the collector of Q+s is connected to the off-buffer transistor Ql by Darlington.

Qllのエミッタ・ベースの交点とを接続し、負荷抵抗
R13をコレクタ抵抗として機能させ、Q + sのベ
ースをフェイズスプリッタトランジスタQ + 4のエ
ミッタに接続し、Q Iaのエミッタを接地線GNDに
接続するものである。
Connect the emitter-base intersection of Qll, make the load resistor R13 function as a collector resistor, connect the base of Q + s to the emitter of phase splitter transistor Q + 4, and connect the emitter of Q Ia to the ground line GND. It is something to do.

なお、ショットキー機能付バイポーラトランジスタQ 
+ t −Q + sは、トランジスタが飽和状態にな
らないように、例えばベース電位V、−1vに対して0
.4vクランプし、コレクタ電位Vc−0,6Vにする
機能を存している。
In addition, bipolar transistor Q with Schottky function
+ t −Q + s is set to 0 for the base potential V, −1 V, for example, so that the transistor does not become saturated.
.. It has a function of clamping 4V and setting the collector potential to Vc-0.6V.

次に、この回路動作を補助トランジスタQ + sの動
作機能を含めて説明する。
Next, the operation of this circuit will be explained, including the operational function of the auxiliary transistor Q + s.

まず入力INがrl(Jのとき、フェイズスプリッタト
ランジスタQ4が「ON」し、負荷抵抗R目に電流が流
れ、電圧降下を生じ、オフバッファトランジスタQl!
のベース電位V□1が動作閾値電圧(直流0.8v)以
下になり、Q +tはrOFF、+ L11Q、も同様
にrOFF、L、補助トランジスタQ + sと出力ト
ランジスタQ1.とがrL」を出力OUTする。
First, when the input IN is rl (J), the phase splitter transistor Q4 turns ON, current flows through the load resistor R, a voltage drop occurs, and the off-buffer transistor Ql!
The base potential V□1 of becomes below the operation threshold voltage (DC 0.8V), Q +t is rOFF, +L11Q is also rOFF, L, auxiliary transistor Q + s and output transistor Q1. The output is OUT.

また、入力!Nが「L」のとき、負荷抵抗R1!には電
圧降下が発生しないので、オフバッファトランジスタが
共にrON、L、rH,を出力OUTする。
Also, input! When N is “L”, load resistance R1! Since no voltage drop occurs in , the off-buffer transistors output rON, L, and rH.

なお、出力レベルが「H」→「L」に変化する場合、補
助トランジスタQ 15がスピードアップダイオードD
I+及びフェイズスプリッタトランジスタQ + aの
直列回路と並列に接続されているので、特にQ10がr
H」−「L」に変化して、Dl15Q14.貼!+R1
4によりQ、のベース容量に依存する電荷の吸収動作を
殆ど終了した後も、D、の等価抵抗にQ I 4の等価
抵抗を加えた等価放電抵抗と、オフバッファトランジス
タQ I+のベース容量とにより形成される時定数につ
いて、Q + sのクランプ電位(0,4v)に至るま
で出力トランジスタQ + sと同相に電荷を抜くこと
ができる。
Note that when the output level changes from "H" to "L", the auxiliary transistor Q15 is connected to the speed-up diode D.
In particular, Q10 is connected in parallel with the series circuit of I+ and phase splitter transistor Q+a.
H"-"L", Dl15Q14. Paste! +R1
Even after most of the charge absorption operation dependent on the base capacitance of Q is completed due to Q4, the equivalent discharge resistance is the equivalent resistance of D plus the equivalent resistance of QI4, and the base capacitance of the off-buffer transistor QI+. With respect to the time constant formed by , the charge can be extracted in phase with the output transistor Q + s until the clamp potential of Q + s (0,4v) is reached.

これにより、従来のような出力波形に波形なまり部分を
発生することなく、「L」レベルに鋭く立ち下げること
が可能となる。
As a result, it is possible to sharply fall to the "L" level without generating a waveform rounding part in the output waveform as in the conventional case.

第3図は本発明の第2の実施例に係るTTL回路を説明
する図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a TTL circuit according to a second embodiment of the present invention.

図において、第1の実施例と同じ符号のものは同じ機能
を有するので説明を省略する。なお、補助トランジスタ
Q + sのコレクタの接続は第1の実施例と同様であ
るが、ベースとエミッタについて接続方法を異にしてい
る。
In the figure, parts with the same reference numerals as those in the first embodiment have the same functions, so their explanation will be omitted. Note that the connection of the collector of the auxiliary transistor Q + s is the same as in the first embodiment, but the connection method of the base and emitter is different.

すなわち、補助トランジスタQ r sのベースはフェ
イズスプリッタトランジスタQ + 4のベースに接続
され、QISのエミッタは負荷抵抗IR15を介して接
地!IGNDに接続される。
That is, the base of the auxiliary transistor Q r s is connected to the base of the phase splitter transistor Q + 4, and the emitter of QIS is grounded via the load resistor IR15! Connected to IGND.

このため、Q、とQ + sとが並列に接続され、同相
で動作をされ、出力レベルrH,→「L」変化時に、出
力トランジスタQ13の動作闇値電圧v、!(’;0.
8v)と、Q + sのクランプ電位Vcts  (=
0,4v)とを加算した電位(!=i1.2v)までオ
フバッファトランジスタのベース容量に蓄積された電荷
を抜くことができる。
Therefore, Q and Q + s are connected in parallel and operated in the same phase, and when the output level rH, → "L" changes, the operating dark value voltage v, ! of the output transistor Q13 changes. (';0.
8v) and the clamp potential of Q + s Vcts (=
The charge accumulated in the base capacitance of the off-buffer transistor can be discharged up to the potential (!=i1.2v) which is the sum of 0.4v) and 0.4v).

これにより、Q Iaの動作後にこれを補う形でQ +
 sの動作が始まり、QIlをrOFFJにする動作時
間を要する第1の実施例に比べて、第2の実施例では、
Q + a + Q + sの動作開始と共にQ、のト
ランジスタの電荷抜きが開始されるので、第1の実施例
に係るQ r aの動作時間分だけ波形の立ち下がりを
高速化することが可能となる。
As a result, after the operation of Q Ia, Q +
Compared to the first embodiment, which requires an operation time to start the operation of s and turn QIl to rOFFJ, in the second embodiment,
Since the discharge of charge from the transistor Q starts at the same time as the operation of Q + a + Q + s starts, it is possible to speed up the fall of the waveform by the operation time of Q r a according to the first embodiment. becomes.

第4図は、第3の実施例に係るTTL回路を説明する図
である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a TTL circuit according to the third embodiment.

図において、第1の実施例と同じ符号のものは同じ機能
を有するので説明を省略する。なお、補助トランジスタ
QCsのコレクタ及びベースの接続は第2の実施例と同
様であるが、エミッタの接続方法が異っている。
In the figure, parts with the same reference numerals as those in the first embodiment have the same functions, so their explanation will be omitted. Note that the collector and base connections of the auxiliary transistor QCs are the same as in the second embodiment, but the emitter connection method is different.

すなわち、補助トランジスタQ + sのエミッタが出
力トランジスタQl!のベースに接続されている。
That is, the emitter of the auxiliary transistor Q + s is the output transistor Ql! connected to the base of.

このため、Q + sとQ + iとは直列に動作をし
、かつフェイズスプリッタトランジスタQ、4と同相に
動作をする。従って、出力トランジスタQ l 3はQ
 r +の電荷と、負荷抵抗R1に表れる電荷とをベー
ス電流としてQ13を高速に動作させることができる。
Therefore, Q + s and Q + i operate in series and in phase with the phase splitter transistors Q and 4. Therefore, the output transistor Q l 3 is Q
Q13 can be operated at high speed by using the charge of r + and the charge appearing on the load resistor R1 as a base current.

これにより、Q + +の電荷を急速に抜くことができ
、出力波形を鋭く立ち下げる二とが可能となる。
This makes it possible to rapidly remove the charge from Q + +, thereby making it possible to sharply lower the output waveform.

第5図は本発明、の各実施例に係る出力波形を説明する
図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating output waveforms according to each embodiment of the present invention.

図において、縦軸は出力レベルであり、出力OUTの電
位を表している。横軸は時間もである。なお、出力波形
は補助トランジスタQ lsを接続したことにより、出
力レベルrH,→「LJ変化時に鋭く立ち下っている。
In the figure, the vertical axis is the output level and represents the potential of the output OUT. The horizontal axis also represents time. Note that the output waveform falls sharply when the output level changes from rH to "LJ" due to the connection of the auxiliary transistor Qls.

第6図は本発明の各実施例に係る出力波形と従来例とを
比較する図である。
FIG. 6 is a diagram comparing output waveforms according to each embodiment of the present invention and a conventional example.

図において、実線部分のAは本発明に係る出力波形であ
り、−点鎖線部分Bは従来例に係る出力波形を示してい
る。
In the figure, the solid line section A indicates the output waveform according to the present invention, and the dashed-dotted line section B indicates the output waveform according to the conventional example.

従って補助トランジスタQ r sを接続することによ
り、出力波形の改善をすることができる。
Therefore, by connecting the auxiliary transistor Q r s, the output waveform can be improved.

このようにして、オフバッファトランジスタQIIの動
作機能を補助する補助トランジスタQIsを具備してい
る。
In this way, the auxiliary transistor QIs is provided to assist the operational function of the off-buffer transistor QII.

このため、QIlのベース容量に依存させる電荷をQ 
+ 4や出力トランジスタQ r sに同相に動作して
、高速に抜くことができる。
Therefore, the charge that depends on the base capacitance of QIl is
It operates in the same phase as +4 and the output transistor Qrs, and can be extracted at high speed.

これにより、特に出力レベルrH,→「L」変化時の出
力波形を高速に立ち下げ、従来のような波形なまり部分
の発生を無くして、出力波形を改善することが可能とな
る。
This makes it possible to quickly lower the output waveform especially when the output level changes from rH to "L", eliminate the waveform rounding part that occurs in the conventional case, and improve the output waveform.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、TTL回路の補
助トランジスタを接続することにより、オフバッファト
ランジスタの電荷を積極的に抜くことが可能となる。
As described above, according to the present invention, by connecting the auxiliary transistor of the TTL circuit, it is possible to actively drain the charge from the off-buffer transistor.

このため、出力波形の改善をすること、及びトランジス
タ動作を高速にすることができ、これによりTTL回路
の動作機能を向上させることが可能となる。
Therefore, it is possible to improve the output waveform and increase the speed of transistor operation, thereby making it possible to improve the operational function of the TTL circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の各実施例に係るTTL回路の原理構
成図、 第2図は、本発明の第1の実施例に係るTTL回路を説
明する図、 第3図は、本発明の第2の実施例に係るTTL回路を説
明する図、 第4図は、本発明の第3の実施例に係るTTL回路を説
明する図、 第5図は、本発明の各実施例に係る出力波形を説明する
図、 第6図は、本発明の各実施例に係る出力波形と従来例と
を比較する図、 第7図は、従来例に係るTTL回路を説明する図、 第8図は、従来の例のTTL回路に係る課題を説明する
図である。 (符号の説明) Q I+ Qz+ (L++  (Lx・・・オフバッ
ファトランジスタ、 Q11Q、ff・・・出力トランジスタ、Q11Q11
・・・フェイズスプリッタトランジスタ、D+、D、・
・・スピードアップダイオード、Dz、D、t・・・プ
ルダウンダイオード、R6〜R11R11〜RI5・・
・負荷抵抗(動作抵抗系)、 Q + s・・・補助トランジスタ、 A・・・波形なまり部分、 VCC・・・電源線、 GND・・・接地線、 IN・・・入力、 OUT・・・出力 Q11Q11・・・npn型バイポーラトランジスタ、
Q2〜Q11Q11〜Q 1 s・・・ショットキー機
能付npn型バイポーラトランジスタ。
FIG. 1 is a diagram illustrating the principle configuration of a TTL circuit according to each embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram explaining a TTL circuit according to a first embodiment of the present invention. FIG. 4 is a diagram illustrating a TTL circuit according to a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is an output diagram according to each embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram for explaining waveforms, FIG. 6 is a diagram for comparing output waveforms according to each embodiment of the present invention and a conventional example, FIG. 7 is a diagram for explaining a TTL circuit according to a conventional example, and FIG. 8 is a diagram for explaining a TTL circuit according to a conventional example. FIG. 2 is a diagram illustrating problems related to a conventional TTL circuit. (Explanation of symbols) Q I+ Qz+ (L++ (Lx...off buffer transistor, Q11Q, ff...output transistor, Q11Q11
・・・Phase splitter transistor, D+, D,・
...Speed-up diode, Dz, D, t...Pull-down diode, R6~R11R11~RI5...
・Load resistance (operating resistance system), Q + s...Auxiliary transistor, A...Waveform rounding part, VCC...Power line, GND...Grounding line, IN...Input, OUT... Output Q11Q11... npn type bipolar transistor,
Q2~Q11Q11~Q1s... NPN type bipolar transistor with Schottky function.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ダーリントン接続される一対のオフバッファトラ
ンジスタ(Q_1_1、Q_1_2)と、出力トランジ
スタ(Q_1_3)と、フェイズスプリッタトランジス
タ(Q_1_4)と、スピードアップダイオード(D_
1_1)と、プルダウンダイオード(D_1_2)と、
動作抵抗系(R_1_1、R_1_2、R_1_3、R
_1_4)とを具備するTTL回路において、 前記オフバッファトランジスタ(Q_1_1)のトラン
ジスタ動作を補助する補助トランジスタ(Q_1_5)
を設けていることを特徴とするTTL回路。
(1) A pair of Darlington-connected off-buffer transistors (Q_1_1, Q_1_2), an output transistor (Q_1_3), a phase splitter transistor (Q_1_4), and a speed-up diode (D_
1_1), a pull-down diode (D_1_2),
Operating resistance system (R_1_1, R_1_2, R_1_3, R
_1_4), an auxiliary transistor (Q_1_5) that assists the transistor operation of the off-buffer transistor (Q_1_1);
A TTL circuit characterized by being provided with.
(2)補助トランジスタ(Q_1_5)のベースがフェ
イズスプリッタトランジスタ(Q_1_4)のエミッタ
に接続され、 前記補助トランジスタ(Q_1_5)のコレクタがダー
リントン接続される一対のオフバッファトランジスタ(
Q_1_1、Q_1_2)のベース・エミッタの接合点
に接続され、 前記補助トランジスタ(Q_1_5)のエミッタが接地
線(GND)に接続され、 前記出力トランジスタ(Q_1_3)と分担して、該オ
フバッファトランジスタ(Q_1_1)の電荷を抜くこ
とを特徴とする請求項1記載のTTL回路。
(2) a pair of off-buffer transistors (the base of the auxiliary transistor (Q_1_5) is connected to the emitter of the phase splitter transistor (Q_1_4), and the collector of the auxiliary transistor (Q_1_5) is Darlington-connected;
The off-buffer transistor (Q_1_1) is connected to the base-emitter junction of the auxiliary transistor (Q_1_1, Q_1_2), and the emitter of the auxiliary transistor (Q_1_5) is connected to the ground line (GND). 2. The TTL circuit according to claim 1, wherein the TTL circuit removes the electric charge of ).
(3)補助トランジスタ(Q_1_5)のベースがフェ
イズスプリッタトランジスタ(Q_1_4)のベースに
接続され、 前記補助トランジスタ(Q_1_5)のコレクタがダー
リントン接続される一対のオフバッファトランジスタ(
Q_1_1、Q_1_2)のベース・エミッタの接合点
に接続され、 前記補助トランジスタ(Q_1_5)のエミッタが動作
抵抗系(R_1_5)を介して接地線(GND)に接続
され、 前記フェイズスプリッタトランジスタ(Q_1_4)と
分担して、該オフバッファトランジスタ(Q_1_1)
の電荷を抜くことを特徴とする請求項1記載のTTL回
路。
(3) A pair of off-buffer transistors (the base of the auxiliary transistor (Q_1_5) is connected to the base of the phase splitter transistor (Q_1_4), and the collector of the auxiliary transistor (Q_1_5) is Darlington-connected.
The emitter of the auxiliary transistor (Q_1_5) is connected to the ground line (GND) via the operating resistance system (R_1_5), and the phase splitter transistor (Q_1_4) The off-buffer transistor (Q_1_1)
2. The TTL circuit according to claim 1, wherein the TTL circuit removes the electric charge.
(4)補助トランジスタ(Q_1_5)のベースがフェ
イズスプリッタトランジスタ(Q_1_4)のベースに
接続され、 前記補助トランジスタ(Q_1_5)のコレクタがダー
リントン接続される一対のオフバッファトランジスタ(
Q_1_1、Q_1_2)のベース・エミッタの接合点
に接続され、 前記補助トランジスタ(Q_1_5)のエミッタが出力
トランジスタ(Q_1_3)のベースに接続され、前記
フェイズスプリッタトランジスタ(Q_1_4)と分担
して、該オフバッファトランジスタ(Q_1_1)の電
荷を抜くことを特徴とする請求項1記載のTTL回路。
(4) A pair of off-buffer transistors (the base of the auxiliary transistor (Q_1_5) is connected to the base of the phase splitter transistor (Q_1_4), and the collector of the auxiliary transistor (Q_1_5) is connected to Darlington.
Q_1_1, Q_1_2), the emitter of the auxiliary transistor (Q_1_5) is connected to the base of the output transistor (Q_1_3), and shares the phase splitter transistor (Q_1_4) with the off buffer. The TTL circuit according to claim 1, characterized in that the charge of the transistor (Q_1_1) is discharged.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0537348A (en) * 1991-08-02 1993-02-12 Sharp Corp Output circuit

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