JPH02285627A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH02285627A JPH02285627A JP1108113A JP10811389A JPH02285627A JP H02285627 A JPH02285627 A JP H02285627A JP 1108113 A JP1108113 A JP 1108113A JP 10811389 A JP10811389 A JP 10811389A JP H02285627 A JPH02285627 A JP H02285627A
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- Japan
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- wafer
- resist
- baking
- inspecting
- semiconductor wafer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、半導体製造装置に関する。
半導体ウェーハのレジスト処理装置は、第３図に示すよ
うに構成されている。 各処理工程を司どる装置部は、筐体１２内にインライン
として配設されている。筐体１２内において、ローダ部
１はカセットから被処理基板としてのウェーハを取り出
し、クーリングプレート部２に搬送する。クーリンクプ
レート部２では、温度調整を行う。次のアドヒージョン
部３ては、ウェーハの表面の組織化を図り、コーティン
グ層（レジスト膜）の密着をよくするための液を塗り、
次いで、コータ部４で、レジスト膜の塗布を行う６その
後、ベーキング部５て、コーティングしたレジスト膜を
固める。 こうしてレジスト膜が塗布されたウェーハは、インター
フェイス６を介して、処理工程ライン外、すなわち筐体
１２外に設けられた露光装置７に送られて露光処理が行
われた後、再びインターフェイス６を介して処理工程ラ
インの現像処理部８に送られ、現像処理される。次いで
、加工部ってレジストをマスクにして下地膜の加工か行
われた後、レジスト除去部１０で、不要となったレジス
ト膜の除去がなされ、その後、アンロード部１１によっ
てアンロードされ、キャリアにレジスト処理か完了した
ウェーハが収納される。 第３図において、各処理部から次の処理部へのウェーハ
の搬送は、例えばローラ搬送によりベル、トによって行
われる。 以上のような半導体製造装置において、ウェーハの表面
にゴミ等の異物が付着していると、露光か正しく行われ
ず、処理したウェーハが不良となる。このため、従来は
、モニタ用ウェーハを上記の処理工程に流し、そのモニ
タ用ウェーハを取り出して、半導体製造装置とは別個に
設けられる表面検査装置１３でウェーハの表面の異物の
付着のチエツクをしている。この場合に、従来はウェー
ハの表面のみの検査行い、ウェーハの裏面の検査は行っ
ていない。
うに構成されている。 各処理工程を司どる装置部は、筐体１２内にインライン
として配設されている。筐体１２内において、ローダ部
１はカセットから被処理基板としてのウェーハを取り出
し、クーリングプレート部２に搬送する。クーリンクプ
レート部２では、温度調整を行う。次のアドヒージョン
部３ては、ウェーハの表面の組織化を図り、コーティン
グ層（レジスト膜）の密着をよくするための液を塗り、
次いで、コータ部４で、レジスト膜の塗布を行う６その
後、ベーキング部５て、コーティングしたレジスト膜を
固める。 こうしてレジスト膜が塗布されたウェーハは、インター
フェイス６を介して、処理工程ライン外、すなわち筐体
１２外に設けられた露光装置７に送られて露光処理が行
われた後、再びインターフェイス６を介して処理工程ラ
インの現像処理部８に送られ、現像処理される。次いで
、加工部ってレジストをマスクにして下地膜の加工か行
われた後、レジスト除去部１０で、不要となったレジス
ト膜の除去がなされ、その後、アンロード部１１によっ
てアンロードされ、キャリアにレジスト処理か完了した
ウェーハが収納される。 第３図において、各処理部から次の処理部へのウェーハ
の搬送は、例えばローラ搬送によりベル、トによって行
われる。 以上のような半導体製造装置において、ウェーハの表面
にゴミ等の異物が付着していると、露光か正しく行われ
ず、処理したウェーハが不良となる。このため、従来は
、モニタ用ウェーハを上記の処理工程に流し、そのモニ
タ用ウェーハを取り出して、半導体製造装置とは別個に
設けられる表面検査装置１３でウェーハの表面の異物の
付着のチエツクをしている。この場合に、従来はウェー
ハの表面のみの検査行い、ウェーハの裏面の検査は行っ
ていない。
ところで、上記のレジスト処理装置において、レジスト
の塗布は、チャックに真空吸引によって固定したウェー
ハの中央部にレジストを滴下した後、このウェーハを所
定の回転数で回転させ、遠心力を利用してホトレジスト
薄膜を形成するスピンコード方式か一般的である。 このスピンコード方式において、レジスト薄膜を均一の
所望の膜厚とするために、複数段階例えば２段階に回転
速度を変えることが行われる。この回転速度の変化時に
、回転加速度のため、ウェーハがチャックの真空吸引に
抗して回転方向にずれることかある。そして、ウェーハ
のチャックに対する、このずれの回転時に、ウェーハの
裏面側に飛沫していたレジストか、ウェーハの裏面に擦
り付けられ、これがベーキング部５で固められることに
より、ウェーハの裏面側の付着異物となって残ることが
ある。 このように、ウェーハの裏面側に異物かあると、次のよ
うな欠点を生じることが判明しな。 すなわち、露光はウェーハ中の１チツプ毎に順次に行う
が、解像度を高くするなめにレンズ系の開口数（ＮＡ）
を大きくして行う。このため、焦点深度は浅くなる。し
たがって、上記のようにウェーハの裏面に異物か付着し
ていると、ウェーハ面がこの異物のために露光時のレン
ズの光軸に対して傾いた状態となって正しく垂直になら
なくなり、解像度がウェーハ上のチップ位置によって異
なってしまい、不良品となってしまう。 また、前述の従来例のようにモニタウェーハを処理工程
に流し、これをサン７°リングしての表面検査を行う従
来の方式では、実際に処理された個々のウェーハの良不
良の判定を行うことはできないという欠点もある。
の塗布は、チャックに真空吸引によって固定したウェー
ハの中央部にレジストを滴下した後、このウェーハを所
定の回転数で回転させ、遠心力を利用してホトレジスト
薄膜を形成するスピンコード方式か一般的である。 このスピンコード方式において、レジスト薄膜を均一の
所望の膜厚とするために、複数段階例えば２段階に回転
速度を変えることが行われる。この回転速度の変化時に
、回転加速度のため、ウェーハがチャックの真空吸引に
抗して回転方向にずれることかある。そして、ウェーハ
のチャックに対する、このずれの回転時に、ウェーハの
裏面側に飛沫していたレジストか、ウェーハの裏面に擦
り付けられ、これがベーキング部５で固められることに
より、ウェーハの裏面側の付着異物となって残ることが
ある。 このように、ウェーハの裏面側に異物かあると、次のよ
うな欠点を生じることが判明しな。 すなわち、露光はウェーハ中の１チツプ毎に順次に行う
が、解像度を高くするなめにレンズ系の開口数（ＮＡ）
を大きくして行う。このため、焦点深度は浅くなる。し
たがって、上記のようにウェーハの裏面に異物か付着し
ていると、ウェーハ面がこの異物のために露光時のレン
ズの光軸に対して傾いた状態となって正しく垂直になら
なくなり、解像度がウェーハ上のチップ位置によって異
なってしまい、不良品となってしまう。 また、前述の従来例のようにモニタウェーハを処理工程
に流し、これをサン７°リングしての表面検査を行う従
来の方式では、実際に処理された個々のウェーハの良不
良の判定を行うことはできないという欠点もある。
この発明による露光方法は、
半導体ウェーハの表面にレジストを塗布するレジスト塗
布工程と、 このレジスト塗布工程により塗布されたレジスト膜をベ
ーキングするベーキング工程と、このベーキング工程の
後、上記半導体ウェーハの表裏両面のゴミの有無を検査
する検査工程と、この検査工程によりゴミ無しとされた
半導体ウェーハについて露光を行なう露光工程とを具備
することを特徴とする。
布工程と、 このレジスト塗布工程により塗布されたレジスト膜をベ
ーキングするベーキング工程と、このベーキング工程の
後、上記半導体ウェーハの表裏両面のゴミの有無を検査
する検査工程と、この検査工程によりゴミ無しとされた
半導体ウェーハについて露光を行なう露光工程とを具備
することを特徴とする。
インラインとして組み込んだ表面検査装置によって、半
導体ウェーハの表裏両面の検査を行うことにより半導体
ウェーハの両面に付着した異物を認識できるから、この
表面検査装置の次工程の前で不良品を分類することが可
能となり、延いては歩留まりの向上を期待できる。
導体ウェーハの表裏両面の検査を行うことにより半導体
ウェーハの両面に付着した異物を認識できるから、この
表面検査装置の次工程の前で不良品を分類することが可
能となり、延いては歩留まりの向上を期待できる。
以下、図を参照しながらこの発明装置の一実施例を説明
する。 第１図に示す例は、この発明を前述したレジスト処理装
置に適用した場合の例で、第３図例を同一部分について
は同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。 この例においては、第３図例のように筐体１２外に表面
検査装置１３を設けるのではなく、第１図に示すように
、ベーキング部５の後にウェーハの表裏両面を検査する
表面検査装置２０を設ける。 そして、この表面検査装置２０での検査の結果、良品と
判定されなウェーハのみをインターフェイス６を介して
露光装置７に搬送するようにする６表面検査装置２０は
、例えは第２図に示すように構成される。すなわち、レ
ーザ光源２１からのレーザ光は、コリメートレンズ２２
にて整形された後、分光器２３によって２分され、一方
はミラー２４に、他方はミラー２５に入射する。 ミラー２４にて反射されたレーザ光は、ミラー２６によ
って反射され、ビームスプリッタ２７゜１／４波長板２
８及び対物レンズ２９を介してウェーハ３０の表面に照
射される。ウェーハ３０の表面からの反射光は、対物レ
ンズ２９．１／４波長板２８を介してビームスプリッタ
２７に入射するか、レーザビームは１／４波長板２８を
２度通ることから偏光面が９０°回転し、ビームスプリ
ッタ２７は通過できずに反射され、付着異物検出装置４
１の受光部に入射する。 また、ミラー２５にて反射されたレーザ光は、同様にし
て、ミラー３１−ビームスプリッタ３２１／４波長板３
３一対物レンズ３４を順次弁してウェーハ３０の裏面に
照射される。そして、この裏面からの反射光は、ビーム
スプリッタ３２を通過せずに反射され、付着異物検出装
置４２の受光部に入射する。 この場合、ウェーハ３０は、回転しながらその半径方向
に移動させられることにより、レーザビームがウェーハ
３０の表面及び裏面の全面を走査するようにされている
。 付着異物検出装置４１においては、その受光部で受光さ
れたウェーハ３０の表面の全面走査光の反射光から、ウ
ェーハ３０の表面に付着した異物の有無が検出される。 また、付着異物検出装置４２においては、その受光部で
受光されたウェーハ３０の裏面の全面走査光の反射光か
ら、ウェーハ３０の裏面に付着した異物の有無が検出さ
れる。 付着異物検出装置４１又は４２のいずれかて付着異物が
あると検出されたときは、そのウェーハは不良品として
インターフェイス６には供給されない。 半導体ウェーハの表面と裏面とでは面粗度等が異なるこ
とが多く、そのなめに裏面の付着異物検吊装置４２には
、半導体ウェーハの反射率分布を測定可能とする検知部
を設けるようにする。 なお、ウェーハ３０をベーキング部５から表面検査装置
に搬送して位置決めする際には、ウェーハ３０の周縁部
を把持してウェーハ３０の表面及び裏面には触れないよ
うにする。 以上の例では、１つのレーザ光源を半導体ウェーハの表
面走査用と裏面走査用とで共用したが、半導体ウェーハ
の表面及び裏面のそれぞれを別個の光源及び独立した光
学系を通して走査するような構成にしてもよい。
する。 第１図に示す例は、この発明を前述したレジスト処理装
置に適用した場合の例で、第３図例を同一部分について
は同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。 この例においては、第３図例のように筐体１２外に表面
検査装置１３を設けるのではなく、第１図に示すように
、ベーキング部５の後にウェーハの表裏両面を検査する
表面検査装置２０を設ける。 そして、この表面検査装置２０での検査の結果、良品と
判定されなウェーハのみをインターフェイス６を介して
露光装置７に搬送するようにする６表面検査装置２０は
、例えは第２図に示すように構成される。すなわち、レ
ーザ光源２１からのレーザ光は、コリメートレンズ２２
にて整形された後、分光器２３によって２分され、一方
はミラー２４に、他方はミラー２５に入射する。 ミラー２４にて反射されたレーザ光は、ミラー２６によ
って反射され、ビームスプリッタ２７゜１／４波長板２
８及び対物レンズ２９を介してウェーハ３０の表面に照
射される。ウェーハ３０の表面からの反射光は、対物レ
ンズ２９．１／４波長板２８を介してビームスプリッタ
２７に入射するか、レーザビームは１／４波長板２８を
２度通ることから偏光面が９０°回転し、ビームスプリ
ッタ２７は通過できずに反射され、付着異物検出装置４
１の受光部に入射する。 また、ミラー２５にて反射されたレーザ光は、同様にし
て、ミラー３１−ビームスプリッタ３２１／４波長板３
３一対物レンズ３４を順次弁してウェーハ３０の裏面に
照射される。そして、この裏面からの反射光は、ビーム
スプリッタ３２を通過せずに反射され、付着異物検出装
置４２の受光部に入射する。 この場合、ウェーハ３０は、回転しながらその半径方向
に移動させられることにより、レーザビームがウェーハ
３０の表面及び裏面の全面を走査するようにされている
。 付着異物検出装置４１においては、その受光部で受光さ
れたウェーハ３０の表面の全面走査光の反射光から、ウ
ェーハ３０の表面に付着した異物の有無が検出される。 また、付着異物検出装置４２においては、その受光部で
受光されたウェーハ３０の裏面の全面走査光の反射光か
ら、ウェーハ３０の裏面に付着した異物の有無が検出さ
れる。 付着異物検出装置４１又は４２のいずれかて付着異物が
あると検出されたときは、そのウェーハは不良品として
インターフェイス６には供給されない。 半導体ウェーハの表面と裏面とでは面粗度等が異なるこ
とが多く、そのなめに裏面の付着異物検吊装置４２には
、半導体ウェーハの反射率分布を測定可能とする検知部
を設けるようにする。 なお、ウェーハ３０をベーキング部５から表面検査装置
に搬送して位置決めする際には、ウェーハ３０の周縁部
を把持してウェーハ３０の表面及び裏面には触れないよ
うにする。 以上の例では、１つのレーザ光源を半導体ウェーハの表
面走査用と裏面走査用とで共用したが、半導体ウェーハ
の表面及び裏面のそれぞれを別個の光源及び独立した光
学系を通して走査するような構成にしてもよい。
以上説明したように、この発明によれば、半導体ウェー
ハの表面のみでなく裏面をも検査して、これら両面に付
着した異物を認識することにより、不良品を分類するの
で、表面のみしか検査しない従来装置に比べて半導体装
置の歩留まりの向上が期待できる。 しかも、表面検査装置は、要求される部位にインライン
として設けたので、この表面検査装置の次工程の前で不
良品を分類することが可能となるとともに、全ての半導
体ウェーハの表裏両面の検査が行えるから、従来のよう
にモニタ基板を処理工程に流す必要がなく、確実に１枚
１枚の半導体ウェーハの不良品チエツクかできる。
ハの表面のみでなく裏面をも検査して、これら両面に付
着した異物を認識することにより、不良品を分類するの
で、表面のみしか検査しない従来装置に比べて半導体装
置の歩留まりの向上が期待できる。 しかも、表面検査装置は、要求される部位にインライン
として設けたので、この表面検査装置の次工程の前で不
良品を分類することが可能となるとともに、全ての半導
体ウェーハの表裏両面の検査が行えるから、従来のよう
にモニタ基板を処理工程に流す必要がなく、確実に１枚
１枚の半導体ウェーハの不良品チエツクかできる。
第１図はこの発明を適用した露光装置の一実施例のブロ
ック図、第２図はその要部の一例の構成を示す図、第３
図は従来装置の一例をしめずブロック図である。 １３；半導体製造装置の筐体 ２０；表面検査装置 ３０；ウェーハ ４１；ウェーハ表面の付着異物検出装置４２：ウェーハ
裏面の付着異物検出装置代理人 弁理士 佐 藤 正
美 手続補正書 ２１発明の名称 露光方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
東京エレクトロン株式会社 代表取締役 小 高 敏 夫 （他１名） ４、代理人 住 所 〒１６０東京都新宿区西新宿８丁目１２番１
号サンパレス新宿１１０６ ６、補正により増加する請求項の数 ７、補正の対象 明細書の特許請求の 説明の欄
。 ８、補正の内容 士廿□ （１）明細書中、特許請求の範囲を別紙のように訂正す
る。 （２）同、１頁１６行、「半導体製造装置」とあるを、
「露光方法」と訂正する。 （３）同、６頁８行、「装置」とあるを、「による露光
方法Ｊと訂正する。 （４）同、９頁１７行、「装置」とあるを、「方法」と
訂正する。 （５）同、同頁、１９行〜２０行、「しかも、・・・・
・・表面検査装置」とあるを、「また、検査工程を行な
う表面検査装置を、要求される部位にインラインとして
設けることにより、この検査工程」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 半導体ウェーへの表面にレジストを塗布するレジスト塗
布工程と、 このレジスト塗布工程により塗布されたレジスト膜をベ
ーキングするベーキング工程と、このベーキング工程の
後、上記半導体ウェーハの表裏両面のゴミの有無を検査
する検査工程と、この検査工程によりゴミ無しとされた
半導体ウェーハについて露光を行なう露光工程とを具備
することを特徴とする友光方迭。
ック図、第２図はその要部の一例の構成を示す図、第３
図は従来装置の一例をしめずブロック図である。 １３；半導体製造装置の筐体 ２０；表面検査装置 ３０；ウェーハ ４１；ウェーハ表面の付着異物検出装置４２：ウェーハ
裏面の付着異物検出装置代理人 弁理士 佐 藤 正
美 手続補正書 ２１発明の名称 露光方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西新宿１丁目２６番２号名 称
東京エレクトロン株式会社 代表取締役 小 高 敏 夫 （他１名） ４、代理人 住 所 〒１６０東京都新宿区西新宿８丁目１２番１
号サンパレス新宿１１０６ ６、補正により増加する請求項の数 ７、補正の対象 明細書の特許請求の 説明の欄
。 ８、補正の内容 士廿□ （１）明細書中、特許請求の範囲を別紙のように訂正す
る。 （２）同、１頁１６行、「半導体製造装置」とあるを、
「露光方法」と訂正する。 （３）同、６頁８行、「装置」とあるを、「による露光
方法Ｊと訂正する。 （４）同、９頁１７行、「装置」とあるを、「方法」と
訂正する。 （５）同、同頁、１９行〜２０行、「しかも、・・・・
・・表面検査装置」とあるを、「また、検査工程を行な
う表面検査装置を、要求される部位にインラインとして
設けることにより、この検査工程」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 半導体ウェーへの表面にレジストを塗布するレジスト塗
布工程と、 このレジスト塗布工程により塗布されたレジスト膜をベ
ーキングするベーキング工程と、このベーキング工程の
後、上記半導体ウェーハの表裏両面のゴミの有無を検査
する検査工程と、この検査工程によりゴミ無しとされた
半導体ウェーハについて露光を行なう露光工程とを具備
することを特徴とする友光方迭。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェーハの表面にレジストを塗布するレジスト塗
布工程と、 このレジスト塗布工程により塗布されたレジスト膜をベ
ーキングするベーキング工程と、 このベーキング工程の後、上記半導体ウェーハの表裏両
面のゴミの有無を検査する検査工程と、この検査工程に
よりゴミ無しとされた半導体ウェーハについて露光を行
なう露光工程とを具備することを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108113A JPH02285627A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1108113A JPH02285627A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02285627A true JPH02285627A (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14476231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1108113A Pending JPH02285627A (ja) | 1989-04-27 | 1989-04-27 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02285627A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4207258A4 (en) * | 2020-09-07 | 2024-03-13 | Nissan Chemical Corporation | WAFER PROCESSING METHOD |
-
1989
- 1989-04-27 JP JP1108113A patent/JPH02285627A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4207258A4 (en) * | 2020-09-07 | 2024-03-13 | Nissan Chemical Corporation | WAFER PROCESSING METHOD |
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