JPH02265112A - 超伝導装置 - Google Patents
超伝導装置Info
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- JPH02265112A JPH02265112A JP1085250A JP8525089A JPH02265112A JP H02265112 A JPH02265112 A JP H02265112A JP 1085250 A JP1085250 A JP 1085250A JP 8525089 A JP8525089 A JP 8525089A JP H02265112 A JPH02265112 A JP H02265112A
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- Japan
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- insulator
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- good conductor
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- Pending
Links
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は超伝導装置に関する。
一般に超伝導装置を動作させるためには液体ヘリウムを
寒剤として用い、該超伝導装置を超低温とする必要があ
る。 例えば、薄膜によるジョセフソンコンピュータや、ジョ
セフソン接合と超伝導リングを組合わせた高感度磁束検
出素子である５ＱＵＩＤも、液体ヘリウムに浸漬させる
か、あるいは液体ヘリウムデユワ−の低温面に接着した
状態で動作させている。
寒剤として用い、該超伝導装置を超低温とする必要があ
る。 例えば、薄膜によるジョセフソンコンピュータや、ジョ
セフソン接合と超伝導リングを組合わせた高感度磁束検
出素子である５ＱＵＩＤも、液体ヘリウムに浸漬させる
か、あるいは液体ヘリウムデユワ−の低温面に接着した
状態で動作させている。
上記のように液体ヘリウムを冷却手段として用いる場合
は、超伝導装置の全体の容積が大きくなり過ぎ、しかも
、その大部分が液体ヘリウムのための容器であって、非
常に非効率的であった。 この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
って、冷却装置を極めて小型化することができる超伝導
装置を提供することを目的とする。
は、超伝導装置の全体の容積が大きくなり過ぎ、しかも
、その大部分が液体ヘリウムのための容器であって、非
常に非効率的であった。 この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
って、冷却装置を極めて小型化することができる超伝導
装置を提供することを目的とする。
この発明は、ペルチエ素子の低温側絶縁体を基板とした
超伝導装置により上記目的を達成するものである。 ス、基板を、並列されたペルチエ素子の低温側の良導体
により接触した状態で挾み込んで超伝導装置を構成し上
記目的を達成するものである。 又、この発明は、多芯線状の超伝導材料を、ペルチエ素
子の低温側良導体により取囲んで超伝導装置を構成し上
記目的を達成するものである。
超伝導装置により上記目的を達成するものである。 ス、基板を、並列されたペルチエ素子の低温側の良導体
により接触した状態で挾み込んで超伝導装置を構成し上
記目的を達成するものである。 又、この発明は、多芯線状の超伝導材料を、ペルチエ素
子の低温側良導体により取囲んで超伝導装置を構成し上
記目的を達成するものである。
この発明は、いわゆる高温超伝導材料の薄膜５ＱＵＩＤ
等の超伝導装置の基板によりペルチエ素子の低温側絶縁
体そのものを構成しているので、効率良く、且つ装置容
積も小さく、超伝導装置を構成することができる。高温
超伝導材料は、ペルチエ素子による冷却限界である一１
００℃前後で超伝導状態とすることができる。
等の超伝導装置の基板によりペルチエ素子の低温側絶縁
体そのものを構成しているので、効率良く、且つ装置容
積も小さく、超伝導装置を構成することができる。高温
超伝導材料は、ペルチエ素子による冷却限界である一１
００℃前後で超伝導状態とすることができる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
この実施例は、第１図に示されるように、ペルチエ素子
１０としてペルチエ効果を得られる半導体１２をＮ型、
Ｐ型、Ｎ型、・・・Ｐ型のように直列に並べ、隣接する
半導体１２の端部を低温側良導体１４Ａ及び高温側良導
体１４Ｂで接続し、ペルチエ素子を構成している。 このペルチエ素子１０に対して、その低温側の良導体１
４Ａに、例えばサファイヤからなる絶縁体１６を用い、
これを基板として薄膜ＳＱＵ Ｉ Ｄ等の超伝導装置１
８を構成したものである。 第１図において、ペルチエ素子１０の高温側の良導体１
４Ｂは絶縁体２０を介して放熱器２２に接触されている
。 図の符号２４は直流電源を示す。 この実施例においては、ペルチエ素子１０における低温
側の良導体１４Ａに、基板である絶縁体１６が直接接触
されているので、該基板は効率良く冷却される。 このとき、ペルチエ素子１０による冷却限界は１００
’Ｃ程度であるが、超伝導装置が超伝導状態になるため
の臨界温度Ｔｃ力釈高温超伝導体であれば比較的高（、
Ｔｃ＝−１００°Ｃ前後のものを選択すれは、確実に動
作温度点を達成できる。 なお上記実施例において、絶縁体１６はサファイヤから
構成されているか、本発明はこれに限定されるものでな
く、該絶縁体１６は超伝導装置における基板となり得る
ものであればよい。 従って、例えばＭｇＯあるいは５ｒＴ１０３等の材料を
用いてもよい。 又上記実施例は、超伝導装置１８の基板である絶縁体１
６を一方からのみ冷却するようにしたものであるが、こ
れは、例えは第２図に示されるように、基板を兼ねた絶
縁体１６をその両側から一対のペルチエ素子１０によっ
て挾み込んで冷却するようにしてもよい。この場合、第
２の上側のペルチエ素子１０における絶縁体１６Ａは基
板とならない。 更に、第３図に示されるように、超伝導装置が多芯線１
８Ａの場合は、複数のペルチエ素子１０をその周囲に沿
って配置し、低温側の絶縁体１６を介して冷却するよう
にしてもよい６ 【考案の効果］ 本発明は上記のように構成したので、超伝導装置の大幅
な小型化及びそれによる取扱性の改善、を図ることがで
きると共に、ペルチエ素子はそれ自体で温度制御機能を
持つために、容易に動作温度点を選択できるという優れ
た効果を有する。
１０としてペルチエ効果を得られる半導体１２をＮ型、
Ｐ型、Ｎ型、・・・Ｐ型のように直列に並べ、隣接する
半導体１２の端部を低温側良導体１４Ａ及び高温側良導
体１４Ｂで接続し、ペルチエ素子を構成している。 このペルチエ素子１０に対して、その低温側の良導体１
４Ａに、例えばサファイヤからなる絶縁体１６を用い、
これを基板として薄膜ＳＱＵ Ｉ Ｄ等の超伝導装置１
８を構成したものである。 第１図において、ペルチエ素子１０の高温側の良導体１
４Ｂは絶縁体２０を介して放熱器２２に接触されている
。 図の符号２４は直流電源を示す。 この実施例においては、ペルチエ素子１０における低温
側の良導体１４Ａに、基板である絶縁体１６が直接接触
されているので、該基板は効率良く冷却される。 このとき、ペルチエ素子１０による冷却限界は１００
’Ｃ程度であるが、超伝導装置が超伝導状態になるため
の臨界温度Ｔｃ力釈高温超伝導体であれば比較的高（、
Ｔｃ＝−１００°Ｃ前後のものを選択すれは、確実に動
作温度点を達成できる。 なお上記実施例において、絶縁体１６はサファイヤから
構成されているか、本発明はこれに限定されるものでな
く、該絶縁体１６は超伝導装置における基板となり得る
ものであればよい。 従って、例えばＭｇＯあるいは５ｒＴ１０３等の材料を
用いてもよい。 又上記実施例は、超伝導装置１８の基板である絶縁体１
６を一方からのみ冷却するようにしたものであるが、こ
れは、例えは第２図に示されるように、基板を兼ねた絶
縁体１６をその両側から一対のペルチエ素子１０によっ
て挾み込んで冷却するようにしてもよい。この場合、第
２の上側のペルチエ素子１０における絶縁体１６Ａは基
板とならない。 更に、第３図に示されるように、超伝導装置が多芯線１
８Ａの場合は、複数のペルチエ素子１０をその周囲に沿
って配置し、低温側の絶縁体１６を介して冷却するよう
にしてもよい６ 【考案の効果］ 本発明は上記のように構成したので、超伝導装置の大幅
な小型化及びそれによる取扱性の改善、を図ることがで
きると共に、ペルチエ素子はそれ自体で温度制御機能を
持つために、容易に動作温度点を選択できるという優れ
た効果を有する。
第１図は本発明に係る超伝導装置の第１実施例を示す断
面図、第２図及び第３図は本発明の第２及び第３実施例
を示す断面図である。 ０・・・ペルチエ素子、 ２・・・半導体、 ４Ａ・・・低温側良導体、 ６・・・絶縁体、 ８・・・超伝導装置、 ８Ａ・・・多芯線（超伝導装置）。
面図、第２図及び第３図は本発明の第２及び第３実施例
を示す断面図である。 ０・・・ペルチエ素子、 ２・・・半導体、 ４Ａ・・・低温側良導体、 ６・・・絶縁体、 ８・・・超伝導装置、 ８Ａ・・・多芯線（超伝導装置）。
Claims (3)
- （１）ペルチエ素子の低温側絶縁体を基板としたことを
特徴とする超伝導装置。 - （２）請求項１において、基板が、並列されたペルチエ
素子の低温側の良導体に接触した状態で挾み込まれてな
る超伝導装置。 - （３）請求項１において、多芯線状の超伝導材料を、ペ
ルチエ素子の低温側良導体により取囲んでなる超伝導装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085250A JPH02265112A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 超伝導装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085250A JPH02265112A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 超伝導装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265112A true JPH02265112A (ja) | 1990-10-29 |
Family
ID=13853324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085250A Pending JPH02265112A (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 超伝導装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015508253A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-03-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 金属部材により熱化される共振空胴を有する超伝導量子回路 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123616A (en) * | 1981-01-26 | 1981-09-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Hollow superconductor |
| JPS63263751A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Hitachi Ltd | 超電導体用パツケ−ジ |
| JPS6464270A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Seiko Epson Corp | Computer |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1085250A patent/JPH02265112A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56123616A (en) * | 1981-01-26 | 1981-09-28 | Tokyo Shibaura Electric Co | Hollow superconductor |
| JPS63263751A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-10-31 | Hitachi Ltd | 超電導体用パツケ−ジ |
| JPS6464270A (en) * | 1987-09-03 | 1989-03-10 | Seiko Epson Corp | Computer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015508253A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-03-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 金属部材により熱化される共振空胴を有する超伝導量子回路 |
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