JPH02260510A - 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 - Google Patents
表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法Info
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- JPH02260510A JPH02260510A JP8177189A JP8177189A JPH02260510A JP H02260510 A JPH02260510 A JP H02260510A JP 8177189 A JP8177189 A JP 8177189A JP 8177189 A JP8177189 A JP 8177189A JP H02260510 A JPH02260510 A JP H02260510A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 21
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方
法に関する。
法に関する。
表面再酸化型半導体磁器コンデンサは、−膜内には、次
の工程により製造される。
の工程により製造される。
■ 例えば、ＢａＴｔＯｉを主成分とする原材料を混合
した後、バインダー等を添加して混練し、シート状に押
し出し成形し、得られたシートを打ち抜いて円板状の成
形体を得る。
した後、バインダー等を添加して混練し、シート状に押
し出し成形し、得られたシートを打ち抜いて円板状の成
形体を得る。
■ 上記成形体を複数枚重ねてサヤ詰めし、大気中で焼
成したのち、得られた焼結体を還元性雰囲気中で熱処理
して半導体磁器を得る。
成したのち、得られた焼結体を還元性雰囲気中で熱処理
して半導体磁器を得る。
■ 上記半導体磁器を、大気中で再び熱処理して表面を
再酸化し、表面再酸化型半導体磁器を得る。
再酸化し、表面再酸化型半導体磁器を得る。
■ 上記表面再酸化型半導体磁器の両主面の互いに対向
する位置に、それぞれＡｇ電極層を形成して表面再酸化
型半導体磁器コンデンサを得る。
する位置に、それぞれＡｇ電極層を形成して表面再酸化
型半導体磁器コンデンサを得る。
上記製造方法により製造される表面再酸化型半導体磁器
コンデンサにおいては、半導体磁器を再び大気中で熱処
理する際の該半導体磁器の表面への酸素供給の度合い及
び熱処理温度の条件等により、上記半導体磁器の表面層
部分での酸素拡散の度合が大きく異なり、これにより、
その静電容量Ｃ［ｎＦ］、誘電損失１■δ（％）、絶縁
抵抗ＩＲ（ＭＱ）等の特性が大きく影響変動する。
コンデンサにおいては、半導体磁器を再び大気中で熱処
理する際の該半導体磁器の表面への酸素供給の度合い及
び熱処理温度の条件等により、上記半導体磁器の表面層
部分での酸素拡散の度合が大きく異なり、これにより、
その静電容量Ｃ［ｎＦ］、誘電損失１■δ（％）、絶縁
抵抗ＩＲ（ＭＱ）等の特性が大きく影響変動する。
このような観点から従来は、酸素拡散の度合いが個々の
半導体磁器毎にばらつくことのないよう、アルミナ、あ
るいはジルコニア等の耐火物からなる焼成用サヤの上に
、直接あるいは上記耐火物からなるセッターを介して、
互いに重ならないように上記半導体磁器を平詰めしたの
ち、これらのサヤを複数段重ねて大気中で熱処理するの
が一般的であった。
半導体磁器毎にばらつくことのないよう、アルミナ、あ
るいはジルコニア等の耐火物からなる焼成用サヤの上に
、直接あるいは上記耐火物からなるセッターを介して、
互いに重ならないように上記半導体磁器を平詰めしたの
ち、これらのサヤを複数段重ねて大気中で熱処理するの
が一般的であった。
しかしながら、上記従来の製造方法では、耐火物製の焼
成用サヤあるいはセッターの上に、互いに重ならないよ
うに半導体磁器を平詰めして熱処理していたため、ひと
サヤ当たりに処理できる半導体磁器の数が少なく、熱効
率、処理効率ともに低かった。
成用サヤあるいはセッターの上に、互いに重ならないよ
うに半導体磁器を平詰めして熱処理していたため、ひと
サヤ当たりに処理できる半導体磁器の数が少なく、熱効
率、処理効率ともに低かった。
また、ひとサヤ当たりの処理量を増やすために、上記半
導体磁器を複数枚重ねて熱処理することも検討されてい
るが、半導体磁器毎に特性が大きくばらつき、誘電損失
の増加や、絶縁抵抗の低下が否めなかった。
導体磁器を複数枚重ねて熱処理することも検討されてい
るが、半導体磁器毎に特性が大きくばらつき、誘電損失
の増加や、絶縁抵抗の低下が否めなかった。
本発明の目的は、上記従来の問題点を解決して、特性バ
ラツキの増加１や特性の悪化等を生ずることなく、表面
再酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く得ることが可
能な製造方法を提供することにある。
ラツキの増加１や特性の悪化等を生ずることなく、表面
再酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く得ることが可
能な製造方法を提供することにある。
本発明は、半導体磁器の原材料を混合したのち成形して
得られた成形体を大気中で焼成し、還元性雰囲気中で熱
処理したのち再び大気中で熱処理して表面を再酸化し、
得られた表面再酸化型半導体磁器の表面に一対の電極層
を形成してなる表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製
造方法において、上記半導体磁器を再び大気中で熱処理
する際に、該熱処理しようとする半導体磁器と同一又は
それよりも大きいサイズの板状のスペーサーを準備し、
上記半導体磁器を上記スペーサーで挟むようにして上記
半導体磁器と上記スペーサーとを交互に重ね合せ、この
状態で熱処理することを特徴とするものである。
得られた成形体を大気中で焼成し、還元性雰囲気中で熱
処理したのち再び大気中で熱処理して表面を再酸化し、
得られた表面再酸化型半導体磁器の表面に一対の電極層
を形成してなる表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製
造方法において、上記半導体磁器を再び大気中で熱処理
する際に、該熱処理しようとする半導体磁器と同一又は
それよりも大きいサイズの板状のスペーサーを準備し、
上記半導体磁器を上記スペーサーで挟むようにして上記
半導体磁器と上記スペーサーとを交互に重ね合せ、この
状態で熱処理することを特徴とするものである。
なお、上記スペーサーは、アルミナ、ジルコニア、マグ
ネシア、あるいはこれらの混合組成物を焼成して得られ
た耐火物で形成することが望ましい。
ネシア、あるいはこれらの混合組成物を焼成して得られ
た耐火物で形成することが望ましい。
本発明の表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法
においては、上記したように、半導体磁器の両側面を上
記スペーサーで挟むようにして、上記半導体磁器と上記
スペーサーとを交互に重ね合せ、この状態で再酸化のた
めの熱処理を行なうようにしたので、各半導体磁器への
熱伝導および酸素拡散が均一に行われる。
においては、上記したように、半導体磁器の両側面を上
記スペーサーで挟むようにして、上記半導体磁器と上記
スペーサーとを交互に重ね合せ、この状態で再酸化のた
めの熱処理を行なうようにしたので、各半導体磁器への
熱伝導および酸素拡散が均一に行われる。
次に、本発明の表面再酸化型半導体磁器゛コンデンサの
実施例を比較例と共に説明する。
実施例を比較例と共に説明する。
先ず、Ｂ＊ＴｉＯｓ ９２ｍｏ１％、（Ｃ０２５ｍｏ
１％、Ｔｉ０２３＋＋＋ｏ Ｉ％、の組成比からなる半
導体磁器の原料粉末を混合し、バインダーとしてメチル
セルロース７ｖ１％と、可塑剤としてグリセリンの１０
Ｗ１％水溶液を添加し、０．６＋＊ｍの厚さのシート状
に押し出し成形した。次いで、上記シートを１０ｍ＋ｓ
φの円板形状に打ち抜き、得られた成形体をアルミナ磁
器製の焼成用サヤに詰めた後、大気中１３００℃で焼成
して焼結体を得た。次に、上記焼結体を再び焼成用サヤ
に詰め、Ｈ２１０マ０１％、Ｎ２９０マ０１％の還元雰
囲気中１０００℃で２時間熱処理し、半導体磁器を得た
。この後、上記で得られた半導体磁器を用いて、第１表
に示す実施例１〜４及び比較例１〜３の条件で再び大気
中、９００℃で、２時間熱処理して表面再酸化型半導体
磁器を得た。上記で得られた表面再酸化型半導体磁器の
両生面にそれぞれ６ｍ■φの円形にＡｇ電極材料ペース
トを塗布し、８００℃で１０分間焼き付は処理して表面
再酸化型半導体磁器コンデンサ試料を得た。
１％、Ｔｉ０２３＋＋＋ｏ Ｉ％、の組成比からなる半
導体磁器の原料粉末を混合し、バインダーとしてメチル
セルロース７ｖ１％と、可塑剤としてグリセリンの１０
Ｗ１％水溶液を添加し、０．６＋＊ｍの厚さのシート状
に押し出し成形した。次いで、上記シートを１０ｍ＋ｓ
φの円板形状に打ち抜き、得られた成形体をアルミナ磁
器製の焼成用サヤに詰めた後、大気中１３００℃で焼成
して焼結体を得た。次に、上記焼結体を再び焼成用サヤ
に詰め、Ｈ２１０マ０１％、Ｎ２９０マ０１％の還元雰
囲気中１０００℃で２時間熱処理し、半導体磁器を得た
。この後、上記で得られた半導体磁器を用いて、第１表
に示す実施例１〜４及び比較例１〜３の条件で再び大気
中、９００℃で、２時間熱処理して表面再酸化型半導体
磁器を得た。上記で得られた表面再酸化型半導体磁器の
両生面にそれぞれ６ｍ■φの円形にＡｇ電極材料ペース
トを塗布し、８００℃で１０分間焼き付は処理して表面
再酸化型半導体磁器コンデンサ試料を得た。
このようにして得られたコンデンサ試料各５００ ｇＩ
について、測定周波数１ｋＨ！、測定電圧０、ＩＶテ静
電容ｆｆ１ｃ（ｎＦ）、Ｈ電ｆａｔ 失１ ■６ ［％
］、および直流５０Ｖの電圧を１５秒印加した後の絶
縁抵抗ＩＲ［ＭＱ］を測定し、平均値ｉ、バラツキ（３
σ／ｉ）、およびひとサヤ当たりの処理量の比すなわち
処理能力比を求めて、その結果を第２表に示した。
について、測定周波数１ｋＨ！、測定電圧０、ＩＶテ静
電容ｆｆ１ｃ（ｎＦ）、Ｈ電ｆａｔ 失１ ■６ ［％
］、および直流５０Ｖの電圧を１５秒印加した後の絶
縁抵抗ＩＲ［ＭＱ］を測定し、平均値ｉ、バラツキ（３
σ／ｉ）、およびひとサヤ当たりの処理量の比すなわち
処理能力比を求めて、その結果を第２表に示した。
第２表に示される通り、本発明の実施例１〜４で得られ
た試料はいずれも、静電容量、誘電損失、絶縁抵抗とも
に比較例１に示す従来の平詰め方法による試料と同等の
特性を有し、また静電容量、誘電損失では、比較例２〜
３で得られた試料よりもバラツキが小さかった。また、
ひとサヤ当たりの処理量の点では、従来の平詰め方法に
比べて７倍以上の処理量であった。
た試料はいずれも、静電容量、誘電損失、絶縁抵抗とも
に比較例１に示す従来の平詰め方法による試料と同等の
特性を有し、また静電容量、誘電損失では、比較例２〜
３で得られた試料よりもバラツキが小さかった。また、
ひとサヤ当たりの処理量の点では、従来の平詰め方法に
比べて７倍以上の処理量であった。
上記実施例では、スペーサーとしてアルミナあるいはジ
ルコニアを用いたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、焼結可能な金属あるいは金属の酸化物、炭化物
、窒化物のうち、被熱処理物と同一組成のものを除けば
種々選択して用いることが可能である。
ルコニアを用いたが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、焼結可能な金属あるいは金属の酸化物、炭化物
、窒化物のうち、被熱処理物と同一組成のものを除けば
種々選択して用いることが可能である。
また、上記スペーサーの空隙率を調整することにより、
半導体磁器表面への酸素供給の度合を調整することも可
能である。
半導体磁器表面への酸素供給の度合を調整することも可
能である。
第１表
第２表
〔発明の効果〕
本発明によれば、上記実施例の結果に示される通り、特
性バラツキの増加や特性の悪化等を生ずることなく、表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く製造するこ
とができる。
性バラツキの増加や特性の悪化等を生ずることなく、表
面再酸化型半導体磁器コンデンサを効率良く製造するこ
とができる。
外３名
Claims (1)
- 半導体磁器の原材料を混合したのち成形し、得られた
成形体を大気中で焼成し、還元性雰囲気中で熱処理した
のち再び大気中で熱処理して表面を再酸化し、得られた
表面再酸化型半導体磁器の表面に一対の電極層を形成し
てなる表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法に
おいて、前記半導体磁器を再び大気中で熱処理する際に
、該半導体磁器と同一又はそれよりも大きいサイズの板
状のスペーサーを準備し、前記半導体磁器を上記スペー
サーで挟むようにして前記半導体磁器と前記スペーサー
とを交互に重ね合せ、この状態で熱処理することを特徴
とする表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177189A JPH02260510A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177189A JPH02260510A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260510A true JPH02260510A (ja) | 1990-10-23 |
| JPH0524648B2 JPH0524648B2 (ja) | 1993-04-08 |
Family
ID=13755735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8177189A Granted JPH02260510A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 表面再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260510A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
| CN114394415A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-26 | 赤壁市万皇智能设备有限公司 | 一种基于agv自动搬运系统的fpc自动化生产线 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8177189A patent/JPH02260510A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6984355B2 (en) * | 1999-11-02 | 2006-01-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconducting ceramic material, process for producing the ceramic material, and thermistor |
| CN114394415A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-26 | 赤壁市万皇智能设备有限公司 | 一种基于agv自动搬运系统的fpc自动化生产线 |
| CN114394415B (zh) * | 2021-12-28 | 2023-12-12 | 赤壁市万皇智能设备有限公司 | 一种基于agv自动搬运系统的fpc自动化生产线 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0524648B2 (ja) | 1993-04-08 |
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