JPH0224047B2 - - Google Patents

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JPH0224047B2
JPH0224047B2 JP3417079A JP3417079A JPH0224047B2 JP H0224047 B2 JPH0224047 B2 JP H0224047B2 JP 3417079 A JP3417079 A JP 3417079A JP 3417079 A JP3417079 A JP 3417079A JP H0224047 B2 JPH0224047 B2 JP H0224047B2
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JP
Japan
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film
coil
delay line
dielectric material
coils
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JP3417079A
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Japanese (ja)
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JPS55125712A (en
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Tee Shii Chen Suchiibun
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Hull Corp
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Hull Corp
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Application filed by Hull Corp filed Critical Hull Corp
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  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電気的遅延線、特にハイブリツド回路
応用に適した超小型遅延線に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to electrical delay lines, particularly microminiature delay lines suitable for hybrid circuit applications.

市場においては、標準的なジユアル.イン.ラ
イン集積回路パツケージの形式になつている多く
の電気的遅延線が利用できる。しかし、ハイブリ
ツド回路用に適したチツプ型の遅延線はない。
In the market, the standard regular. in. Many electrical delay lines are available in the form of line integrated circuit packages. However, there are no chip-based delay lines suitable for hybrid circuits.

本発明の基本的な概念においては、少なくとも
1対の直列接続超小型インダクタンスコイルが誘
電物質のフイルム間に挿入されており、前記物質
はパーマロイまたは他の高透磁率のフイルム間に
挿入されており、後者のフイルムのうちの1つは
インダクタンスコイルを横切つて延長しており、
かつ各コイルで中断され各コイルの中央軸でギヤ
ツプを形成しているストリツプを形成している電
気的遅延線を提供している。
The basic concept of the invention is that at least one pair of series-connected microinductance coils is inserted between films of dielectric material, said material being inserted between films of permalloy or other high magnetic permeability. , one of the latter films extends across the inductance coil,
and provides an electrical delay line forming a strip interrupted at each coil and forming a gap at the central axis of each coil.

本発明の主な目的が達成されるのは前記基本概
念によるものであり、すなわち、ハイブリツド回
路用途に適した超小型電気的遅延線を提供するも
のにある。
It is in accordance with the basic concept that the main object of the invention is achieved, namely to provide a microminiature electrical delay line suitable for hybrid circuit applications.

本発明の他の目的は、経済的に製造する簡素な
構成となつている前記種類の遅延線を提供するも
のである。
Another object of the invention is to provide a delay line of the above type which is of simple construction and is economical to manufacture.

本発明の上記ならびに他の目的および利点は、
良好な実施例についての添付図面に関連して下記
の詳細な記載から明らかになるであろう。
The above and other objects and advantages of the present invention include:
The preferred embodiments will become apparent from the detailed description below in conjunction with the accompanying drawings.

第5図に示すように、本発明の遅延線は、誘導
m形フイルタを利用するが、そのセクシヨンは一
対の直列接続インダクタンスコイル8(第1〜4
図)を備えており、それぞれがインダクタンス
L1をもちかつその間で相互インダクタンスMお
よび分岐キヤパシタンスC1をもつている。この
遅延線は、所望によりそのようなセクシヨンをい
かなる数でも備えることができるが、許容されう
る減衰または損失によつてのみ制限される。
As shown in FIG. 5, the delay line of the present invention utilizes an inductive m-type filter, the section of which consists of a pair of series-connected inductance coils 8 (first to fourth
), each with an inductance
L 1 and between them a mutual inductance M and a branch capacitance C 1 . The delay line can include any number of such sections as desired, limited only by the tolerable attenuation or loss.

本発明によれば、遅延線はクオーツ(石英)、
ガラスまたは他の誘電物質など、好ましくは後ほ
ど述べるような遅延線要素の薄膜処理に適した物
質でできた基板10で組立てられ支持される。本
発明のために、薄膜処理はプリント回路技術のみ
ならず蒸着技術による処理も含まれると理解され
たい。これらの中でも好ましいものは、米国特許
第3785046号に記載の蒸着方法である。この技術
によつて、種々のフイルムはマスク手段により適
用されるが前記マスクは、導電金属および誘電物
質の蒸着が行なわれる領域の形状を示している。
According to the invention, the delay line is made of quartz,
It is constructed and supported by a substrate 10 preferably made of a material suitable for thin film processing of delay line elements as described below, such as glass or other dielectric material. For purposes of the present invention, thin film processing is understood to include processing by vapor deposition techniques as well as printed circuit techniques. Preferred among these is the deposition method described in US Pat. No. 3,785,046. According to this technique, various films are applied by means of a mask, said mask indicating the shape of the areas where the conductive metal and dielectric material deposition is to take place.

図示のように、パーマロイ、ミユーメタルまた
は他の適当な高透磁率の金属のフイルム12が基
板10の1つの全面に設けられ、一体に固着され
る。このフイルムは磁路の帰路として働きかつ遅
延線のキヤパシタンス用のアース面として働く。
このフイルムの適正な厚さは約5000オングストロ
ームである。
As shown, a film 12 of Permalloy, Mumetal, or other suitable high permeability metal is provided over one surface of the substrate 10 and affixed thereto. This film acts as a return path for the magnetic path and as a ground plane for the capacitance of the delay line.
A suitable thickness for this film is approximately 5000 angstroms.

高透磁率金属のフイルム12の全領域に設けら
れ一体に固着されるものは、二酸化シリコン、亜
硝酸塩シリコンクオーツ、または他の適正な誘電
物質のフイルム14である。下記に述べるよう
に、このフイルムの厚さは変えることができる。
Overlapping and affixed to the entire area of the high permeability metal film 12 is a film 14 of silicon dioxide, silicon nitrite, or other suitable dielectric material. The thickness of this film can vary, as discussed below.

次に、一対の電導端子16と18は基板の1面
に隣接して誘電体フイルム14上に設けられる
が、これは遅延線を関連したハイブリツド回路に
接続するのに用いる。所望により、これらの端末
は基板10の裏側まで延長することができ前記裏
側のハイブリツド回路の取付架を収容している。
高透磁性金属基板12は遅延線からのハイブリツ
ド回路を効果的に絶縁するような働きをする。
A pair of conductive terminals 16 and 18 are then provided on the dielectric film 14 adjacent one side of the substrate, which are used to connect the delay line to the associated hybrid circuit. If desired, these terminals can extend to the back side of the board 10 to accommodate mounting racks for hybrid circuits on that back side.
The highly permeable metal substrate 12 serves to effectively isolate the hybrid circuit from the delay line.

次に、少なくとも一対の超小型インダクタンス
コイル8が取付けられ、誘電体層14へ一体に固
着される。第4図に示すように、10個のこのよう
なインダクタンスコイルが2行にして基板上に間
隔をとつて設けられている。
Next, at least one pair of micro inductance coils 8 are attached and fixed together to the dielectric layer 14. As shown in FIG. 4, ten such inductance coils are provided in two rows spaced apart on the substrate.

第3図には、各コイルが示されており、それぞ
れ導電金属フイルムの複数の重畳同軸巻線20を
備え、隣接した巻線は誘電物質の介在したフイル
ム22によつて互に電気的に絶縁している。最も
内側および最も外側の巻線は反対方向でかつ横方
向に延長され終端子24と25となつている。
Each coil is shown in FIG. 3, each comprising a plurality of superimposed coaxial windings 20 of conductive metal film, with adjacent windings electrically insulated from each other by intervening films 22 of dielectric material. are doing. The innermost and outermost windings extend in opposite directions and laterally into terminators 24 and 25.

遅延線を形成しているインダクタンスコイル8
のすべてのうち、第4図に示したように10個は同
時に形成されるが、適正に構成したマスクによつ
て所望のパターンで間隔がおかれている。第6〜
15図は第3図に示すインダクタンスコイルの形
成に用いられる順序ステツプを図解的に示してい
る。したがつて、第1のマスクは最初の導電コイ
ルの巻線セグメント30の蒸着を行なうために利
用される。図示の実施例においては、上記セグメ
ントは横方向に突出している端子24を備え、そ
の一部は、終端子16,18のうちの1つ、例え
ば端子18の一部に設けてある。
Inductance coil 8 forming a delay line
Of all of these, ten are formed simultaneously, as shown in FIG. 4, but spaced in the desired pattern by a properly constructed mask. 6th~
FIG. 15 schematically shows the sequential steps used to form the inductance coil shown in FIG. The first mask is therefore utilized to perform the deposition of the winding segment 30 of the first conductive coil. In the illustrated embodiment, the segment comprises a laterally projecting terminal 24, a portion of which is provided on one of the termination terminals 16, 18, for example on a portion of terminal 18.

次に、適正なマスキングによつて、クオーツの
フイルムまたは他の適正な誘電物質32がセグメ
ント30の中間部にわたつて蒸着され、次の導電
巻線セグメント34(第7図)の立下り端子の導
電接続のために露出されたセグメントの立上り端
子を残している。
Next, with appropriate masking, a quartz film or other suitable dielectric material 32 is deposited across the middle of segment 30 and at the falling terminal of the next conductive winding segment 34 (FIG. 7). Leaving the rising terminals of the segments exposed for conductive connections.

次に、誘電フイルム36の第2の処理は導電セ
グメント34の立下り部に行なわれる。上記の処
理を与えているマスクは、第1の誘電処理部32
を行なつているマスクと実質的に同じであり、パ
ターンが180゜回転して下方の導電セグメント34
の立上り端子を露出し後続の導伝セグメント38
の立下り端子へ導電接続するようにしている。後
者のセグメントの形状は次に続く導電セグメント
34の形状と実質的に同じであるが、明らかなよ
うに180゜回転している。
A second treatment of dielectric film 36 is then performed on the trailing edge of conductive segment 34. The mask giving the above processing is the first dielectric processing section 32
The pattern is rotated 180° to expose the lower conductive segment 34.
exposing the rising terminal of the subsequent conductive segment 38
A conductive connection is made to the falling terminal of the terminal. The shape of the latter segment is substantially the same as the shape of the subsequent conductive segment 34, but apparently rotated 180 DEG.

後続の誘電フイルム40,44,48,52,
56,60および64と導電セグメント42,4
6,50,54,58,および62は交互に設け
られており(第9図〜第14図)、誘電フイルム
および下記する導電フイルムセグメントの処理を
行なつたマスクを利用し、各インダクタンスコイ
ル8に対する所望数の巻線を完了している。第6
図〜第15図に示す実施例においては、シーケン
スによつて導電金属の41/2巻数処理が行なわれ、 各巻線は誘電体物質の介在されたフイルムによつ
て互に電気的に分離されている。
Subsequent dielectric films 40, 44, 48, 52,
56, 60 and 64 and conductive segments 42, 4
6, 50, 54, 58, and 62 are provided alternately (FIGS. 9 to 14), and each inductance coil 8 is The desired number of windings have been completed. 6th
In the embodiment shown in Figures 1-15, a sequence of 41/2 turns of conductive metal is carried out, each winding being electrically separated from each other by a film interposed with dielectric material. There is.

コイルは最後の導電性巻線セグメント66およ
び開始端子24に対抗する集積された端子26の
付加により完成される。第15図に示すように、
第1の巻線セグメント30に設けられ、かつ端子
24に接続されているが180゜回転したマスクのも
のと同じ形状の開口をもつマスクを利用すること
によつて達成される。第4図に示す遅延線を採用
するような、10個の間隔をとつたインダクタンス
コイルが設けられる場合においては、第6図〜第
15図に示すシーケンスを述べる際に参照したマ
スクは10個のインダクタンスコイルの導入に要求
される同じ処理に必要な形をした開口を含む。
The coil is completed by the addition of a final conductive winding segment 66 and an integrated terminal 26 opposite the starting terminal 24. As shown in Figure 15,
This is achieved by utilizing a mask having an opening of the same shape as that of the mask provided in the first winding segment 30 and connected to the terminal 24 but rotated 180 degrees. In the case where 10 spaced inductance coils are provided, as in the case where the delay line shown in Fig. 4 is employed, the masks referred to when describing the sequences shown in Figs. It contains an opening shaped as required for the same treatment required for the introduction of an inductance coil.

最後のインダクタンスコイル8の端子26は最
初のコイルと対抗しているが、一対の端子16と
18の第2のもの、例えば後で理解されるよう
に、誘電フイルム14に最初に設けた端子16と
導電係合し、オーバーラツプ状態で設けられてい
る。隣接したコイル8の対立する端子24,26
は、導電金属フイルム、例えばアルミニウム、
金、または他の適当な金属のリンク68によつて
電気的に相互接続される。
The terminal 26 of the last inductance coil 8 is opposite the first coil, but the second of the pair of terminals 16 and 18, for example the terminal 16 initially provided in the dielectric film 14, as will be seen later. and are provided in electrically conductive engagement with and in an overlapping state. Opposing terminals 24, 26 of adjacent coils 8
is a conductive metal film, such as aluminum,
They are electrically interconnected by links 68 of gold or other suitable metal.

次に、二酸化シリコン、クオーツまたは他の適
当な誘電物質の第2のフイルム70は、相互接続
リンク68および誘電物質でできた隣接した第1
のフイルム14のみならず、直列接続インダクタ
ンスコイル8に設けられる。このフイルム70
は、第4図に示すように、端子16と18に届か
ずに終つている。
Next, a second film 70 of silicon dioxide, quartz or other suitable dielectric material is applied to interconnect links 68 and adjacent first films of dielectric material.
It is provided not only in the film 14 but also in the series-connected inductance coil 8. This film 70
As shown in FIG. 4, the terminals 16 and 18 are not reached.

最後に、パーマロイまたは他の高透磁率金属の
細長片72がフイルムとして設けられるが、これ
は好ましくは約5000オングストロームの厚さとな
つており、誘電物質の第2の層70を被つてお
り、直列接続コイル8の中心線に沿つて延長して
いる。高透磁率金属のこの狭い片は各コイルで中
断され、各コイルの軸で前記中心線上でギヤツプ
(溝)74を形成している。コイルの巻線は、基
板10の支持面に垂直に設けられた前記中心線の
まわりに同軸的に互に重ねられていることに注意
されたい。
Finally, a strip 72 of permalloy or other high permeability metal is provided as a film, preferably about 5000 angstroms thick, overlying the second layer 70 of dielectric material and in series. It extends along the center line of the connection coil 8. This narrow strip of high permeability metal is interrupted at each coil, forming a gap 74 on the centerline with the axis of each coil. It should be noted that the windings of the coil are coaxially stacked on top of each other about the centerline, which is perpendicular to the support surface of the substrate 10.

隣接したインダクタンスコイルの中心間に延長
するパーマロイまたは他の高透磁率片(ピース)
72は、必要な相互インダクタンスMを与えるた
めにコイルの下にある高透磁率金属のフイルム1
2と協働している。片72の巾とコイルの中心で
ギヤツプ74の長さを変化させることによつて相
互インダクタンスの所望の値が得られる。誘電層
14と70の厚さも、相互インダクタンスに影響
を与えている。
Permalloy or other high permeability piece extending between the centers of adjacent inductance coils
72 is a high permeability metal film 1 under the coil to provide the necessary mutual inductance M.
We are collaborating with 2. By varying the width of strip 72 and the length of gap 74 at the center of the coil, the desired value of mutual inductance can be obtained. The thickness of dielectric layers 14 and 70 also affects mutual inductance.

遅延線のセクシヨン当りのキヤパシタンスC1
は、一対の隣接したインダクタンスコイルの対立
する端子を相互接続しているリンク68および端
子24,26の領域を含む高透磁率金属基板面1
2とインダクタンスコイルの下側との間のキヤパ
シタンスによつて与えられる。このキヤパシタン
スは、基板面と導電リンク68の領域の上の誘電
層14の厚さを変えることによつて、変化させる
ことができる。
Capacitance per section of delay line C 1
is a high permeability metal substrate surface 1 that includes a region of links 68 and terminals 24, 26 interconnecting opposing terminals of a pair of adjacent inductance coils.
2 and the underside of the inductance coil. This capacitance can be varied by varying the thickness of dielectric layer 14 over the substrate surface and the area of conductive link 68.

下記のものは、代表的な遅延線を示す。フイル
タのインダクタンスL1は45nHであると仮定する。
特性インピーダンスZ0をもつm駆動フイルタに対
しては、L1、C1、Z0の関係は下記の通りである。
The following shows a typical delay line. Assume that the filter inductance L 1 is 45 nH.
For an m-driven filter with characteristic impedance Z 0 , the relationship between L 1 , C 1 , and Z 0 is as follows.

Z0=√ L1=0.515L、C1=1.26C、M=0.234L 但しLとCは一定Kフイルタのセクシヨン当り
のインダクタンスおよびキヤパシタンスである。
Z0の値を100オームとすると、 C1=1.27L/Z02=11.1pf となる。
Z 0 =√ L 1 =0.515L, C 1 =1.26C, M=0.234L where L and C are the inductance and capacitance per section of the constant K filter.
If the value of Z 0 is 100 ohms, then C 1 =1.27L/Z 02 =11.1pf.

フイルタの1セクシヨン以上が直接に接続され
必要な遅延時間を得る場合には、いずれものイン
ダクタンスコイル8は、直列回路網の各終端での
ものを除いて、2L1のインダクタンス値となる。
したがつて、2つの終端のものを除いてすべての
インダクタンスコイルは90nbのインダクタンス
をもたなければならず、2つの終端のものは、そ
れぞれ45nbのインダクタンスとなる。
If more than one section of the filter is connected directly to obtain the necessary delay time, all inductance coils 8, except at each end of the series network, have an inductance value of 2L 1 .
Therefore, all inductance coils must have an inductance of 90nb except for the two ends, which each have an inductance of 45nb.

先に述べたように、パーマロイまたは他の高透
磁率金属の磁気片72およびフイルム12は2つ
の隣接したコイル間で相互結合を与えている。こ
れらのものは各コイルの自己インダクタンスを高
めている。磁気片72の幅とギヤツプ74の長さ
を適正に選択することによつて、相互インダクタ
ンスと自己インダクタンスが独立して変化でき
る。したがつて、製造を容易にするために、全て
のコイルに対して同じ数の巻線をもたせることが
可能となる。磁気的な強化(エンハンスメント)
の程度を変えることによつて、終端コイルは他の
コイル2L1のインダクタンスの半分L1をもたせ
ることができる。このことは容易に達成される、
というのは複数の終端コイルは、両者を連結して
いるただ1つの磁気片を有しているのであつて、
他のコイルに対して2つの磁気片とはなつていな
い。
As previously mentioned, magnetic strips 72 and film 12 of permalloy or other high permeability metal provide mutual coupling between two adjacent coils. These things increase the self-inductance of each coil. By properly selecting the width of the magnetic strip 72 and the length of the gap 74, the mutual and self inductances can be varied independently. It is therefore possible to have the same number of windings for all coils for ease of manufacture. magnetic enhancement
By changing the degree of , the termination coil can have half the inductance L 1 of the other coil 2L 1 . This is easily achieved,
This is because the terminating coils have only one magnetic piece connecting them.
The two magnetic pieces are not aligned with the other coils.

ここでリンク68の幅は端子24と26と同じ
であると仮定する。それらは第1図では簡素化の
ために狭く示されている。コイルの全面積A1は、
端子およびリンクは二酸化シリコンの誘電層14
に直接にわたつているが、1.180平方ミリ、すな
わち7.61×10-3cm2であり、かつ誘電層14のわた
つているが第1の半巻線30(第7図)となつて
いない第2の半巻線34の一部の面積A2は面積
ABCDEとし、150平方ミリ、すなわち0.967×
10-3cm2となる。したがつて、セクシヨン当りの必
要なキヤパシタンスは C1=0.08842K(A1/d1+A2/d1+d2)=11.1pf となる。但し、Kは二酸化シリコンの誘電係数で
あり、その値は6であるとする。d1は基板面12
上の二酸化シリコン層14の厚さであり、d2はコ
イルの巻線間の二酸化シリコン部の厚さ5×10-4
cm2である。
Assume here that link 68 has the same width as terminals 24 and 26. They are shown narrowly in FIG. 1 for simplicity. The total area of the coil A1 is
The terminals and links are made of a dielectric layer 14 of silicon dioxide.
The second half winding 30 (FIG. 7), which extends directly across the dielectric layer 14 but is 1.180 square millimeters, or 7.61×10 -3 cm 2 , and which extends directly across the dielectric layer 14 but does not form the first half winding 30 (FIG. 7) The area of part of the half winding 34 A 2 is the area
Let ABCDE be 150 square mm, i.e. 0.967×
10 -3 cm 2 . Therefore, the required capacitance per section is C 1 =0.08842K (A 1 /d 1 +A 2 /d 1 +d 2 ) = 11.1 pf. However, K is the dielectric coefficient of silicon dioxide, and its value is assumed to be 6. d 1 is the board surface 12
is the thickness of the upper silicon dioxide layer 14, and d2 is the thickness of the silicon dioxide part between the turns of the coil, 5×10 -4
cm2 .

A2はA1よりも小さいのでかつ二次方程式を解
くのを避けると、d1の近似値が下記の式より得ら
れる、すなわち d1=0.08842KA1+A2/C1=41.000オングストローム このことから、1セクシヨン当りの遅延時間は t1=1.20、 LC=1.049ns となる。
Since A 2 is smaller than A 1 and avoiding solving the quadratic equation, the approximate value of d 1 can be obtained from the following formula: d 1 = 0.08842KA 1 + A 2 /C 1 = 41.000 Angstroms Therefore, the delay time per section is t 1 = 1.20 and LC = 1.049 ns.

したがつて、9nsの全遅延時間を与えるために
は、遅延線のセクシヨンの総数は9となる。第4
図に示すように、これはチツプ上にそれぞれ5個
のインダクタを2行にして10個の超小型インダク
タンスコイルを配置することによつて設けられる
が前記チツプは約1センチの長さで幅は1/4セン
チである。
Therefore, to provide a total delay time of 9 ns, the total number of sections of the delay line would be 9. Fourth
As shown in the figure, this is provided by placing 10 micro inductance coils in two rows of 5 inductors each on a chip, which is approximately 1 cm long and wide. It is 1/4 centimeter.

前記した点から、本発明はハイブリツド回路用
に適した経済的に製造するための簡素化された構
造の超小型遅延線を提供するものであり、該遅延
線においては、セクシヨン当りの相互インピーダ
ンスおよびキヤパシタンスの値は製造中に構成要
素の物理的な寸法を変えることで必要に応じて変
化させることができることが判る。
In view of the foregoing, the present invention provides a microminiaturized delay line of simplified construction for economical manufacture suitable for hybrid circuit applications, in which the mutual impedance per section and It will be appreciated that the value of capacitance can be varied as desired by changing the physical dimensions of the components during manufacturing.

上記した構成要素の大きさ、形状、形式、数お
よび配列において種々の変更が本発明の精神から
逸脱せずに行ないうることは当業者においては明
らかであろう。
It will be apparent to those skilled in the art that various changes may be made in the size, shape, type, number and arrangement of the components described above without departing from the spirit of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の特徴を具体化している電気的
遅延線の拡大した規模の部分平面図、第2図は第
1図の線2−2からの部分断面図、第3図は上記
遅延線の一部を形成しているインダクタンスコイ
ルの良好な構成を拡大した断面図、第4図は本発
明の特徴を具体化しているチツプ形式における遅
延線の平面図、第5図は本発明の遅延線に用いら
れる誘導m型フイルタについての中間数のセクシ
ヨンの図解、第6図〜第15図は第3図に示すイ
ンダクタンスコイルの形成における良好なシーケ
ンスステツプを図解して示す平面図をそれぞれ示
す。 8はコイル、24,26は端子、68は相互接
続リンク、72は細長片(ストリツプ)、74は
ギヤツプを示す。
1 is an enlarged partial plan view of an electrical delay line embodying features of the present invention; FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken from line 2--2 of FIG. 1; and FIG. FIG. 4 is a plan view of a delay line in chip form embodying the features of the invention; FIG. FIGS. 6 to 15 each show a plan view illustrating a good sequence of steps in the formation of the inductance coil shown in FIG. 3; . 8 is a coil, 24 and 26 are terminals, 68 is an interconnection link, 72 is a strip, and 74 is a gap.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 a) 高透磁率金属の第1のフイルム12
と、 b) 高透磁率金属の第1のフイルムの上に設け
られかつ固着された誘電物質の第1のフイルム
14と、 c) 上記誘電物質の第1のフイルムの上に垂直
に設けられ固着された複数の直列接続超小型イ
ンダクタンスコイル8と、 d) 上記インダクタンスコイルの上に設けられ
かつ固着された誘電物質の第2のフイルム70
と、および e) 上記誘電物質の第2のフイルム上に設けら
れかつ固着されておりかつ上記複数の直列接続
超小型インダクタンスコイルの各中心線を結ぶ
線上に沿つて延長している狭い片の高透磁率金
属の第2のフイルム72を有し、該第2のフイ
ルムは該各コイルの中心線上でギヤツプ74を
形成するために該各コイル上で中断されるよう
に集積されたセクシヨンを備えた超小型電気遅
延線。 2 誘電物質の基板10が上記高透磁率金属の第
1のフイルム12の下に設けられ固着されている
特許請求の範囲第1項記載の超小型電気遅延線。 3 上記複数の各コイル8は一列に間隔を置かれ
て配置されると共に上記基板の面に垂直に延長し
ている前記ギヤツプ74上の中心線を中心に上記
列上で上記コイルから反対方向に延長している対
向端子24,26とを有し、かつ導電金属68が
隣接したコイルの対向端子を接続している特許請
求の範囲第2項記載の超小型電気遅延線。 4 上記基板10はクオーツであり、高透磁率金
属のフイルム12はパーマロイであり、かつ誘電
物質フイルム14は二酸化シリコンである特許請
求の範囲第2項記載の超小型電気遅延線。
[Claims] 1 a) First film 12 of high magnetic permeability metal
b) a first film 14 of dielectric material disposed on and affixed to a first film of high permeability metal; and c) perpendicularly disposed on and affixed to said first film of dielectric material. a plurality of series-connected micro inductance coils 8; and d) a second film 70 of dielectric material provided and fixed on the inductance coils.
and e) the height of a narrow strip provided on and affixed to the second film of dielectric material and extending along a line connecting the centerlines of each of the series-connected microinductance coils. a second film 72 of magnetically permeable metal with integrated sections interrupted on each coil to form a gap 74 on the centerline of each coil; Ultra-compact electric delay line. 2. Microminiature electric delay line according to claim 1, wherein a substrate 10 of dielectric material is provided and fixed under the first film 12 of high magnetic permeability metal. 3. Each of the plurality of coils 8 is spaced apart in a row and extends in an opposite direction from the coil on the row about a centerline on the gap 74 extending perpendicularly to the plane of the substrate. 3. A microelectric delay line as claimed in claim 2, having opposing terminals 24, 26 that extend, and a conductive metal 68 connecting the opposing terminals of adjacent coils. 4. The micro electric delay line according to claim 2, wherein the substrate 10 is quartz, the high magnetic permeability metal film 12 is permalloy, and the dielectric film 14 is silicon dioxide.
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