JPH0223679A - 磁気抵抗効果型素子 - Google Patents
磁気抵抗効果型素子Info
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- JPH0223679A JPH0223679A JP63174740A JP17474088A JPH0223679A JP H0223679 A JPH0223679 A JP H0223679A JP 63174740 A JP63174740 A JP 63174740A JP 17474088 A JP17474088 A JP 17474088A JP H0223679 A JPH0223679 A JP H0223679A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気抵抗効果を利用した磁界センサに係わり、
特に磁界検出用センサ、磁気ヘッドに好適な磁気抵抗効
果型素子に関する。
特に磁界検出用センサ、磁気ヘッドに好適な磁気抵抗効
果型素子に関する。
(従来の技術)
周知のように、磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果型
素子は高感度で比較的大きな出力が得られるため、磁界
センサ、磁気ヘッドとして広く利用されている。このよ
うな磁界センサ、磁気ヘッドにおいては感度を高めるた
め及び線形応答に近づけるためにバイアスとして直流磁
界を印加している。従来、磁気抵抗効果型素子には2%
程度の磁気抵抗変化率を示し、膜の磁化のし易さの目安
となる異方性磁界が50e程度と小さくバイアスががが
り易いパーマロイ合金薄膜が広く用いられている。
素子は高感度で比較的大きな出力が得られるため、磁界
センサ、磁気ヘッドとして広く利用されている。このよ
うな磁界センサ、磁気ヘッドにおいては感度を高めるた
め及び線形応答に近づけるためにバイアスとして直流磁
界を印加している。従来、磁気抵抗効果型素子には2%
程度の磁気抵抗変化率を示し、膜の磁化のし易さの目安
となる異方性磁界が50e程度と小さくバイアスががが
り易いパーマロイ合金薄膜が広く用いられている。
(発明が解決しようとする課題)
しかし、パーマロイ合金薄膜の磁気抵抗変化率は微弱な
磁界を測定するためには充分ではなく、磁界センサ、磁
気ヘッドの感度を高めるためにはさらに磁気抵抗変化率
の大きい材料が必要である。このような材料に一つとし
て、NiCo合金薄膜は4%程度の大きな磁気抵抗変化
率を示しくフジツウサイエンスアンドテクニカルジャー
ナル、FujituScience and Tech
nical Journal 、 1974年、123
ページ)注目されている。しかしながら、NiCo合金
薄膜の異方性磁界は200e以上とパーマロイに比べて
太きいため、直流バイアス磁界がかかりにくいという問
題点があった。
磁界を測定するためには充分ではなく、磁界センサ、磁
気ヘッドの感度を高めるためにはさらに磁気抵抗変化率
の大きい材料が必要である。このような材料に一つとし
て、NiCo合金薄膜は4%程度の大きな磁気抵抗変化
率を示しくフジツウサイエンスアンドテクニカルジャー
ナル、FujituScience and Tech
nical Journal 、 1974年、123
ページ)注目されている。しかしながら、NiCo合金
薄膜の異方性磁界は200e以上とパーマロイに比べて
太きいため、直流バイアス磁界がかかりにくいという問
題点があった。
本発明の目的は上記従来技術の欠点をなくし、磁気抵抗
変化率が大きくしかも異方性磁界の小さい、高感度な磁
気抵抗変化型素子を提供することにある。
変化率が大きくしかも異方性磁界の小さい、高感度な磁
気抵抗変化型素子を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
上記問題点を解決するために、本発明では非磁性基板上
にFeまたはFeを主成分とする第1の強磁性金属薄膜
と、NiまたはNiを主成分とする第2の強磁性金属薄
膜とを交互に積層した多層膜を用いる。
にFeまたはFeを主成分とする第1の強磁性金属薄膜
と、NiまたはNiを主成分とする第2の強磁性金属薄
膜とを交互に積層した多層膜を用いる。
この時、第1の強磁性金属薄膜と第2の強張磁性金属薄
膜との積層周期が50Å以上200Å以下とすると特に
良好な特性が得られる。
膜との積層周期が50Å以上200Å以下とすると特に
良好な特性が得られる。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
第1図は本発明の磁気抵抗効果素子の一例を示す部分断
面構造図である。非磁性基板1と、その上に交互に積層
されたFeまたはFeを主成分とする強磁性層2とNi
またはNiを主成分とする強磁性層3との多層構造体を
含む。第1図では基板上にまずFe層を形成し、次にN
i層を形成し最後の層もNi層で終わるように記しであ
るが、本発明の磁気抵抗変化型素子の特性はこれらの層
の積層順序には依らない。
面構造図である。非磁性基板1と、その上に交互に積層
されたFeまたはFeを主成分とする強磁性層2とNi
またはNiを主成分とする強磁性層3との多層構造体を
含む。第1図では基板上にまずFe層を形成し、次にN
i層を形成し最後の層もNi層で終わるように記しであ
るが、本発明の磁気抵抗変化型素子の特性はこれらの層
の積層順序には依らない。
本発明に係わる非磁性基板1の材料にはガラス、5i1
A1□03、TiC,SiC,Al□03とTiCとの
焼結体、フェライト等を用いることが出来、また第1の
強磁性層2にはFeまたはFe−Co、 Fe−Ni、
Fe−Ti、 Fe−8i、Fe−C等の強磁性合金
、あるいはこれらに添加物を加えたものを用いることが
出来る。また、本発明に係わる第2の強磁性層3の材料
としてはNiまたはNi−Fe、 Ni−Co等の強磁
性合金、あるいはこれらに添加物を加えたものを用いる
ことが出来る。
A1□03、TiC,SiC,Al□03とTiCとの
焼結体、フェライト等を用いることが出来、また第1の
強磁性層2にはFeまたはFe−Co、 Fe−Ni、
Fe−Ti、 Fe−8i、Fe−C等の強磁性合金
、あるいはこれらに添加物を加えたものを用いることが
出来る。また、本発明に係わる第2の強磁性層3の材料
としてはNiまたはNi−Fe、 Ni−Co等の強磁
性合金、あるいはこれらに添加物を加えたものを用いる
ことが出来る。
上記の第1の強磁性材料と第2の強磁性材料とを2基の
蒸発源を持つ真空蒸着装置、もしくは2基のターゲット
を持つスパッタリング装置で蒸発させ、2基の蒸発源の
シャッターを交互に開閉したり、あるいは基板を2基の
蒸発源上を交互に通過させることによって、基板上に2
種類の材料を交互に積層させることが出来る。
蒸発源を持つ真空蒸着装置、もしくは2基のターゲット
を持つスパッタリング装置で蒸発させ、2基の蒸発源の
シャッターを交互に開閉したり、あるいは基板を2基の
蒸発源上を交互に通過させることによって、基板上に2
種類の材料を交互に積層させることが出来る。
(実施例)
以下に本発明の詳細を実施例により説明する。
2基のターゲットを用いたArガス中でのrfマグネト
ロンスパッタリングにより、200°Cに保持したサフ
ァイア基板上にFe層とNi層とを交互に連続的に積層
した多層膜を作成した。この時Fe層とNi層との厚さ
は等しく、成膜速度はFe、 Ni共に1人1秒であっ
た。また、スパッタ電力は1.3W/cm2)スパッタ
圧力は5 X 1O−3Torrであった。同一条件下
でシャッターの開閉時間だけを変えて、第1表に示すよ
うに積層周期を10人から1000人まで変化させた試
料1〜7を成膜した。ここで、膜全体の厚さは全て第1
表 次に試料1〜7と同一成膜条件で、Fe2O重量%、N
i80重量%の合金をターゲットとして厚さ1000人
のパーマロイ合金薄膜試料8を成膜した。
ロンスパッタリングにより、200°Cに保持したサフ
ァイア基板上にFe層とNi層とを交互に連続的に積層
した多層膜を作成した。この時Fe層とNi層との厚さ
は等しく、成膜速度はFe、 Ni共に1人1秒であっ
た。また、スパッタ電力は1.3W/cm2)スパッタ
圧力は5 X 1O−3Torrであった。同一条件下
でシャッターの開閉時間だけを変えて、第1表に示すよ
うに積層周期を10人から1000人まで変化させた試
料1〜7を成膜した。ここで、膜全体の厚さは全て第1
表 次に試料1〜7と同一成膜条件で、Fe2O重量%、N
i80重量%の合金をターゲットとして厚さ1000人
のパーマロイ合金薄膜試料8を成膜した。
これらの試料の磁気抵抗変化率を1kOeの回転磁場中
での4端子法によって測定した。また、異方性磁界は試
料振動型磁力計で測定した膜面内でのB−Hヒステリシ
スループから求めた。第2図に結果をまとめた。
での4端子法によって測定した。また、異方性磁界は試
料振動型磁力計で測定した膜面内でのB−Hヒステリシ
スループから求めた。第2図に結果をまとめた。
第2図から明らかなように、Fe層とNi層とを交互に
積層した多層膜においては、特に積層周期50Å以上2
0OA以下の範囲において、従来材料であるパーマロイ
合金薄膜の1.5倍以上の磁気抵抗変化率が得られ、し
かも異方性磁界はパーマロイ合金薄膜と同等の小さな値
となっている。なお強磁性層としてFe、 Ni以外の
前記他の材料を用いた場合もほぼ第2図に示したような
結果が得られた。
積層した多層膜においては、特に積層周期50Å以上2
0OA以下の範囲において、従来材料であるパーマロイ
合金薄膜の1.5倍以上の磁気抵抗変化率が得られ、し
かも異方性磁界はパーマロイ合金薄膜と同等の小さな値
となっている。なお強磁性層としてFe、 Ni以外の
前記他の材料を用いた場合もほぼ第2図に示したような
結果が得られた。
(発明の効果)
本発明は磁気抵抗効果型素子において、非磁性基板上に
FeまたはFeを主成分とする第1の強磁性金属薄膜と
NiまたはNiを主成分とする第2の強磁性金属薄膜と
を交互に積層した多層膜構造を利用することによって、
磁気抵抗変化率が大きくしかも異方性磁界の小さい、高
感度な磁気抵抗変化型素子が得られることを初めて見出
したものであり、実用上非常に有意義なものである。
FeまたはFeを主成分とする第1の強磁性金属薄膜と
NiまたはNiを主成分とする第2の強磁性金属薄膜と
を交互に積層した多層膜構造を利用することによって、
磁気抵抗変化率が大きくしかも異方性磁界の小さい、高
感度な磁気抵抗変化型素子が得られることを初めて見出
したものであり、実用上非常に有意義なものである。
第1図は本発明の磁気抵抗効果型素子の構造を示す部分
断面図である。 第2図は試料1〜7の磁気抵抗変化率と異方性磁界の積
層周期依存性を示す図である。 1・・・非磁性基板、2・・・第1の強磁性層、3・・
・第2の強磁性層。
断面図である。 第2図は試料1〜7の磁気抵抗変化率と異方性磁界の積
層周期依存性を示す図である。 1・・・非磁性基板、2・・・第1の強磁性層、3・・
・第2の強磁性層。
Claims (2)
- (1)非磁性基板上にFeまたはFeを主成分とする第
1の強磁性金属薄膜と、NiまたはNiを主成分とする
第2の強磁性金属薄膜とを交互に積層した多層膜からな
ることを特徴とする磁気抵抗効果型素子。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の磁気抵抗効果型素子
において、第1の強磁性金属薄膜と第2の強磁性金属薄
膜との積層周期が50Å以上200Å以下であることを
特徴とする磁気抵抗効果型素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63174740A JPH0223679A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果型素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63174740A JPH0223679A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果型素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0223679A true JPH0223679A (ja) | 1990-01-25 |
Family
ID=15983846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63174740A Pending JPH0223679A (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果型素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0223679A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5598308A (en) * | 1991-08-26 | 1997-01-28 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174740A patent/JPH0223679A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5598308A (en) * | 1991-08-26 | 1997-01-28 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having multilayer thin film structure |
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