JPH02203262A - 表面汚染検出装置および表面汚染検出方法 - Google Patents
表面汚染検出装置および表面汚染検出方法Info
- Publication number
- JPH02203262A JPH02203262A JP2421689A JP2421689A JPH02203262A JP H02203262 A JPH02203262 A JP H02203262A JP 2421689 A JP2421689 A JP 2421689A JP 2421689 A JP2421689 A JP 2421689A JP H02203262 A JPH02203262 A JP H02203262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- surface contamination
- tank
- sealed
- detection tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 abstract description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000632511 Daviesia arborea Species 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明の表面汚染の簡易微量分析に関するものである。
従来の技術
表面汚染の微量分析技術としては従来から、ＳＩＭＳ分
析や、オーシュ分析、または化学分析など、いくつかの
方法がある。
析や、オーシュ分析、または化学分析など、いくつかの
方法がある。
発明が解決しようとする課題
表面分析装置は多くの場合、高価で、また、破かい分析
である。
である。
課題を解決するための手段
本発明は、以上の課題を解決するために、密封して空気
が入らないようにした検出槽に、純水供給口と純水排出
口と純水比抵抗計を設置して、表面汚染検出を行なうも
のである。
が入らないようにした検出槽に、純水供給口と純水排出
口と純水比抵抗計を設置して、表面汚染検出を行なうも
のである。
作用
純水における比抵抗値における不純物感度は非常に高（
、微量分析が可能であるため、このような表面汚染検出
装置を用いると、非常に簡易な装置で表面汚染分析がで
きる。
、微量分析が可能であるため、このような表面汚染検出
装置を用いると、非常に簡易な装置で表面汚染分析がで
きる。
実施例
本発明の一実施例として、半導体製造にもちいる半導体
基板保持用のテフロンキャリアの表面汚染検出について
第１図を参照して説明する。第１図は本発明の実施例の
表面汚染検出装置の概要を示す断面図である。
基板保持用のテフロンキャリアの表面汚染検出について
第１図を参照して説明する。第１図は本発明の実施例の
表面汚染検出装置の概要を示す断面図である。
フタ９で密封した検出槽にテフロンキャリア２を入れ、
純水を純水供給口３から純水排出口４へ流す。そして、
純水比抵抗計５により比抵抗を測定してその汚染度合を
調べることができる。第２図に示すように純水の不純物
感度がその比抵抗変化に於て極めて大きいためである。
純水を純水供給口３から純水排出口４へ流す。そして、
純水比抵抗計５により比抵抗を測定してその汚染度合を
調べることができる。第２図に示すように純水の不純物
感度がその比抵抗変化に於て極めて大きいためである。
同量では０．ｌｐｐｍまで感度があり、純水が空気に触
れると、空気中の炭酸ガスが水中に溶解して炭酸となり
これがイオン化して比抵抗が下がってしまう。このため
ここではＮ２ガスをガス導入口６より入れ、純水中に、
空気中の炭素などがとけこみ比抵抗を急激に劣化させる
ないようにしている。
れると、空気中の炭酸ガスが水中に溶解して炭酸となり
これがイオン化して比抵抗が下がってしまう。このため
ここではＮ２ガスをガス導入口６より入れ、純水中に、
空気中の炭素などがとけこみ比抵抗を急激に劣化させる
ないようにしている。
第３図に汚染の少ない新しいキャリアと、長期間硫酸で
の薬品洗浄に使用して表面に硫酸が浸透した古いキャリ
アの表面汚染検出結果を示す。検出開始直後は、ごく表
面の汚れのため比抵抗の立ち上がりが遅れるがしばらく
すると定常値となる。
の薬品洗浄に使用して表面に硫酸が浸透した古いキャリ
アの表面汚染検出結果を示す。検出開始直後は、ごく表
面の汚れのため比抵抗の立ち上がりが遅れるがしばらく
すると定常値となる。
新しいキャリアでは立ち上がりも早く、定常値も純水の
限界比抵抗値１７．８Ｍ に近い。しかし、古いキャ
リアでは、表面に浸透した硫酸成分が、じわじわ出てく
るために、立ち上がりも遅く、また定常値も、新しいキ
ャリアにくらべて、２Ｍ はど低い。この立ち上がりも
しくは、定常値により、被検出物つまりキャリアの表面
汚染度合が判別できる。
限界比抵抗値１７．８Ｍ に近い。しかし、古いキャ
リアでは、表面に浸透した硫酸成分が、じわじわ出てく
るために、立ち上がりも遅く、また定常値も、新しいキ
ャリアにくらべて、２Ｍ はど低い。この立ち上がりも
しくは、定常値により、被検出物つまりキャリアの表面
汚染度合が判別できる。
従来この表面汚染による劣化時期の特定は汚染量が微量
であるため非常に判別しにく、また微全汚染でも半導体
洗浄の効率には大きな影響があったが、本発明により微
量汚染を簡易に評価できる。
であるため非常に判別しにく、また微全汚染でも半導体
洗浄の効率には大きな影響があったが、本発明により微
量汚染を簡易に評価できる。
発明の効果
以上のように本発明を用いることにより、非常の簡易な
装置で、微量な表面汚染検出ができる。
装置で、微量な表面汚染検出ができる。
第１図は本発明の実施例の表面汚染検出装置の概略断面
図、第２図は、純水中のＨａＰ０４濃度と比抵抗の特性
図、第３図は、表面汚染検出結果の特性図である。 １・・・・検出槽、２・・・・テフロンキャリア、３・
・・・純水供給口、４・・・・純水排出口、５・・・・
純水比抵抗計、６・・・・ガス導入口、８・・・・純水
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名／−−−検
出槽 ２゛−テフロン午イソア ３−漫屯水伏玲四 ４ ・−参屯水着ト出口 ５ ・・−まも水上ヒ孝＆ａ富↑ ６・−・力゛ス導入ロ アー刀゛ス出口 ａ・−をも水 腰 ｔ−ｔｓ ｒｏ４ノ湊／ｌ＜ ｒｒｍ＞因 嬉 図 吟 閉
図、第２図は、純水中のＨａＰ０４濃度と比抵抗の特性
図、第３図は、表面汚染検出結果の特性図である。 １・・・・検出槽、２・・・・テフロンキャリア、３・
・・・純水供給口、４・・・・純水排出口、５・・・・
純水比抵抗計、６・・・・ガス導入口、８・・・・純水
。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名／−−−検
出槽 ２゛−テフロン午イソア ３−漫屯水伏玲四 ４ ・−参屯水着ト出口 ５ ・・−まも水上ヒ孝＆ａ富↑ ６・−・力゛ス導入ロ アー刀゛ス出口 ａ・−をも水 腰 ｔ−ｔｓ ｒｏ４ノ湊／ｌ＜ ｒｒｍ＞因 嬉 図 吟 閉
Claims (3)
- （１）密封して空気が入らないようにした被測定物を入
れる検出槽に、純水供給口と純水排出口と純水比抵抗計
を設置したことを特徴とする表面汚染検出装置。 - （２）検出槽にＮ＿２やＡｒ等の純水比抵抗を変化させ
ないガスを導入するガス導入口を設置したことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の表面汚染検出装置。 - （３）密封して空気が入らないようにした検出槽に、純
水供給口と純水排出口と純水比抵抗計を設置して、前記
検出槽に入れた被測定物から純水に拡散する汚染物を前
記純水比抵抗計により検出することを特徴とした表面汚
染検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2421689A JPH02203262A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 表面汚染検出装置および表面汚染検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2421689A JPH02203262A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 表面汚染検出装置および表面汚染検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203262A true JPH02203262A (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=12132096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2421689A Pending JPH02203262A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | 表面汚染検出装置および表面汚染検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02203262A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008017354A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Yamaha Corp | オフセット電圧補正回路 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP2421689A patent/JPH02203262A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008017354A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Yamaha Corp | オフセット電圧補正回路 |
| JP4725441B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2011-07-13 | ヤマハ株式会社 | 差動増幅器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5298860A (en) | Method of analyzing metal impurities in surface oxide film of semiconductor substrate | |
| US20020076839A1 (en) | Method for evaluating impurity concentrations in epitaxial reagent gases | |
| US5131260A (en) | Device and method for the continuous measurement of the ammonia concentration in gases in the ppm range | |
| US8932873B2 (en) | Method for monitoring concentration of water borne substance in an aqueous medium | |
| JPH02203262A (ja) | 表面汚染検出装置および表面汚染検出方法 | |
| Ackelid et al. | How a limited mass transfer in the gas phase may affect the steady-state response of a Pd-MOS hydrogen sensor | |
| US2975362A (en) | Semiconductor diodes for gas detection | |
| CN218121887U (zh) | 一种气体浓度检测装置 | |
| JP2000321266A (ja) | 超純水の水質評価装置及び評価方法 | |
| CN113484403B (zh) | 一种半导体制造用气体分散部件表面痕量元素污染的测试方法 | |
| EP0568610B1 (en) | Feedback controlled gas mixture generator especially for an hygrometer reaction check | |
| US6187690B1 (en) | Methods of manufacturing semiconductive wafers and semiconductive material stencil masks | |
| Talazac et al. | Improvement in sensitivity and selectivity of InP-based gas sensors: Pseudo-Schottky diodes with palladium metallizations | |
| Fried et al. | Laser photoacoustic detection of nitrogen dioxide in the gas-phase titration of nitric oxide with ozone | |
| JP2002368053A (ja) | 金属汚染評価方法およびＦｅ汚染評価装置 | |
| KR20010064039A (ko) | 케미컬 필터 평가 시스템 및 이를 이용한 케미컬 필터평가 방법 | |
| CN221007459U (zh) | 一种检测离子浓度的装置 | |
| TW201915503A (zh) | 一種矽片少數載子壽命的測試方法及測試裝置 | |
| CN106206334B (zh) | 监测晶圆以及金属污染的监测方法 | |
| KR100771526B1 (ko) | 가스 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR100872958B1 (ko) | 구리 데코레이션 장치를 이용한 웨이퍼 결함 유무 판단시스템의 오류 검사 방법 | |
| JP2001215217A (ja) | 水質の評価方法 | |
| Xuan | Electrochemical Investigations of Semiconductor Silicon Wafers | |
| CHENG | Electrochemical Investigations of Semiconductor Silicon Wafers | |
| JPH0291556A (ja) | 酸素濃度分析計 |