JPH0220213Y2 - - Google Patents
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- JPH0220213Y2 JPH0220213Y2 JP15547184U JP15547184U JPH0220213Y2 JP H0220213 Y2 JPH0220213 Y2 JP H0220213Y2 JP 15547184 U JP15547184 U JP 15547184U JP 15547184 U JP15547184 U JP 15547184U JP H0220213 Y2 JPH0220213 Y2 JP H0220213Y2
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- Japan
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- reaction tube
- tube
- reaction
- gas
- wafer
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- Expired
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、半導体基板(以下、ウエーハとい
う)の大量処理が可能な気相成長装置、特に減圧
下での気相成長によつてウエーハ上に薄膜を形成
する減圧気相成長(LPCVD)装置に関するもの
である。
う)の大量処理が可能な気相成長装置、特に減圧
下での気相成長によつてウエーハ上に薄膜を形成
する減圧気相成長(LPCVD)装置に関するもの
である。
(従来技術)
LPCVD装置は周知の如く、ガス状物質を減圧
された状態において、酸化等化学反応させてウエ
ーハ上に固体を析出させる装置であるが、ウエー
ハに例えば酸化膜を被着するCVD装置は、例え
ば第2図に示す如きもので、ウエーハ支持台1に
数枚のウエーハ2を保持させて、これを円筒形の
反応管3内に設置し、反応管の両方の開口端を蓋
体4,5で閉塞したのち、反応管3内にガス供給
孔6を介して反応ガスを流し、加熱炉7に通電し
て所定温度に管内を加熱し、排気孔8を通して排
気ポンプ9によつて管内を減圧して、反応ガスの
化学反応により析出した酸化膜をウエーハ2の表
面上に成長させる。ウエーハ2は図示の如く立て
て置く代りに横に寝かせる方式もあるが、勿論立
てて置く方が多数のウエーハを同時に処理でき量
産向きである。ところで、第2図に示す様に多数
のウエーハを立てて並べ、その長い範囲にわたる
ウエーハに酸化膜を成長させるには、入口側から
当然多量の反応ガスを流し込む必要があるが、処
理ウエーハの数が増加すると、膜厚が全長で均一
にならず、入口側のウエーハ上に酸化膜が厚く付
着する傾向がある。さらに、多量の反応ガスは容
易に気相分解を起こし、粗な膜が成長する危険が
ある。
された状態において、酸化等化学反応させてウエ
ーハ上に固体を析出させる装置であるが、ウエー
ハに例えば酸化膜を被着するCVD装置は、例え
ば第2図に示す如きもので、ウエーハ支持台1に
数枚のウエーハ2を保持させて、これを円筒形の
反応管3内に設置し、反応管の両方の開口端を蓋
体4,5で閉塞したのち、反応管3内にガス供給
孔6を介して反応ガスを流し、加熱炉7に通電し
て所定温度に管内を加熱し、排気孔8を通して排
気ポンプ9によつて管内を減圧して、反応ガスの
化学反応により析出した酸化膜をウエーハ2の表
面上に成長させる。ウエーハ2は図示の如く立て
て置く代りに横に寝かせる方式もあるが、勿論立
てて置く方が多数のウエーハを同時に処理でき量
産向きである。ところで、第2図に示す様に多数
のウエーハを立てて並べ、その長い範囲にわたる
ウエーハに酸化膜を成長させるには、入口側から
当然多量の反応ガスを流し込む必要があるが、処
理ウエーハの数が増加すると、膜厚が全長で均一
にならず、入口側のウエーハ上に酸化膜が厚く付
着する傾向がある。さらに、多量の反応ガスは容
易に気相分解を起こし、粗な膜が成長する危険が
ある。
多量のガスを流し、多数のウエーハを処理する
方法として有効なのは第3図の方法である。この
方法では、第2の反応管3内に、周面に多数のガ
ス流入口10aをあけた内管(第1の反応管)1
0を挿入し、ウエーハ2を支持台1にセツトして
内管10内に入れ、キヤツプ11を閉じる。ガス
供給孔6を通して反応ガスを供給し、矢印で示す
ようにガス流入口10aから内管10内に反応ガ
スを流入させ、内管10内のウエーハ2表面上に
酸化膜を成長させつつ、ウエーハ2周縁と、内管
10の内面とを通つて流出させる。なお、内管1
0は固定脚12を介して反応管3の底部内面上に
載置されている。また反応管3および内管10は
一端が蓋及びキヤツプで閉塞されているが、排気
側は開放されている。上述の方法によれば、内管
10内にはその全長にわたつてガス流入口10a
を通して新鮮な反応ガスが供給され、入口側から
のみ反応ガスが供給される場合に比べて反応ガス
が入口側で消費されてしまうことなく、全長にわ
たつて良好な膜厚分布状態でウエーハに酸化膜を
成長させることができる。
方法として有効なのは第3図の方法である。この
方法では、第2の反応管3内に、周面に多数のガ
ス流入口10aをあけた内管(第1の反応管)1
0を挿入し、ウエーハ2を支持台1にセツトして
内管10内に入れ、キヤツプ11を閉じる。ガス
供給孔6を通して反応ガスを供給し、矢印で示す
ようにガス流入口10aから内管10内に反応ガ
スを流入させ、内管10内のウエーハ2表面上に
酸化膜を成長させつつ、ウエーハ2周縁と、内管
10の内面とを通つて流出させる。なお、内管1
0は固定脚12を介して反応管3の底部内面上に
載置されている。また反応管3および内管10は
一端が蓋及びキヤツプで閉塞されているが、排気
側は開放されている。上述の方法によれば、内管
10内にはその全長にわたつてガス流入口10a
を通して新鮮な反応ガスが供給され、入口側から
のみ反応ガスが供給される場合に比べて反応ガス
が入口側で消費されてしまうことなく、全長にわ
たつて良好な膜厚分布状態でウエーハに酸化膜を
成長させることができる。
第4図に示す方法は、反応管への反応ガス導入
も改善したもので、第2の反応管3の周面に長手
方向に沿つて複数のガス供給孔3aを所定間隔で
あけ、これにガス供給管13を配設し、反応ガス
はこの供給管13と供給孔6から供給する。この
ようにすると、一端からのみガス供給する方式に
比べて新鮮な反応ガスを反応管3の全長にわたつ
て供給することができ、長さ方向に並んだ全ウエ
ーハの膜厚をさらに均一にすることができる。
も改善したもので、第2の反応管3の周面に長手
方向に沿つて複数のガス供給孔3aを所定間隔で
あけ、これにガス供給管13を配設し、反応ガス
はこの供給管13と供給孔6から供給する。この
ようにすると、一端からのみガス供給する方式に
比べて新鮮な反応ガスを反応管3の全長にわたつ
て供給することができ、長さ方向に並んだ全ウエ
ーハの膜厚をさらに均一にすることができる。
(考案が解決しようとする問題点)
ところで、これら第3図および第4図によつて
説明した方法では、ウエーハを支持台にセツトし
それを内管内の所定の位置迄挿入し、内管キヤツ
プをして蓋を閉めてから処理をしているが、内管
へのキヤツプの脱着は、高温の反応管内での作業
であり、操作が面倒である。またウエーハに酸化
膜を成長させた場合、内管の内壁にも酸化膜が付
着するため、上記作業を繰り返すと、ついにはそ
れによつてガス流入口がつまつたり、また付着し
た酸化膜の厚さが厚くなると、クラツクが生じ、
ウエーハを立てた支持台を出し入れするときに発
生する振動や、反応管内を減圧にするときに生じ
る大気の急激な流れ変動のために、付着した酸化
膜のカケラがウエーハ上に落ちて汚れの原因とな
り、これを防ぐためには内管を頻繁に取り出し、
洗浄を行なわなければならず、繁雑な作業を要す
る。
説明した方法では、ウエーハを支持台にセツトし
それを内管内の所定の位置迄挿入し、内管キヤツ
プをして蓋を閉めてから処理をしているが、内管
へのキヤツプの脱着は、高温の反応管内での作業
であり、操作が面倒である。またウエーハに酸化
膜を成長させた場合、内管の内壁にも酸化膜が付
着するため、上記作業を繰り返すと、ついにはそ
れによつてガス流入口がつまつたり、また付着し
た酸化膜の厚さが厚くなると、クラツクが生じ、
ウエーハを立てた支持台を出し入れするときに発
生する振動や、反応管内を減圧にするときに生じ
る大気の急激な流れ変動のために、付着した酸化
膜のカケラがウエーハ上に落ちて汚れの原因とな
り、これを防ぐためには内管を頻繁に取り出し、
洗浄を行なわなければならず、繁雑な作業を要す
る。
本考案は前記問題点を解決し、操作を容易にし
た気相成長装置を提供するものである。
た気相成長装置を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本考案は内部に半導体基板を収容する第1の反
応管と、この第1の反応管を収納し、かつ内部に
反応ガスが導入される構造を有する第2の反応管
とからなり、第1の反応管を上下に半割した管体
で構成し、その上下管体の周面に多数の反応ガス
流入口を開口し、かつ下部管体の内周に半導体基
板を立掛けて支持する支持部を形成するととも
に、該下部管体に転動体を取付け、該転動体によ
り第1の反応管を第2の反応管内に抜差し自在に
支持したことを特徴とする気相成長装置である。
応管と、この第1の反応管を収納し、かつ内部に
反応ガスが導入される構造を有する第2の反応管
とからなり、第1の反応管を上下に半割した管体
で構成し、その上下管体の周面に多数の反応ガス
流入口を開口し、かつ下部管体の内周に半導体基
板を立掛けて支持する支持部を形成するととも
に、該下部管体に転動体を取付け、該転動体によ
り第1の反応管を第2の反応管内に抜差し自在に
支持したことを特徴とする気相成長装置である。
(実施例)
以下に、本考案の一実施例を図によつて説明す
る。
る。
第1図は、本考案による一実施例であり、第1
図において、第2の反応管3に挿入される内管
(第1の反応管)14は図示の如きもので、上下
に半割した管体14aと14bとからなり、下部
管体14bの内面には内部にウエーハ2を立てて
収容可能な支持溝14eが設けられており、その
支持溝14eにウエーハを載置したのち、上部管
体14aを上からかぶせるようにセツトし、それ
を反応管3内に入れて処理を行なう。管体14
a,14bの周面には多数のガス流入口14c,
14c,…,があいており、また一端は閉塞さ
れ、排気側は開放された構造でガス流入口14c
を通して新鮮なガスが供給される。また、下部管
体14bにはコロ(転動体)14dが取り付けら
れ、内管14の出し入れを容易にしている。
図において、第2の反応管3に挿入される内管
(第1の反応管)14は図示の如きもので、上下
に半割した管体14aと14bとからなり、下部
管体14bの内面には内部にウエーハ2を立てて
収容可能な支持溝14eが設けられており、その
支持溝14eにウエーハを載置したのち、上部管
体14aを上からかぶせるようにセツトし、それ
を反応管3内に入れて処理を行なう。管体14
a,14bの周面には多数のガス流入口14c,
14c,…,があいており、また一端は閉塞さ
れ、排気側は開放された構造でガス流入口14c
を通して新鮮なガスが供給される。また、下部管
体14bにはコロ(転動体)14dが取り付けら
れ、内管14の出し入れを容易にしている。
かかる構成において、酸化膜成長を繰り返し行
なうと、やはり薄膜は内管にも形成されてくる
が、本考案は内管を反応管3より成長毎に取り出
してウエーハを詰め返えて、再び反応管内に挿入
するようにしたため、容易に清掃・洗浄が行な
え、したがつて、内管のガス流入口がつまつた
り、薄膜がクラツクを生じてウエーハの上に落ち
るということはなくなる。また内管のキヤツプを
反応管内で脱着する必要がないため、操作が簡単
である。
なうと、やはり薄膜は内管にも形成されてくる
が、本考案は内管を反応管3より成長毎に取り出
してウエーハを詰め返えて、再び反応管内に挿入
するようにしたため、容易に清掃・洗浄が行な
え、したがつて、内管のガス流入口がつまつた
り、薄膜がクラツクを生じてウエーハの上に落ち
るということはなくなる。また内管のキヤツプを
反応管内で脱着する必要がないため、操作が簡単
である。
なお、以上の説明には酸化膜の生成をあげた
が、リンシリケートガラス(PSG)、ボロシリケ
ートガラス(BSG)のCVDにも利用できる。
が、リンシリケートガラス(PSG)、ボロシリケ
ートガラス(BSG)のCVDにも利用できる。
(考案の効果)
以上説明した様に、本考案による気相成長装置
は内管を簡単に取り出せるため、作業性が簡易化
されるとともに高速化も達成でき、しかも内管の
清掃・洗浄が容易になるため、内管の目詰りやウ
エーハの汚染等を防止することができる効果を有
するものである。
は内管を簡単に取り出せるため、作業性が簡易化
されるとともに高速化も達成でき、しかも内管の
清掃・洗浄が容易になるため、内管の目詰りやウ
エーハの汚染等を防止することができる効果を有
するものである。
第1図は、本考案によるLPCVD装置の一実施
例の反応部の長手方向断面図、第2図、第3図、
第4図は従来のLPCVD装置反応部の長手方向断
面図である。 図中1はウエーハ支持台、2はウエーハ、3は
反応管、4は反応管の入口側蓋体、5は反応管の
出口側蓋体、6はガス供給孔、7は加熱炉、8は
排気孔、9は排気ポンプ、10は内管、10aは
ガス流入口、11はキヤツプ、14は内管、14
aは上部管体、14bは下部管体、14cはガス
流入口を示す。
例の反応部の長手方向断面図、第2図、第3図、
第4図は従来のLPCVD装置反応部の長手方向断
面図である。 図中1はウエーハ支持台、2はウエーハ、3は
反応管、4は反応管の入口側蓋体、5は反応管の
出口側蓋体、6はガス供給孔、7は加熱炉、8は
排気孔、9は排気ポンプ、10は内管、10aは
ガス流入口、11はキヤツプ、14は内管、14
aは上部管体、14bは下部管体、14cはガス
流入口を示す。
Claims (1)
- 内部に半導体基板を収容する第1の反応管と、
この第1の反応管を収納し、かつ内部に反応ガス
が導入される構造を有する第2の反応管とからな
り、第1の反応管を上下に半割した管体で構成
し、その上下管体の周面に多数の反応ガス流入口
を開口し、かつ下部管体の内周に半導体基板を立
掛けて支持する支持部を形成するとともに、該下
部管体に転動体を取付け、該転動体により第1の
反応管を第2の反応管内に抜差し自在に支持した
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15547184U JPH0220213Y2 (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15547184U JPH0220213Y2 (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6173670U JPS6173670U (ja) | 1986-05-19 |
JPH0220213Y2 true JPH0220213Y2 (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=30713482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15547184U Expired JPH0220213Y2 (ja) | 1984-10-15 | 1984-10-15 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0220213Y2 (ja) |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP15547184U patent/JPH0220213Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6173670U (ja) | 1986-05-19 |
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