JPH02201986A - 光源安定化回路 - Google Patents
光源安定化回路Info
- Publication number
- JPH02201986A JPH02201986A JP2057589A JP2057589A JPH02201986A JP H02201986 A JPH02201986 A JP H02201986A JP 2057589 A JP2057589 A JP 2057589A JP 2057589 A JP2057589 A JP 2057589A JP H02201986 A JPH02201986 A JP H02201986A
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- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、半導体レーザの周２ｔ ｌ、および出力強度
の両方を簡便な回路により安定に制御する回路に関する
ものである。
の両方を簡便な回路により安定に制御する回路に関する
ものである。
「従来の技術・発明が解決しようとする課題１半導体レ
ーザの周波数、出力光強度は注入電流量、〆温度により
変化する。このため、従来は注入電流量を変化させて光
出力を制御し、温度を変化させて周波数を制御する方法
が用いられていた。
ーザの周波数、出力光強度は注入電流量、〆温度により
変化する。このため、従来は注入電流量を変化させて光
出力を制御し、温度を変化させて周波数を制御する方法
が用いられていた。
この方法では、温度制御の応答速度が遅いため、周波数
制御が高速に出来ないという欠点があった。
制御が高速に出来ないという欠点があった。
また、高速で周波数制御を行うために、注入電流量を制
御する方法もあった。しかしこの場合には、光出力強度
の制御が出来ないという欠点があった。（参考文献 昭
和６２年電子情報通信学会創立７０周年記念総合全国大
会 予稿果 １０１６岩崎俊 他） 本発明の目的は、半導体レーザの出力周波数、出力光強
度をともに高速で安定に制御する簡単な構造の光源安定
化回路を提供することにある。
御する方法もあった。しかしこの場合には、光出力強度
の制御が出来ないという欠点があった。（参考文献 昭
和６２年電子情報通信学会創立７０周年記念総合全国大
会 予稿果 １０１６岩崎俊 他） 本発明の目的は、半導体レーザの出力周波数、出力光強
度をともに高速で安定に制御する簡単な構造の光源安定
化回路を提供することにある。
１課題を解決するための手段」
本発明は、ｋ個（ｋ＝２．３，４、・・・・）の電極を
もった半導体レーザにおいて、半導体レーザ出力光強度
を検出する光電力検出器と、半導体レーザ出力光周波数
を検出する光周波数検出器と、光電力検出器の光電力モ
ニタ出力をあらかじめ設定された値と比較する第１の比
較器と、光周波数検出器の光周波数モニタ出力をあらか
じめ設定された値と比較する第２の比較器を有し、第１
の比較器の出力を半導体レーザ光強度制御信号として用
いて、半導体レーザの１つ以上の電極への注入電流制御
をおこない、第２の比較器の出力をレーザ光周波数制御
信号として用いて、半導体レーザ光強度制御に用いた電
極と同じ組合せではない１つ以上の電極への注入電流制
御をおこなうことを特徴とするものである。
もった半導体レーザにおいて、半導体レーザ出力光強度
を検出する光電力検出器と、半導体レーザ出力光周波数
を検出する光周波数検出器と、光電力検出器の光電力モ
ニタ出力をあらかじめ設定された値と比較する第１の比
較器と、光周波数検出器の光周波数モニタ出力をあらか
じめ設定された値と比較する第２の比較器を有し、第１
の比較器の出力を半導体レーザ光強度制御信号として用
いて、半導体レーザの１つ以上の電極への注入電流制御
をおこない、第２の比較器の出力をレーザ光周波数制御
信号として用いて、半導体レーザ光強度制御に用いた電
極と同じ組合せではない１つ以上の電極への注入電流制
御をおこなうことを特徴とするものである。
本発明では、例えば注入電流量の変動に対し半導体レー
ザの発振周波数が大きく変化し、出力光電力がほとんど
変化しない電極Ａと、注入電流量の変動に対し半導体レ
ーザの発振周波数がほとんど変化せず出力光電力が大き
く変化する電極Ｂを有する半導体レーザを用い、レーザ
の周波数の変動を検出したのち周波数制御信号を前記電
極へに帰還し、レーザの出力強度の変動を検出したのち
出ツノ強度制御信号を前記電極Ｂに帰還する構成とする
。このため、光源に対し、高速な制御がレーザの周波数
、出力強度ともに可能であり、高速の変動に対しても周
波数、出力強度とも安定に制御できる。
ザの発振周波数が大きく変化し、出力光電力がほとんど
変化しない電極Ａと、注入電流量の変動に対し半導体レ
ーザの発振周波数がほとんど変化せず出力光電力が大き
く変化する電極Ｂを有する半導体レーザを用い、レーザ
の周波数の変動を検出したのち周波数制御信号を前記電
極へに帰還し、レーザの出力強度の変動を検出したのち
出ツノ強度制御信号を前記電極Ｂに帰還する構成とする
。このため、光源に対し、高速な制御がレーザの周波数
、出力強度ともに可能であり、高速の変動に対しても周
波数、出力強度とも安定に制御できる。
「実施例」
第１図は、本発明の第一の実施例である。
単一モード発振半導体レーザ３電極構造の端面側の２つ
の電極（以下この２つの電極をまとめて電極へとする。
の電極（以下この２つの電極をまとめて電極へとする。
）の注入電流量に対する出力光周波数の変化量、出力光
強度の変化量、および３′電極構造の真ん中の電極（以
下この電極を電極Ｂとする。）の同様の特性例を第２図
に示す。第２図で注入電流量を変化させていない電極へ
の注入電流量は７０ｍＡとした。また各変化量は、注入
量を変化させる電極への注入電流量が２０ｍＡの場合の
値との相対値を示している。第２図から分かるように、
電極Ａへの注入電流変化に対しては、出力強度は大きく
変化するが周波数の変化は小さい。（周波数変化率０．
０１０ｎｍ／ｍＡ、強度変化率０．１３ｄＢ／ｍＡ）こ
れに対し、電極Ｂ１７）注入電流量に対しては、周１皮
数の変動は大きいが出力強度の変化は小さい。（周波数
変化率０．０２３ｎｍ／ｍＡ、強度変化率０．０４ｄＢ
／ｍＡ）従ッテ、電極への注入電流量を制御することに
より出力光強度の制御を、電極Ｂの注入電流量を制御す
ることにより出力光周波数を制御を行うことにより周波
数、出力光強度の同時安定化か可能である。
強度の変化量、および３′電極構造の真ん中の電極（以
下この電極を電極Ｂとする。）の同様の特性例を第２図
に示す。第２図で注入電流量を変化させていない電極へ
の注入電流量は７０ｍＡとした。また各変化量は、注入
量を変化させる電極への注入電流量が２０ｍＡの場合の
値との相対値を示している。第２図から分かるように、
電極Ａへの注入電流変化に対しては、出力強度は大きく
変化するが周波数の変化は小さい。（周波数変化率０．
０１０ｎｍ／ｍＡ、強度変化率０．１３ｄＢ／ｍＡ）こ
れに対し、電極Ｂ１７）注入電流量に対しては、周１皮
数の変動は大きいが出力強度の変化は小さい。（周波数
変化率０．０２３ｎｍ／ｍＡ、強度変化率０．０４ｄＢ
／ｍＡ）従ッテ、電極への注入電流量を制御することに
より出力光強度の制御を、電極Ｂの注入電流量を制御す
ることにより出力光周波数を制御を行うことにより周波
数、出力光強度の同時安定化か可能である。
従って、第１図のように３電極構造の単一モード発振半
導体レーザ１ （半導体レーザ）において、出力光を分
岐回路４で２分したのち、光電力検出器５と、レーザ出
力光周波数を検出する光周波数検出器６を用いて、レー
ザ出力光強度の変動および周波数の変動を検出し、レー
ザ出力光強度変動検出量を制御信号として、電圧電流変
換回路７−１ （第１の比較器）を介して３電極溝造の
端面側の２つの電極２，２の注入電流量を制御し、周波
数変動検出量を制御信号として、電圧電流変換回路７−
２（第２の比較器）を介して３電極構造の真ん中の電極
３の注入電流量を制御する構成により、周波数、出力光
強度の両方を制御することができる。ここで、電圧電流
変換回路’１１は、光電力検出器５の光電力モニタ出力
をあらかじめ設定された値と比較する比較器を兼ねてお
り、比較出力を電圧電流変換する。また電圧電流変換回
路７−２は、光周波数検出器６の光周波数モニタ出力を
あらかじめ設定された値と比較する比較器を兼ねており
、比較出力を電圧電流変換する。この場合、注入電流で
制御しているため、両波制御パラメータ（光強度、周波
数）は、半導体レーザの変調帯域内で制御可能であり、
非常に高速に制御できる。
導体レーザ１ （半導体レーザ）において、出力光を分
岐回路４で２分したのち、光電力検出器５と、レーザ出
力光周波数を検出する光周波数検出器６を用いて、レー
ザ出力光強度の変動および周波数の変動を検出し、レー
ザ出力光強度変動検出量を制御信号として、電圧電流変
換回路７−１ （第１の比較器）を介して３電極溝造の
端面側の２つの電極２，２の注入電流量を制御し、周波
数変動検出量を制御信号として、電圧電流変換回路７−
２（第２の比較器）を介して３電極構造の真ん中の電極
３の注入電流量を制御する構成により、周波数、出力光
強度の両方を制御することができる。ここで、電圧電流
変換回路’１１は、光電力検出器５の光電力モニタ出力
をあらかじめ設定された値と比較する比較器を兼ねてお
り、比較出力を電圧電流変換する。また電圧電流変換回
路７−２は、光周波数検出器６の光周波数モニタ出力を
あらかじめ設定された値と比較する比較器を兼ねており
、比較出力を電圧電流変換する。この場合、注入電流で
制御しているため、両波制御パラメータ（光強度、周波
数）は、半導体レーザの変調帯域内で制御可能であり、
非常に高速に制御できる。
また、このような安定化回路は３電極構造の半導体レー
ザのみでなく、注入電流量変動に対しレーザの発振周波
数が太き（変化し出力光電力がはとんど変化しない電極
あるいは電極の組合せと、注入電流量の変動に対しレー
ザの発振周波数がほとんど変化せず出力光電力が大きく
変化する電極あるいは電極の組合せという２つの電極、
あるいは２つの電極の組合せを有する半導体レーザを用
いれば、同様に本発明の安定化回路を用いることかでき
る。
ザのみでなく、注入電流量変動に対しレーザの発振周波
数が太き（変化し出力光電力がはとんど変化しない電極
あるいは電極の組合せと、注入電流量の変動に対しレー
ザの発振周波数がほとんど変化せず出力光電力が大きく
変化する電極あるいは電極の組合せという２つの電極、
あるいは２つの電極の組合せを有する半導体レーザを用
いれば、同様に本発明の安定化回路を用いることかでき
る。
［−発明の効果」
以−にの説明の通り、本発明によれば、半導体レーザの
簡便な制御構成で制御速度の早い、周波数、光強度同時
安定化が可能である。
簡便な制御構成で制御速度の早い、周波数、光強度同時
安定化が可能である。
第１図は本発明の実施例を示すブロック図、第２図（ａ
）、（ｂ）は多電極半導体レーザの特性例を示す図であ
って、第２図（ａ）は電極への注入電流量と発振波長変
動の関係を示す図、第２図（ｂ）は電極への注入電流量
と出力光電力の関係を示す図である。 ・・・・・・３電極半導体レーザの端面側の２つの電極
、３・・・・・・３電極半導体レーザの真ん中の電極、
４・・・・光分岐回路、５・・・・・・光電力検出器、
６・・・・・・光周波数検出器、７−１．７−２・・・
・・・電圧電流変換回路（比較器）。 出願人 日本電信電話株式会社 ■・・・・・３電極半導体レーザ（半導体レーザ）、２
第２図（０） １ ； 千」答イ本レーザ ５、光ｔ力検出器 ６；光用′ＪＬ政梗土器 ７−１：第１のル較菖 ７−２：第２のｒじ較８ １入電５汽量 （ｍＡ） 〕工大ｇ！、：丸ｔ ＋ｍＡ）
）、（ｂ）は多電極半導体レーザの特性例を示す図であ
って、第２図（ａ）は電極への注入電流量と発振波長変
動の関係を示す図、第２図（ｂ）は電極への注入電流量
と出力光電力の関係を示す図である。 ・・・・・・３電極半導体レーザの端面側の２つの電極
、３・・・・・・３電極半導体レーザの真ん中の電極、
４・・・・光分岐回路、５・・・・・・光電力検出器、
６・・・・・・光周波数検出器、７−１．７−２・・・
・・・電圧電流変換回路（比較器）。 出願人 日本電信電話株式会社 ■・・・・・３電極半導体レーザ（半導体レーザ）、２
第２図（０） １ ； 千」答イ本レーザ ５、光ｔ力検出器 ６；光用′ＪＬ政梗土器 ７−１：第１のル較菖 ７−２：第２のｒじ較８ １入電５汽量 （ｍＡ） 〕工大ｇ！、：丸ｔ ＋ｍＡ）
Claims (1)
- ｋ個（ｋ＝２、３、４、・・・）の電極をもった半導体
レーザにおいて、半導体レーザ出力光強度を検出する光
電力検出器と、半導体レーザ出力光周波数を検出する光
周波数検出器と、光電力検出器の光電力モニタをあらか
じめ設定された値と比較する第１の比較器と、光周波数
検出器の光周波数モニタ出力をあらかじめ設定された値
と比較する第２の比較器を有し、第１の比較器の出力を
半導体レーザ比較器強度制御信号として用いて、半導体
レーザの１つ以上の電極への注入電流制御をおこない、
第２の比較器の出力をレーザ光周波数制御信号として用
いて、半導体レーザ光強度制御に用いた電極と同じ組合
せではない１つ以上の電極への注入電流制御をおこなう
ことを特徴とした光源安定化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057589A JPH02201986A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光源安定化回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2057589A JPH02201986A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光源安定化回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201986A true JPH02201986A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12031002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2057589A Pending JPH02201986A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 光源安定化回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02201986A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62243383A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザの波長制御方式 |
| JPS62244185A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2057589A patent/JPH02201986A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62243383A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-23 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザの波長制御方式 |
| JPS62244185A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
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