JPH02153816A - シリカーチタニア球状微粒子およびその製造方法 - Google Patents
シリカーチタニア球状微粒子およびその製造方法Info
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- JPH02153816A JPH02153816A JP30927788A JP30927788A JPH02153816A JP H02153816 A JPH02153816 A JP H02153816A JP 30927788 A JP30927788 A JP 30927788A JP 30927788 A JP30927788 A JP 30927788A JP H02153816 A JPH02153816 A JP H02153816A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はシリカ−チタニア球状微粒子、特には比表面積
が30rr1!/g以下と小さく流動特性がよいのでプ
ラスチックパッケージ用エポキシ樹脂の充填剤として、
また屈折率が高いことから光IC封止剤用充填剤として
有用とされる、シリカ−チタニア球状微粒子およびその
製造方法に関するものである。
が30rr1!/g以下と小さく流動特性がよいのでプ
ラスチックパッケージ用エポキシ樹脂の充填剤として、
また屈折率が高いことから光IC封止剤用充填剤として
有用とされる、シリカ−チタニア球状微粒子およびその
製造方法に関するものである。
[従来の技術]
シリカ−チタニアガラスの製造については、例えば四塩
化けい素(SiC,Q4)と四塩化チタン(T t C
a2)とを火炎加水分解し、生成するガラス微粒子を担
体棒上に堆積させ、ついで溶融する方法が知られており
(米国特許第2.326,059号明細書参照)、これ
についてはチタニアを19.4重量%までシリカでドー
プしたものも報告されている(J、Am。
化けい素(SiC,Q4)と四塩化チタン(T t C
a2)とを火炎加水分解し、生成するガラス微粒子を担
体棒上に堆積させ、ついで溶融する方法が知られており
(米国特許第2.326,059号明細書参照)、これ
についてはチタニアを19.4重量%までシリカでドー
プしたものも報告されている(J、Am。
Ceram、Soc、59.P、214〜219)19
76)。
76)。
[解決されるべき課題]
しかし、このような方法で作られたシリカ−チタニアガ
ラスは原料として5tCJZ4.TiCJ24を用いる
ために製品中に塩素分が100ppm近く残留し、電子
材料用としての用途に適しないという不利がある。その
ため、この原料をアルコキシシラン、アルコキシチタン
とすることも提案されているが、これにはアルコキシチ
タンの沸点が200℃以上と高いために、これまで機能
性ガラスの製造方法として最も一般に用いられている蒸
気をガス同伴して火炎加水分解する方法ではバーナーに
導入する経路中でこれが再凝固するために作業継続が難
しくなるという欠点があり、工業的には採用されていな
い。
ラスは原料として5tCJZ4.TiCJ24を用いる
ために製品中に塩素分が100ppm近く残留し、電子
材料用としての用途に適しないという不利がある。その
ため、この原料をアルコキシシラン、アルコキシチタン
とすることも提案されているが、これにはアルコキシチ
タンの沸点が200℃以上と高いために、これまで機能
性ガラスの製造方法として最も一般に用いられている蒸
気をガス同伴して火炎加水分解する方法ではバーナーに
導入する経路中でこれが再凝固するために作業継続が難
しくなるという欠点があり、工業的には採用されていな
い。
また、このシリカ−チタニアガラスの製造については金
属または半金属の有機化合物を液滴のまま燃焼させて金
属または半金属の酸化物微粉を得るという方法(特開昭
61−295209号公報参照)を通用することもでき
るけれども、この場合には得られる粉体が比表面積30
〜4orr?/g以上の大きいものとなるために、この
ものは例えば半導体工業におけるプラスチックパッケー
ジ用エポキシ樹脂の充填剤として用いた場合にがさ密度
が小さくなり、充填特性がわるくなるという不利がある
。
属または半金属の有機化合物を液滴のまま燃焼させて金
属または半金属の酸化物微粉を得るという方法(特開昭
61−295209号公報参照)を通用することもでき
るけれども、この場合には得られる粉体が比表面積30
〜4orr?/g以上の大きいものとなるために、この
ものは例えば半導体工業におけるプラスチックパッケー
ジ用エポキシ樹脂の充填剤として用いた場合にがさ密度
が小さくなり、充填特性がわるくなるという不利がある
。
[課題を解決するための手段]
本発明はこのような不利を解決したシリカ−チタニア球
状微粒子およびその製造方法に関するものであり、これ
は塩素を含まず、シリコン、チタン以外の金属含有分が
1.0ppm以下、粒度分布が10〜500nmで、比
表面積が10〜30rn’/gである非晶質のシリカ−
チタニア球状微粒子およびアルコキシシラン、アルコキ
シチタンの混合物を液状で火炎中に導入し、全燃料量か
ら計算される粒子の受容する熱量がt、tKcaf/g
以上の条件で燃焼分解することを特徴とするシリカ−チ
タニア球状微粒子の製造方法に関するものである。
状微粒子およびその製造方法に関するものであり、これ
は塩素を含まず、シリコン、チタン以外の金属含有分が
1.0ppm以下、粒度分布が10〜500nmで、比
表面積が10〜30rn’/gである非晶質のシリカ−
チタニア球状微粒子およびアルコキシシラン、アルコキ
シチタンの混合物を液状で火炎中に導入し、全燃料量か
ら計算される粒子の受容する熱量がt、tKcaf/g
以上の条件で燃焼分解することを特徴とするシリカ−チ
タニア球状微粒子の製造方法に関するものである。
すなわち、本発明者らは従来欠点とされていた塩素の存
在がなく、比表面積も小さいシリカ−チタニア粉体を液
滴で燃焼分解する方法について種々検討した結果、塩素
の存在をなくすためにはアルコキシシラン、アルコキシ
チタンを原料とすればよいことが判っているがこの火炎
加水分解に当ってはこれらをn化して火炎中に供給し、
この火炎中における燃焼分解の熱量を制御すれば得られ
るシリカ−チタニア粉体の比表面積を30rn’/g以
下とすることができることを見出し、この方法で作られ
たシリカ−チタニア粉体についてしらべたところ、この
ものは塩素を含まず、シリコン、チタン以外の金属含有
量が1.0ppm以下、粒度分布が10〜500nmで
、比表面積が10〜30d/gである非晶質のものであ
り、したがってこのものは流動特性もよいのでエポキシ
樹脂などの充填剤として有用であること、またこのもの
は屈折率がシリカより高く、これは任意にコントロール
することができるので例えばCCDなどの光IC封止剤
用の充填剤として有用とされることを確認して本発明を
完成させた。
在がなく、比表面積も小さいシリカ−チタニア粉体を液
滴で燃焼分解する方法について種々検討した結果、塩素
の存在をなくすためにはアルコキシシラン、アルコキシ
チタンを原料とすればよいことが判っているがこの火炎
加水分解に当ってはこれらをn化して火炎中に供給し、
この火炎中における燃焼分解の熱量を制御すれば得られ
るシリカ−チタニア粉体の比表面積を30rn’/g以
下とすることができることを見出し、この方法で作られ
たシリカ−チタニア粉体についてしらべたところ、この
ものは塩素を含まず、シリコン、チタン以外の金属含有
量が1.0ppm以下、粒度分布が10〜500nmで
、比表面積が10〜30d/gである非晶質のものであ
り、したがってこのものは流動特性もよいのでエポキシ
樹脂などの充填剤として有用であること、またこのもの
は屈折率がシリカより高く、これは任意にコントロール
することができるので例えばCCDなどの光IC封止剤
用の充填剤として有用とされることを確認して本発明を
完成させた。
以下にこれを詳述する。
[作 用]
本発明のシソカーチタニア球状微粒子を製造するために
使用されるアルコキシシランは燃焼によりシリカを合成
するものであり、また蒸留などにより高純度化すること
が容易なものとすることが好ましいということから一般
式R’、5i(OR’ ) 4−m テ示され、R1、
R2は炭素数1〜4の1価炭化水素基、aはO〜4の整
数であるオルガノアルコキシシラン、例えばテトラメト
キシシラン、メチルトリメトキシシラン、テトラプロポ
キシシラン、メチルトリプロポキシシラン、テトラエト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、n−プロピル
トリエトキシシラン、トリメチルブトキシシラン、ジメ
チルジェトキシシランあるいはこれらのオリゴマー ポ
リマーなととすればよいが、これらは1種でも2種以上
の混合物であってもよい。
使用されるアルコキシシランは燃焼によりシリカを合成
するものであり、また蒸留などにより高純度化すること
が容易なものとすることが好ましいということから一般
式R’、5i(OR’ ) 4−m テ示され、R1、
R2は炭素数1〜4の1価炭化水素基、aはO〜4の整
数であるオルガノアルコキシシラン、例えばテトラメト
キシシラン、メチルトリメトキシシラン、テトラプロポ
キシシラン、メチルトリプロポキシシラン、テトラエト
キシシラン、メチルトリエトキシシラン、n−プロピル
トリエトキシシラン、トリメチルブトキシシラン、ジメ
チルジェトキシシランあるいはこれらのオリゴマー ポ
リマーなととすればよいが、これらは1種でも2種以上
の混合物であってもよい。
また、ここに使用されるアルコキシチタンも燃焼により
チタニアを合成するもので蒸留などで高純度化すること
が容易なものとするということから一般式Ti (OR
’ )、で示され、R3は炭素数1〜4の1価炭化水素
基であるテトラアルコキシチタン、例えばテトライソプ
ロポキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラブトキ
シチタンなどとすればよいが、これらはその1種でも2
種以上の混合物であってもよい。
チタニアを合成するもので蒸留などで高純度化すること
が容易なものとするということから一般式Ti (OR
’ )、で示され、R3は炭素数1〜4の1価炭化水素
基であるテトラアルコキシチタン、例えばテトライソプ
ロポキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラブトキ
シチタンなどとすればよいが、これらはその1種でも2
種以上の混合物であってもよい。
このアルコキシシラン、アルコキシチタンは混合して火
炎中に導入するのであるが、この両者を混合すると固体
が生成することがあるので、この混合物にはこの固体の
生成を防止するために安定剤として各種のアルコール類
などを添加することがよいが、これは燃焼したときに残
渣の残らないものとすることがよい、なお、このアルコ
キシシランとアルコキシチタンの混合割合は生成するシ
リカ−チタニア微粒子に求められる物性により決定すべ
きであるが、例えば屈折率が1.58〜1.62の範囲
のシリカ−チタニア微粒子を得るためにはシリコンとチ
タンとのモル比が3.6:1〜2.1:1の範囲となる
ようにすればよい。
炎中に導入するのであるが、この両者を混合すると固体
が生成することがあるので、この混合物にはこの固体の
生成を防止するために安定剤として各種のアルコール類
などを添加することがよいが、これは燃焼したときに残
渣の残らないものとすることがよい、なお、このアルコ
キシシランとアルコキシチタンの混合割合は生成するシ
リカ−チタニア微粒子に求められる物性により決定すべ
きであるが、例えば屈折率が1.58〜1.62の範囲
のシリカ−チタニア微粒子を得るためにはシリコンとチ
タンとのモル比が3.6:1〜2.1:1の範囲となる
ようにすればよい。
このアルコキシシランとアルコキシチタンとの混合物は
燃焼分解によってシリカ−チタニアを生成させるために
火炎中に導入されるが、この火炎への導入はこの混合物
を液体噴霧または超音波噴露器で噴霧して霧化させて行
えばよい、この霧化された混合物は火炎中で燃焼分解さ
れるが、この燃焼に当っては助燃ガスとして酸素ガス、
水素ガスまたはメタンガスなどの可燃性ガスを添加する
ことがよい。しかし、この酸素ガスについては燃焼に必
要な理論量の0.9以下ではアルコキシシランとアルコ
キシチタンとの混合物としての原料、メタンなどの助燃
ガスの不完全燃焼によってカーボンが発生し、これがシ
リカ−チタニア微粒子に残留するようになり、1.5以
上とすると不要な酸素ガスが供給することになって経済
的に不利となるので、これは0.9〜1.5の範囲とす
ることが必要とされるが、この燃焼系に必要に応じアル
ゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガスを添加することは
任意とされる。
燃焼分解によってシリカ−チタニアを生成させるために
火炎中に導入されるが、この火炎への導入はこの混合物
を液体噴霧または超音波噴露器で噴霧して霧化させて行
えばよい、この霧化された混合物は火炎中で燃焼分解さ
れるが、この燃焼に当っては助燃ガスとして酸素ガス、
水素ガスまたはメタンガスなどの可燃性ガスを添加する
ことがよい。しかし、この酸素ガスについては燃焼に必
要な理論量の0.9以下ではアルコキシシランとアルコ
キシチタンとの混合物としての原料、メタンなどの助燃
ガスの不完全燃焼によってカーボンが発生し、これがシ
リカ−チタニア微粒子に残留するようになり、1.5以
上とすると不要な酸素ガスが供給することになって経済
的に不利となるので、これは0.9〜1.5の範囲とす
ることが必要とされるが、この燃焼系に必要に応じアル
ゴンガス、窒素ガスなどの不活性ガスを添加することは
任意とされる。
また、このアルコキシシランとアルコキシチタンとの混
合物の燃焼分解のために添加される上記した原料、酸素
ガス、助燃ガス、不活性ガスの量比は原料としてのアル
コキシシラン、アルコキシチタンの混合物、助燃ガスの
燃焼によって発生する熱量をQl、Q2とし、燃焼後系
内に残留するシリカ−チタニア微粒子、H2O,Co、
、残留o2.不活性ガスの量をそれぞれN、、N、。
合物の燃焼分解のために添加される上記した原料、酸素
ガス、助燃ガス、不活性ガスの量比は原料としてのアル
コキシシラン、アルコキシチタンの混合物、助燃ガスの
燃焼によって発生する熱量をQl、Q2とし、燃焼後系
内に残留するシリカ−チタニア微粒子、H2O,Co、
、残留o2.不活性ガスの量をそれぞれN、、N、。
Ns 、N4.Nsとし、さらにこれらの比熱をそれぞ
れCII C2,C3,C4,Csとすると、この燃焼
系における全発熱量Q、は Qs=(N+C1+ N2C2+ N5C3+ N4C
4+ N5C5) (T−25)となり、このときの単
位時間当りのシリカ−チタニア微粒子の生成量をPとす
るとこの微粒子がTtまで加熱されるときに受ける熱量
q(K c a J2 / g )は Q ” N r Cr (T −25) / Pで示
されるが、ここに生成するシリカ−チタニア微粒子の比
表面積はこのq値の増加に伴なフて減少することが見出
され、比表面積が30m2/g以下の粉体を得るために
はq=1.1Kcaf/g以上としなければならないこ
とが確認された。
れCII C2,C3,C4,Csとすると、この燃焼
系における全発熱量Q、は Qs=(N+C1+ N2C2+ N5C3+ N4C
4+ N5C5) (T−25)となり、このときの単
位時間当りのシリカ−チタニア微粒子の生成量をPとす
るとこの微粒子がTtまで加熱されるときに受ける熱量
q(K c a J2 / g )は Q ” N r Cr (T −25) / Pで示
されるが、ここに生成するシリカ−チタニア微粒子の比
表面積はこのq値の増加に伴なフて減少することが見出
され、比表面積が30m2/g以下の粉体を得るために
はq=1.1Kcaf/g以上としなければならないこ
とが確認された。
この方法で生成したシリカ−チタニア微粒子は公知の方
法、例えばバグフィルタ−サイクロンなどの方法で捕集
すればよく、これによって目的とするシリカ−チタニア
微粒子を得ることができる。
法、例えばバグフィルタ−サイクロンなどの方法で捕集
すればよく、これによって目的とするシリカ−チタニア
微粒子を得ることができる。
なお、このような方法で得られたシリカ−チタニア微粒
子についてその物性をしらべたところ、このものは原料
が事前に蒸留などで充分精製されたアルコキシシラン、
アルコキシチタンであることから、塩素を全く含有せず
、さらにはシリコン、チタン以外の金属含有分が1.0
ppm以下のちのであり、さらにはこの燃焼系における
q値が1.1Kcal!/g以下に制御されているので
比表面積が10〜3orn”/gのものとなり、その粒
度分布も10〜500nmの微粒子となることが確認さ
れたが、このものはこのような物性をもっているので半
導体工業におけるプラスティックパッケージ用エポキシ
樹脂の充填剤として、また例えばCCDなとの光■C封
止剤用充填剤として有用とされるという有利性が与えら
れる。
子についてその物性をしらべたところ、このものは原料
が事前に蒸留などで充分精製されたアルコキシシラン、
アルコキシチタンであることから、塩素を全く含有せず
、さらにはシリコン、チタン以外の金属含有分が1.0
ppm以下のちのであり、さらにはこの燃焼系における
q値が1.1Kcal!/g以下に制御されているので
比表面積が10〜3orn”/gのものとなり、その粒
度分布も10〜500nmの微粒子となることが確認さ
れたが、このものはこのような物性をもっているので半
導体工業におけるプラスティックパッケージ用エポキシ
樹脂の充填剤として、また例えばCCDなとの光■C封
止剤用充填剤として有用とされるという有利性が与えら
れる。
[実施例]
つぎに本発明の実施例をあげるが、例中における部は重
量部を、またこの比表面積は島津製作所製マイクロメテ
リックス2200で測定したBET比表面積値を示した
ものである。
量部を、またこの比表面積は島津製作所製マイクロメテ
リックス2200で測定したBET比表面積値を示した
ものである。
実施例1
市販のメチルトリメトキシシラン53.4部、テトライ
ソプロポキシチタン[和光純薬味製試薬特級]37.1
部、安定剤としてのエタノール9.5部をよく混合して
原料液を作った(シリコンとチタンとのモル比=371
)。
ソプロポキシチタン[和光純薬味製試薬特級]37.1
部、安定剤としてのエタノール9.5部をよく混合して
原料液を作った(シリコンとチタンとのモル比=371
)。
ついでこの原料液を窒素ガスを用いて噴霧させ、この1
.875g/時を酸素ガス4.12N m’ 7時、水
素ガス3.6部m”7時、窒素ガス1.85Nrn’/
時と共に酸水素火炎中に導入して燃焼分解させてシリカ
−チタニア微粒子とし、このときのシリカ−チタニア微
粒子の受容熱量が1.20KcaJZ/gとなるように
したところ、2.0時間の反応で、シリカ−チタニア微
粒子1.250gが得られた。
.875g/時を酸素ガス4.12N m’ 7時、水
素ガス3.6部m”7時、窒素ガス1.85Nrn’/
時と共に酸水素火炎中に導入して燃焼分解させてシリカ
−チタニア微粒子とし、このときのシリカ−チタニア微
粒子の受容熱量が1.20KcaJZ/gとなるように
したところ、2.0時間の反応で、シリカ−チタニア微
粒子1.250gが得られた。
つぎにこのようにして得たシリカ−チタニア微粒子の比
表面積を測定したところ27. 5rr?/gで、この
もののチタン含量をJIS R3105で測定したと
ころ20.9重量%であり、またこのものの透過型電子
顕微鏡による150.000倍の写真を撮影したところ
第1図に示した結果が得られ、さらに東芝製X線回折装
置ADG−302型を用いてこのX線回折によるピーク
を測定したところ第2図に示した結果が得られたので、
このシリカ−チタニア微粒子は非晶質のものであること
が確認された。なお、このシリカ−チタニア微粒子につ
いてはイオンクロマトグラフで塩素分を、また偏光ゼー
マンフレームレス電子吸光でその金属不純分を、ざらに
は蛍光分光光度計で含有ウラン量を測定したところ、つ
ぎの第1表に示したとおりの結果が得られた。
表面積を測定したところ27. 5rr?/gで、この
もののチタン含量をJIS R3105で測定したと
ころ20.9重量%であり、またこのものの透過型電子
顕微鏡による150.000倍の写真を撮影したところ
第1図に示した結果が得られ、さらに東芝製X線回折装
置ADG−302型を用いてこのX線回折によるピーク
を測定したところ第2図に示した結果が得られたので、
このシリカ−チタニア微粒子は非晶質のものであること
が確認された。なお、このシリカ−チタニア微粒子につ
いてはイオンクロマトグラフで塩素分を、また偏光ゼー
マンフレームレス電子吸光でその金属不純分を、ざらに
は蛍光分光光度計で含有ウラン量を測定したところ、つ
ぎの第1表に示したとおりの結果が得られた。
第1表(単位ppb)
実施例2、比較例1
メチルトリメトキシシラン55.6部、テトライソプロ
ポキシチタン34.4部、エタノール10.0部の混合
物(シリコンとチタンとのモル比3.4:1)に酸素ガ
ス、水素ガス、窒素ガスを第2表に示した量で混合して
酸水素火炎バーナーに導入したほかは実施例1と同様に
処理し、このときに得られたシリカ−チタニア微粒子の
受容熱量を第2表に示した値としたところ、第2表に併
記した比表面積、含有チタン量をもつシリカ−チタニア
微粒子が得られた。
ポキシチタン34.4部、エタノール10.0部の混合
物(シリコンとチタンとのモル比3.4:1)に酸素ガ
ス、水素ガス、窒素ガスを第2表に示した量で混合して
酸水素火炎バーナーに導入したほかは実施例1と同様に
処理し、このときに得られたシリカ−チタニア微粒子の
受容熱量を第2表に示した値としたところ、第2表に併
記した比表面積、含有チタン量をもつシリカ−チタニア
微粒子が得られた。
第2表
塩素分を含まず、シリコン、チタン以外の金属含有量が
1.0ppm以下、粒度分布が10〜500nmで、比
表面積が10〜30!ぜ7gである非晶質のシリカ−チ
タニア微粒子が得られるが、このものは塩素分を含まず
、シリコン、チタン以外の金属不純物が少なく、かっは
流動特性もよいので、半導体工業におけるプラスチック
パッケージ用エポキシ樹脂の充填剤として、また光IC
封止剤用充填材として有用とされるという有利性が与え
られる。
1.0ppm以下、粒度分布が10〜500nmで、比
表面積が10〜30!ぜ7gである非晶質のシリカ−チ
タニア微粒子が得られるが、このものは塩素分を含まず
、シリコン、チタン以外の金属不純物が少なく、かっは
流動特性もよいので、半導体工業におけるプラスチック
パッケージ用エポキシ樹脂の充填剤として、また光IC
封止剤用充填材として有用とされるという有利性が与え
られる。
第1図は実施例1で得られた大発明のシリカ−チタニア
微粒子の電子顕微鏡写真(150,000倍)第2図は
このシリカ−チタニア微粒子のX線回折によるピークを
図示したものである。 [発明の効果] 本発明のシリカ−チタニア微粒子は事前に充分事前製さ
れたアルコキシシラン、アルコキシチタンを原料として
上記した方法で製造されるので、第1 図
微粒子の電子顕微鏡写真(150,000倍)第2図は
このシリカ−チタニア微粒子のX線回折によるピークを
図示したものである。 [発明の効果] 本発明のシリカ−チタニア微粒子は事前に充分事前製さ
れたアルコキシシラン、アルコキシチタンを原料として
上記した方法で製造されるので、第1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、塩素を含まず、シリコン、チタン以外の金属含有分
が1.0ppm以下、粒度分布が10〜500nmで、
比表面積が10〜30m^2/gである非晶質のシリカ
−チタニア球状微粒子。 2、アルコキシシラン、アルコキシチタンの混合物を液
状で火炎中に導入し、全発熱量から計算される粒子の受
容する熱量が1.1Kcal/g以上の条件で燃焼分解
することを特徴とする請求項1に記載のシリカ−チタニ
ア球状微粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30927788A JPH0761851B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | シリカーチタニア球状微粒子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30927788A JPH0761851B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | シリカーチタニア球状微粒子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02153816A true JPH02153816A (ja) | 1990-06-13 |
JPH0761851B2 JPH0761851B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=17991059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30927788A Expired - Fee Related JPH0761851B2 (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | シリカーチタニア球状微粒子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0761851B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996031572A1 (de) * | 1995-04-03 | 1996-10-10 | Institut für Neue Materialien Gemeinnützige GmbH | Kompositklebstoff für optische und optoelektronische anwendungen |
EP1246022A2 (en) | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic image developer |
US6777152B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic image developer |
JP2004302030A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 静電荷像現像用トナー、二成分現像剤、画像形成方法及び電子写真画像形成装置 |
JP2005001981A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Fuso Chemical Co Ltd | 金属微粒子分散体及びその製造方法 |
JP2008532895A (ja) * | 2005-02-11 | 2008-08-21 | アイトゲネシッシェ テヒニッシェ ホーホシューレ チューリッヒ | 火炎噴霧熱分解法により製造された抗菌性および抗真菌性粉末 |
US7615201B2 (en) | 2001-07-23 | 2009-11-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Spherical particles of silica-containing compound oxide and method of production |
JP2017036168A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社トクヤマ | シリカ−チタニア複合酸化物粒子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP30927788A patent/JPH0761851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996031572A1 (de) * | 1995-04-03 | 1996-10-10 | Institut für Neue Materialien Gemeinnützige GmbH | Kompositklebstoff für optische und optoelektronische anwendungen |
EP1246022A2 (en) | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic image developer |
EP1246022A3 (en) * | 2001-03-30 | 2003-11-05 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic image developer |
US6777152B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic image developer |
US7615201B2 (en) | 2001-07-23 | 2009-11-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Spherical particles of silica-containing compound oxide and method of production |
JP2004302030A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 静電荷像現像用トナー、二成分現像剤、画像形成方法及び電子写真画像形成装置 |
JP2005001981A (ja) * | 2003-05-21 | 2005-01-06 | Fuso Chemical Co Ltd | 金属微粒子分散体及びその製造方法 |
JP2008532895A (ja) * | 2005-02-11 | 2008-08-21 | アイトゲネシッシェ テヒニッシェ ホーホシューレ チューリッヒ | 火炎噴霧熱分解法により製造された抗菌性および抗真菌性粉末 |
JP2017036168A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 株式会社トクヤマ | シリカ−チタニア複合酸化物粒子及びその製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0761851B2 (ja) | 1995-07-05 |
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