JPH02145494A - 単結晶育成用るつぼ - Google Patents
単結晶育成用るつぼInfo
- Publication number
- JPH02145494A JPH02145494A JP29743088A JP29743088A JPH02145494A JP H02145494 A JPH02145494 A JP H02145494A JP 29743088 A JP29743088 A JP 29743088A JP 29743088 A JP29743088 A JP 29743088A JP H02145494 A JPH02145494 A JP H02145494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- flange
- growth
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、単結晶育成用るつぼの改良に関する。
（従来の技術）
第３図に示す如〈従来の単結晶育成用るつぼ１はＶ形底
２を有する円筒形で、上端部外周の四方に吊り線３を設
けたものである。
２を有する円筒形で、上端部外周の四方に吊り線３を設
けたものである。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記単結晶育成用るつぼ１は、使用中、上部
が変形するのを防止する為に、第４図に示す如く上端部
外周面に補強帯４を巻き付は固着しているが、るつぼ１
自体の重量及びフェライト等の充填材料の重量を、四方
の吊り線３で保持するのが難しく、高温で長時間使用す
ると、第５図に示す如くるつぼ１の上部が前記の重量に
より略方形に変形する。
が変形するのを防止する為に、第４図に示す如く上端部
外周面に補強帯４を巻き付は固着しているが、るつぼ１
自体の重量及びフェライト等の充填材料の重量を、四方
の吊り線３で保持するのが難しく、高温で長時間使用す
ると、第５図に示す如くるつぼ１の上部が前記の重量に
より略方形に変形する。
そこで本発明は、るつぼの上部がるつぼ自体の重量及び
フェライト等の充填材料の重量により変形しないように
した単結晶育成用るつぼを提供しようとするものである
。
フェライト等の充填材料の重量により変形しないように
した単結晶育成用るつぼを提供しようとするものである
。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するための本発明の単結晶育成用るつぼ
は、Ｖ形底を有し、上端部外周の四方に吊り線を設けた
単結晶育成用るつぼに於いて、上端縁外側にフランジを
取付けたことを特徴とするものである。
は、Ｖ形底を有し、上端部外周の四方に吊り線を設けた
単結晶育成用るつぼに於いて、上端縁外側にフランジを
取付けたことを特徴とするものである。
本発明の単結晶育成用るつぼに於いて、フランジを設け
る理由は、るつぼ上部の変形を防止するためである。フ
ランジの幅は、１ ｍｍ未満ではるつぼの使用時、るつ
ぼ上部の変形を防止するのに十分でなく、８市を超える
とるつぼを挿入する炉心管の内周面とるつぼの外周面と
の隙間が１０吐以内であることから、取扱い上フランジ
が炉心管の内周面に当たることがあって厄介となるから
１〜８ｍｌ１１の範囲が好ましい。またフランジの厚さ
０．１ｍｍ未満ではるつぼの使用時、るつぼ上部の変形
を防止するのに十分でなく、１■を超えると薄肉のるつ
ぼに溶接することが困難・となるから０．１〜ＩＬｌ１
ｍの範囲が好ましい。
る理由は、るつぼ上部の変形を防止するためである。フ
ランジの幅は、１ ｍｍ未満ではるつぼの使用時、るつ
ぼ上部の変形を防止するのに十分でなく、８市を超える
とるつぼを挿入する炉心管の内周面とるつぼの外周面と
の隙間が１０吐以内であることから、取扱い上フランジ
が炉心管の内周面に当たることがあって厄介となるから
１〜８ｍｌ１１の範囲が好ましい。またフランジの厚さ
０．１ｍｍ未満ではるつぼの使用時、るつぼ上部の変形
を防止するのに十分でなく、１■を超えると薄肉のるつ
ぼに溶接することが困難・となるから０．１〜ＩＬｌ１
ｍの範囲が好ましい。
（作用）
上記構造の本発明の単結晶育成用るつぼは、上端縁外側
にフランジが取付けられて補強されているので、高温で
長時間使用してもるつぼの上部は、るつぼ自体の重量及
びフェライト等の充填材料の重量により変形することが
無い。またるつぼの変形が無いので、育成される単結晶
製品にクラックが入ることが無く、単結晶製品の歩留り
が大幅に向上する。
にフランジが取付けられて補強されているので、高温で
長時間使用してもるつぼの上部は、るつぼ自体の重量及
びフェライト等の充填材料の重量により変形することが
無い。またるつぼの変形が無いので、育成される単結晶
製品にクラックが入ることが無く、単結晶製品の歩留り
が大幅に向上する。
（実施例）
本発明の単結晶育成用るつぼの一実施例を第１図によっ
て説明すると、内径４０ｍｍ、高さ１５０ｎｕｎ。
て説明すると、内径４０ｍｍ、高さ１５０ｎｕｎ。
肉厚０．３■のＰｔより成る円筒形のるつぼ１は、内角
６０度のＶ形底２を有し、上端部外周に厚さ０．３ｍｏ
＋、高さｌｏｍｏ＋のＰｔより成る補強帯４が巻き付は
固着され、この補強帯４の部分の周方向四方に吊り線３
が取付けられている。そして補強帯４の上側のるつぼ１
の上端縁外側に、幅３１１１１ｍ、厚さ０．１止のｐｔ
より成るフランジ５が溶接されている。
６０度のＶ形底２を有し、上端部外周に厚さ０．３ｍｏ
＋、高さｌｏｍｏ＋のＰｔより成る補強帯４が巻き付は
固着され、この補強帯４の部分の周方向四方に吊り線３
が取付けられている。そして補強帯４の上側のるつぼ１
の上端縁外側に、幅３１１１１ｍ、厚さ０．１止のｐｔ
より成るフランジ５が溶接されている。
かかる構造の単結晶育成用るつぼ１内に、フェライトと
して原料を９５０ｇ充填し、このるつぼ１を図示せぬ炉
心管に吊り線３にて吊り降ろし乍ら挿入し、１６５０℃
でフェライトを溶解し、単結晶の育成を１２０時間行っ
て単結晶製品を得た。
して原料を９５０ｇ充填し、このるつぼ１を図示せぬ炉
心管に吊り線３にて吊り降ろし乍ら挿入し、１６５０℃
でフェライトを溶解し、単結晶の育成を１２０時間行っ
て単結晶製品を得た。
るつぼ１内より単結晶製品を取り出した後、るつぼ１を
検査した処、るつぼ１の上部は全く変形せず円形を保っ
ていた。これはひとえにるつぼ１の上端縁外側にフラン
ジ５を溶接したことにより、るつぼ１の上部が十分に補
強され、るつぼ１内体の重量及び充填材料の重量による
引張り変形が完全に防止されたからに他ならない。
検査した処、るつぼ１の上部は全く変形せず円形を保っ
ていた。これはひとえにるつぼ１の上端縁外側にフラン
ジ５を溶接したことにより、るつぼ１の上部が十分に補
強され、るつぼ１内体の重量及び充填材料の重量による
引張り変形が完全に防止されたからに他ならない。
尚、上記実施例の単結晶育成用るつぼに於けるフランジ
５はフラットであるが、第２図に示す如く外周縁に垂直
なリング５ａを垂設固着した断面駒形のフランジ５′で
も良いものである。
５はフラットであるが、第２図に示す如く外周縁に垂直
なリング５ａを垂設固着した断面駒形のフランジ５′で
も良いものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の単結晶育成用るつぼは
、るつぼの上端縁外側にフランジが取付けられているの
で、上部が十分に補強されて、高温で長時間吊り線にて
吊って、るつぼ内に充填された材料の単結晶の育成を行
っても、るつぼは全く変形しないものである。またるつ
ぼが変形しないので、育成される単結晶製品にクラック
が入ることが無く、単結晶製品の歩留りが大幅に向上す
る。
、るつぼの上端縁外側にフランジが取付けられているの
で、上部が十分に補強されて、高温で長時間吊り線にて
吊って、るつぼ内に充填された材料の単結晶の育成を行
っても、るつぼは全く変形しないものである。またるつ
ぼが変形しないので、育成される単結晶製品にクラック
が入ることが無く、単結晶製品の歩留りが大幅に向上す
る。
第１図は本発明の単結晶育成用るつぼの一実施例を示す
縦断斜視図、第２図は他の実施例を示す縦断斜視図、第
３図は従来の単結晶育成用るつぼの斜視図、第４図は同
じ〈従来の単結晶育成用るつぼの縦断斜視図、第５図は
第４図の単結晶育成用るつぼの変形状態を示す斜視図で
ある。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第 図
縦断斜視図、第２図は他の実施例を示す縦断斜視図、第
３図は従来の単結晶育成用るつぼの斜視図、第４図は同
じ〈従来の単結晶育成用るつぼの縦断斜視図、第５図は
第４図の単結晶育成用るつぼの変形状態を示す斜視図で
ある。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第 図
Claims (1)
- １、Ｖ形底を有し、上端部外周の四方に吊り線を設けた
単結晶育成用るつぼに於いて、上端縁外側にフランジを
取付けたことを特徴とする単結晶育成用るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29743088A JPH02145494A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 単結晶育成用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29743088A JPH02145494A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 単結晶育成用るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02145494A true JPH02145494A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17846414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29743088A Pending JPH02145494A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | 単結晶育成用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02145494A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11674238B2 (en) | 2020-02-27 | 2023-06-13 | Fujikoshi Machinery Corp. | Crucible for growing metal oxide single crystal |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5537460A (en) * | 1978-09-07 | 1980-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Structure of crucible |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP29743088A patent/JPH02145494A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5537460A (en) * | 1978-09-07 | 1980-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Structure of crucible |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11674238B2 (en) | 2020-02-27 | 2023-06-13 | Fujikoshi Machinery Corp. | Crucible for growing metal oxide single crystal |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02145494A (ja) | 単結晶育成用るつぼ | |
| JPH01100086A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH08175896A (ja) | 単結晶の製造方法及び装置 | |
| JPH0891980A (ja) | 単結晶育成装置 | |
| JPH09328394A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JPS62167284A (ja) | ブリツジマン法による単結晶の製造方法及び装置 | |
| JPS6389488A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS5921594A (ja) | ルツボ | |
| JPH0297476A (ja) | 単結晶育成用るつぼ | |
| US5363795A (en) | Czochralski crystal pulling process and an apparatus for carrying out the same | |
| JPS5852292Y2 (ja) | 坩堝支持体 | |
| JPH03290393A (ja) | Ｓｉ単結晶製造用ルツボ | |
| JPS6126588A (ja) | 単結晶育成るつぼ | |
| JPH02141490A (ja) | 単結晶育成用るつぼ | |
| JPH10338593A (ja) | 引き上げ法による単結晶育成用の貴金属ルツボ | |
| EP0530397A1 (en) | Czochralski crystal pulling process and an apparatus for carrying out the same | |
| JP2706272B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の成長方法 | |
| JPS6034027Y2 (ja) | シ−ドホルダ− | |
| JPH0151477B2 (ja) | ||
| JPS54128988A (en) | Preparation of single crystal | |
| JPS61106498A (ja) | ＣｄＴｅの結晶成長法 | |
| TW573082B (en) | Thermal shield device equipped in crystal-pulling apparatus | |
| JPH06135800A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPS588781Y2 (ja) | 単結晶育成炉 | |
| JPH04160090A (ja) | 半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ |