JPH0213927A - Liquid crystal display panel - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示パネルに係り、特に画素電極−つ一
つについてその一隅に生ずる液晶分子配向の反転による
表示不良を目立たなくし表示品位の向上を図るのに好適
なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルに関する
。Detailed Description of the Invention [Industrial Field of Application] The present invention relates to a liquid crystal display panel, and particularly to a method for improving display quality by making display defects caused by reversal of liquid crystal molecular orientation in one corner of each pixel electrode less noticeable. The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display panel suitable for achieving improved performance.
第５図は液晶分子の配向反転現象を示す説明図である。 FIG. 5 is an explanatory diagram showing the phenomenon of orientation reversal of liquid crystal molecules.
液晶表示パネルは、第５図例に示すように、上下に対向
させた基板５１ 、５２の対向面に、下側の基板５１に
は矩形の画素電極５３、配向膜５４を、また上側の基板
５２には共通電極５５、配向膜５６を積層形成し、この
配向膜５４． 、５６間に液晶５７（例えばツイストネ
マチック型液晶）を介在させた構成となっている。この
ような液晶表示パネルにおいては、′１圧を印加した画
素電極５３と共通電極５５との間に位置し、且つ画素電
極５３の一隅に対応して位置する液晶分子５７の配向方
向が第５図（イ）に示すように反転する現象が発生し、
第５図（つ）に示すように画素電極５３の一隅に表示状
態の不良部５３ ａが発生するこの表示不良は配向膜５
４ 、５６における配向処理方向と一定の関係にあり、
これは第７図に示すとおりである。第７図（ト）〜に）
は液晶分子が左遷性を示す場合の配向処理方向と不良表
示部発生位置との関係を示す説明図であり、上側に下側
の配向膜５４に対する配向処理方向を、破線で、また上
側の配向膜５６に対する配向処理方向を実線で示し、ま
た下側には画素電極５３上に生じる不良表示部５３ ａ
を示しである。As shown in the example of FIG. 5, the liquid crystal display panel includes substrates 51 and 52 which are arranged vertically opposite each other, and a rectangular pixel electrode 53 and an alignment film 54 are provided on the lower substrate 51, and a rectangular pixel electrode 53 and an alignment film 54 are provided on the upper substrate 51. A common electrode 55 and an alignment film 56 are laminated on the alignment film 54 . , 56, a liquid crystal 57 (for example, twisted nematic liquid crystal) is interposed between the liquid crystals 57 and 56. In such a liquid crystal display panel, the alignment direction of the liquid crystal molecules 57 located between the pixel electrode 53 and the common electrode 55 to which a pressure of '1 is applied and corresponding to one corner of the pixel electrode 53 is the fifth direction. As shown in figure (a), a reversal phenomenon occurs,
As shown in FIG.
4, has a certain relationship with the orientation treatment direction in 56,
This is as shown in FIG. Figure 7 (g) ~)
is an explanatory diagram showing the relationship between the orientation processing direction and the position where a defective display portion occurs when liquid crystal molecules exhibit left-shifting property. The direction of alignment treatment for the film 56 is shown by a solid line, and the lower side shows a defective display area 53a that occurs on the pixel electrode 53.
It shows.
このような表示不良を防止する方法として特開昭５９−
２０２４３３号公報に記載のように表示不良部分が形成
される部分の表示電極を切欠するようになっていた。As a method for preventing such display defects, Japanese Patent Laid-Open No. 59-
As described in Japanese Patent No. 202433, the display electrode is cut out in a portion where a display defective portion is to be formed.
また、これを改良した例として特開昭６２−１１６９２
１′号公報ｌこ記載のように表示不良部が不透明な薄膜
トランジスタ上にオーバーラツプして形成されるように
なっていた。すなわち薄膜トランジスタをスイッチング
素子として用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示
パネルにおいて、従来の液晶表示パネルの平面図である
第６図に示すように、画素電極５３上に生じる液晶分子
配向の反転による表示不良５３ ａが前記薄膜トランジ
スタのソース電極６４上番こ起こるよう画素電極５３Ｊ
こ対する薄膜トランジスタ位置と液晶に対する配向処理
方向とを相対的に設定するようになっていた。例えば第
６図の場合は薄膜トランジスタが画素電極５３の左上の
部分で接続しているので画素電極５３の左上隅に表示不
良５３ ａが起こるようにするため第７図（イ）に示す
ように下側の配向処理方向を右下がり、上側の配向処理
方向を右上がりに設定するようになっていた。In addition, as an example of improving this, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-11692
As described in Publication No. 1', a defective display portion is formed overlapping an opaque thin film transistor. That is, in an active matrix type liquid crystal display panel using thin film transistors as switching elements, as shown in FIG. 6, which is a plan view of a conventional liquid crystal display panel, a display defect 53 occurs due to an inversion of the orientation of liquid crystal molecules on a pixel electrode 53. The pixel electrode 53J is arranged such that a occurs above the source electrode 64 of the thin film transistor.
The position of the thin film transistor and the alignment direction of the liquid crystal are set relative to each other. For example, in the case of FIG. 6, the thin film transistor is connected at the upper left part of the pixel electrode 53, so in order to cause the display defect 53a to occur at the upper left corner of the pixel electrode 53, the thin film transistor is connected at the bottom as shown in FIG. The orientation treatment direction for the side was set to be downward to the right, and the orientation treatment direction for the upper side was set to be upward to the right.
上記の表示不良を切欠する方法では、液晶表示パネルと
しての開口率が低下することとなり、画像のコントラス
トの低下をきたすという問題があった。The above-mentioned method of cutting out display defects has a problem in that the aperture ratio of the liquid crystal display panel decreases, resulting in a decrease in image contrast.
また、上記の表示不良を薄膜トランジスタ上に起こるよ
うにする方法では液晶に対する配向処理方向と画素電極
に対する薄膜トランジスタの位置を相対的に設定する手
間がかかる。さらに、この方法は、アクティブ素子とし
て薄膜トランジスタを用いた場合に限定して考えている
という問題があった。Furthermore, in the method of causing the display defect to occur on the thin film transistor, it takes time and effort to set the alignment direction for the liquid crystal and the position of the thin film transistor relative to the pixel electrode. Furthermore, this method has a problem in that it is limited to cases where thin film transistors are used as active elements.
本発明の目的は、上記のような問題点を解決し開口率の
低下をきたすことなく、また、製造工程の負担を軽減し
ながら表示不良部分を目立たなくし、液晶表示パネルの
品位を向上させることにある。さらに本発明の目的は、
アクティブ素子として薄膜トランジスタを用いる場合の
みでなく２端子素子を用いた場合も考慮し広範囲に利用
できるようにすることにある。The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned problems and improve the quality of a liquid crystal display panel by making display defects less noticeable without reducing the aperture ratio and reducing the burden on the manufacturing process. It is in. Furthermore, the purpose of the present invention is to
The object of the present invention is to allow wide range of use, considering not only the case where a thin film transistor is used as an active element but also the case where a two-terminal element is used.
上記目的は、画素電極の四隅のうち、画素電極に対する
信号のスイッチング素子として構成されている不透明な
薄膜トランジスタまたは２端子素子と電気的に接続する
隅以外の隅を変形して面積を拡大し、液晶分子配向の反
転による表示不良が前記スイッチング素子上もしくは前
記画素電極拡大部上に起こるようにして、画素電極本来
の面積を小さくすることなく表示不良を目立たなくする
ことにより達成される。The above purpose is to expand the area by deforming the four corners of the pixel electrode other than the corner electrically connected to the opaque thin film transistor or two-terminal element configured as a signal switching element for the pixel electrode. This is achieved by causing display defects due to inversion of molecular orientation to occur on the switching element or on the enlarged portion of the pixel electrode, thereby making the display defects less noticeable without reducing the original area of the pixel electrode.
液晶分子配向の反転による画素電極上の表示不良は上記
した画素電極拡大部上もしくは不透明なアクティブ素子
部上に起こる。すなわち本発明の一実施例の平面図であ
る第１図に示すように、画素電極３におけるゲート電極
１３、ドレイン電極１２に入り込んだ部分３ｂもしくは
不透明なアクティブ素子部と電気的に接続した部分３ｃ
に生じることになるので表示不良は目立たなくなり、か
つブラックマトリクスを用いた場合、その面積を広くせ
ずに済むので、開口率を低下させることもなくなる。こ
れより本発明は、液晶分子配向の反転による表示品位の
低下を防ぐ。Display defects on the pixel electrode due to reversal of liquid crystal molecule orientation occur on the above-mentioned pixel electrode enlarged portion or on the opaque active element portion. That is, as shown in FIG. 1, which is a plan view of an embodiment of the present invention, a portion 3b of the pixel electrode 3 that penetrates into the gate electrode 13 and the drain electrode 12, or a portion 3c that is electrically connected to the opaque active element portion.
Since this occurs, display defects become less noticeable, and when a black matrix is used, the area does not need to be increased, so there is no need to reduce the aperture ratio. Therefore, the present invention prevents deterioration in display quality due to reversal of liquid crystal molecular orientation.
また、本発明は表示不良が画素電極の四隅のどの部分に
起こっても表示品位の低下を防ぐ。それによって液晶の
配向処理方向を設定する必要がなくなり、製造工程の負
担、工数は軽減する。Furthermore, the present invention prevents deterioration in display quality even if a display defect occurs in any of the four corners of a pixel electrode. This eliminates the need to set the orientation treatment direction of the liquid crystal, reducing the burden and man-hours of the manufacturing process.
さらに、本発明はアクティブ素子として薄膜トランジス
タおよび２端子素子を用いた場合に利用できるので、本
発明の応用範囲は広がり、液晶表示パネルのコストダウ
ンを可能とする。Furthermore, since the present invention can be used when a thin film transistor or a two-terminal element is used as an active element, the scope of application of the present invention is expanded and the cost of the liquid crystal display panel can be reduced.
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。第１
図は第２図の■−■線方向から見た模式的平面図であり
、第２図は本発明の一実施例の液晶表示パネルの断面構
造図である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
This figure is a schematic plan view seen from the direction of the line ■--■ in FIG. 2, and FIG. 2 is a cross-sectional structural diagram of a liquid crystal display panel according to an embodiment of the present invention.
第２図に示すように、下側のガラス基板１には、その上
面にＩＴＯ膜等で形成された画素電極３、薄膜トランジ
スタ４、配向膜５が、また下面には偏光板６が設けられ
、一方上側のガラス基板２１こは、その下面にＩＴＯ膜
等で形成された共通電極７、配向膜８が形成され、また
上面には偏光板９が設けられ、上下の基板１．２の配向
膜５．８間に液晶１０が介在している。As shown in FIG. 2, a lower glass substrate 1 is provided with a pixel electrode 3 formed of an ITO film or the like on its upper surface, a thin film transistor 4, and an alignment film 5, and a polarizing plate 6 on its lower surface. On the other hand, the upper glass substrate 21 has a common electrode 7 made of an ITO film or the like and an alignment film 8 formed on its lower surface, and a polarizing plate 9 is provided on its upper surface. A liquid crystal 10 is interposed between 5 and 8.
薄膜トランジスタ４は、ゲート電極１３から張り出した
舌片部１３ ａ上に絶縁膜１１を隔てて非晶質シリコン
層１４を積層形成し、この上にドレイン電極１２とソー
ス電極１５とを相互に接触しない状態に積層形成するこ
とで構成されている。In the thin film transistor 4, an amorphous silicon layer 14 is laminated on a tongue portion 13a extending from a gate electrode 13 with an insulating film 11 in between, and a drain electrode 12 and a source electrode 15 are placed on top of the amorphous silicon layer 14 so as not to contact each other. It is constructed by laminating layers.
ソース電極１５上には画素電極３がその一隅をオーバー
ラツプさせた状態で形成されている。この画素電極３は
第１図に示すように、その四隅のうち薄膜トランジスタ
と電気的に接続する隅以外の三隅の面積を拡大した形に
パターニングされており、これら画素電極３の縦列間（
こけ絶縁膜１１を隔ててドレイン電極１２を、また横列
間には直接基板１上にゲート電極１３を形成する。ドレ
イン電極１２およびゲート電極１３が前記画素１に極拡
犬部３ｂと接触しないように、ドレイン電極１２、ゲー
ト電極１３には第１図に示すように切り込みが形成され
ている。これらドレイン電極１２とゲート電極１３の交
叉点付近であって、各画素電極３よの間にはスイッチン
グ素子である前記薄膜トランジスタ４が形′成されてい
る。ゲート電極１３を線順次的に走査し、一つのゲート
電極上の全ての薄膜トランジスタを一時導通状態にし、
信号回路からドレイン電極１２を介して各信号蓄積キャ
パシタに信号を供給し、供給された信号は次のフレーム
の走査時まで液晶を励起し続けるようになっている。The pixel electrode 3 is formed on the source electrode 15 with one corner thereof overlapping the pixel electrode 3. As shown in FIG. 1, this pixel electrode 3 is patterned in such a way that the area of three of its four corners other than the corner electrically connected to the thin film transistor is enlarged, and between the columns of these pixel electrodes 3 (
A drain electrode 12 is formed across the moss insulating film 11, and a gate electrode 13 is formed directly on the substrate 1 between the rows. In order to prevent the drain electrode 12 and the gate electrode 13 from coming into contact with the extremely enlarged dog portion 3b of the pixel 1, cuts are formed in the drain electrode 12 and the gate electrode 13 as shown in FIG. The thin film transistor 4, which is a switching element, is formed near the intersection of the drain electrode 12 and the gate electrode 13 and between each pixel electrode 3. The gate electrode 13 is scanned line-sequentially, all the thin film transistors on one gate electrode are temporarily turned on,
A signal is supplied from the signal circuit to each signal storage capacitor via the drain electrode 12, and the supplied signal continues to excite the liquid crystal until the next frame is scanned.
配向膜５．８はいずれも有機高分子膜を約１０００λ程
度の厚さに形成して構成されており、硬化過程で布にて
ラビング等を施すことによって互いに直交する方向に配
向処理を行っである。上下基板■、２間にスペーサ材を
介在させ、上下基板１．２を接着し、内部に液晶１０を
注入して液晶層を形成しエポキシ樹脂で封孔することで
本発明の液晶表示パネルは製造できる。The alignment films 5.8 are each composed of an organic polymer film formed to a thickness of about 1000λ, and can be aligned in directions perpendicular to each other by rubbing with a cloth during the curing process. be. The liquid crystal display panel of the present invention is produced by interposing a spacer material between the upper and lower substrates 1 and 2, bonding the upper and lower substrates 1 and 2, injecting liquid crystal 10 inside to form a liquid crystal layer, and sealing the holes with epoxy resin. Can be manufactured.
本実施例によれば、液晶分子の配向反転による表示不良
が画素電極拡大部３ｂ上または画素電極３と薄膜トラン
ジスタ４が電気的に接続する部分３ｃ上に起こり、液晶
分子の配向反転による画素電極の面積低下すなわち開口
率の低下を防止することができる。また、表示不良がド
レイン電極１２もしくはゲート電極１３に入り込んだ部
分３ｂ上、または不透明な薄膜トランジスタ４上に起こ
るため、表示不良が目立たなくなり、液晶表示パネルの
表示品位を向上することができる。さらに本実施例によ
れば、画素電極の四隅のどの部分に表示不良が形成され
ても液晶表示パネルの表示品位は向上できるので、液晶
の配向処理方向を設定する必要がなく、製造工程の負担
および工数が軽減される。According to this embodiment, display defects due to the orientation reversal of liquid crystal molecules occur on the pixel electrode enlarged portion 3b or on the portion 3c where the pixel electrode 3 and the thin film transistor 4 are electrically connected, and the pixel electrode It is possible to prevent a decrease in area, that is, a decrease in aperture ratio. Furthermore, since the display defect occurs on the portion 3b that has entered the drain electrode 12 or the gate electrode 13, or on the opaque thin film transistor 4, the display defect becomes less noticeable and the display quality of the liquid crystal display panel can be improved. Furthermore, according to this embodiment, the display quality of the liquid crystal display panel can be improved even if a display defect occurs in any of the four corners of the pixel electrode, so there is no need to set the liquid crystal alignment direction, which burdens the manufacturing process. and man-hours are reduced.
本発明の他の実残例として２端子素子をアクティブ素子
として用いる方法がある。第３図は、第４図の■−■線
方向から見た模式的平面図であり、第４図は、本発明の
一実施例で２端子素コ−としてＭＩＭダイオードを用い
た液晶表示パネルの模式的断面図である。Another practical example of the present invention is a method of using a two-terminal device as an active device. FIG. 3 is a schematic plan view seen from the direction of the line ■-■ in FIG. FIG.
第４図に示すように、下側のガラス基板１にはその上面
にＩＴＯ膜等で形成された画素電極３、ＭＩＭダイオー
ド、配向膜５が、また下面には偏光板６が設けられ、一
方上側のガラス基板２には共通電極７、配向膜８、偏光
板９が設けられ、上下の基板１．２の配向膜５．８間に
液晶１０が介在している。As shown in FIG. 4, a lower glass substrate 1 is provided with a pixel electrode 3 formed of an ITO film or the like on its upper surface, a MIM diode, and an alignment film 5, and a polarizing plate 6 on its lower surface. A common electrode 7, an alignment film 8, and a polarizing plate 9 are provided on the upper glass substrate 2, and a liquid crystal 10 is interposed between the alignment films 5.8 of the upper and lower substrates 1.2.
ＭＩＭダイオードは、画素′電極３の舌片部上にシリコ
ン窒化膜１６、クロム電極１７を積層形成することで構
成されている。画素電極３は第３図に示すように、その
四隅のうち舌片部すなわちＭＩＭダイオードと電気的に
接続する部分３ｄ以外の三隅の面積を拡大した形にパタ
ーニングされておりこれら画素′１極３の横列間にはシ
リコン窒化膜１６、クロム電極１７が積層形成されてい
る。ンリコンツ化膜１６が前記画素電極拡大部３ｂと接
触しないように、シリコン窒化膜１６には第１図に示す
ように切り込みが施されている。配向膜は互いに直交す
る方向に配向処理を行い、上下基板１．２間にスペーサ
材を介在させ上下基板１．２を接着し、内部に液晶１０
を注入してエポキシ樹脂で封孔することで本発明の液晶
表示パネルは製造できる。The MIM diode is constructed by laminating a silicon nitride film 16 and a chromium electrode 17 on the tongue portion of the pixel' electrode 3. As shown in FIG. 3, the pixel electrode 3 is patterned in such a way that the area of the three corners other than the tongue portion, that is, the portion 3d electrically connected to the MIM diode, is expanded. A silicon nitride film 16 and a chromium electrode 17 are laminated between the rows. A cut is made in the silicon nitride film 16 as shown in FIG. 1 so that the silicon nitride film 16 does not come into contact with the pixel electrode enlarged portion 3b. The alignment film is aligned in directions perpendicular to each other, and a spacer material is interposed between the upper and lower substrates 1.2 to bond the upper and lower substrates 1.2, and a liquid crystal 10 is placed inside.
The liquid crystal display panel of the present invention can be manufactured by injecting and sealing the pores with an epoxy resin.
本実施例によれば、液晶分子の配向反転による開口率低
下、または表示品位の低下を防止することができ、さら
に製造工程の負担、工数を軽減することが可能となる。According to this embodiment, it is possible to prevent a decrease in the aperture ratio or a decrease in display quality due to orientation reversal of liquid crystal molecules, and furthermore, it is possible to reduce the burden and man-hours of the manufacturing process.
さらに、ＭＩＭダイオ〜ドを形成する方が薄膜トランジ
スタを形成するよりもコストが低いため、低価格で表示
品位の良い液晶表示パネルを製造することができる。Furthermore, since the cost of forming MIM diodes is lower than that of forming thin film transistors, a liquid crystal display panel with good display quality can be manufactured at low cost.
また、第３の実施例として、上記第１の実施例−第２の
実施例において、上側の基板１にブラ・ンクマトリクス
を設ける方法がある。本実施例によれば、従来と比較し
て画素電極３内のブラックマトリクスで隠すべき部分が
小さくできるため、開口率を下げずに済むという利点が
ある。Furthermore, as a third embodiment, there is a method of providing a blank matrix on the upper substrate 1 in the first to second embodiments. According to this embodiment, since the portion to be hidden by the black matrix in the pixel electrode 3 can be made smaller than in the conventional case, there is an advantage that the aperture ratio does not need to be lowered.
本発明によれば、液晶分子配向の反転による表示不良が
、不透明なアクティブ素子上もしくは画素電極の隅のう
ちアクティブ素子部と電気的に接続する隅を除いた隅、
を変形し面積を拡大した部分上に生じるので、画素電極
に占める正常表示部の面積が低減されない、すなわち開
口率の低減がないという効果がある。According to the present invention, display defects due to reversal of liquid crystal molecular orientation can occur on opaque active elements or in corners of pixel electrodes excluding corners that are electrically connected to active element portions.
Since this occurs on a portion whose area has been expanded by deforming the pixel electrode, the area occupied by the normal display portion in the pixel electrode is not reduced, that is, the aperture ratio is not reduced.
さらに、液晶分子配向の反転による表示不良は画素電極
がゲート電極、ドレイン電極に入り込んだ部分上か、ま
たは不透明なアクティブ素子上に生じるため、目立たな
くなり、液晶分子配向の反転によるコントラスト、色調
、視覚特性等の表示品位低下を防ぐことが可能となると
いう効果がある。Furthermore, display defects due to the reversal of the liquid crystal molecule orientation occur on the part where the pixel electrode enters the gate electrode or drain electrode, or on the opaque active element, so they are less noticeable, and the contrast, color tone, and visual acuity due to the reversal of the liquid crystal molecule orientation become less noticeable. This has the effect of preventing deterioration in display quality such as characteristics.
さらに、本発明によれば、画素電極の四隅のどの部分に
表示不良が形成されても液晶表示パネルの表示品位の低
下を防止することができるので、液晶の配向処理方向を
設定する必要がなくなり、製造工程の負担および工数の
軽減を図ることができるという効果がある。Further, according to the present invention, it is possible to prevent the display quality of the liquid crystal display panel from deteriorating even if a display defect is formed in any of the four corners of the pixel electrode, so there is no need to set the liquid crystal alignment direction. This has the effect of reducing the burden and man-hours of the manufacturing process.
さらに、本発明は薄膜トランジスタ、２端子素子など、
アクティブ素子全般について応用することができるので
、不発明の利用範囲は広く、液晶表示パネルのコストダ
ウンにもつながるという効果がある。Furthermore, the present invention can be applied to thin film transistors, two-terminal devices, etc.
Since the invention can be applied to all active elements, the scope of application of the invention is wide, and it has the effect of leading to cost reduction of liquid crystal display panels.
第１図は本発明の一実施例の平面図であって、第２図の
■−■線方向から見た模式的平面図、第２図は本発明の
一実施例で薄膜トランジスタをアクティブ素子として用
いた液晶表示パネルの断面構造図、第３図は本発明の他
の実施例の平面図であって、第４図の■−■線方向から
見た模式的平面図、第４図は本発明の一実施例で２端子
素子をアクティブ素子として用いた液晶表示パネルの断
面構造図、第５図（７）〜（つ）は液晶分子の配向反転
現象を示す説明図、第６図は従来の液晶表示パネルの平
面図、第７図（イ）〜に）は配向処理方向と液晶分子配
向反転による表示不良位置との関係を示す説明図である
。
符号の説明
１・・下基板 ２・上基板
３・・画素電極 ４・・・薄膜トランジスタ５
・・配向膜 ６・・・偏光板７・・・共通電
極 ８・・・配向膜９・・偏光板
ＩＯ・・液晶１１・・・絶縁膜 １２・・・
ドレイン電極１３・・・ゲート電極 １４・・・
被品質シリコン層１５・・・ソース電極 ３ｂ・
・・画素電極拡大部３ｃ・・・画素電極と薄膜トランジ
スタの電気的接続部
１３ ａ・・・ゲート電極から張り出した舌片部１６
・シリコン窒化膜 １７・・・クロム電極３ｄ・・・
画素電極とｌ１ｖｌ Ｉ Ｍり゛イオードの電気的接続
部
５１・・・下基板 ５２・・・上基板５３・
・画素電極 ５４・・配向膜５５・・共通電極
５６・・配向膜５７・・・液晶
５３ ａ・・・表示不良部６１・・・ドレイン電極
６２・・・ゲ・−ト＝極６３ 被品質シリコン膜
６４・・ソース電極Ｉ １ 図
ス ２ 図
５ ３ ”Ｊｉ
茎 ４２
′ｊＬ ５ 回FIG. 1 is a plan view of an embodiment of the present invention, and is a schematic plan view seen from the direction of the line ■-■ in FIG. 2. FIG. FIG. 3 is a cross-sectional structural diagram of the liquid crystal display panel used, and FIG. 3 is a plan view of another embodiment of the present invention. A cross-sectional structural diagram of a liquid crystal display panel using a two-terminal element as an active element according to an embodiment of the invention, FIGS. The plan view of the liquid crystal display panel in FIGS. 7(a) to 7(a) is an explanatory view showing the relationship between the orientation treatment direction and the display defect position due to the reversal of the orientation of liquid crystal molecules. Explanation of symbols 1: Lower substrate 2: Upper substrate 3: Pixel electrode 4: Thin film transistor 5
...Alignment film 6...Polarizing plate 7...Common electrode 8...Alignment film 9...Polarizing plate
IO...Liquid crystal 11...Insulating film 12...
Drain electrode 13... Gate electrode 14...
Quality silicon layer 15...source electrode 3b.
... Pixel electrode enlarged part 3c... Electrical connection part 13 between the pixel electrode and thin film transistor a... Tongue piece part 16 protruding from the gate electrode
・Silicon nitride film 17...Chrome electrode 3d...
Electrical connection part 51 between pixel electrode and l1vl I M diode...Lower substrate 52...Upper substrate 53.
・Pixel electrode 54...Alignment film 55...Common electrode 56...Alignment film 57...Liquid crystal
53 a...Display defective part 61...Drain electrode
62...Gate=pole 63 Silicon film to be quality 64...Source electrode I 1 Figure 2 Figure 5 3 ``Ji stem 42 'jL 5 times
Claims (1)
クス方式の液晶表示パネルにおいて、個々の画素電極に
ついてその四隅のうちう薄膜トランジスタ又は２端子素
子で構成されるアクティブ素子部と電気的に接続する隅
以外の隅を変形しその面積を拡大して画素電極拡大部と
し、画素電極上に生じる液晶分子配向の反転による表示
不良が前記アクティブ素子部上もしくは前記画素電極拡
大部上に起こるようにしたことを特徴とする液晶表示パ
ネル。1. In an active matrix type liquid crystal display panel in which liquid crystal is sealed between the upper and lower substrates, the corner of each pixel electrode that is electrically connected to the active element part consisting of a thin film transistor or two-terminal element among the four corners of each pixel electrode. The corner other than the pixel electrode is deformed and its area is enlarged to form the pixel electrode enlarged part, so that display defects due to reversal of the orientation of liquid crystal molecules occurring on the pixel electrode occur on the active element part or the pixel electrode enlarged part. A liquid crystal display panel featuring:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162521A JPH0213927A (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Liquid crystal display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63162521A JPH0213927A (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Liquid crystal display panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0213927A true JPH0213927A (en) | 1990-01-18 |
Family
ID=15756203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63162521A Pending JPH0213927A (en) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | Liquid crystal display panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0213927A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510916A (en) * | 1992-01-30 | 1996-04-23 | Nec Corporation | Active matrix liquid crystal device with opposite substrate having black matrix with larger aperture than active substrate |
| US6597424B2 (en) | 1998-09-03 | 2003-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | OCB liquid crystal display device having pixel protrusions |
| US7245343B2 (en) | 2000-12-15 | 2007-07-17 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2007334372A (en) * | 1998-09-03 | 2007-12-27 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | Liquid crystal display device |
| WO2010001647A1 (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display device |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63162521A patent/JPH0213927A/en active Pending
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| US6671009B1 (en) | 1998-09-03 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display with method for OCB splay-bend transition |
| US6950172B2 (en) | 1998-09-03 | 2005-09-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display with method for OCB splay-bend transition |
| US7142259B2 (en) | 1998-09-03 | 2006-11-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display with method for OCB splay-bend transition |
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| US8330913B2 (en) | 2008-06-30 | 2012-12-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
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