JPH02117677A - １―オキサデチアセフアム化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規１−デチアー１−オキサセファロスボリ
ンの合成中間体に関する。更に詳しくは一般式： ［但し、Ａはアミノまたは保護されたアミノ；波線はα
またはβ結合；をそれぞれ表わす、コで示される１−デ
チアー１−オキサセファム化合物の製法に関する。

１−デチアー１−オキサセファロスボリン類はクリステ
ンセン（ジャーナル・才プ・ジ・アメリカン・ケミカル
・ソサイアテイー、９６．７５８２（１９７４年））に
よって合成されている他、以下の反応工程図に示すよう
な合成法もなされている。

（以下余白） （但し、ＣＯＤはカルボキシまたは保護されたカルボキ
レ；Ｘは水素または求核基；２は脱離基：を表わす。） で示される二価の基； ・特開昭５ ・特開昭５１−４１３８５ ・特開昭４９−１３３５９４ ＨＯ （（旦し、Ａはアミノまたは置換アミノ；　ＣＯＢはカ
ルボキシまたは保護されたカルボキン；Ｘは水素または
求核基；ｐｈはフェニル；およびＲ゛はアリールまたは
アルキル；を示す） しかし、上記工程では、途中、アゼチジノンの４位にカ
ルボニウムイオンが生じるため、酸素官能基の導入方向
により、エピマー異性体が１；１の割合で生じる。エピ
マー混合物は、１−デチアー１−オキサセファロスボリ
ン類の６−エピマー体の約１／２の活性である。

本発明者らは、上記短所を改善すべく、かつ経済的な合
成法を見出そうと鋭意研究した結果、本発明を完成する
にいたった。

油記定義において、保護されたアミン基とは、例えば以
下に示すような基で保護されたアミ７基を意味する。

１）Ｃ２〜Ｃ１，アルカノイル （イ列えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル。

ブチリル、インブチリル、シクロプロピルアセチル、ト
リメチルアセチル、バレリル、ｔ−ブチルアセチル、カ
プロイル、オクタノイル、シクロへキ／ルアセデル、デ
カノイル、２−エチルエナントイルなど）： ２）　Ｃ１〜Ｃ，ハロアルカノイル （例えば、クロロアセチル、クロロプロピオニル　り口
口インバレリル、ジクロロアセチル、トコクロロアセチ
ル、トリクロロプロピオニル、ブロモアセチル、ブロモ
プロピオニル、ジブロモシクロへキシルカルボニルなど
）； ３）　アジドアセチル、シアノアセチル、トリフルオロ
メチルチオアセチル、シアノメチルチオアセチル、（４
−ピリドン−１−イル）アセチル；４）式：Ａｒ−Ｇｏ
　− （但し、Ａｒはアリール、例えば、フリル、チエニル　
ピロリル、オキサシリル、イソオキサシリル、オキサジ
アゾリル、オキサトリアゾリル、チアゾリル、インチア
ゾリル、チアジアゾリル、テアトリアゾリル、ピラゾリ
ル、イミダゾリル、ト」アゾリル、テトラゾリル、フェ
ニル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、ビリダレニ
ル、トノアジニル、ジヒドロフェニル、テトラヒドロフ
ェニル、テトラヒドロピリミジル、ナフチル、べ／ソチ
アゾリル、インドリル、キノリル、イソキノリル、ベン
ゾピリミジル、シンノリニル、ピリドピリミジル、イン
ダニルなどであり、メチル。

エチル、プロピル、ヒドロキシメチル、クロロメチル、
トリフルオロメチル、シアノ、カルボキン、カルボキノ
メチル ル、クロロフェニル、フルオロフェニル、アミノ、ホル
ミルアミノ、アセトアミド、プロピオンアミド、ブチリ
ルアミノ２バレルアミド、インバレルアミド、イミノ　
ニトロ、ヒドロキシ、メトキ〉、エトキシ、プロポキシ
、メチレンジオキシ、エチレンジオキシ、ホルミルオキ
シ、アセトキン、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ
、バレリルオキシ、フェニルアセトキシ、ベンゾイル才
キン，メタンスルホニルオキシ、エタンスルホールオキ
シ、ベンゼンスルホニルオキシ、ブロモ−、ンゼンスル
ホニル才キシ，メトキシカルボニルオキシ、エトキシカ
ルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ベン
ジルオキシカルボニルオキシ、カルバモイルオキシ、メ
チルカルバモイル才キノ，オキソ、クロロ、ブロモ、ヨ
ードなどで適宜置換されていてもよい．） で示されるアシル： ５）　式；　　Ａｒ−ＣＱＱ’　　ＣＯ−（但し、Ａｒ
は上記と同意義； ＱおよびＱ゛は各々水素またはメチル；を示す） で示されるアシル； ６）式：　　Ａｒ−Ｇ−ＣＱＱ’−Ｃｏ　−（但し、Ａ
ｒ，Ｑ，およびＱ“は前記と同意義：Ｇは酸素，硫黄，
またはイミノ、を示 す） で示されるアシル； ７）式：Ａｒ−Ｃ−ＧＯ− Ｉ ＮＯＴ’ （但し、Ａｒは上記と同意義； ＴＩは水素または０１〜Ｃ．アルキル、例えば、メチル
、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチ
ル、Ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソアミル、
ｔ−ペンチル、ネ才ペンチル、イソプロピルエチル、シ
クロペンチルなどである。）で示されるアシル； ８）式：　　Ａｒ−ＣＨ−Ｃｏ　− Ｉ （但し、Ａｒは上記と同意義； Ｔ１は下記１）〜Ｎ）のうちのいずれか；を示す。

Ｉ）　ヒドロキシまたはＣ，−Ｃ，、アシルオキシ（イ
列えば、ホルミルオキシ、アセトキシ、プロピオニルオ
キシ、ブチリルオキシ、バレリルオキン、シクロプロピ
ルアセトキシ、シクロペンチルプロピオニルオキシ、フ
ェニルアセトキシ、チエニルアセトキン、フェノキシア
セトキン、グリコロイルオキシ、グリオキンロイルオキ
シ、グリシルオキシ、クロロアセトキン、プロモアセト
キ／、トリフルオロアセトキシ　ヘンジイル才キン、７
メテルベンゾイルオキシ、ジメチルベンゾイルオキン、
ニトロベンゾイルオキジ、メトキシベンゾイルオキシ、
シアノベンゾイルオキシ、メタンスルホニルヘンシルオ
キシ、カルバモイルオキン、メチルカルバモイルオキシ
、エチルカルバモイルオキシ、−プロピルカルバモイル
オキシ、メトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカル
ボニルオキシ、ベンジルオキシカルボニルオキシ、メト
キシベンジルオキシカルボニルオキシ、ニトロベンジル
オキシカルボニルオキシなど）；ｉ）　カルボキシまた
は、後記ＣＯＨの欄に示すような保護きれたカルボキシ
； ｉ）　　スルホまたはＣ１〜Ｃ，アルコキシスルホニル
（イ列えば、メトキシスルホニル、エトキシスルホニル
、プロポキシスルホニル、ブトキシスルホニル、シクロ
プロピルエトキシスルホニル、ペンチルオキシスルホニ
ル、またはシクロプロピルエトキシスルホニル；または 〜）　式、　　Ｗ’−Ｎ−Ｗ”で示される基［Ｗ’およ
びＷｌは各々水素またはＣ、−Ｃ、。アミノ置換基、詳
しくは、Ｃ２〜Ｃ，アルコキシカルボニル（例えば、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキ
シカルボニル１ｔ−ブトキンカルボニル、ペンチルオキ
シカルボニル、またはメチルへキシルカルボニル クロアルキルー〇，〜Ｃｓ−アルコキシカルボニル（（
列えば、シクロプロピルメトキシカルボニル。

シクロプロピルエトキシカルボニル テルメトキシカノしボニル、シクロヘキシルエトキノカ
ルボ えば、シクロペンチル力ルポニル，ンクロへキシルカル
ボニル、シクロへブチルカルボニル、シクＯプロピルカ
ルボニル）、Ｃ，〜Ｃ６アルキルスルホニルタンスルホ
ニルエトキシカルボニル、エタンスルホニルエトキシカ
ルボニル、メタンスルホニルブトキシカルボニル ボニル ル（例えば、クロロメトキシカルボニル、クロロエトキ
シカルボニル、ブロモエトキシカルボニル、ヨードエト
キシカルボニル、ジクロロエ１４ンカルボニル，トリク
ロロエトキシカルボニル。

トリクロロプロポキシカルボニル シカルボニル（例えば、ベンジルオキシカルボニル、メ
チルベンジルオキシカルボニル、ジメチルベンジルオキ
シカルボニル、アミノベンジルオキン力ルボニル，アセ
トアミドベンジルオキシカルボニル、ニトロベンジルオ
キシカルボニル、メトキ〉ペン・ンルオキシカルボニル
，クロロベンジルオキシカルボニル、ブロモベンジ°ル
オキシカルボニル，　’．；フェニルメトキシカルボニ
ルルエトキレカルボニル、チアソリルメトキシ力ルポニ
ル．ピリジルメトキシカルボニル、その他のＡｒ　　Ｃ
ＨｒＯ　　Ｃｏ　　（但し、Ａｒは上記と同意義））、
Ｃ＋〜Ｃ　１６アルカノイル（例えば、ホルミル、アセ
デル、プロピオニル、ブチリル、インブチリル、バレリ
ル、イソバレリル、ｔ−バレリル、ヘキサノイル、ヘプ
タノイル、シクロヘキサンカルボニル、オクタノイル、
シクロペンタンプロピオニル。デカノイル）、Ａｒ−Ｃ
ｏ−で示されるアシル基（但し、Ａｒは上記と同意義）
。

またはその他のアシル基（例えば、ピロンカルボニル、
チオピロンカルボニル、ピリドンカルポニル、カルバモ
イル、グアニジルカルボニル、ウレイドカルボニル、メ
チルイミダゾリトンカルボニルル、メチルジオキソピペ
ラジン−１−イルカルボニル、エチルジオキソピペラジ
ン−１−イルカルボニル、ブチルジオキソピペラジン−
１−イルカルボニル）、Ｗ’−Ｎ−Ｗ”が−緒になって
、アミノとエノール化しうるカルボニル化合物（たとえ
ばＣ．〜Ｃ，．Ｃ上。アセテート（例えばアセト酢酸の
メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、また
はペンチルエステル）、　Ｃａ〜Ｃ．アセトアセタミド
（例えばアセト酢酸のアミド、メゾルアミド、アニリド
、またはメチルアニリド）、アセチルアセトン、アセト
アセトニトリル。

α−アセチルブチロラクトン、１．３−シクロペンタン
ンオンなど）から誘導きれるシッフ塩基またはエナミン
を構成する基，またはＷ’−Ｎ−Ｗ”が−緒になって０
４〜Ｃ１。三塩基性酸から誘導されたジアンルアミノ（
例えば、スクシンイミド。

マレインイミド、フタルイミド）を示すコで示されるア
シル； ９）５−アミノアジポイル、Ｃ，Ｃ，、アルカノイル、
アロイル、アラルカッイル、ハロアルカノイル、または
アルコキシカルボニル 保護した５−アミノアジポイル、アルキル、アリール、
アラフレキル，またはアルキルシリルボキシを保護した
５−アミノアジポイル；１０）式：　　Ｌ−０−ＣＯ− （但し、Ｌは適宜置換された容易に除去しうるＣ１〜Ｃ
，、炭化水素基（例えば、ｔ−ブチル。

１、１−ジメチルプロピル、シクロプロピルメチル、シ
クロプロピルエチル，１ーメチルシクロヘキンル，イン
ボルニル、２−メトキン−ｔ−ブチル、２，２．２−）
リクロルエチル，ヘンノル。

ナフチルメチル、ｐ−メトキシベンジル、ｐ−二トロベ
ンジル，ピリジルメチル） で示されるアシル； ｔｔ＞Ｃ．〜Ｃ１。の多塩基性カルボン酸から誘導され
たジアシル（例えば、スクシニル、マレオイル、フタロ
イル、ピリジン−２，３−ジカルボニルなど）： １２）適宜置換きれていてもよいＣ１〜ＣｌＢの炭化水
素基（例えば、メチル、エチル、ｔ−ブチル。

トリチル、メチリデン、ベンジリデン、ヒドロキシベン
ジリデン　α−ハロベンジリデン、αーメトキ／ヘンジ
リデン．αーエトキシベンジリデ／、１−メトキシ−２
−フェニルエチリデン。

３　、　５−’：，’ーｔーブチルー４ーヒドロキシベ
ンジノデン　０−ヒドロキシベンジリデンなど）：１３
）Ｃ，〜Ｃ１。有機シリル（例えば、トリメチル／リル
，ジメデルメトキシシリル，クロロジメチルシリル、メ
チルジメトキシシリル、メチルエチレンジオキシシリル
）； １４）Ｃ．〜Ｃ１。有機スタニル（例えば、トリメチル
スタニル　ジメチルメトキシスタニル、クロロ／メチル
スタニル、メチルジメトキシスタニル。

メチルエチレンジオキシスタニル）；および１５）　Ｃ
．−Ｃ，。スルフェニル（例えば、メチルチオ、フェニ
ルチオ、０−ニトロフェニルｆ才ｆｔと） これらの基はいずれも、ハロゲン（例えばフルオロ、ク
ロロ、ブロモなど）、窒素官能基（例えばアミン、ヒド
ラジニル、アンド、アルキルアミン、アリールアミノ、
アシルアミノ、アルキリデンアミノ、アシルイミノ、イ
ミノ、ニトロなど）、酸素官能基（例えば、ヒドロキン
、アルコキノ、アラルコキシ　アリールオキン，ア／ル
才キン，オキソなど）、硫黄官能基（例えばメルカプト
、アルキルチオ、アラルキルチオ、アリールチオ、ア／
ルチ才，チオキソ、スルホ、スルホニル、スルフィニル
、アルコキシスルホニル、アリ−ルナキンスルフィニル
。炭素官能基（例えばアルキル ルボキシ、カルバルコキシ カノイル、アロイル、アミノアルキル、アラルカッイル
、ンアノなど）、リン官能基（例えばホスホ、ホスホロ
イルなど）で適宜置換されていてもよい。

上記アミン保護基のうち、ペニシリン、セファロスボリ
ンにおける側鎖を構成するアシル基が特に重要であるが
、反応後任意の段階で、常法により任意に除去ないし導
入できるので、その構成は原料、最終物の構造に拘りな
く広範な変化が可能であり、主眼は反応に対する安定性
である。

また、アミノまたはアミドに変化しうる基（例えばエナ
ミン。アミド、アジド、インシアナト。

イソシアノ）および環状基（例えば４−フェニル２．２
−ジメチル−５−才キソイミダゾリジン−１−イル、４
−ｐ−ヒドロキシフェニル−２，２−ジメチル−３−二
トロン−５−才キソイミダゾリジン−１−イル、４−ｐ
−ヒドロキシフェニル−２−フェニル−５−オキソイミ
ダゾリジ）・−１−イル、４−チエニル−５−才キソイ
ミダゾリジン−１−イルなと）もＡの範囲内に含めるも
のとする。

ＣＯＢで示きれる保護されたカルボキシ基は、β−ラフ
タムの化学において常用されるものであって、本反応の
反応条件に耐えうるものである。

保護基Ｂとしては １）エステル形成基［例えば０１〜Ｃ１゜アルコキン（
例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、インプロポキ
シ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ、モノヒドロキシ−ｔ−ブ
トキシ、メトキシ−ｔ−ブトキシ、シクロプロピルメト
キシ、ペンチルオキシ。

イソペンチルオキシ、シクロプロピルエトキシ。

シクロペンテル才キシ、ヘキシルオキシ、シクロへキン
ル才キシ、オクチルオキシ、デシルオキシなと）、ＣＩ
−Ｃ，ハロアルコキシ（例えばクロロメトキシ、クロロ
エトキシ、ブロモエトキシ、ヨードエトキシ、ジクロロ
プロポキシ、トリクロロエトキン、トリクロロブトキシ
、ジブロモシクロ・＼キシルオキンなど）、Ｃ，〜Ｃ１
６アシルアルコキン（イ列えばアセトニルオキシ、アセ
チルエトキシ、プロピオニルメトキシ、フェナシルオキ
シ。

クロロフェナシルオキシ、ブロモフェナシルオキシ、ニ
トロフエナンル才キシ、メチルフエナシル才キンなど）
、Ｃ１〜Ｃ１゜アルコキシアルコキシ（例えばメトキシ
メトキシ、エトキノメトキン。

クロロエトキシメトキシ、プロポキンエトキシ。

グトキノエトキン、シクロへキシルオキシエトキン、メ
トキンエトキシメトキシ。ブトキシエトキンメトキシ、
オクチルオキシエトキシなど）、Ｃ２〜Ｃ３゜アミノア
ルコキシ（例えばアミノメトキン、アミンエトキシ、ジ
メテルアミノエトキ／、エチルアミノメトキ７など）、
アリールオキ−・（例えばフェノキシ、クロロフェノキ
シ、ニトロフェノキ〉、ナフデルオキン、ピリジルオキ
／、インドリルオキシ、インダニルオキシ、ベン〃クロ
ロクエノキンなど）、アラルコキシ（例えはヘンノル才
キン、メチルベンジルオキシ、キシノルメトキン、クロ
ロベンジルオキシ、ブロモベンノルオキシ、メトキシベ
ンジルオキシ、エトキノヘンノルオキシ、ニトロベンジ
ル才キン、ジブロモベンプルオキシ、フェネチルオキシ
、フタリノルオキン、ｐ−ヒドロキシ−ジ−ｔ−ブチル
ベンジル才キシ、ノフェニルメトキシ、トリチルオキ７
など）、Ｃ，−Ｃ，。アルキルシリルオキシ（例えばト
リメチルシリルオキシ、ジメテルメトキ〉ンリル才キシ
、クロロレメチルシリル才キジ。

エチレンジオキシメチルシリルオキシなど）、Ｃ１〜Ｃ
ＩＩアルキルスタニルオキシ（例えばトリメチルスタニ
ルオキシなど）］； ２）無水物形成基［例えば０１〜Ｃ２゜有機アシルオキ
シ（例えばアセトキシ、プロピオ二ルオキン、スルホニ
ルオキシなど）、無機アシルオキ／（例えば硫酸、過塩
素酸などのアシルオキシ）］； ３〉　塩形成基［例えば周期律表第１．ＩＩまたは■属
の金属の金属オキシ（例えばリチウムオキン。

ナトリウムオキシ、カリウムオキシ、マグネシウムオキ
シなど）、Ｃ，−Ｃ，、ヒドロカルビルアンモニウムオ
キシ（イ列えばトリエチルアンモニウムオキシ、′；シ
クロヘキシルアンモニウムオキシなど）］： ４）　チオールエステル形成基（例えばＣ，−Ｃ，。

ヒドロカルピルチオ ５）　アミド形成基［例えば０１〜Ｃ６アルキルアミノ
（例えばメチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミン
、ブチルアミノ、ペンチルアミノなど）、ジーＣ，−Ｃ
，アルキルアミノ（例えばジメチルアミノ、ジエチルア
ミノ、ピペリジル、モルホノン−１−イル、メチルモル
ホリン−１−イル）；および ６）　ヒドラジドまたはアジド形成基 などを例示しうる０通常これらの保護基は反応後除去す
るので、その構造の変化はこの発明に重要な意味を持た
ないことが多い。

Ｘで示される求核基には、セファロスポリンの化学にお
いて、３位のアセトキシ基と置換した型で導入されてい
る基すべてが含まれる。たとえば、ハロゲン（クロロ、
ブロモなど）、ヒドロキン、適宜置換されていてもよい
Ｃ１〜Ｃ，アルカノイルチオン（ホルミルオキジ、アセ
トキン、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、マロニ
ルオキシ、スクシノイルオキシ、シアノアセトキシ、グ
ツシルオキシ、アラニルオキシ、グリコロイル才キン、
グリオキシロイルオキシ、フエノキシアセトキ〉、スル
ホプロピオニルオキジ、クロロアセトキシ、ジクロロア
セトキシ、トリフルオロアセトキンなど）、アロイルオ
キシ（ベンゾイルオキ／、ナフトイルオキシなど）、適
宜置換されていてもよい炭酸のアシルオキシ（クロロホ
ルミル才キン、メトキシホルミルオキシ、トリクロロエ
トキシホルミルオキシ、シクロプロピルメトキシホルミ
ルオキシ、メタンスルホニルエトキシホルミルオキシな
ど）、０１〜Ｃ，アルコキシ（メトキ／、エトキシ、プ
ロポキシ、ブトキシ、Ｓ−ブトキノ、シクロプロピルメ
トキシ、シクロへキシルオキシなど）、アラルコキシ（
ベンジルオキシ。

フルフリルオキシ、ナフチルメトキシなど）、アシルオ
キシ（フェノキシ、ナフチルオキシ、インダニルオキン
など）、メルカプト、Ｃ３〜Ｃ，アルカノイルチオ（ア
セチルチオ、プロピオ二ルテ調　ブチリルチオなど）、
アロイルチオ（ベンゾイルチオ、ナフトイルチオなど）
、チオカルバモイルチオ、メチルチオカルバモイルチオ
、Ｃ１〜Ｃ，アルキルチオ（メナルチ才、エチルチオ、
プロピルチオ、ブチルチオ。シクロプロピルメチルチオ
、シクロプロピルエチルチオなど）、アラルキルチオ（
ベンジルチオ、ビフリルチ才、フェネチルチオなど）、
アリールチオ（フェニルチオ。

トリアゾリルチオ、チアジアゾリルチオ、オキサンアゾ
リルチオ、テトラゾリルチオなど）などである。これら
の基はいずれも、適宜置換きれていてもよいアルキル（
メチル、エチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル
、カルボキシメチル。

カルボキシエチル、スルホエチル、ジメチルアミンエチ
ル、ンメチルアミノペンチル１モルホリノエチルなと）
、窒素官能基（アミン、アジド、ヒドラジニル、アセチ
ルアミノ、メチルアミン、ピノンニウム、ピフリニウム
、４−カルボキシピリンニウム、カルバモイルピリジニ
ウム シメデルピリジニウム，カルボキシメチルピリジニウム
、クロロピリジニウムなど）などで置換きれていてもよ
い。

Ｚで示される脱離基とは、求核試薬の陰イオン部分であ
り、たとえば、ハロゲン（クロロ、ブロモ、ヨードなど
）、ヒドロキシ、Ｃ．−Ｃ．カルボン酸のアシルオキシ
（アセトキシ、トリフルオロア七トキ／など）、スルホ
ン酸のアシルオキシ（メタンスルホニルオキシ、エタン
スルホニルオキン，トルエンスルホニルオキシ、ブロモ
ベンゼンスルホニルオキシなど）、アリールチオ（フェ
ニルチオ）、アリールスルフェニル（フェニルスルノエ
ニルなど）、アリールセレニル、アリールスルフィニル
、アルキルスルフィニルなどでアル。

これらの脱離基は反応中に脱離するので、その構造は広
範な変化が可能であり、本発明に重要な意味を持たない
ことが多い。

本発明の化合物（１）は、以下に示すような化合物を意
味する。

（以下余白） メトキン化 （但し、Ａ、Ｅ、ＣＯＢ、ＸおよびＺｉｔ前記と同意義
） 本発明の化合物（１）すなわち（Ｉ＠）、（Ｉｂ）、（
Ｉｃ）、または（！ｄ）は、以下に示すような閉環反応
、メトキシ化、ｘｚの付加反応などを順次あるいは適宜
組み合わせて行なうことにより容易に製造しうる。

１）　閉環反応 （カッコ内の数字は、骨核の位置番号を示す、）（ＩＩ
［ａ） （１’Ｖ） ３）　　ＸＺ付加反応 ４〉　その他の変換反応 （Ｅ記工程式において、 Ａ、Ｅ、ＣＯＤ、Ｘ、およびＺは前記と同意義； −ＣＨｒ Ｒはアシルからカルボニルを除いた基：をそれぞれ意味
する。） 上記定義において、Ｒで示されるア／ルからカルボニル
を除いた基とは、具体的には、前記Ａの項でアミン保護
基として例示したアシルからカルボニルを除いた基を意
味する。すなわち、ＲＣＯはＡの定義内に含まれる。

本発明の方法によれば、原料物質として化合物（ｎ）を
用いることにより、閉環反応に際してヒドロキ７基の酸
素原子が環結合の反対側から結合するため、６位におけ
る好ましい立体異性体（εβ体）のみをかつ高収率で得
ることができる。従って、本発明の方法は、６位異性体
が生しるという従来の合成法の欠点を改善したすぐれた
方法である。

以下に、各工程を詳述する。

１）閉環反応 オキサゾリノアゼチンン類（ｆｆ）を酸で処理すると、
閉環して化合物（Ｉ［）を得る。

酸としては、鉱酸（塩酸、臭化水素酸、硝酸。

硫酸、リン酸など）、スルホン酸（メタンスルホン酸、
エタンスルホ／＃、ヘンゼンスルホン酸。

トルエンスルホン＃、プロモヘンゼンスホン酸。

トリフルオロメタンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸
など）２強酸性のカルボン酸（トリクロロ酢酸、トリフ
ルオロ酢酸なと）、ルイス酸（三フフ化ホウ素、塩化亜
鉛、塩化第一スス、塩化第二スズ、臭化第一スズ、三塩
化アンチモン、五塩化アンチモン　三塩化チタンなと）
などを用いうる。

反応は、通常不活性溶媒中で行なう。不活性溶媒として
は、たとえば、炭化水素系溶媒（ヘキサン　シクロヘキ
サン、ヘンゼン、トルエンなと）、ハロ炭化水素類（塩
化メチレン、クロロホルム、シクロロエタン、四塩化度
素、クロロベンゼンなど）、エーテル類（ンエチルエー
テル、ノイソプチルエーテル、ジオキサン、テトラヒド
ロフランなど）、エステルＭ（酢酸エチル、酢酸ブチル
、安息香酸メチルなど）、ケトン類（アセトン、メチル
エチルケトン、シクロヘキサノンなど）、スルホキシド
（ジメチルスルホキンドなど）、ニトリル類（アセトニ
トリル、ヘンジニトリルなど）などを単独で、または数
種以上を混合して用いうる。水酸基を有する溶媒、例え
ば水、アルコール類（メタノール、エタノール、ｔ−ブ
タノール、ペンシルアルコール）、１９（キ酸、ｆｆｉ
酸、プロピオン酸など）などは原料物質（Ｉ［）と反応
して副生物を生成するため好ましくないが、反応条件を
調整すれば使用可部である。

反応は通常−３０℃から５０°Ｃ１好ましくは１５℃〜
３０℃で達成され、５分〜１０時間、通常は１５分〜３
時間で完了し１目的物（Ｉｌｌ）を高収量で得ることが
できる。

必要あらば、本反応は攪拌下に行なったり、あるいは不
活性気体（たとえば窒素、アルコン、二酸化炭素など）
中で行なってもよい。

オキサゾリノアゼチ・ジン（Ｉ［）のＹｌに連接した末
端ヒドロキシ基は、容易に除去しうるヒドロキン保護基
、たとえばホルミル、テトラヒドロピラニルなどであら
かしめ保護しておいてもよい。

本工程は、たとえば、オキサゾリノアゼチジン（１）を
５〜１０倍量の淡化水素系溶媒（クロロホルム、塩化メ
チレンなど）および０〜１０倍量の−１−−デル系溶媒
（エーテル、ジオキサンなど）の混液に溶かし、これに
ｏ、ｏｏｉ〜１モル当量の酸（三フッ化ホウ素エーテレ
ート、トルエンスルホン酸、硫酸鋼、塩化亜鉛、塩化ス
ズなど）を加えた後、溶液を１０〜６０℃で０．５〜１
０時間保つと化合物（ｍ）を約５０〜９０％の収率で得
ることができる。

Ｗ、料物質（Ｉ［）は６−エビペニシリン−１−オ七／
ドからたとえば次のような反応工程図に従って製造しう
る。

（以下余白） （ＲｌＣＯＢ、およびＸはヒエ己と１司意義）２）　メ
トキノ化 Ｅ基の水素からメトキン基への変換は、まず側鎖Ａの−
ＮＨ一部分庖酸化してイミ／ニーＮ−（７位におけるエ
キソ体）を形成させた後、メタノールを加λ−ることに
より達成しうる。

Ａがアミノまたはアミドである時は、化合物（１［［ａ
）をＮ−ハロゲン化剤で処理し、塩基を加えてハロゲン
化水素を脱離浮せ、得られたイミノ化合物をメタノール
で処理すると、Ｅがα−メトキ２である目的物質（ＩＶ
）を得る。Ｎ−ハロゲン化剤の添加によって、分子内の
他の部分がハロゲン化されて過ハロゲン体となることが
あるが、還元によって過剰のハロゲンを除去しうる０本
工程は以下の１）〜■）のいずれかの方法により達成さ
れる。

）アミンまたはアミドをＮ−ハロゲン化剤（たとえば、
分子状ハロゲン、ｔ−ブチルヒポクロライド）ついでメ
タノール中アルカリ金属メトキシド（Ｌｉ０ＣＨｊ、　
Ｎａ０ＣＨｓ　、　ＫＯＣＨｓなど）またはアルカＯＢ ノ土類金属メトキ〉ド（Ｍｇ（ＯＣＨｌ）＋　、　Ｃａ
（ＯＣＨｌ）＋　。

Ｂａ（ＯＣＲｓ）ｓなど）で処理する。；−）塩基およ
びフェニルリチウムの存在下、要すれば溶媒（テトラヒ
ドロフランなど）中、ｔ−ブチルヒポハライトとメタノ
ールを作用する。；ｉ）臭素−ＤＢＵ、五塩化リン−ピ
リジン、塩基、メタノール性塩基、および塩化トリアル
キルシリルまたは塩化テトラアルキルアンモニウムを順
次作用する。；または ■）ホウ酸ナトリウムの存在下、メタノール中ｔ−プチ
ルヒボハライトを作用し、Ａ／・ロゲン化体が部分的に
生した時は、亜鉛、亜リン酸塩などで還元する。

また化合物（ｍ　ａ　）　（Ｅ　＝　Ｈ、Ａ　＝　Ｎ　
Ｈｒ　）は適当なアルデヒド（ベンズアルデヒド、ｐ−
ヒドロキンヘンズアルデヒド、３．５−／　ｔ−ブチル
−４−ヒドロキンベンズアルデヒド）で処理してシッフ
塩基を形成させ、酸化してイミノ体とした後メタノール
で処理し、ついで加水分解すると目的化合物（ＩＶ）（
Ｅ−ＯＣＨ３，Ａ−ＮＨりを得る。

本工程を具体的に述べれば、アミド（ＩＩ［ａ）を１０
〜５０倍量の不活性溶媒（ジクロロメタ〉・。

ジオキサン、エーテル、ジプロピルエーテル、テトラヒ
ドロフランなど）に溶かし、１〜５モル当量のＮ−ハロ
ゲン化剤（分子状ハロゲン／四塩化炭素、ｔ−ブチルヒ
ポクライトなど）を加えて−７０〜−１０℃で２〜１０
分間攪拌し、１〜４当量の金属メトキンド（ＬＬＯＣＲ
ｌ、Ｍｇ（ＯＣＨｊ）ｔなど）のメタノール溶液を加え
、−５０〜０℃で５〜７０分間攪拌する。反応混液を酢
酸または鉱酸で中和した後有機溶媒で抽出すると、Ｅが
メトキシである化合物（ＩＶ）を得る。このような操作
によれば、収率は通常９５％まで上がる。

３）付加反応 ３位にエキソメチレンを有する化合物（Ｉｃ）は不活性
溶媒（度化水素、ハａ炭化水素、エーテル、エステル系
などの溶媒）中、付加試薬ＸＺ［分子状ハロゲン、過酸
、過酸化物、ヒポハライド塩、ヒポハライドエステル、
重金属の過酸化物（四酸化オスミウムなど）、スルフェ
ニルハライド（但し、ＣＯＢ　、ＸおよびＺは前記と同
意義）で示浮れる二価の基の化合物（Ｉａ）を得る。

付加反応は、不活性溶媒中、特に４ＡＯ炭化水素系また
はエーテル系溶媒中、低温で、ｔなわち−７０−０″Ｃ
で円滑に進行し、５分〜１０時間で完了する。また、３
位におけるエキソメチレンのＺ重結合の高い反応性のた
めに、収率は９０％にまで達する。試薬が分子状ハロゲ
ンである時、光照射または触媒（Ｃｕ、Ｃｕ＋Ｓ、Ｃｕ
＋ＣＩ＋。

ｐ　ｈ　、Ｐ　Ｏなど）の添加によりハロゲン化を進行
することができ、かつ収率をあげることができる。

４）　その他の変換反応 化合物（１）は、β−ラクタム化学において常法の変換
反応（たとえば塩基による二重結合の転移、ＣＯＢで示
されるカルボキンの保護または保護されたカルボキシの
脱保護、Ａで示されるアミンの保護または保護されたア
ミンの脱保護、求核試薬によるＸまたはＺ基の導入また
は変換、アンル化、加水分解、＃化、還元などの変換反
応によるＸまたは２の変換など）を施せは別の化合物（
Ｉ）に変換しうる。

これらの反応は炭化水素系溶媒（ヘキナン　トルエンな
ど）、ハロ炭化水素系溶媒（／クロロメタン、クロロベ
ンゼンなと）、エーテル系溶媒（ンエテルエーテル、ン
オキ′丈ンなど）、ゲトン系溶媒（アセトン、シクロヘ
キサノン、ヘンソフエノンなど）、エステルえ溶媒（酢
酸ニブル、安息香酸メチルなど）、アルコール系溶媒（
エタノール、ｔ−ブタノール、ベンジルアルコールなど
）、アミド、カルボン酸など有機反応に通常用いうる溶
媒中で行なう。

上記のようにして製造した化合物（りは、濃縮、抽出、
洗浄、乾燥またはその他の常法により溶媒、未反応物質
、副生物などからｉ離し、再沈殿、クロマトグラフィー
、結晶、吸着などにより精製しうる。３位または７位に
おける立体異性体は、クロマトグラフィー、分別再結晶
なとによって分離することができる。立体異性体の混合
物は分離することなく次の工程または合成反応に用いて
もよい。

上記工程中、二重結合の転移、求核基の導入、脱離など
の副反応が反応中に生しることがあるが、これらの副反
応も有効に利用することができ、本発明の範囲内とする
。

本発明の化合物（１）は、公知の抗菌剤、たとλ、ば１
−オキサセファロスボリン類の合成原料として使用でき
る（特開昭４９−１３３５９４および５１−１４９２９
５参照）、すなわら、Δ１への二重結合の転移、抗菌作
用を示すに適当な側鎖へのＡ基の変換、および／または
ＣＯＢで示される保護きれたカルボキシの脱保護などの
操作を化合物（Ｉ）に施すことによって合成することが
できる。

例えば、以下の工程図に示すように ａ）　化合物（Ｉａ）からＨ２が脱離すると１−デテア
ー１−オキサセファロスボリン（Ｖ）を得る。

ｂ）　化合物（Ｉｄ）に０〜７０℃で５時間′−３日間
塩基（たとえばトリメチルアミンなど）を作用すると二
重結合が転位して１−デチアー１−オキサセファロスボ
リン（Ｖ）を得る。

Ｃ）　化合物（ｎａ）をＯ℃〜５０℃で０．１〜１時間
ルイス酸（たとえば三フッ化ホウ素）で処理すると閉環
して１−デテアー１−オキサセファロスボリン（Ｖ）を
得る。

（以下余白） による疾患に、１日０．１〜１０ｇ注射すればよい。

以下に実施例を示して本発明の態様を明らかにする。

実施例における化合物の命名および位置番号は次のとお
りである。

本発明の化合物（１）（Ａ−７β−アミド、Ｃ０Ｂ−Ｃ
ＯＯＨ）またはその製薬上許容しうる塩は、それ自体緩
和な抗菌作用を有しており、希釈剤などを６加して、感
受性のダラム陽性菌（たとえば（ストレプトフッカス−
ピオゲネス）またはダラム陰性菌（たとえばエシェリヒ
ア・コリ）１βＨ，５βＨ−または（ＩＲ，５Ｓ）−７
−オキソ−４−才キサ−２，６−シアザビンクロ［３，
２，０］ヘプト−２−エン １−デチアー１−オキサセファム オキサセファムの７位および６位の炭素の立体配置は、
オキサビシクロへブトエンの１位および５位の立体配置
と同しになる。

１−デデアー１−オキサセファム環の６位炭素における
立体化学は、セファロスポリンの６位炭素の立体化学と
一致する。

ＣＯＢの立体化学はペニシリンと同しであるのが好まし
いが、すなわちＲ配位が好ましいが、必ずしもそうでな
くてもよい。

以ドの実施例における測定誤差は、ＩＲは±１０ｃｍ−
’　、　ＮＭ　Ｒは±０．２ｐｐｍ以内であり、Ｉ＄点
は正確ではない、ｍ液の乾燥には無水硫酸ナトリウムを
用いている。

生成物の物理恒数は表■に記載している。

！、閉環反応 施例１−１〜３２ オキサゾリノアゼチンンを溶媒に溶かし、酸を加えると
、ｌ−デチアー１−オキサセファム化合物を得る。表Ｉ
にその反応条件を示す。

Ｎｏ１４を例にとって、以下に詳細に示す。

（１）２−［（ＩＲ１５Ｓ）−３−フェニル−７−オキ
サ−４−才キサ−２，６−ジアザビンクロ：３．２．ｏ
ｌヘプト−２−エン−６−イル］−２−イソプロペニル
酢酸ジフェニルメチル１２．０ｇ、四酸化オスミウム１
．０ｇおよび塩素酸カリウム１２．０ｇをテトラヒドロ
フラン４００ｍ１と水２００ｍ１の混液に溶かし、５８
℃で３．５時間攪拌する。冷却後、反応混液を水水中ニ
注ぎ、酢酸エチルで抽出する。抽出液を食塩水、１０％
チオ硫酸ナトリウム水溶液および炭酸水素ナトリウム水
溶液で順次洗い、乾燥し、溶媒を留去すると、２−［（
ＩＲ，５Ｓ）−３−フェニル−７−オキソ−４−才キサ
ー２，６−ジアザビ・〉クロ［３，２，０］ヘプト−２
−エン−６〜イル］−３、４−；ヒドロキシ酷醜ノフェ
ニルメチル１２．８８ｇを得る。

ＩＲ：　ｌ／　ＣＨ”　３５００ｂｒ、　１７７０ｂｒ
、　１７４２ａｘ １６３６　ｃｍ−’ （２）上記生成物１０．８８ｇを、′：エチルエーテル
３ＱＯｍｌに溶かし、三フフ化ホウ素ニーテレードア５
μｍを加え、窒素気流中、室温で３．５時間攪拌し、冷
却した次酸水票ナトリウム水溶液中に注ぎ、酢酸エチル
で抽出する。抽出液を食塩水で洗／１１ａ縮する。残渣
を塩化メチレンとエーテルの濃液で処理すると、７α−
ベンズアミド−３４−メチル−３ξ−ヒドロキン−１−
デチアー１−オキサセファムー４α−カルボン酸ジフェ
ニルメチルの３位におけろ異性体混合物１５ｇを得る、
１Ｒ：　νＣＨ”　３５６０；　３４４５．１７７４．
１７３９゜ａｘ １６７０　ｃｒｏ− 異性体混合物を１０％含水／す力ゲルのカラムクロマト
グラフィーに付し、ヘンゼンー酢酸エチル（４：１）で
溶出する。１８出液をアセトン−エーテル、およびアセ
トン−塩化メチレンでそれぞれ１鈷晶化すると、立体異
性体を分離することかできる。

実施例ｌ−３３ （ａ）２−［（ＩＲ１５Ｓ）−３−：ｙエニルー７一才
キソ−４−オキサ−２、６−；アザビンクロ［３゜２．
０コヘプト−２−エン−６−イル）コー３−ホルミルオ
キシメチル−２−ブテン酸ベン／ル５４ｍｇをメタノー
ル２ｍｌに溶かし、三フッ化ホウ素エーテレート１９μ
ｍを一２０℃で冷却しながら加え、混液を一２０℃〜０
℃で４０分間。

０℃で２時間、ついで室温で１時間攪拌する。これに５
％炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、塩化メチレンで抽
出する。抽出液を水洗し、乾燥した後溶媒を留去する。

残渣をメタノールから結晶化すると７α−ヘングアミド
−３−メチル−１−デチアー１−才キサ−３−セフェム
−４−カルボン酸ペンシル１０ｍｇ（収率２０％）を得
る。ｍｐ。

２０８〜２１２℃ （ｂ）三フン化ホウ素のかわりにトリフルオロメタンス
ルホン酸５μｍを水冷しながら加えて１３０分間攪拌す
るか、または０．３８Ｎ塩酸−メタノール０．５ｍｌを
加えて３時間攪拌し、他は上記と同様の操作を行なえば
同一物質（１４ｍｇＨ５ｍｇ）（収率２７．５％ニア％
）を得る。ｍｐ。

２０８〜２１２℃ ■、メトキシ化 実施例　ｒｌ−１〜２４ ７β−不飽和−７α−アミド−１−デチアー１−オキサ
セファム化合物を溶媒に溶かし、Ｎ　−／％ロゲン化剤
と塩基をメタノール中に作用させると７α−メトキシ−
７β−アミド化合物を得る０表Ｈにその反応条件を示す
。

（Ｎｃ　　５） ７α−ベンズアミド−３α−ヒドロキン−３β−メチル
−１−デチアー１−オキサセファム−４α−カルボン酸
ジフェニルメチル４８６ｍｇを無水塩化メチレン２０ｍ
１に溶かし、ｔ−ブチルヒポクロライド０．１５ｍ１お
よび２Ｎリチウムメトキシドのメタノール溶液１．１ｍ
ｌを一５０℃で加え、１５分間攪拌する。これに酢酸１
．２ｍｌを加え、５分間攪拌した後、水冷した炭酸水素
ナトリウム水溶液で希釈し、塩化メチレンで抽出する。

抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶液ついで水で洗浄した
後、溶媒を留去する。得られた無色泡状残渣をンリカゲ
ルのクロマトグラフィーで精製すると７β−ベンズアミ
ド−７α−メトキン−３α−ヒドロキシ−３β−メチル
−１−デチアー１−オキサセファム−４α−カルボン酸
ジフェニルメチル２５０ｍｇ（収率４８％）を得る。

（Ｎｏ．９） い、乾燥し、溶媒を留去する．残渣１８０ｍｇをンノカ
ゲルのカラムクロマトグラフィーに付し、ベンゼン−酢
酸エチル（１：ｌ）で溶出すると、７β−ヘンスアミド
ー７αーメトキン−３−（　１−メチルテトラソール−
５−イル）チオメチル−１−デテアー１ーオキサー３ー
ーセフェム−４−カルボン酸ジフェニルメチル１０８ｍ
ｇを得る。

（以下余白） ７α−へ〉・スアミドー３ξーブロモー３ξーブロモエ
チル−１−デチアー１ーオキサセファム−４α−カルボ
ン酸／フェニルメチル１８７ｍｇを無水塩化メチレン１
ｍｌに溶かし、−３０℃でｔ−ブチルヒポクロライド４
６μｍおよび２Ｍリチウムメチドキシドのメタノール溶
液０．１７ｍｌを加え、同温で１時間攪拌する．これに
、１−メチルテトラゾール−５−イルメルカプチドナト
リウム１００ｍｇのアセトン１ｍｌ溶液を加え、室温で
１。

５時間攪拌する。反応混液を塩化メチレンで希釈し、炭
酸水素ナトリウム水溶液ついで食塩水で洗■　付加反応 真列ＤＩ−１〜１６ ３．３−メチレン−１−デテアー１−オキサセファム化
合物を溶媒に溶かし、付加試薬Ｘｚを加える６表■にそ
の反応条件を示す。

（嵐　３） ７α−ペンノアミド−３−エキソメチレン−１−デチア
ー１−オキサセファム−４α−カルボン酸ジフェニルメ
チル５１９ｍｇを塩化メチレン５ｍｌに溶かし、０．７
６Ｎ塩素／四塩化炭素溶液１．６ｍｌを加え、−２０〜
−３０℃で４０分間タングステン灯で照射しながら攪拌
する。これにシクロペンテン０．１４ｍ１を加え、更に
５分間攪拌する０反応混液に１，５−ジアザビシクロ［
３゜４．０］ノネン−５０，１４ｍ１を加え、−２０℃
で１０分間攪拌し、希塩酸ついで水で洗い、乾燥し、溶
媒を留去する。結晶性残渣をメタノールから再結晶化す
ると、７α−ベンズアミドー３−クロロメチル−１−デ
テアー１−オキサー３−セフェム−４−カルボン酸ジフ
ェニルメチル４８４ｎ＠（収率８６％）を得る。ｍｐ、
１２０〜１２８℃（Ｎｏ、４） ７α−ベンズアミド−３−メチレン−１−デテアー１−
才キサセファム−４α−カッリボン酸ジフェニルメチル
１０３ｍｇを塩化メチレン１ｍｌに溶カし、０．７５Ｎ
塩素の四塩化炭素溶液０．３ｍｌを加え、−２０〜−３
０℃で３０分間タングステン灯で照射下に反応させた後
、減圧下で溶媒を留去すると７α−ベンズアミド−３ξ
−クロロ−３ξクロロメチル−１−デテアー１−オキサ
セファム−４α−カルボン酸ジフェニルメチル１２　ｏ
ＩＩＩｇを得る。

（Ｎｏ　　５） 同様にして７α−ベンズアミドー３−メチレン１−デチ
アー１−才キサセファム−４α−カルリボン酸ヘン／ル
１４１ｍｇと塩素１・、４当量とを塩化メチレン３ｍｌ
中−５０℃で先非Ａ、１下に反応浮せれば７α−ベンズ
アミドー３ξ−クロｏ−３ξ−クロロメチル−１−デテ
アー１−オキサセファム−４α−カルボン酸ヘン／ル１
７０ｍｇ（収率１０２％）を得る。

（Ｎｌｌｌｌ　５　） 上記と同様にして、７α−フェニルアセトアミド−３−
メチレン−１−デテアー１−オ車サセファム−４α−カ
ルリボン酸ンフェニルメチル７０５ｍｇに塩化メチレン
７ｍｌ中、−２５℃以下で塩素１．７７当量を作用させ
れば、７α−フェニルアセトアミド−３ξ−クロｏ−３
ξ−クロロメチル−１−デチアー１−オキサセファムー
４α−カルボン酸ジフェニルメチルを得る。

これにピリジン０．１６ｍ１を１５”Ｃで４０分間作用
させれば、７α−フェニルアセトアミド−３−クロロメ
チル−１−１チア−１−才キサー３−セフェム−４−カ
ルボン酸ジフェニルメチル５８６ｍｇ（収率７８．４％
）を得る。ｍｐ。

１７９〜１８２”Ｃ（分解）。

Ｃ００ＣＲＰｈ。

Ｃ００ＣＲＰｈ。

７α−ベンズアミド−３−メチレン−１−デナアー１−
才キサセファムー４α−カルリボン酸ノフェニルメチル
１．４０５ｇ（３ミリモル）ヲ２６°Ｃに冷却した無水
塩化メチレンに溶かし、窒素気流中攪拌下に銅宋１４１
ｍｇを加え、１．２Ｍ塩素−りｏｏホルム溶１＆８　、
３ａ＋１（２、５当量）を１０分間を要して滴下し、−
２２〜−３０°Ｃで３時間攪拌する。これに、ナオスル
ホン酸ナトノウム・５水和物（２，９８ｇ、４当量）の
水溶液を加え、塩化メチレンで２回抽出する。抽出液を
食塩水で洗い、硫酸マグネ〉ラムで乾燥した後溶媒を留
去する。残渣をシリカゲル１９０ｇのクロマトグラフィ
ーにイ寸し、ベンゼン−エチルアセテート（３：１）で
溶出すれば、７α−ベンズアミＦ−３α−クロロ−３β
−クロロメチル−１−デチアー１−オキサセファムー４
α−カルボン酸ジフェニルメチル１．５４１ｇ（収率９
５．２％）を白色泡状物として得る。

■、その他の変換反応 Ａ、脱離反応 真個ＩＶＡ−１〜２０ １−デデアー１−オキサセファム化合物を溶液に溶かし
、脱離剤を使用すれば１−デチアー１−オキサセファム
化合物を得る。表ＩＶ−Ａにその反応条件を示す。

（Ｎｏ１２） ＣＯＯＣＲＰｈ２ ＋ ７α−ベンズアミド−３ξ−ヒドロキ〉−３ξ−メチル
−１−才キサデチアセファム−４α−カルボン酸ジフェ
ニルメチル１５．０ｇを塩化メチレン１００ｍ１に溶か
し、ビリブン６．８ｍｌおよび塩化チオニル３ｍｌを水
冷攪拌下に加え、同温で７．２５時間および室温で２．
２５時間攪拌した後、氷水中に注ぐ、有機層を分取し、
水洗した後、乾燥し、溶媒を留去する。残渣を１０％含
水シリカゲル３５０ｇのクロマトグラフィーに付し、ベ
ンゼン−酢酸エチル（９：１）で溶出すると、７α−ベ
ンズアミドー３−メチルー１−デナアー１−才キサ−３
−セフェム−４−カッしボン酸ジフェニルメデル２．６
５ｇ（収率：２５．２％）および７α−ベンズアミド−
３−メチル−１−デチアー１−才キサ−２−セフェム−
４α−カルボン酸ジフェニルメチル１．０５ｇ（収１ｃ
：１０．８％）・を得る。

（ＩＲニジ””　３４４０．１７８２．１７４５．１６
７６ｆＩａｘ １ｆｉ６３５ｈ　ａｍ−’、　） Ｂ、二重結合の転移 叉】■１１ＶＢ−ｔ ７β−ベンズアミド−７α−メトキ〉−３−メゾルー１
−デテアー１−オキサー２−セフェム−カルボンｆ！ａ
１００ｍｇをアセトン１０ｍ１に溶かし、トリエチルア
ミン０．１ｍｌを加え、室温で６日間放置する６反応液
を薄層クロマトグラフィーにかけると、７β−ベンズア
ミド−７α−メトキシ−３−メチル−１−デデアー１−
オキサー３−セフェム−４−カルボン酸および原料のス
ポットを示す。

χＪｌ！１ＲＩＩＶ」Ｌ−ス フα−へンズアミドー３，３−メデレン−１−デチアー
１−オキサセファム−４α−カルボン酸ジフェニルメチ
ル５．０ｇを塩化メチレン２５１１に溶かし、トリエチ
ルアミン０．５ｍｌを加える。

室温で８０分間撹拌し、ベンゼンを少盪加えた後濃縮す
る。残渣をエーテルから結晶化すると、７α−ベンズア
ミド−３−メチル−１−デテアー１−オキサー３−セフ
ェム−４−カルボン酸ジフェニルメチル４．５ｇ（収率
９０％）を得る。

混液を室温で１５時間放置した後、クロマトグラフで分
離すると、Δ１異性体５０．８％、Δ１異性体３８．３
％およびそれらの混合物４．１％を得る。

衷Ｍｉ９１ＷＢ二１ ７α−ベンズアミド−３，３−メチレン−１−デテアー
１−才キサセファム−４α−カルボン酸１００岨をアセ
トン１０１１に溶かし、トリエチルアミンＯ，１ｍｌを
加え、５日間放置する０反応混液を薄層クロマトグラフ
ィーに付せば、７α−べンズアミドー３−メチルー１−
デチアー１−才キサー２−セフェム−４−カルボン酸、
７α−ベンズアミド−３−メチル−１−デチアー１−才
キサー３−セフェム−４−カルボン酸および原料物質の
スポットを示す。

Ｃ，カルボキシ保護基の除去 宜ＪＪＬＬ旦：」２ ７β−ベンズアミド−７α−メトキシ−３α−メチル−
３β−アセトキシ−１−デデアー１−オキサセファム−
４α−カルボン酸ジフェニルメチル９６０ｍｇをアニソ
ール４ｍｌに溶かし、０℃でトノフルオロ酢酸１０ｍ１
を加えて１５分間攪拌し、減圧下で溶媒を留去する。残
渣をエーテル−ｎ　−ヘキサンから固化すると７β−ベ
ンズアミド−７α−メトキシ−３α−メチル−３β−ア
セトキシ−１−デチアー１−オキサセファム−４α−カ
ルボン９４７０ｍｇ（収率ニア０％）を無色粉末として
得る。ｍｐ、２０３〜２０８°Ｃ（分解）同様にして対
応するジフェニルメチルエステルより以下のカルボン酸
を製造しうる。

７β−ベンズアミド−７α−メトキシ−３α−ヒドロキ
シ−３β−メチル−１−デチアー１−オキサセファ！、
−４α−カルボン酸、ｍｐ、１００〜１０５°Ｃ（分解
） ７α−ベンズアミド−７α−メトキシ−３α−トリフル
才ロアセトキシ−３β−メチル−１−デチアー１−オキ
サセファム−４α−カルボン酸、ｍｐ、１０ｇ−１１３
°Ｃ ７β−ベンズアミド−７α−メトキシ−３−メチル−１
−デチアー１−オキサー２−セフェム−４−カルボン酸
、ｍｐ、１９５〜１９８°ＣＩＲ：　ｖＫＢ’　３２５
０．１７６６、１７４２．１６４２　ｃｍ−’ＩＩａＸ ７α−ベンズアミド−３ξ−クロロ−３ξ−クロロメチ
ル−１−デテアー１−オキサセファム−４α−カルボン
酸、ｍｐ、１１８〜１２２℃（分解） 支記シロ≧ニ アα−ベンズアミドー３−エキツメテレシー１−デチア
ー１−オキサセファム−４α−カルボン酸ジフェニルメ
チル１．１２５ｇを塩化メチレン１５ｍ１とアニソール
３．５ｍｌの混液に溶かし、−２０℃で攪拌しながら、
三塩化アルミニウム（６２５ｍｇ）のニドＩＴ＋）タン
（２０ｍｌ）溶液を加え、窒素気流中、−１０〜−２０
“Ｃで３０分間攪拌する。これを塩酸の水溶液に注ぎ、
酢酸エチルで抽出する。抽出液を飽和度酸ナトリウム水
溶液で洗い、洗液を濃塩酸で酸性とし５酢酸エチルで再
び抽出する。有機層を合わせ、木洗、乾燥後、溶媒を留
去すると、７α−へ〉スアミドー３−エキソメチレン−
１−デチアー１−オキサセファムー４α−カルボン酸６
２３ｍｇを得る。

同様に、７α−ベンズアミド−３−メチル−１−デチア
ーｌ−才キサー２−セフェム−４α−カルボン酸ジフェ
ニルメチル１．８［を［化メチレン２５ｍ１に溶かし、
アニソール５．８ｍｌ、三塩化アルミニウム１．０２８
ｇおよびニトロメタン３６ｍ１を用いて一１０℃で３０
分間加溶媒分解すると、７α−ベンズアミド−３−メチ
ル−１−デテアー１−オキサー２−セフェム−４α−カ
ルボン酸９３５ｍｇ（収率７２．６％）を得る。

ｐ、アミン基の保護およびアミン保護基の除去叉１己１
Ｌ旦二」。

７α−アミノ−３−メチレン−１−デテアー１−オキサ
セフアム−４α−カルボン酸ジフェニルメチル２５ｍｇ
を塩化メチレン０．５ｍｌに溶かし、窒素気流中−２０
℃でピリジン７μｍおよび塩化ヘンジイル１０μｍを加
え、１時間攪拌する。これを氷水中に注ぎ、５分間攪拌
した後、塩化メチレンで抽出する。有機層を分離し、水
、炭酸水素ナトリウム水溶液、ついで水で洗い、乾燥し
、溶媒留去すると、７α−ベンズアミドー３−メチレン
ー１−デテアー１−才キサセファムー４α−カルボン酸
ジフェニルメチル２８１１１８（Ｌｔ１８６％）を得る
１本品は薄層クロマトグラフィーおよびＮＭＲで同定し
た。

去】■ＩＩ旦二」。

７α−ベンズアミド−３−メチレン−１−デチアー１−
オキサセフアムー４α−カルボン酸ジフェニルメチル９
４ｍｇを塩化メチレン４ｍｌに溶かし、窒素気流中−４
０℃でピリジン３２μｍおよび、０．３７Ｍ五塩化リン
の塩化メチレン溶液１．０８．ｎｌを加え、室温に温め
工１時間攪拌する。再び一４０℃に冷却し、メタノール
８ｍｌを加えた後０°Ｃに温め、水０．８ｍｌを加えて
減圧下で溶媒を留去する。残渣を酢酸エチル２０ｍ１に
溶かし、水洗した後、炭酸水素ナトリウム水溶液ついで
水で抽出する。抽出液と洗液を合わせ、酢酸エチルで覆
い、ｐＨ７，０に調整して酢酸エチルで抽出する。有機
層を分取し、水洗し、乾燥した後溶媒を留去すると７α
−アミノ−３−メチレン−１−デチアー１−オキサセフ
ァムー４α−カルボン酸ジフェニルメチル２９ｍｇ（収
率：　４０％）ヲ得る。

ＩＲ：　　Ｌ／”ＨＣｌ”　３０００．　１７７０ｓｈ
、　　１７６０．　１７４０　ｃｍ−’ａＸ Ｅ、Ｘおよび２の変換反応 （以下余白） 実施例ＩＶＥ Ｃ００ＣＲＰｈ２ （１）７α−ベンズアミド−３ξ−ヒドロキシ−３ξ−
ブロモメチル−１−デチアー１−オキサセファム−４α
−カルボン酸ジフェニルメチル１０８ｍｇを１０％含水
アセトン５ｍｌに溶かし、炭酸カリウム５０ｍｇを加え
、室温で１．５時間攪拌した後、食塩水を加えて希釈し
、塩化メチレンで抽出する。抽出液を硫酸マグネ／ラム
で乾燥し、溶媒を留去する。’Ａ渣９０ｍｇをシリカゲ
ルの薄層クロマトグラフィー（展開溶媒：へンゼンー酢
酸エチル（２：１））で精製すると７α−ベンズアミド
−３３−エポキシメタノ−１−デテアー１−オキサセフ
アムー４α−カルボン酸ジフェニルメチル４０ｍｇ（異
性体Ａ）を得る。また、原料物質の立体異性体１４０ｍ
ｇからは３位における立体異性体８５６輻を得る。

（２）１−メチルテトラゾール−５−イルチオール２０
ｍｇをテトラヒドロフラン２ｍｌに溶かし、１．５Ｍｎ
−ブチルリチウムのヘキサン溶液０．０５ｍ１を加えて
３０分間攪拌する。これに上記で得た７α−ベンズアミ
ド−３，３−エポキシメタノ−１−デチアー１−オキサ
セファムー４α−カルボン酸ジフェニルメチル（異性体
Ｂ）５８ｍｇをテトラヒドロフラン１ｍｌに溶かして加
え、１時間攪拌し、炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて
酢酸エチルで抽出する。抽出液を食塩水で洗い、硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を留去する。残渣を１０％含
水シリカゲル１ｇのカラムクロマトクラフィーに付し、
ヘンゼンー酢酸エチル（９：１）で溶出すると７α−ベ
ンズアミドー３−（１−メチルテトラゾール−５−イル
）チオメチル−３−ヒドロキシ−１−デデアー１−オキ
サセファムー４α−カルボン酸ジフェニルメチル（ｊｌ
性体Ｂ）４３ｍｇを得る。

実施例ＩＶＥ−２ （１）７α−ベンズアミド−３α−ヒドロキ／＝３β−
メチルー１−デデアー１−才キサセファムー４−カルボ
ン酸ジフェニルメチル１００ｍｇを酢硫イソプロペニル
５ｍｌに溶かしてｐ−トルエンスルホン酸−水和物６ｍ
ｇを加え、６０℃で７５分間加熱する。冷後、反応混液
を水冷した炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎこみ、塩化
メチレンで抽出する。有機層を分離し、水洗し、乾燥し
た後、溶媒を留去すると７α−ベンズアミド−３α−ア
セトキシ−３β−メゾルー１−デテアー１−オキサセフ
ァム−４α−カルボン酸ジフェニルメチル（収率：３Ｇ
、５％）を得る。

（２）７α−ベンズアミド−３α−ヒドロキン−３β−
メチル−１−デチアー１−オキサセファムー４−カルボ
ン酸ジフェニルメチルをリチウムジイソプロピルアミド
１．１当量、塩化アセチル１．２当量および２０容量倍
のテトラＬドロフランの混液を加え、−４０℃で４５分
、−２０℃で１５分、ついで０℃で２０分作用させるか
、またはピリジン１当量および１．２当量の塩化アセチ
ルの塩化メチレン溶液で処理すると（１）と同一の生成
物を得る。

（３）７β−ベンズアミド−７α−メトキシ−３α−ヒ
ドロキン−３β−メチル−１−デテアー１−オキサセフ
ァム−４α−カルボンｆＭＩンフェニルメチル５２ｍｇ
をジオキサン１ｍｌに溶かし、窒素気流中水冷下にトリ
フルオロ酢酸無水物０．１ｍｌを加え、室温で２時間攪
拌する。これに水０．３ｍｌを加え、３０分間攪拌し、
氷水で希釈し、酢酸エチルで抽出する。抽出液を水洗し
、乾燥後溶媒を留去すると、７β−ペンスアミドー７α
−メトキシ−３α−トリフルオロアセトキシ−３β−メ
チル−１−デテアー１−オキサセファム−４α−カルボ
ン酸ジフェニルメチル６４＋ｎｇを油状物として得る。

（４）７α−ベンズアミド−３ξ−ヒドロキシ−３ξ−
ヒドロキシメチル−１−デデアー１−オキサセファムー
４α−カルボン酸ジフェニルメチル１１２ｍｇをピリジ
ン０．５ｍｌおよび無水酢酸０．３ｍｌの混液に溶かし
、０℃で一夜放置した後、減圧下で濃縮する。残渣を水
中に注ぎ、酢酸エチルで抽出する。抽出液を水、希塩酸
、炭酸水素ナトリウム水溶液および水で順次洗い、乾燥
した後溶媒を留去すると７α−ベンズアミド−３ξ−ヒ
ドロキシ−３ξ−アセトキシメチル−１−デチアー１−
オキサセファム−４α−カルボン酸ジフェニルメチル５
４ｍｇを結晶として得る。ｍｐ。

１１８〜１２０℃ （５）　７α−ベンズアミド−３ξ−ヒドロキシ−３ξ
−ヒドロキンメチル−１−デチアー１−オキサセファム
−４α−カルボン酸ジフェニルメチル３５０ｍｇを塩化
メチレン３ｍｌに溶かし、ピリジン７８Ｉ１１およびメ
タンスルホニルクロリド７５μｍを加え、０℃で１時間
、ついで室温で３時間攪拌する。これを氷水中に注ぎこ
み、酢酸エチルで抽出する。抽出液を水、炭酸水素ナト
リウム水溶液ついで水で洗い、乾燥し、溶媒を留去する
。得られた残渣３７０ｍｇをシリカゲルのクロマトグラ
フィーに付すと、７α−ベンスアミドー３ξ−ヒドロキ
ン−３ξ−メタンスルホニルオキンメデルーｌ−デチア
ー１−オキサセファムー４α−カルボン酸ジフェニルメ
チル１４５ｍｇを得る。

Ｖ、連続工程 叉遣ｊ「仁二上：」− ７α−アミノ−７β−非置換−３−エキソメチレン−１
−テテアー１−オキサセファムー４−カルボン酸エステ
ルを塩化メチレンに溶かし、メタノール中ハロゲン化剤
および塩基を作用すると、３−ハロー３−ハロメチル−
７α−メトキン−７β−アミノ−１−デチアー１−オキ
サー３−セフェム−４−カルボン酸エステルを得る０表
■にその反応条件を示す。３−ハロメチルは他の求核基
で置換してもよい。

（陽　　６） ＣＯＯＣＨｐｈ２ ７α−ｐ−シアノベンズアミド−３−エキソメチレン−
１−デテアー１−オキサセファムー４αカルボン酸ジフ
ェニルメチル２４６ｒｎｇを一５０℃に冷却した塩化メ
チレン８ｍｌに溶かし、１．２Ｍ塩素の四塩化炭素溶液
１．４７ｍ１を加え、３００Ｗのタングステン灯で照射
しながら７分間攪拌すると７α−（Ｎ−クロロ−ｐ−シ
アノベンズアミド）−３−エキソメチレン−１−デチア
−１−才キサセファム−４α−カルボン酸ジフェニルメ
チルを得る。これに、２Ｍリチウムメトキシドのメタノ
ール溶液１．５７ａ＋１を加え、−５０℃〜−６０６０
で１０分間撹拌する。これに酢酸０．２ｍｌを加えた後
、氷水中に注ぎ、塩化メチレンで抽出する。抽出液を希
薄な炭酸水素ナトリウム水溶液、ついで水でｆｃ浄し、
乾燥後溶媒を留去する。残渣（７α−シアノベンズアミ
ド−７α−メトキシ−３−クロロメチル−１−デチアー
１−オキサー３−セフェム−４−カルボン酸ジフェニル
メチル）を塩化メチレン６ｍｌに溶かし、これに、１−
メチルテトラゾール−５−メルカプチド１００ｍｇおよ
び臭化テトラブチルアンモニウム２０ｍｇを水３ｍｌに
溶かし、室温で１時間ＨＮ拌する０反応混液を氷水中に
注ぎ、塩化メチレンで抽出し、水洗し、乾燥した後、溶
媒を留去する。得られた残渣３３５ｍｇをシリカゲルの
カラムクロマトグラフィーに付す、！；７β−ｐ−シア
ノベンズアミド−７α−メトキシ−３−（１−メチルテ
トラゾール−５−イルチオ）メチル−１−デテアー１オ
キサー３−セフェム−４−カッしボン酸ジフェニルメチ
ル２５１ｍｇを得る。

Ｃ００ＣＨＰｈ。

＋ ７α−ベンズアミド−３ξ−ヒドロキシ−３ξ−メチル
−１−才キサデチアセファム−４α−力ルボン酸ジフェ
ニルメチル１５．０ｇを塩化メチレン１００ｍ１に溶か
し、水冷攪拌下にピリノン６．８ｍｌおよび塩化チオニ
ル３ｍｌを加え、同温で７５分間、ついで室温で２．２
５時間攪拌し、氷水中に注ぐ、有機層を分離し、水洗し
、乾燥した後溶媒を留去する。残渣を１０％含水シリカ
ゲル３５０＆のクロマトグラフィーに付し、ベンゼン酢
酸エチル（９：ｌ）で溶出すると、７α−ベンズアミ＋
ニー３−メチルー１−デチアー１−オキナー３−セフェ
ムー４−カルボン酸ジフェニルメチル２．６５ｇ（収率
、２５．２％、ｍｐ。

１４４〜１４６＠Ｃ）および７α−ベンズアミド−３−
メチル−１−デナアー１〜オキサー２−セフェム−４α
−力Ｉレボン酸ジフェニルメチル１、ｏｓｇ（収率：　
１０．８％ 、　　ＣＨＣｌ。

ＩＲ・ν　　　３４４０．１７８２．１７４５．１６７
６ａｘ １６６３ｓｈ　ｃｍ−１）を得る。

（以下余白） 置市↓製造例１ ｈ 化合物（ａ）５１２ｍｇをベンゼン１０ｍ１およびメタ
ノール１ｍｌの混液に溶かし、トリフェニルホスフィン
０．４ｇをカロえ、６５℃で１，５時間攪Ｉ牢する。こ
れを１０％含水ンリカゲル３０ｇのカラムクロマトグラ
フィーに付し、２０〜３０％酢酸エチル含有ヘンゼンで
溶出すると化合物（ｂ）２０２ｍｇを得る。

ＩＲ：　Ｖ”””’　３３７０．１７８２．１７５５．
１６３５　ｃｍ−ｍａｘ 、　　　Ｃ）ｔｃｌ。

ＮＭＲ−８２，５０〜３．３５ｎ＋　　ＩＨ，４，１８
５２Ｈ。

５．０８ＳＩＨ，５，２５５ＩＮ、　　５．２８ｄ　（
３）１ｚ）ＩＨ，５，５０５１）１゜６．０８ｄ（３Ｈ
ｚ＞ＩＨ，６，９３ＳＩＨ，７，２０−８，００ｍ１５
１（夏丑Ｊｊ！！Ｊｌ主１ （１）　　２−（３−ヘンツルー７−オキソ−２゜６−
ジアザ−４−オキサビ／クロ［３，２，０コヘブト−２
−エン−６−イル）−３−メチル−３−ブテン酸ジフェ
ニルメチル４．６＆酢酸工チル７０ｍ１に溶かし、２．
７４Ｍ塩酸−酢酸エチル３．８ｍｌおよび１．４７Ｍ塩
酸−四塩化炭素１２ｍ１を加え、室温で１５分間攪拌す
る。これに、５％チオ硫酸ナトリウム８０ｍ１、炭酸水
素ナトリウム３．４ｇおよびアセトン２４０ｇを加え、
室温で２．５時間攪拌した後、酢酸エチルで抽出する。

抽出液を硫酸ナトリウムで乾燥し、２−（３−ベンジル
−７−オキソ−２，６−ツアザー４−オキサビシクロ［
３，２，０］ヘプト−２−エン−６−イル）−３−クロ
ロメチル−３−ブテン酸ジフェニルメチル３．３３ｇを
得るａ　ｍ　ｐ　−８２〜８３℃ （２）上記生成物をアセトン２５ｍ１に溶かし、ヨウ化
ナトリウム３．３区を加え、室温で２時間放置した後、
溶媒を留去する。残渣を酢酸エチルで抽出し、５％チオ
硫酸ナトリウム水溶液、ついで水で洗い、硫酸ナトリウ
ムで乾燥した後、溶媒を留去すると、対応するヨウ化物
３．０ｇを得る。

（３）　上記生成物１．５９ｇをンメチルスルホキンド
１３ｍ１および水３ｍｌの混液に溶かし、酸化第−ｆｉ
４０．７７ｇを加え、３９℃で１時間攪拌した後、濾過
する。濾液を酢酸エチルで抽出し、水洗し、乾燥した後
溶媒を留去すると、２−（３−ベンジル−７−オキソ−
２，６−’、；アザー４−オキサピンクロ［３，２，０
］ヘプト−２−エン−６−イル）−３−ヒドロキシメチ
ル−３−ブテン酸ジフェニルメチル０．３５ｇを得る。

−ｍｐ。

４０〜５５℃ 略語の説明 −ｐｈ議フェニル 一５Ｔｃｒｔ＝１−メチル−１，２，３，４−テトラソ
ール−５−イル Ｃ＊　Ｈ＊　Ｎ　Ｏｒ　−１’　−９−ニトロフェニル
−Ｃ＊　Ｈａ　ＣＨｓ　　９腫１）−トリル−Ｃ，Ｈ，
ＣＮ−Ｐ−ｐ−ンアノフエニル−Ｃ＋ＨａＣ１−ｐ−ｐ
−クロロフェニル−Ｂｕ−を露草三級ブチル 一０Ａｃ−アセトキシ Ｘと２間の＝−ＣＨ，ＸとＺが一緒になってメチレンを
表わす。

Ｘと２の間の一〇−−Ｘと２がエポキシを表わす。

■ＣＨ８■原料の３−エポキシメチレン化合物の重量 Ｅ　ｔ　０ＡＣ−エチルアセテート・ ＴＨＦ畷テトラヒドロフラン ＤＭＦ−Ｎ、Ｎ−ジメデルホルムアミドｃ　−ＨＩ　Ｓ
　Ｏａ　−ａ　ＨＩ　Ｓ　Ｏ。

Ｅ　ｔ　ｓＯ−ジエチルエーテル ｔ−ＢｕＯＣｌ−第３級ブナルヒポクロライトｅｑ謔当
量 ＤＢＮＢｉ１２−ジアザビンクロ［３，４，０コノネン
−５ （ＣＨ＊　）　ｓ　Ｎ　Ｈ−ピペリジンハシ−光照射 ２におけるΔ１またはΔ３−３位の脱離基のかわりに２
（３）位または３（４）位に二重結合が存在することを
意味する。

（以下余白）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［但し、Ａはアミノまたは保護されたアミノ；Ｅは水素
   またはメトキシ； Ｙは式：▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、または▲数式、化
   学式、表等があります▼ （但し、ＣＯＢはカルボキシまたは保護されたカルボキ
   シ；Ｘは水素または求核基；Ｚは脱離基；を表わす。） で示される二価の基； 波線はαまたはβ結合：をそれぞれ表わす。］で示され
   る化合物。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ａはアミノまたは保護されたアミノ；Ｙは式：
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼ （但し、ＣＯＢはカルボキシまたは保護されたカルボキ
   シ；Ｘは水素または求核基；Ｚは脱離基；を表わす。） で示される二価の基；をそれぞれ表わす。］ で示される特許請求の範囲（１）の化合物。