JPH0136118B2 - - Google Patents

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JPH0136118B2
JPH0136118B2 JP55115032A JP11503280A JPH0136118B2 JP H0136118 B2 JPH0136118 B2 JP H0136118B2 JP 55115032 A JP55115032 A JP 55115032A JP 11503280 A JP11503280 A JP 11503280A JP H0136118 B2 JPH0136118 B2 JP H0136118B2
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JP
Japan
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signal line
display device
common signal
row
common
Prior art date
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Application number
JP55115032A
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Japanese (ja)
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JPS5738498A (en
Inventor
Shinji Morozumi
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5738498A publication Critical patent/JPS5738498A/en
Publication of JPH0136118B2 publication Critical patent/JPH0136118B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶等のデイスプレイ装置に用いるア
クテイブマトリツクス基板のテスト装置に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a testing device for active matrix substrates used in display devices such as liquid crystal displays.

アクテイブマトリツクス基板とは、第1図に示
すようにトランジスタと電荷蓄積のための容量が
マトリツクス状に配列されている。ライン入力
X1〜Xiはトランジスタのゲートに配線され、マ
トリツクスの行を選択する。又データ入力となる
ラインY1〜Yjは選択された行に対してトランジ
スタを介して蓄積コンデンサにデータを電荷とし
て蓄える。このコンデンサの電極E111〜Eijがデ
イスプレイ装置の駆動電極となり、この電極上の
デイスプレイ媒体を駆動する。このマトリツクス
の動作はまずY1〜YjにE11〜Eijに入れるべきデ
ータをセツトして、ラインX1によりトランジス
タTr11〜Tr1jをONさせて、コンデンサC11〜C1j
に電荷として信号を蓄える。この信号はグラフイ
ツクであれば“0”と“1”に対応した2値であ
りテレビ等の画像信号であれば“0”から“1”
に向つて連続的な値である。更に同様にE21〜E2j
にセツトするデータをY1〜Yjに用意し、ゲート
ラインX2によりトランジスタTr21〜Tr2jをONさ
せてC21〜C2jに信号をストレージさせる。同様に
Xjの示す行Ei1〜Eijに信号を入力させると、又
X1にもどつてこの動作を繰り返し、順次サイク
リツクにリフレツシユしてゆく。
As shown in FIG. 1, an active matrix substrate has transistors and capacitors for charge storage arranged in a matrix. line input
X 1 -Xi are wired to the gates of the transistors to select rows of the matrix. Lines Y 1 to Yj, which serve as data inputs, store data as charges in storage capacitors via transistors for selected rows. The electrodes E 111 to Eij of this capacitor serve as drive electrodes of the display device, and drive the display medium on these electrodes. The operation of this matrix is to first set the data to be put into E 11 - Eij in Y 1 - Yj, turn on the transistors Tr 11 - Tr 1 j by line X 1 , and turn on the capacitors C 11 - C 1 j.
stores the signal as an electric charge. This signal is a binary signal corresponding to "0" and "1" in the case of graphics, and it is a binary value corresponding to "0" and "1" in the case of an image signal such as a television.
It is a continuous value towards . Furthermore, E 21 ~ E 2 j
Prepare data to be set in Y 1 to Yj, turn on transistors Tr 21 to Tr 2 j by gate line X 2 , and store signals in C 21 to C 2 j. similarly
When a signal is input to the rows Ei 1 to Eij indicated by Xj,
Return to X 1 and repeat this action, cyclically refreshing in sequence.

第2図はこのアクテイブマトリツクスをSiウエ
ハに作成し、更に液晶デイスプレイを駆動する装
置の断面図を示す。Siウエハ4にまずストツパ
P+域6とトランジスタのソース・ドレインとな
るN+域5の拡散層を作製し、ゲート膜8上にゲ
ート電極10とコンデンサ電極9(ポリシリコン
を用いる)を作製する。ゲート膜以外はフイール
ド膜7に覆われている。この上にPSG膜11に
つけてコンタクトホールをあけて列ラインY1
YjとなるAl配線13と駆動電極E11〜Eijとなる
Al電極12が形成される。この後共通電極とな
るネサ膜2を備えたガラス板1でサンドイツチし
てこの後液晶3を封入する。この装置で駆動電極
12と共通電極2との間に所定の電位差以上であ
れば液晶は点灯し、それ以下であれば非点灯とな
る。又グレイ・スケールも電位次第で可能とな
る。この結果この駆動電極を1ドツトとしてi行
×j列のドツトによるマトリツクスデイスプレイ
ができあがる。
FIG. 2 shows a cross-sectional view of a device that creates this active matrix on a Si wafer and also drives a liquid crystal display. First, stopper the Si wafer 4.
Diffusion layers of the P + region 6 and the N + region 5 which will become the source and drain of the transistor are formed, and a gate electrode 10 and a capacitor electrode 9 (using polysilicon) are formed on the gate film 8. The parts other than the gate film are covered with a field film 7. On top of this, attach the PSG film 11 and make a contact hole to connect the column line Y 1 ~
Al wiring 13 becomes Yj and drive electrode E 11 - becomes Eij
Al electrode 12 is formed. Thereafter, a glass plate 1 provided with a Nesa film 2 serving as a common electrode is sandwiched and then liquid crystal 3 is sealed. In this device, if the potential difference between the drive electrode 12 and the common electrode 2 is greater than or equal to a predetermined potential difference, the liquid crystal is lit, and if it is less than that, the liquid crystal is not lit. Gray scale is also possible depending on the potential. As a result, a matrix display of i rows by j columns of dots is completed, with this drive electrode as one dot.

ここに用いるアクテイブ・マトリツクス基板は
当然欠陥が少ない方がよく、もし欠陥があればそ
のドツト、もしくはラインがデイスプレイ装置上
で常に点灯、又は非点灯として出現し、その装置
は不良品となる。例えば蓄積コンデンサC11〜Cij
のリーク(絶縁膜8の不良等に起因)やトランジ
スタのリーク(拡散の接合不良)は画素の不良と
なるし、又ラインY1−Yjに接続されているトラ
ンジスタのリークは、ラインの不良となり、又ラ
インX1〜Xiのリークは、やはり横ラインの不良
としてデイスプレイパネルに現われる。従つてパ
ネルにする以前に欠陥の有無、更にある場合はそ
の場合を事前に調べて、基板を廃却するなり、欠
陥の除正、修正を行なつて良品化する必要があ
る。ところが従来はラインについては(i+j)
本のリーク、又は断線の測定は、信号入力となる
パツドにプロービングすることに可能であつた
が、ドツトエレメントは(i×j)コありこの駆
動電極1コ1コにプロービングしてリーク、断線
チエツクをすることは莫大な手数がかかる。例え
ばテレビ画像の場合i=200、j=200となり、エ
レメントは40000コとなり、その測定は不可能に
近く実際にパネルにしてから良品と不良品の選別
をせざる得ず非常に効率が悪く、又歩留りも極度
に低かつた。又百歩譲つて測定しても、その許容
値が1uA〜100pAという微少電流であり、測定値
が不安定で信頼性に乏しい。
Naturally, it is better for the active matrix substrate used here to have fewer defects; if there is a defect, the dot or line will always appear on the display device as lit or non-lit, and the device will be defective. For example storage capacitor C 11 ~Cij
A leak (due to a defect in the insulating film 8, etc.) or a transistor leak (due to a defective diffusion junction) will cause a pixel defect, and a leak from a transistor connected to the line Y 1 -Yj will cause a line defect. , leakage from lines X 1 to Xi also appears on the display panel as defects in the horizontal lines. Therefore, before making a panel, it is necessary to check whether there is a defect or not, and if so, to determine whether the board is defective or not, and to discard the board or remove or correct the defect to make it a good product. However, in the past, for the line (i+j)
It was possible to measure leakage or disconnection by probing the pads that serve as signal inputs, but there are (i x j) dot elements, so probing each drive electrode to detect leakage or disconnection Checking takes a huge amount of effort. For example, in the case of a TV image, i = 200, j = 200, and the number of elements is 40,000, making it almost impossible to measure them and having to sort out good and defective products after actually making the panel, which is extremely inefficient. Also, the yield was extremely low. Even if you take measurements, the permissible value is a minute current of 1 uA to 100 pA, making the measured values unstable and unreliable.

従つて本発明の目的は、パネルデイスプレイ装
置にする以前にラインからエレメントに至るまで
全ての欠陥の有無とアドレスを短時間で測定し、
除去可能な欠陥はレーザ等で取り除き良品化する
と共に除去不能のものとの選別も合せて行なえる
ような方式を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to measure the presence or absence of defects and addresses of all defects from lines to elements in a short time before making a panel display device.
It is an object of the present invention to provide a method that can remove removable defects using a laser or the like to produce good quality products, and also separate them from those that cannot be removed.

本発明は従来ラインについてはリーク等は全て
直流的に測定していたが、ライン、エレメント共
にコンデンサに蓄積させた電荷のリークを調べる
ダイナミツク法にすることが特徴である。コンデ
ンサに蓄えた電荷はリークがあれば一定期間後に
調べると電荷が消失しているし、なければ電荷は
保持されていることを利用し、一定周期でこの電
荷量の変化をとらえることにより、ドツトエレメ
ントの欠陥の有無とそのアドレスがわかる。
The present invention is characterized by using a dynamic method to check for leakage of charges accumulated in capacitors for both lines and elements, whereas conventionally all leakage etc. for lines have been measured using direct current. If there is a leak, the charge stored in the capacitor will disappear after a certain period of time, and if there is no leak, the charge will be retained.By taking advantage of this fact, we can detect the change in the amount of charge at a certain period. The presence or absence of element defects and their addresses can be determined.

第3図は本発明のアクテイブマトリツクス基板
のテストシステムの一例を示す。マトリツクス5
3は全く第1図と同じである。Xラインの信号を
制御するためのシフトレジスタ37はコンピユー
タ35のクロツク信号44、X1〜Xiのうち一本
のみを選択するためのデータ信号45、内部を全
てリセツト、セツトする信号42,43、出力の
みを全てリセツト状態する信号55により制御さ
れる。出力Gx1〜Gxi、1〜はラインX1
XiをGND電位か、VDD電位かを選択するスイツ
チである。電流計56は各ラインにVDDから流れ
込む電流を測定しデジタル信号54として出力す
る。シフトレジスタ33はYラインを選択する信
号を出力しシフトレジスタ37と全く同じように
コンピユータ35により制御される。共通信号線
ドライイバ34は“0”又は“1”を出力しスイ
ツチSyの開閉により共通信号線38をドライブ
する。コンパレータ31は共通信号線の電位を
D・A変換器32により設定されるコンパレート
レベルVcと比較する。トランジスタTy1−Tyjは
シフトレジスタの出力Cy1〜GyjによりYライン
と共通信号線を接続したり切り離したりするスイ
ツチとなる。
FIG. 3 shows an example of an active matrix board test system of the present invention. Matrix 5
3 is exactly the same as in FIG. The shift register 37 for controlling the signals of the X line receives a clock signal 44 from the computer 35, a data signal 45 for selecting only one of X 1 to Xi, signals 42 and 43 for resetting and setting all internal parts, and It is controlled by a signal 55 which resets all outputs only. Output Gx 1 ~ Gxi, 1 ~ is line X 1 ~
This is a switch that selects Xi between GND potential and VDD potential. The ammeter 56 measures the current flowing into each line from VDD and outputs it as a digital signal 54. The shift register 33 outputs a signal for selecting the Y line and is controlled by the computer 35 in exactly the same way as the shift register 37. The common signal line driver 34 outputs "0" or "1" and drives the common signal line 38 by opening and closing the switch Sy. The comparator 31 compares the potential of the common signal line with a comparison level Vc set by the D/A converter 32. The transistors Ty 1 -Tyj serve as switches for connecting or disconnecting the Y line and the common signal line according to the outputs Cy 1 -Gyj of the shift register.

このシステムにおけるテストの動作のフローチ
ヤートを第4,5,7図に示す。
Flowcharts of test operations in this system are shown in FIGS. 4, 5, and 7.

第4図はXラインのリークを測定する例であり
まずシフトレジスタをリセツトして、Tx1′〜
Tx′iを導通状態としX1〜XiをGND電位とする。
その後シフト回路により順次Tx1〜TxiをONさ
せX1〜Xiを1つづVDD電位として、電流計56に
よりそのリークを調べ、もしリークがあれば記録
しておき、後に欠陥の除去の時にそのアドレスを
用いる。
Figure 4 is an example of measuring leakage on the X line. First, reset the shift register, and then
Tx′i is made conductive and X 1 to Xi are set to GND potential.
After that, the shift circuit sequentially turns on Tx 1 to Txi, sets X 1 to Xi to V DD potential one by one, checks the leakage using the ammeter 56, records any leakage, and records it later when removing defects. Use address.

第5図はYラインのリークを測定するフローで
ある。まずX側のシフトレジスタ37をリセツト
し、X1〜Xiを全てGND電位としてトランジスタ
を全てOFFとしてエレメントが含まれないよう
にする。その後シフトレジスタ33をセツトし、
Gy1〜GyjによりTy1〜Tyiを全てONさせ、ドラ
イバを“1”電位(VDD電位)にしてスイツチSy
を開きYラインに寄生している容量Cy1〜Cyjに
同時に“1”電位まで充電し、電液を蓄積させ
る。そのすぐ後にシフトレジスタ33をリセツト
しTy1〜TyjをOFFとして、この状態で一定の時
間待つ。その後共通信号線ドライバ34を“0”
電位にしてスイツチSyをONさせて、容量CIN
電荷を放電させ又すぐにSyを閉じて、共通ライ
ン38を高インピーダンスとする。その後シフト
レジスタ33を動作させ、まずGy信号により
Ty1をONさせてCy1に蓄積させた電荷をCINと分
割する。第6図にこの動作を示す。共通信号線3
8の電位VoはGy1により選択するとCy1の電荷に
よりCINが充電される。Cy1の電荷が失なわれてい
なければ所定の容量比によつて決定される値にな
り、Vcをこの値よりわずか下に設定してストロ
ーブ期間のストローブパルスSTBによる比較結
果をラツチする。もし、ラインにリークがあれば
Cy1の電荷は失なわれておりVoの電位はVcを越
えないことになり、コンパレータ31の出力によ
り判定できる。ここで不良があればやはりアドレ
スを記録してこの動作を順次Yjまで繰り返す。
FIG. 5 is a flowchart for measuring leakage of the Y line. First, the X-side shift register 37 is reset, all of X 1 to Xi are set to GND potential, and all transistors are turned off so that no elements are included. After that, set the shift register 33,
Turn on all Ty 1 to Tyi by Gy 1 to Gyj, set the driver to “1” potential (V DD potential), and switch Sy
is opened, and the capacitors Cy 1 to Cyj parasitic on the Y line are simultaneously charged to a potential of "1" and the electrolyte is accumulated. Immediately after that, the shift register 33 is reset, Ty 1 to Tyj are turned OFF, and the process waits in this state for a certain period of time. After that, set the common signal line driver 34 to “0”
Turn on the switch Sy to the potential, discharge the charge in the capacitor C IN , and immediately close Sy to make the common line 38 high impedance. After that, the shift register 33 is operated, and first the Gy signal is used to operate the shift register 33.
Turn on Ty 1 and divide the charge accumulated in Cy 1 with C IN . FIG. 6 shows this operation. Common signal line 3
When the potential Vo of 8 is selected by Gy 1 , C IN is charged by the charge of Cy 1 . If the charge of Cy 1 is not lost, the value will be determined by a predetermined capacitance ratio, and Vc will be set slightly below this value to latch the comparison result using the strobe pulse STB during the strobe period. If there is a leak in the line
The charge on Cy 1 has been lost and the potential on Vo will not exceed Vc, which can be determined from the output of the comparator 31. If there is a defect here, the address is also recorded and this operation is repeated sequentially up to Yj.

第7図はエレメントを測定するフローである。
まずドライバ34の出力を“1”にしてスイツチ
SyをONさせる。次にシフトレジスタ33をセツ
トしてTy1〜TyjをONさせる。この後にシフト
レジスタ37によりX1〜Xiにより1行目からi
行目まで1行づつ順次トランジスタをONさせコ
ンデンサC11〜Cijに電荷を蓄積させる。このX1
Xiの選択する周期はマトリツクスのリフレツシ
ユ周期のi分の1付近にする。次に2つのシフト
レジスタをリセツトしてドライバを“0”にしま
ずシフトレジスタ33をセツトしてTy1〜Tyj全
てをONさせ、Cy1〜CyjとCINの電荷を放電させ
てからSyを閉じて高インピーダンス状態とする。
次にシフトレジスタ33をリセツトしてTy1
TyiをOFFさせた後にシフトレジスタ37により
まずX1を選択しTr1〜TrijをONさせてY1〜Yjに
C11〜〜Cijの電荷を読み出す。この後にシフトレ
ジスタ33を走査させてTy1〜Tyjを1つずつ順
次ONさせて、Cy1〜Cyjの電荷をCINに読み出す。
第8図はこの状態を示したものでX1〜Xjのうち
1つが選択されるとY1〜Yjにエレメントの電荷
がラインに容量比に従つて移動する。その後Gy1
〜GyjによりTr1〜TyjがONすると更にこの電荷
がCINに移動する。その結果共通ライン38の電
位は、電荷の消失がなければ最終的にVc1とVc2
の間にある。第9図はこの回路の具体例を示し
D・A変換器60により2つのコンパレータレベ
ルVc1とVc2が作られ、各々のコンパレータ61,
62により比較されラツチ63,64に入力す
る。もしエレメントにリークがあるとVoはVc1
を越えない。又エレメントがX1〜Xiラインとの
間にリークがあればX1〜Xiが“1”となつた時
に逆に充電されてVoはVc2を越える。このよう
にしてエレメントの欠陥の状態とアドレスが記録
される。又Xライン、Yラインに断線がある場合
はエレメント.テストにより線状に欠陥が出現し
判定できる。
FIG. 7 is a flowchart for measuring elements.
First, set the output of the driver 34 to “1” and turn on the switch.
Turn on Sy. Next, the shift register 33 is set and Ty 1 to Tyj are turned ON. After this, the shift register 37 selects i from the first row by X 1 to Xi.
The transistors are sequentially turned on row by row up to the row, and charges are accumulated in the capacitors C 11 to Cij. This X 1 ~
The cycle selected by Xi is set around 1/i of the refresh cycle of the matrix. Next, reset the two shift registers and set the driver to "0". First, set the shift register 33, turn on all Ty 1 to Tyj, discharge the charges in Cy 1 to Cyj and C IN , and then close Sy. into a high impedance state.
Next, reset the shift register 33 and set Ty 1 to
After turning off Tyi, first select X 1 using the shift register 37, turn on Tr 1 ~ Trij, and change to Y 1 ~ Yj.
Read out the charge of C 11 〜〜Cij. Thereafter, the shift register 33 is scanned to sequentially turn on Ty 1 to Tyj one by one, and the charges of Cy 1 to Cyj are read out to C IN .
FIG. 8 shows this state. When one of X 1 to Xj is selected, the charge of the element moves to Y 1 to Yj according to the capacitance ratio. Then Gy 1
When Tr 1 ~Tyj is turned on by ~Gyj, this charge further moves to C IN . As a result, the potential of the common line 38 will eventually become Vc 1 and Vc 2 if no charge is dissipated.
It's between. FIG. 9 shows a specific example of this circuit, in which two comparator levels Vc 1 and Vc 2 are created by the D/A converter 60, and each comparator 61,
62 and input to latches 63 and 64. If there is a leak in the element, Vo will be Vc 1
not exceed. Moreover, if there is a leak between the element and the X 1 to Xi lines, when X 1 to Xi become "1", it will be reversely charged and Vo will exceed Vc 2 . In this way, the defect status and address of the element are recorded. Also, if there is a break in the X line or Y line, the element. Through testing, defects appear in a linear pattern and can be determined.

第3図におけるC11〜Cijは約1〜10pF、Cy1
Cyiは約10〜50pF、CINは約10pF〜100pF、VDD
10Vとすると判定するレベルはせいぜい5wVの分
解能があればよく、これは可能である。
C 11 ~Cij in Figure 3 is approximately 1 ~ 10 pF, Cy 1 ~
Cyi is approximately 10 to 50 pF, C IN is approximately 10 pF to 100 pF, V DD =
Assuming 10V, the level to be determined only needs to have a resolution of 5wV at most, and this is possible.

本発明は一定期間における電荷のリークをアク
テイブマトリツクスのテストパラメータとするも
のであり、この方式によれば、数100pAという微
少リークでも時定数に置き換えて簡単に測定でき
るのでラインのみならず、従来不可能であつたエ
レメントも確実に測定できる。又ここでは例とし
て一番簡単なテストフローをかかげたが、これら
を組み合わせればクロストーク、テストや逆リー
ク(電荷が充電されてしまう欠陥)テストも実現
できる。又第3図のシステムは当然一例にすぎず
同じ機能は他の回路によつても実現できる。
The present invention uses charge leakage over a certain period of time as a test parameter for an active matrix. According to this method, even a minute leakage of several hundred pA can be easily measured by replacing it with a time constant. Elements that were previously impossible can be measured reliably. In addition, although the simplest test flow is shown here as an example, crosstalk tests and reverse leak tests (defects caused by charging) can also be implemented by combining these. Moreover, the system shown in FIG. 3 is of course only one example, and the same function can be realized by other circuits.

本発明の方式では1つのマトリツクス基板をリ
フレツシユサイクルが30msecの時、約1秒以内
でテストを完了させることができる。又テストし
た結果である。欠陥の状況とアドレスは全て記録
されて、自動的に、又はマニユアルで、欠陥部分
の除去(例えばAl配線の切断による)が行われ
る。この結果マトリツクス基板の良品、不良品の
選別が素早く行え、又欠陥を含む基板であつても
修正が可能となり、組立て効率もよく、歩留りも
大幅に向上した。
In the method of the present invention, the test can be completed within about 1 second when the refresh cycle of one matrix board is 30 msec. This is the result of another test. All defect conditions and addresses are recorded, and defective portions are automatically or manually removed (for example, by cutting the Al wiring). As a result, matrix substrates can be quickly sorted into good and defective ones, and even substrates with defects can be repaired, resulting in better assembly efficiency and significantly improved yields.

上述の如く本発明は、マトリクス表示装置の行
数に対応した出力端子数を有し各行につき二値電
圧のうちの一の電圧を選択し該各出力端子に出力
する行方向データ信号選択手段、該一の電圧が各
行出力端子に印加されている間、該各行の電流量
を測定する計測手段、該マトリクス表示装置の桁
信号線に接続されてなる複数のスイツチ群、該複
数のスイツチ群に共通に接続されてなる共通信号
線、該共通信号線にスイツチを介して電荷を供給
してなる共通信号線ドライバ、該共通信号線に設
けられた容量蓄積手段、該容量蓄積手段の電位と
所定の電位とを比較し、比較結果を出力する比較
手段を有し、該共通信号線ドライバは、該マトリ
クス表示装置の各列信号線の寄生容量に電荷を供
給し、該スイツチ群は順次前記桁信号線と該共通
信号線とを導通して該寄生容量に蓄積された電荷
を前記容量蓄積手段に分割供給してなり、該比較
手段は、該容量蓄積手段に蓄積された電荷によつ
て生ずる電位と該所定電位とを比較し、比較結果
を出力してなるようにしたから、列信号及び桁信
号線の欠陥の一部を確実に解析し検出することが
できる。従つて、マトリツクス表示装置のパネル
として組立て表示ができる以前の製造工程段階で
のパネル基板の欠陥チエツクを行うことができ
る。
As described above, the present invention provides row-direction data signal selection means that has the number of output terminals corresponding to the number of rows of a matrix display device and selects one voltage from binary voltages for each row and outputs it to each output terminal; A measuring means for measuring the amount of current in each row while the one voltage is applied to each row output terminal, a plurality of switch groups connected to the digit signal line of the matrix display device, and a plurality of switch groups connected to the plurality of switch groups. A common signal line connected in common, a common signal line driver that supplies charge to the common signal line via a switch, a capacitance storage means provided on the common signal line, and a potential and a predetermined potential of the capacitance storage means. The common signal line driver supplies charge to the parasitic capacitance of each column signal line of the matrix display device, and the switch group sequentially operates the digits. The signal line and the common signal line are electrically connected to divide and supply the charge accumulated in the parasitic capacitance to the capacitance storage means, and the comparison means is generated by the charge accumulated in the capacitance storage means. Since the potential is compared with the predetermined potential and the comparison result is output, it is possible to reliably analyze and detect some defects in the column signal and digit signal lines. Therefore, it is possible to check for defects in the panel substrate at the manufacturing process stage before it can be assembled and displayed as a panel of a matrix display device.

さらに、マトリクス表示装置は、マトリクス状
に配列された複数のスイツチング素子及び該スイ
ツチング素子に接続されてなる複数のコンデンサ
を有し、該共通信号線ドライバは、該スイツチン
グ素子を介して該コンデンサの全てに電荷を供給
し、該電荷供給後、前記行方向データ信号選沢手
段は一行分のスイツチング素子を導通し、該スイ
ツチ群は該桁信号線と該共通信号線とを導通して
該寄生容量に蓄積された電荷を前記容量蓄積手段
に分割供給してなり、該比較手段は、該容量蓄積
手段に蓄積された電荷によつて生ずる電位と前記
所定電位とを比較し、比較結果を出力してなるよ
うにしたから、従来不可能であつたマトリクス表
示の各画素の欠陥又は各スイツチング素子の欠陥
を容易かつ自動的に検出できる効果を有する。
Furthermore, the matrix display device includes a plurality of switching elements arranged in a matrix and a plurality of capacitors connected to the switching elements, and the common signal line driver connects all of the capacitors via the switching elements. After supplying the charge, the row direction data signal selection means conducts the switching elements for one row, and the switch group conducts the digit signal line and the common signal line to reduce the parasitic capacitance. The electric charge stored in the capacitance storage means is divided and supplied to the capacitance storage means, and the comparison means compares a potential generated by the electric charge stored in the capacitance storage means with the predetermined potential and outputs a comparison result. Therefore, it is possible to easily and automatically detect a defect in each pixel in a matrix display or a defect in each switching element, which was previously impossible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はアクテイブマトリツクス基板の回路を
又、第2図は液晶デイスプレイパネル化した際の
断面図を示す。第3図は本発明におけるマトリツ
クス基板のテストシステムの構成例を示す。又、
第4,5,7図は第3図のシステムを用いたテス
トのフローの例を示す。第6図、第8図は本発明
の電荷読み出し方式の動作を説明したものであ
る。第9図は第8図の動作を判定するための比較
回路の構成である。 1……ガラス、2……ネサ膜、3……液晶、4
……Siウエハ、9,10……多結晶シリコン、8
……ゲート膜、7,11……フイールド膜、1
2,13……Al、33,37……シフトレジス
タ。
FIG. 1 shows a circuit of an active matrix substrate, and FIG. 2 shows a cross-sectional view of a liquid crystal display panel. FIG. 3 shows an example of the configuration of a matrix board test system according to the present invention. or,
4, 5, and 7 show examples of test flows using the system of FIG. 3. FIGS. 6 and 8 illustrate the operation of the charge readout system of the present invention. FIG. 9 shows the configuration of a comparison circuit for determining the operation of FIG. 8. 1... Glass, 2... Nesa film, 3... Liquid crystal, 4
...Si wafer, 9,10 ...polycrystalline silicon, 8
...Gate film, 7,11...Field film, 1
2, 13...Al, 33, 37...Shift register.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 マトリクス表示装置の行数に対応した出力端
子数を有し各行につき二値電圧のうちの一の電圧
を選択し該各出力端子に出力する行方向データ信
号選択手段、該一の電圧が各行出力端子に印加さ
れている間、該各行の電流量を測定する計測手
段、該マトリクス表示装置の桁信号線に接続され
てなる複数のスイツチ群、該複数のスイツチ群に
共通に接続されてなる共通信号線、該共通信号線
にスイツチを介して電荷を供給してなる共通信号
線ドライバ、該共通信号線に設けられた容量蓄積
手段、該容量蓄積手段の電位と所定の電位とを比
較し、比較結果を出力する比較手段を有し、該共
通信号線ドライバは、該マトリクス表示装置の各
列信号線の寄生容量に電荷を供給し、該スイツチ
群は順次前記桁信号線と該共通信号線とを導通し
て該寄生容量に蓄積された電荷を前記容量蓄積手
段に分割供給してなり、該比較手段は、該容量蓄
積手段に蓄積された電荷によつて生ずる電位と該
所定電位とを比較し、比較結果を出力してなるこ
とを特徴とするマトリクス表示装置用テスト装
置。 2 マトリクス表示装置の行数に対応した出力端
子数を有し各行につき二値電圧のうちの一の電圧
を選択し該各出力端子に出力する行方向データ信
号選択手段、該一の電圧が各行出力端子に印加さ
れている間、該各行の電流量を測定する計測手
段、該マトリクス表示装置の桁信号線に接続され
てなる複数のスイツチ群、該複数のスイツチ群に
共通に接続されてなる共通信号線、該共通信号線
にスイツチを介して電荷を供給してなる共通信号
線ドライバ、該共通信号線に設けられた容量蓄積
手段、該容量蓄積手段の電位と所定の電位とを比
較し、比較結果を出力する比較手段を有し、該マ
トリクス表示装置は、マトリクス状に配列された
複数のスイツチング素子及び該スイツチング素子
に接続されてなる複数のコンデンサを有し、該共
通信号線ドライバは、該スイツチング素子を介し
て該コンデンサの全てに電荷を供給し、該電荷供
給後、前記行方向データ信号選択手段は一行分の
スイツチング素子を導通し、該スイツチ群は該桁
信号線と該共通信号線とを導通して該寄生容量に
蓄積された電荷を前記容量蓄積手段に分割供給し
てなり、該比較手段は、該容量蓄積手段に蓄積さ
れた電荷によつて生ずる電位と前記所定電位とを
比較し、比較結果を出力してなることを特徴とす
るマトリクス表示装置用テスト装置。
[Scope of Claims] 1. Row direction data signal selection means having the number of output terminals corresponding to the number of rows of the matrix display device and selecting one voltage from binary voltages for each row and outputting it to each output terminal; A measuring means for measuring the amount of current in each row while the one voltage is applied to each row output terminal, a plurality of switch groups connected to the digit signal line of the matrix display device, and a plurality of switch groups connected to the plurality of switch groups. A common signal line connected in common, a common signal line driver that supplies charge to the common signal line via a switch, a capacitance storage means provided on the common signal line, and a potential and a predetermined potential of the capacitance storage means. The common signal line driver supplies charge to the parasitic capacitance of each column signal line of the matrix display device, and the switch group sequentially operates the digits. The signal line and the common signal line are electrically connected to divide and supply the charge accumulated in the parasitic capacitance to the capacitance storage means, and the comparison means is generated by the charge accumulated in the capacitance storage means. A test device for a matrix display device, characterized in that it compares a potential with the predetermined potential and outputs a comparison result. 2 Row direction data signal selection means having the number of output terminals corresponding to the number of rows of the matrix display device and selecting one voltage from binary voltages for each row and outputting it to each output terminal; A measuring means for measuring the amount of current in each row while being applied to the output terminal, a plurality of switch groups connected to the digit signal line of the matrix display device, and a plurality of switch groups connected in common to the plurality of switch groups. A common signal line, a common signal line driver configured to supply charge to the common signal line via a switch, a capacitance storage means provided on the common signal line, and a comparison between the potential of the capacitance storage means and a predetermined potential. , a comparison means for outputting a comparison result, the matrix display device includes a plurality of switching elements arranged in a matrix, and a plurality of capacitors connected to the switching elements, and the common signal line driver includes: , supplies charges to all of the capacitors via the switching elements, and after supplying the charges, the row direction data signal selection means conducts the switching elements for one row, and the switch group connects the digit signal line and the common The electric charge stored in the parasitic capacitance is dividedly supplied to the capacitance storage means by electrically connecting the communication signal line, and the comparison means compares the potential generated by the electric charge stored in the capacitance storage means with the predetermined potential. 1. A test device for a matrix display device, characterized in that the test device compares and outputs the comparison results.
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