JPH01320238A - 光ファイバの製造方法 - Google Patents
光ファイバの製造方法Info
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- JPH01320238A JPH01320238A JP63152739A JP15273988A JPH01320238A JP H01320238 A JPH01320238 A JP H01320238A JP 63152739 A JP63152739 A JP 63152739A JP 15273988 A JP15273988 A JP 15273988A JP H01320238 A JPH01320238 A JP H01320238A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
- C03C25/10—Coating
- C03C25/12—General methods of coating; Devices therefor
Landscapes
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野）
本発明は光ファイバの製造方法に関するものである。
〔従来技術］
周知の通り、光ファイバは公衆通信にとどまることなく
、各種分野で幅広く使用されており、今日その利用分野
はさらに広がりつつある。
、各種分野で幅広く使用されており、今日その利用分野
はさらに広がりつつある。
利用分野の拡大と共に最も重要な問題は光ファイバの長
期信転性であり、例えば２０〜３０℃の温度条件下では
２０〜３０年の耐久性があると言われる光ファイバであ
っても、８０〜１００°Ｃの温度条件下では短期間の使
用で水素による伝送を置火増加が顕著になり、その結果
適用分野が制限されるという問題が残っている。
期信転性であり、例えば２０〜３０℃の温度条件下では
２０〜３０年の耐久性があると言われる光ファイバであ
っても、８０〜１００°Ｃの温度条件下では短期間の使
用で水素による伝送を置火増加が顕著になり、その結果
適用分野が制限されるという問題が残っている。
そのため、１００°Ｃあるいはそれ以上の高温下で使用
される光ファイバについてはこれまで種々の検討が成さ
れており、例えばＢ Ｔ ＲＬ （ＢｒｉｔｉｓｈＴｅ
ｌｅｃｏｍ Ｒｅ５ｅｒｃｈ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅ
Ｓ）では、ｌｌｔ拡散防止用のバリア層として、第２図
に示すごとく、石英ガラス製のコア１およびクラッド２
からなる光ファイバ３の外周に２００人程度の厚さでシ
リコンオキシナイトライド層等のいわゆる非晶質物質か
らなる被覆４を設けることを提案している。
される光ファイバについてはこれまで種々の検討が成さ
れており、例えばＢ Ｔ ＲＬ （ＢｒｉｔｉｓｈＴｅ
ｌｅｃｏｍ Ｒｅ５ｅｒｃｈ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅ
Ｓ）では、ｌｌｔ拡散防止用のバリア層として、第２図
に示すごとく、石英ガラス製のコア１およびクラッド２
からなる光ファイバ３の外周に２００人程度の厚さでシ
リコンオキシナイトライド層等のいわゆる非晶質物質か
らなる被覆４を設けることを提案している。
前述の被覆４を形成する手段が種々検討され、例えば特
開昭５８−１８４１０３号公報に示すように、被覆原料
をガスの状態で、例えば４００〜１７００°Ｃの高温雰
囲気を有する反応管へと供給し、この反応管内で該反応
管内を通過する光ファイバ３上に前記被覆４を被覆せし
める方法が提案されている。
開昭５８−１８４１０３号公報に示すように、被覆原料
をガスの状態で、例えば４００〜１７００°Ｃの高温雰
囲気を有する反応管へと供給し、この反応管内で該反応
管内を通過する光ファイバ３上に前記被覆４を被覆せし
める方法が提案されている。
しかしながらこのように原料をガス状態で送出する方法
では、その送出量に限界があって所望の被覆厚さを得る
ことが難しいという問題があった。
では、その送出量に限界があって所望の被覆厚さを得る
ことが難しいという問題があった。
換言すると、この方法では所望の厚さを得るのに時間が
かかり、線引工程とこの被覆工程とを同期させると線引
速度を下げざるを得す、生産性が種度に低下するという
問題があった。
かかり、線引工程とこの被覆工程とを同期させると線引
速度を下げざるを得す、生産性が種度に低下するという
問題があった。
〔発明の目的］
前記問題に鑑み本発明の目的は、線引後の光ファイバの
外周に所望の厚さの非晶質物質からなる被覆を効率よく
施すことのできる方法を提供することにある。
外周に所望の厚さの非晶質物質からなる被覆を効率よく
施すことのできる方法を提供することにある。
前記目的を達成すべく本発明は、光ファイバ母材から線
引された光ファイバを反応管内を通過せしめて、該光フ
ァイバ上に非晶質物質からなる被覆を施す光ファイバの
製造方法において、前記非晶質物質の被覆の原料となる
物質を前記反応管内ヘミスト状で供給すると共に、これ
を反応管内で加熱せしめることを特徴とするものである
。
引された光ファイバを反応管内を通過せしめて、該光フ
ァイバ上に非晶質物質からなる被覆を施す光ファイバの
製造方法において、前記非晶質物質の被覆の原料となる
物質を前記反応管内ヘミスト状で供給すると共に、これ
を反応管内で加熱せしめることを特徴とするものである
。
以下に本発明の実施例を図を参照して詳細に説明する。
第１図に示すように、まず既知の方法で製造した石英系
ガラスからなる光ファイバ母材６を線引炉７に導き、既
知の手順にて線引し所望の外径を存する光ファイバ３と
なし、続いてこの光ファイバ３を後述する非晶質物質か
らなる被覆４を施すために直ちに反応管８へと案内した
。ここで符号９は反応管８内を高温状態に保持するため
の加熱手段であり、さらに符号１０は前記非晶質物質か
らなる被覆４を施すための原料を貯蔵する原料タンク、
符号１１は前記原料タンク１０の下部に設置された、例
えば超音波振動発生装置のごとき噴霧装置であって、原
料タンク１０内の原料をミスト状にせしめるための装置
である。
ガラスからなる光ファイバ母材６を線引炉７に導き、既
知の手順にて線引し所望の外径を存する光ファイバ３と
なし、続いてこの光ファイバ３を後述する非晶質物質か
らなる被覆４を施すために直ちに反応管８へと案内した
。ここで符号９は反応管８内を高温状態に保持するため
の加熱手段であり、さらに符号１０は前記非晶質物質か
らなる被覆４を施すための原料を貯蔵する原料タンク、
符号１１は前記原料タンク１０の下部に設置された、例
えば超音波振動発生装置のごとき噴霧装置であって、原
料タンク１０内の原料をミスト状にせしめるための装置
である。
さて前記噴霧装置１１でミスト状にされた原料、例えば
ベンゼンを前述した反応管８に接続されている原料供給
パイプ１２を介してミスト状態のまま反応管８へと供給
した。尚、図において前記原料供給バイブ１２の途中か
ら例えば窒素ガスＮ２を供給しているが、該窒素ガスは
キャリアガスであって、他にもアルゴンやヘリウムも使
用することができる。
ベンゼンを前述した反応管８に接続されている原料供給
パイプ１２を介してミスト状態のまま反応管８へと供給
した。尚、図において前記原料供給バイブ１２の途中か
ら例えば窒素ガスＮ２を供給しているが、該窒素ガスは
キャリアガスであって、他にもアルゴンやヘリウムも使
用することができる。
このようにしてミスト状にされて反応管８内へと供給さ
れたベンゼンは、反応管８内の高温雰囲気、具体的には
約１０００°Ｃの雰囲気に晒されてガスとなり、以下の
ように熱分解した。
れたベンゼンは、反応管８内の高温雰囲気、具体的には
約１０００°Ｃの雰囲気に晒されてガスとなり、以下の
ように熱分解した。
Ｃ，Ｉ＋、−一→６Ｇ ＋ ３１１□ （１
）前記（１）式により発生した炭素は直ちにこの反応管
８内を通過中の光ファイバ３の表面に付着し、炭素を主
成分とする非晶質物質からなる被覆４を形成した。この
実験において前記被覆４が形成される速度は最大で１０
０μ槃厚／分であった。
）前記（１）式により発生した炭素は直ちにこの反応管
８内を通過中の光ファイバ３の表面に付着し、炭素を主
成分とする非晶質物質からなる被覆４を形成した。この
実験において前記被覆４が形成される速度は最大で１０
０μ槃厚／分であった。
それ故、もし本方法で光ファイバ３上にこの非晶質物質
からなる被覆４を５００人の厚さで設けようとすると、
反応管８の長さを８００ｍｍ（０，８ｍ）とした場合は
、０．０３ｓｅｃで充分である。すなわち、０．８ｍ１
０．０３ｓｅｃ ’、２７ｍ／ｓｅｅ ＃１６００ｍ／
分 （２）となり、仮に線引速度を１６００ｍ／分に
上げても、光ファイバ３の外周に５００人の厚さの非晶
質物質からなる被覆４を施すことが可能であることがわ
かる。
からなる被覆４を５００人の厚さで設けようとすると、
反応管８の長さを８００ｍｍ（０，８ｍ）とした場合は
、０．０３ｓｅｃで充分である。すなわち、０．８ｍ１
０．０３ｓｅｃ ’、２７ｍ／ｓｅｅ ＃１６００ｍ／
分 （２）となり、仮に線引速度を１６００ｍ／分に
上げても、光ファイバ３の外周に５００人の厚さの非晶
質物質からなる被覆４を施すことが可能であることがわ
かる。
本実験では、１６０抛／分の線引速度は未だ実現されて
いないので、超音波振動発生装置からなる噴霧装置１１
の振幅を弱め、反応管８へ供給するミスト状のベンゼン
の量を約１桁小さくして、１６０ｍ／分の速度で線引し
、該線引直後に光ファイバ３の外周に約５００人の炭素
を主成分とする非晶質物質製被覆４を形成した。しかる
後この被覆４上に、例えば紫外線硬化性樹脂あるいは熱
硬化性樹脂等を塗布装置１３により塗布せしめ、これを
硬化装置１４により硬化せしめ保護被覆となし、引取機
Ｉ５により引取り、図示されていない巻取機により巻き
取った。
いないので、超音波振動発生装置からなる噴霧装置１１
の振幅を弱め、反応管８へ供給するミスト状のベンゼン
の量を約１桁小さくして、１６０ｍ／分の速度で線引し
、該線引直後に光ファイバ３の外周に約５００人の炭素
を主成分とする非晶質物質製被覆４を形成した。しかる
後この被覆４上に、例えば紫外線硬化性樹脂あるいは熱
硬化性樹脂等を塗布装置１３により塗布せしめ、これを
硬化装置１４により硬化せしめ保護被覆となし、引取機
Ｉ５により引取り、図示されていない巻取機により巻き
取った。
本方法により製造した光ファイバ１０００ｍを１気圧の
室温水素雰囲気中に１週間放置して取り出し、その伝送
損失増加量を測定したところ、水素分子による１、２４
μｍでの吸収ピークは全く見出されなかった。これは炭
素を主成分とする非晶質物質からなる被覆４が外部から
侵入する水素に対して遮繭層として作用しているためと
推定される。一方この被覆４のない通常の光ファイバに
おいて同様の実験を行ったところ、１．２４μｍ帯での
水素分子による伝送…失増加量は５ ｄＢ／ｋｍであっ
た。
室温水素雰囲気中に１週間放置して取り出し、その伝送
損失増加量を測定したところ、水素分子による１、２４
μｍでの吸収ピークは全く見出されなかった。これは炭
素を主成分とする非晶質物質からなる被覆４が外部から
侵入する水素に対して遮繭層として作用しているためと
推定される。一方この被覆４のない通常の光ファイバに
おいて同様の実験を行ったところ、１．２４μｍ帯での
水素分子による伝送…失増加量は５ ｄＢ／ｋｍであっ
た。
尚、本実施例では室温で液体であるベンゼンを原料とし
て使用しているが、これと類似のを機動であれば種々の
ものが使用できる。具体的には、トルエン、キシレン、
スチレン、シクロヘキサン、アセトン等が使用できる。
て使用しているが、これと類似のを機動であれば種々の
ものが使用できる。具体的には、トルエン、キシレン、
スチレン、シクロヘキサン、アセトン等が使用できる。
前述の如く本発明によれば、光ファイバの外周に非晶質
物質からなる被覆を形成するにあたって、原料をミスト
状態で供給したことにより、所望の厚さのものを効率よ
く容易に形成できた。
物質からなる被覆を形成するにあたって、原料をミスト
状態で供給したことにより、所望の厚さのものを効率よ
く容易に形成できた。
第１図は本発明の光ファイバの製造方法の一実施例を示
す概略図、第２図は本発明にかかわる非晶質物質からな
る被覆を有する光ファイバの一例を示す横断面図である
。
す概略図、第２図は本発明にかかわる非晶質物質からな
る被覆を有する光ファイバの一例を示す横断面図である
。
Claims (1)
- 光ファイバ母材から線引された光ファイバを反応管内を
通過せしめて、該光ファイバ上に非晶質物質からなる被
覆を施す光ファイバの製造方法において、前記非晶質物
質の被覆の原料となる物質を前記反応管内へミスト状で
供給すると共に、これを反応管内で加熱せしめることを
特徴とする光ファイバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152739A JPH01320238A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 光ファイバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152739A JPH01320238A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 光ファイバの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01320238A true JPH01320238A (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=15547100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152739A Pending JPH01320238A (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 光ファイバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01320238A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421545A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-24 | Hitachi Cable Ltd | 光ファイバ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP63152739A patent/JPH01320238A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421545A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-24 | Hitachi Cable Ltd | 光ファイバ及びその製造方法 |
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