JPH01285517A - Conveyer device - Google Patents

Conveyer device

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Publication number
JPH01285517A
JPH01285517A JP63116728A JP11672888A JPH01285517A JP H01285517 A JPH01285517 A JP H01285517A JP 63116728 A JP63116728 A JP 63116728A JP 11672888 A JP11672888 A JP 11672888A JP H01285517 A JPH01285517 A JP H01285517A
Authority
JP
Japan
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wafer
stage
walking beam
resin
metal
Prior art date
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Pending
Application number
JP63116728A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masashi Moriyama
森山 雅司
Yukiteru Kuroda
黒田 幸輝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP63116728A priority Critical patent/JPH01285517A/en
Publication of JPH01285517A publication Critical patent/JPH01285517A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To suppress a heavy metal from its bad influence to a conveyed material by conveying by a walking beam the conveyed material of semiconductor wafer or the like in a heat treatment part by square motion and constituting the walking beam in its conveyed material adapted part of a ceramic material or the like. CONSTITUTION:In a baking device for a semiconductor wafer 1, a stage 2 is provided being laid in a passage of a conveyed material, that is, the semiconductor wafer 1 so as to enable it to be mounted onto an upper surface. A conveying mechanism, which enables the wafer 1 to be collectively conveyed, uses a walking beam type conveying mechanism, and in a groove 5 formed into a slit shape in a lengthwise direction, a beam 6, constituting at least an upper end, that is, adapted part to the wafer 1 of resin or ceramic material, is provided in a contactless condition with the stage 2. Thus, setting up the metal beam 6 and the wafer 1 in a contactless condition, a heavy metal, springing out from the walking beam heated to a high temperature in a heat treatment part, is suppressed from adhering.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、搬送装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a conveying device.

(従来の技術) 一般に半導体集積回路の微細パターンの形成は、半導体
ウェハにレジスト塗布・露光・現像等の複数の処理によ
り行なわれる。このような複数の処理を行なうために、
上記ウェハを各処理部にベルトやハンドアーム等の搬送
手段で搬送されるが、上記ウェハ表面に塗布するレジス
トとこのウェハとの密着性を強化する等の目的で行なわ
れる熱処理部即ちベーキング処理部においては、上記ウ
ェハを100℃以上の高温に加熱させるため、このベー
キング処理部のウェハ搬送手段として上記ベルト搬送を
使用すると、このベルトが熱によって変質しこのベルト
から発生する塵がウェハに付着して汚染するという問題
があったため、従来では主にスクウェアモーシヨンする
金属製のビームを平行配置したウオーキングビーム式搬
送機構が使用されている。このようなウオーキングビー
ム式搬送機構は、例えば特開昭57−136336号、
特開昭59−55021号、特開昭60−118513
号公報等により開示されている。
(Prior Art) Generally, the formation of fine patterns of semiconductor integrated circuits is performed on a semiconductor wafer by a plurality of processes such as resist coating, exposure, and development. In order to perform such multiple processing,
The wafer is transported to each processing section by a conveying means such as a belt or a hand arm, and a heat treatment section, that is, a baking treatment section, is carried out for the purpose of strengthening the adhesion between the wafer and the resist applied to the surface of the wafer. In order to heat the wafer to a high temperature of 100°C or higher, if the belt is used as a means of transporting the wafer in the baking section, the belt will deteriorate due to the heat and the dust generated from the belt will adhere to the wafer. Conventionally, a walking beam type conveyance mechanism in which square motion metal beams are arranged in parallel has been used because of the problem of contamination. Such a walking beam type conveyance mechanism is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-136336,
JP-A-59-55021, JP-A-60-118513
It is disclosed in the publication number etc.

(発明が解決しようとする課M) しかしながらこのような金属製ビームを使用すると、上
記ベーキング処理部の熱により上記金属製ビームが加熱
され、この金属に含有している重金属例えばカーボンや
ナトリウム等が上記熱により金属ビームから飛び出しや
すくなり、この金属ビームの上部はウェハ搬送時におい
て上記ウエハ裏面と接触し、このウェハ裏面に上記重金
属のカーボンやナトリウム等が付着してしまう、この重
金属がウェハに付着すると、このウェハを拡散処理する
際に上記重金属がウェハに染み込んで、このウェハに形
成されているパターンに悪影響を与えてしまうという問
題があった。そのため、上記金属ビーム表面を樹脂例え
ばテフロン(商品名)コーティング或いはテフロン含浸
処理等の手段により上記問題の対策が行なわれたが、こ
のテフロンコーティング或いはテフロン含浸処理等によ
り上記金属ビーム表面に形成したテフロンの膜が上記ウ
ェハ搬送時におけるウェハとの接触により剥離する場合
があり、この剥離したテフロンがウェハに付着してウェ
ハを汚染する他、このテフロン剥離部では金属が露出し
てウェハと接触するため、上記重金属によりウェハへ悪
影響を与えるという問題があった。また、このウェハの
汚染により歩留まりを低下させてしまうことの他、クリ
ーンルーム内の汚染に対しても問題となっていた。
(Problem M to be solved by the invention) However, when such a metal beam is used, the metal beam is heated by the heat of the baking treatment section, and heavy metals such as carbon and sodium contained in the metal are heated. The heat makes it easier to jump out of the metal beam, and the upper part of the metal beam comes into contact with the back surface of the wafer during wafer transport, causing the heavy metals such as carbon and sodium to adhere to the back surface of the wafer. Then, when the wafer is subjected to a diffusion process, the heavy metals seep into the wafer, giving rise to a problem of adversely affecting the pattern formed on the wafer. Therefore, countermeasures against the above problem have been taken by coating the surface of the metal beam with a resin such as Teflon (trade name) or impregnating it with Teflon. The film may peel off due to contact with the wafer during wafer transport, and this peeled Teflon adheres to the wafer and contaminates the wafer, and the metal is exposed at the part where the Teflon is peeled off and comes into contact with the wafer. However, there is a problem in that the heavy metals have an adverse effect on the wafer. In addition to reducing the yield due to contamination of the wafers, there has also been a problem with contamination within the clean room.

本発明は上記点に対処してなされたもので、被搬送体へ
の重金属の付着を抑止し、更に被搬送体の汚染を抑止す
ることを可能とした搬送装置を提供しようとするもので
ある。
The present invention has been made in response to the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a transport device that can prevent heavy metals from adhering to objects to be transported and further prevent contamination of the objects to be transported. .

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、ウオーキングビームのスクウェアモーシヨン
により被搬送体を熱処理部内で搬送する装置において、
上記ウオーキングビームの少なくとも上記被搬送体当接
部を樹脂或いはセラミック材で構成することを特徴とす
る搬送装置を得るものである。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides an apparatus for transporting an object within a heat treatment section by square motion of a walking beam.
The present invention provides a conveyance device characterized in that at least the portion of the walking beam that contacts the conveyed object is made of resin or ceramic material.

(作 用) スクウェアモーシヨンにより被搬送体を熱処理部内で搬
送するウオーキングビームの少なくとも上記被搬送体当
接部を樹脂或いはセラミック材で構成することにより、
上記熱処理部で高温となったウオーキングビームから飛
び出す重金属が上記被搬送体へ付着することを抑止し、
上記被搬送体へ悪影響を与えることを防止できる。
(Function) By constructing at least the above-mentioned object contacting part of the walking beam that transports the transported object in the heat treatment section by square motion with resin or ceramic material,
Preventing heavy metals ejected from the walking beam that has reached a high temperature in the heat treatment section from adhering to the conveyed object,
It is possible to prevent an adverse effect on the conveyed object.

また、上記被搬送体を汚染することはなく、クリーンな
搬送を可能とする。
In addition, the conveyed object is not contaminated and can be conveyed cleanly.

(実施例) 以下1本発明装置を半導体ウェハのベーキング工程に適
用した一実施例につき1図面を参照して説明する。
(Example) An example in which the apparatus of the present invention is applied to a baking process of semiconductor wafers will be described below with reference to one drawing.

半導体製造工程では、半導体ウェハ表面にフォトレジス
トを塗布した後この塗布膜中の残留溶剤の蒸発と塗布膜
及び半導体ウェハとの密着性強化のために行なうプリベ
ーク処理、フォトレジスト処理の前処理としてフォトレ
ジストと半導体ウェハの密着性を強めるために水分を除
去するデバイトレージョンベーク処理、或いは現像によ
るフォトレジストパターン形成後フォトレジスト膜中ま
たは表面に残留した現像液やリンス液を蒸発除去し、フ
ォトレジストの硬化や半導体ウェハとの密着性強化を行
なうためのボストベーク処理が行なわれており、これら
ベータ処理を行なう装置としてベーキング装置が使用さ
れている。
In the semiconductor manufacturing process, after coating a photoresist on the surface of a semiconductor wafer, a pre-bake treatment is performed to evaporate the residual solvent in the coating film and strengthen the adhesion between the coating film and the semiconductor wafer, and photoresist treatment is performed as a pre-treatment. In order to strengthen the adhesion between the resist and the semiconductor wafer, after the photoresist pattern is formed by a device ray bake process or development to remove moisture, the developer and rinse solution remaining in the photoresist film or on the surface are evaporated and the photoresist is removed. A boss baking process is performed to harden the semiconductor wafer and strengthen the adhesion to the semiconductor wafer, and a baking device is used as a device to perform these beta processes.

このベーキング装置は第1図に示すように、被搬送体例
えば半導体ウェハωの通路に敷設され、このウェハ■を
上面に載置可能な如くステージ■が設けられている。こ
のステージ■には上記ウェハ■を保持する真空吸着機構
■が設けられており、この真空吸着機構■に連設し上記
ステージ0表面に開口した直径数■の複数の孔(へ)に
より上記ウェハ■の保持を可能としている。また、この
ステージ■には図示しない加熱機構例えばヒーターが内
設しており、このステージ■を所望する温度で加熱し、
この熱により上記ウェハωを加熱可能な構成となってい
る。このようなステージ■は第2図に示すように、スル
ープットを向上させるために直列状に複数個例えば4ス
テージ(2a)〜(2d)構造として使用する場合が多
く、この各ステージ(2a)〜(2d)間における上記
ウェハ■の搬送や、上記ステージ(2a)近傍に設定さ
れたウェハ■をステージ(2a)へ搬送する場合や、上
記ステージ(2d)上に設定されたウェハ■をこのステ
ージ(2d)近傍に設けられ後工程へ移送する移送機構
(図示せず)へ搬送する場合に、ウェハ■の一括搬送を
可能とする搬送機構が設けられている。この搬送機構に
はつオーキングビーム式搬送機構が使用されており、こ
れは、上記ステージ(2a)〜(2d)の直列方向即ち
長さ方向にスリット状に平行状態で2箇所に形成された
溝■内に、少なくとも上端即ち上記ウェハω当接部が樹
脂或いはセラミック材で構成されたビーム■が上記ステ
ージ■と非接触状態で設けられている。このビーム(0
は第3図に示すように金属例えばステンレススチール(
SO3)製ビーム(eの上端に樹脂部材■或いはセラミ
ック部材を突設させ、上記金属製ビーム0とウェハ■を
非接触としている。このビーム0の上端は、上記ステー
ジ■に形成された溝■から出没自在に構成され、このス
テージ■上に載置したウェハ■を昇降可能とし、更に上
記ビーム■のステージ■水平方向のスライド移動により
上記ウェハ■の搬送を可能としている。これは第4図に
示すように、上記ステージ■側面から水平に突出したビ
ーム0の両端を支持する支柱■を有し、この支柱■の下
端に設置され下面を進行方向に向かって上方に傾斜させ
た斜面■を有するスライダ(10)は、下面に当接され
たローラ(11)上をスライド移動しつつ上下動する構
造となっている。このローラ(10)は上記ビーム■の
下部において、ビーム■とほぼ同一の長さの支承体(1
2)両端に回転自在に軸着されている。この支承体(1
2)には駆動機構例えばエアーシリンダー(13)が取
付けられており、このエアーシリンダーの駆動により上
記支承体(12)に軸着されたローラ(10)上を上記
スライダ(10)がスライドしつつ、上記ビーム■を上
下動させる如く構成されている。
As shown in FIG. 1, this baking apparatus is installed in a passageway for an object to be transported, such as a semiconductor wafer ω, and is provided with a stage 2 on which the wafer 2 can be placed. This stage (■) is equipped with a vacuum suction mechanism (■) that holds the wafer (■), and a plurality of holes (holes) each having a diameter of (2) connected to the vacuum suction mechanism (■) and opened on the surface of the stage (0) hold the wafer (2). ■It is possible to maintain the following. In addition, this stage (■) is equipped with a heating mechanism (not shown), such as a heater, which heats this stage (■) to a desired temperature.
The structure is such that the wafer ω can be heated by this heat. As shown in Fig. 2, a plurality of such stages (2a) to (2d) are often used in series in order to improve throughput, and each stage (2a) to (2d) is used in series. (2d), when transporting the wafer ■ set near the stage (2a) to the stage (2a), or when transporting the wafer ■ set on the stage (2d) to this stage. (2d) A transport mechanism is provided that enables batch transport of wafers (1) when transporting them to a transport mechanism (not shown) provided nearby and transporting the wafers to a subsequent process. This conveyance mechanism uses an oaking beam type conveyance mechanism, which has slit-like grooves formed in two parallel positions in the series direction, that is, the length direction, of the stages (2a) to (2d). Inside (2), a beam (2) whose at least the upper end, that is, the portion that contacts the wafer ω is made of resin or ceramic material, is provided in a non-contact state with the stage (2). This beam (0
is a metal such as stainless steel (as shown in Figure 3).
A resin member (■) or a ceramic member (SO3) is protruded from the upper end of the beam (e), so that the metal beam (0) and the wafer (2) are not in contact with each other. The wafer (2) placed on the stage (2) can be raised and lowered, and the wafer (2) can be transported by horizontally sliding the stage (2) of the beam (2).This is shown in Figure 4. As shown in the figure above, the stage has a column ■ that supports both ends of the beam 0 that protrudes horizontally from the side, and a slope ■ that is installed at the bottom end of this column and whose lower surface is inclined upward in the direction of movement. The slider (10) has a structure that moves up and down while sliding on a roller (11) that is in contact with the lower surface. Support with length (1
2) Rotatably attached to both ends. This support (1
2) is attached with a drive mechanism such as an air cylinder (13), and the slider (10) slides on the roller (10) which is pivotally attached to the support (12) due to the drive of this air cylinder. , is configured to move the beam (2) up and down.

また、この支承体(12)下面一端にはネジ山(14)
が形成された脚体(15)が突設され、 このネジ山(
14)に嵌挿したスクリュー式駆動軸(16)を回転駆
動することにより、上記ビーム0と一体的に支承体(1
2)はその長さ方向に移動する如く設けられている。上
記駆動軸(16)はパルスモータ−(17)に連動して
おり、このパルスモータ−(17)の回転により上記ビ
ーム■及び支承体(12)の移動を可能としている。こ
のビーム■及び支承体(12)が移動する際にスムーズ
な移動を行なうために、上記支承体(12)裏面に突設
した脚体(18)が上記駆動軸(16)と同一方向に配
設されたガイド軸(19)に挿着されている。このよう
にしてベーキング装置が構成されている。
In addition, there is a screw thread (14) at one end of the lower surface of this support (12).
A leg body (15) is provided with a protrusion formed thereon, and this screw thread (
By rotationally driving the screw drive shaft (16) fitted into the beam 0, the support body (1
2) is provided so as to be movable in its length direction. The drive shaft (16) is linked to a pulse motor (17), and the rotation of the pulse motor (17) allows the beam (1) and the support (12) to move. In order to ensure smooth movement of the beam (1) and the support (12), legs (18) protruding from the back surface of the support (12) are arranged in the same direction as the drive shaft (16). It is inserted into the provided guide shaft (19). The baking device is configured in this way.

次に、このベーキング装置の動体を説明する。Next, the moving body of this baking device will be explained.

まず、所望するベーキング温度を設定し、予めステージ
(2a)〜(2d)を加熱しておく、そして、ウェハ■
を他の移送手段により上記ステージ(2a)近傍に移送
設定する。そして、スクウェアモーシヨン即ち支承体(
12)に設けられているエアーシリンダー(13)を駆
動し、上記支承体(12)に軸着されたローラ(10)
を上記スライダ(10)がスライドしつつ、2本のビー
ム0を上昇させる。このビーム0の上昇により上記ウェ
ハ■を上昇させ、更にパルスモータ−(17)を回転さ
せ、 これに連動した駆動軸(16)により上記ビーム
(0及び支承体(12)をビーム0の長さ方向にスライ
ド移動させる。このビーム0が所定の距離を移動した後
、上記エアーシリンダー(13)の動作により上記ビー
ム0を下降させ。
First, set the desired baking temperature, heat the stages (2a) to (2d) in advance, and then
is transferred and set near the stage (2a) by another transfer means. Then, the square motion, that is, the support (
A roller (10) that drives an air cylinder (13) provided in the roller (12) and is pivotally attached to the support (12).
While the slider (10) slides, the two beams 0 are raised. As the beam 0 rises, the wafer (2) is raised, and the pulse motor (17) is rotated, and the drive shaft (16) linked to this moves the beam (0 and the support (12)) to the length of the beam 0. After this beam 0 has moved a predetermined distance, the beam 0 is lowered by the operation of the air cylinder (13).

上記ウェハ■をステージ(2a)上の予め定められた位
置に載置する。そして、この載置したウェハ■をステー
ジ(2a)表面に形成された孔に)に連設している真空
吸着機構■により吸着保持する。ここで。
The wafer (2) is placed at a predetermined position on the stage (2a). The placed wafer (2) is then suctioned and held by a vacuum suction mechanism (2) connected to a hole formed on the surface of the stage (2a). here.

上記設定した温度で所定時間ウェハωをベーキングし、
このウェハω表面の水分の除去酸いは溶剤の除去等を行
ない、このようなベーキング処理を同様にステージ(2
a)〜(2d)まで繰返す。
Baking the wafer ω for a predetermined time at the temperature set above,
The water on the surface of the wafer ω is removed, the acid is removed, the solvent is removed, etc., and the baking process is carried out in the same way (stage 2).
Repeat steps a) to (2d).

このように熱処理部であるステージ■は、ウェハ■をベ
ーキングするために高温に設定する。そのためこの熱処
理部内におけるウェハ■の搬送には、スクウェアモーシ
ヨンするウオーキングビーム式搬送機構を用いるが、こ
のビーム0を金属のみで構成すると当然のことなからウ
ェハ■を、搬送する際には上記金属製のビーム0がウェ
ハω裏面に接触することになる。すると、上記ステージ
■の輻射熱により上記ビーム(0が高温となり、この金
属内の重金属例えばカーボンやナトリウム等が飛び出し
やすくなり、この飛び出したカーボンやナトリウムがウ
ェハ■に付着する。この付着したカーボンやナトリウム
が上記ウェハωの拡散工程においてこのウェハ■内部に
染み込み、ウェハ■に悪影響を与え歩留まりを低下させ
てしまう問題があったため、上記ビーム■上端に樹脂部
材■例えばテフロン(商品名)或いはセラミック部材を
突設させ、金属製ビーム0とウェハωを非接触に設定す
ることにより上記重金属の付着を抑止している。この樹
脂部材■と同一の材質で上記ビーム0表面にコーティン
グ或いは含浸処理を施しても同様に重金属の付着を抑止
できるが、単に上記コーティング等の薄膜を形成するこ
とのみでは、ビーム■とウェハ■の接触時に剥離してウ
ェハ■やクリーンルーム内を汚染したり、上記剥離部で
露出した金属とウェハ■が接触することにより重金属が
ウェハ■に付着してしまうという問題があったため、上
記ビーム■の上端に樹脂部材■を突設させ上記問題を抑
止している。この樹脂部材■の形状は、第3図、第5図
に示すように少なくともウェハω当接面を円状に形成し
た樹脂部材■或いはセラミック部材を上記ビーム■を設
けても、第6図A、第6図Bに示すように多少の間隔を
おいて一部が上方に突出した形状の樹脂部材■或いはセ
ラミック部材を設けても、第7図A、第7図B及び第8
図に示すようにビーム■に所定の間隔を開けて挿入した
少なくともウェハ■当接面が球状に形成された樹脂部材
■或いはセラミック部材でも、第9図A、第9図Bに示
すように円柱状樹脂部材■を複数挿入しても何れでも同
様な効果が得られる。この場合、樹脂部材■とウェハω
との接触部は、第3図、第5図のものは線接触で、第6
図及び第9図のものは点に近い線接触で、第7図。
As described above, the stage (2), which is a heat treatment section, is set at a high temperature in order to bake the wafer (2). Therefore, a walking beam type transport mechanism that uses square motion is used to transport the wafer (2) in this heat treatment section.However, since it is natural that this beam (0) is composed only of metal, when transporting the wafer (2), it is necessary to use the above-mentioned metals. The beam 0 of the wafer ω comes into contact with the back surface of the wafer ω. Then, the beam (0) becomes high temperature due to the radiant heat of the stage (2), and heavy metals such as carbon and sodium in this metal tend to fly out, and the carbon and sodium that fly out adhere to the wafer (2). During the diffusion process of the wafer ω, there was a problem that the wafer ω seeped into the interior of the wafer ω, adversely affecting the wafer ω and lowering the yield.Therefore, a resin material such as Teflon (trade name) or a ceramic member was attached to the upper end of the beam ω. By setting the metal beam 0 and the wafer ω in a non-contact manner, the adhesion of heavy metals is suppressed.The surface of the beam 0 is coated or impregnated with the same material as the resin member (■). Similarly, heavy metals can be prevented from adhering to heavy metals, but simply forming a thin film such as the coating described above may peel off when the beam ■ and wafer ■ come into contact, contaminating the wafer ■ or inside the clean room, or expose the exposed area at the peeled part. Since there was a problem that heavy metals could adhere to the wafer (■) due to contact between the metal and the wafer (■), a resin member (■) was installed protruding from the upper end of the beam (■) to prevent the above problem.This resin member (■) As shown in FIGS. 3 and 5, even if the beam (2) is made of a resin member (2) or a ceramic member with at least the wafer ω contact surface formed in a circular shape, Even if resin members or ceramic members having a shape that partially protrudes upward at some intervals are provided as shown in FIG. 7A, FIG. 7B, and FIG.
As shown in the figure, at least a wafer inserted into the beam 2 at a predetermined interval 2) A resin member 2 whose abutting surface is formed into a spherical shape, or even a ceramic member 2, is circular as shown in Figs. 9A and 9B. Even if a plurality of columnar resin members (2) are inserted, the same effect can be obtained. In this case, the resin member ■ and the wafer ω
The contact part with the one in Figures 3 and 5 is a line contact, and the one in Figure 6 is a line contact.
The one in FIG. 9 and FIG. 9 is a line contact close to a point, and FIG.

第8図のものは点接触となるため、上記ウェハ■のクリ
ーン搬送を考えると、上記第7図、第8図の点接触がよ
り好ましい。
Since the one in FIG. 8 is a point contact, the point contact in FIGS. 7 and 8 is more preferable in consideration of the clean transfer of the wafer (1).

また、上記金属製ビーム■の露出表面に樹脂或いはセラ
ミックコーティングを施し、その上端部に樹脂材或いは
セラミック部材を突設させる構造にしても上記重金属の
飛び出しをより確実に防止することができる。
Further, by applying a resin or ceramic coating to the exposed surface of the metal beam (2) and protruding a resin or ceramic member from the upper end thereof, it is possible to more reliably prevent the heavy metal from flying out.

上記実施例ではビーム■の少なくとも被搬送体当接部を
樹脂或いはセラミックで構成する例として、金属製ビー
ム上端に樹脂或いはセラミック部材を設けて説明したが
、上記樹脂或いはセラミック部材のみで構成しても同様
な効果が得られる。
In the above embodiment, at least the part of the beam (2) in contact with the conveyed object is made of resin or ceramic, and a resin or ceramic member is provided at the upper end of the metal beam. A similar effect can be obtained.

以上述べたようにこの実施例によれば、スクウェアモー
シヨンにより被搬送体を熱処理部内で搬送するウオーキ
ングビームの少なくとも上記波条 4送体当接部を樹脂
或いはセラミック材で構成することにより、上記熱処理
部で高温となったウオーキングビームから飛び出す重金
属が上記被搬送体へ付着することを抑止し、上記被搬送
体へ悪影響を与えることを防止でき歩留まりを向上する
ことができる。
As described above, according to this embodiment, at least the above-mentioned corrugated body contacting part of the walking beam that conveys the conveyed object in the heat treatment section by square motion is made of resin or ceramic material, thereby achieving the above-mentioned It is possible to prevent heavy metals ejected from the walking beam heated to a high temperature in the heat treatment section from adhering to the object to be transported, thereby preventing an adverse effect on the object to be transported, thereby improving yield.

また、上記被搬送体を汚染することはなく、クリーンな
搬送を可能とし、更にクリーンルーム等の環境の汚染を
防止することができる。
Further, the conveyed object is not contaminated, enabling clean conveyance, and furthermore, contamination of the environment such as a clean room can be prevented.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、スクウェアモーシ
ヨンにより被搬送体を熱処理部内で搬送するウオーキン
グビームの少なくとも上記被搬送体当接部を樹脂或いは
セラミック材で構成することにより、上記ウオーキング
ビームから飛び出す重金属による被搬送体への悪影響を
抑止でき、歩留まりを向上することができる。また、被
搬送体を汚染することはなく、クリーン搬送を可能とす
る効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, at least the object-contacting portion of the walking beam that transports the object in the heat treatment section by square motion is made of resin or ceramic material. It is possible to prevent the harmful effects of heavy metals that fly out on objects to be transported, and to improve yield. Further, the object to be transported is not contaminated, and the effect of enabling clean transport can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置の一実施例を説明するためのベーキ
ング装置の構成図、第2図は第1図のス第4図は第1図
の搬送機構説明図、第5図−第9図は第1図のビームの
他の実施例説明図である。 1・・・ウェハ    2・・・ステージ6・・・ビー
ム    7・・・樹脂部材特許出願人 東京エレクト
ロン株式会社チル九州株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6 図A    第6図B 第7 図A    第7 図B 第8図 第9 図A     第9 図B
FIG. 1 is a configuration diagram of a baking device for explaining one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the structure of FIG. This figure is an explanatory diagram of another embodiment of the beam shown in FIG. 1. 1... Wafer 2... Stage 6... Beam 7... Resin member patent applicant Tokyo Electron Ltd. Chill Kyushu Ltd. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 A Fig. 6 B Fig. 7 A Fig. 7 B Fig. 8 Fig. 9 Fig. A Fig. 9 B

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  ウオーキングビームのスクウェアモーシヨンにより被
搬送体を熱処理部内で搬送する装置において、上記ウォ
ーキングビームの少なくとも上記被搬送体当接部を樹脂
或いはセラミック材で構成することを特徴とする搬送装
置。
What is claimed is: 1. A device for transporting an object within a heat treatment section by the square motion of a walking beam, wherein at least a portion of the walking beam that contacts the object is made of a resin or a ceramic material.
JP63116728A 1988-05-12 1988-05-12 Conveyer device Pending JPH01285517A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002255329A (en) * 2001-02-28 2002-09-11 Koyo Thermo System Kk Conveyance device
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