JPH01266726A - 半導体装置の組立装置 - Google Patents
半導体装置の組立装置Info
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- JPH01266726A JPH01266726A JP9525188A JP9525188A JPH01266726A JP H01266726 A JPH01266726 A JP H01266726A JP 9525188 A JP9525188 A JP 9525188A JP 9525188 A JP9525188 A JP 9525188A JP H01266726 A JPH01266726 A JP H01266726A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は半導体装置、特にトランジスタの一貫生産に適
した組立装置と一貫生産に適した測定方法に関する。
した組立装置と一貫生産に適した測定方法に関する。
(ロ)従来の技術
樹脂封止型半導体装置の組立方法においては、半導体ウ
ェハ状態で素子領域を加工し、分断したペレット単体(
チップ)に対して複数のリードを一体に形成したリード
フレームを用意し、各リードフレーム上にペレットをボ
ンディングし、このペレットの電極とリードとをワイヤ
ボンディングし、さらにペレットとリードの一部を封止
する樹脂モールドを行う一連の組立工程を必要とし、従
来はこれら組立作業を各工程ごとに独立した自動機、械
により行っている。近年、上記組立工程間を連続きせ組
立作業の一貫化が図られているが、その場合各組立工程
におけるリードフレームの供給方法が問題となる。
ェハ状態で素子領域を加工し、分断したペレット単体(
チップ)に対して複数のリードを一体に形成したリード
フレームを用意し、各リードフレーム上にペレットをボ
ンディングし、このペレットの電極とリードとをワイヤ
ボンディングし、さらにペレットとリードの一部を封止
する樹脂モールドを行う一連の組立工程を必要とし、従
来はこれら組立作業を各工程ごとに独立した自動機、械
により行っている。近年、上記組立工程間を連続きせ組
立作業の一貫化が図られているが、その場合各組立工程
におけるリードフレームの供給方法が問題となる。
一般に組立機械へのリードフレームの供給手段として、
(1)リードフレームを複数のペレット単体に対応する
適当な長さに切断した短尺フレームとして供給する、(
2)フープ状の連続フレームとして連続供給する等の2
種の方法があるが、特に軽薄短小化が進んだディスクリ
ート製品(チップトランジスタ等)では生産規模や取扱
いの容易等の点で上記(2)の手法が適している。
(1)リードフレームを複数のペレット単体に対応する
適当な長さに切断した短尺フレームとして供給する、(
2)フープ状の連続フレームとして連続供給する等の2
種の方法があるが、特に軽薄短小化が進んだディスクリ
ート製品(チップトランジスタ等)では生産規模や取扱
いの容易等の点で上記(2)の手法が適している。
(ハ)発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記(2)はフレームが連続体である為
作業の中断、品種交換が必要な場合に対処できず、全工
程を一貫した場合に工程間のストックをとりにくい、さ
らには全工程の処理速度が最も遅い工程の処理速度に統
一されてしまう欠点があった。
作業の中断、品種交換が必要な場合に対処できず、全工
程を一貫した場合に工程間のストックをとりにくい、さ
らには全工程の処理速度が最も遅い工程の処理速度に統
一されてしまう欠点があった。
〈二)課題を解決するための手段
本発明は上記従来技術の問題点を解消すべくなされたも
ので、ペレットボンド、ワイヤポンド、及び樹脂モール
ドを行う第1の組立装置と、パリ取り、半田コーティン
グ、及び洗浄・乾燥を行う第2の組立装置と、測定、マ
ーキング、及び選別を行う第3の組立装置から成ること
を特徴とする。また、上記第3の組立装置における半導
体装置の測定方法は、先ず1つのリードを残して個々の
半導体装置を連続体リードフレームから切断すると共に
、前記連続体リードフレームを所定の長さの短尺状に切
断し、短尺状部分を残りの連続体リードフレームから分
離した状態で半導体装置の測定を行うことを特徴とする
。
ので、ペレットボンド、ワイヤポンド、及び樹脂モール
ドを行う第1の組立装置と、パリ取り、半田コーティン
グ、及び洗浄・乾燥を行う第2の組立装置と、測定、マ
ーキング、及び選別を行う第3の組立装置から成ること
を特徴とする。また、上記第3の組立装置における半導
体装置の測定方法は、先ず1つのリードを残して個々の
半導体装置を連続体リードフレームから切断すると共に
、前記連続体リードフレームを所定の長さの短尺状に切
断し、短尺状部分を残りの連続体リードフレームから分
離した状態で半導体装置の測定を行うことを特徴とする
。
(ホ)作用
本発明によれば、処理速度が比較的近接した工程を1つ
のラインに分割・統合したので、ペレットボンディング
から測定・選別まで各工程の処理能力を損うこと無く一
貫生産ができる。また、連続体リードフレームから短尺
状に切離した状態で測定を行うので、測定すべき半導体
装置を連続体リードフレームの浮遊容量から分離できる
。
のラインに分割・統合したので、ペレットボンディング
から測定・選別まで各工程の処理能力を損うこと無く一
貫生産ができる。また、連続体リードフレームから短尺
状に切離した状態で測定を行うので、測定すべき半導体
装置を連続体リードフレームの浮遊容量から分離できる
。
(へ)実施例
以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。
第1図は本発明の組立装置の概略を示し、第2図は半導
体装置の一貫生産に用いる連続体リードフレームを示す
。
体装置の一貫生産に用いる連続体リードフレームを示す
。
先ず連続体リードフレームを説明する。第2図A及び第
2図Bにおいて、連続体リードフレーム(1)はフレキ
シビリティに優れた肉厚0.1〜0゜5mmの銅系合金
材料から成り、半導体装置を形成するのに必要な部分、
即ち、半導体ベレット載置用のアイランド<2)と外部
接続用のリード端子(3)(4)(5)を連結細条(6
)とタイバー(7)とで2列に保持した形状を有する。
2図Bにおいて、連続体リードフレーム(1)はフレキ
シビリティに優れた肉厚0.1〜0゜5mmの銅系合金
材料から成り、半導体装置を形成するのに必要な部分、
即ち、半導体ベレット載置用のアイランド<2)と外部
接続用のリード端子(3)(4)(5)を連結細条(6
)とタイバー(7)とで2列に保持した形状を有する。
(3)がコレクタ用のリード端子であり、アイランド(
2)から連続することによりこれを支持する役目も有す
る。(4)(5)がエミッタ用及びベース用のリード端
子である。連結細条(6)の1本には送り用の穴が設け
られる。そして、上記連続体リードフレーム(1)の幅
に合致する幅の巻き取りリール(8)に長さ100乃至
150mのリードフレーム(1)を巻いて1巻のリール
とする。尚、本願は1条2列を例としたが、1条3列、
1条4列へと発展させることも可能である。
2)から連続することによりこれを支持する役目も有す
る。(4)(5)がエミッタ用及びベース用のリード端
子である。連結細条(6)の1本には送り用の穴が設け
られる。そして、上記連続体リードフレーム(1)の幅
に合致する幅の巻き取りリール(8)に長さ100乃至
150mのリードフレーム(1)を巻いて1巻のリール
とする。尚、本願は1条2列を例としたが、1条3列、
1条4列へと発展させることも可能である。
次に本発明の組立装置による組立工程を順に説明する。
第1図Aは第1の組立装置、第1図Bは第2の組立装置
、第1図Cは第3の組立装置を夫々示す。
、第1図Cは第3の組立装置を夫々示す。
第1の組立装置においては、まず第2図Aに示すごとき
リール(8)に巻いた連続体リードフレーム(1)をフ
レームローダにより連続的に繰出し、ペレットボンド装
置(9)の水平なフレーム移送面に沿ってリードフレー
ム(1)の1ステーシヨンごとに間欠的に移送すると共
に、間欠移送されるリードフレーム(1)のアイランド
(2)面に対し、ロウ材供給装置によって銀ペースト等
のロウ材を塗布する。その後、あらかじめ半導体ウェハ
をスクライブして単体ペレットを用意し、この中から半
導体ペレットを個々に取出してリードフレーム(1)の
移送ラインにのせ、さらにペレットボンド装置(9)を
作動させて各ペレットを1個ずつリードフレーム(1)
のアイランド(2)面に位置決めし、こすり付は及び加
熱によりペレット付けを行う。
リール(8)に巻いた連続体リードフレーム(1)をフ
レームローダにより連続的に繰出し、ペレットボンド装
置(9)の水平なフレーム移送面に沿ってリードフレー
ム(1)の1ステーシヨンごとに間欠的に移送すると共
に、間欠移送されるリードフレーム(1)のアイランド
(2)面に対し、ロウ材供給装置によって銀ペースト等
のロウ材を塗布する。その後、あらかじめ半導体ウェハ
をスクライブして単体ペレットを用意し、この中から半
導体ペレットを個々に取出してリードフレーム(1)の
移送ラインにのせ、さらにペレットボンド装置(9)を
作動させて各ペレットを1個ずつリードフレーム(1)
のアイランド(2)面に位置決めし、こすり付は及び加
熱によりペレット付けを行う。
ペレットボンドが終了した連続体リードフレーム(1)
は、ある程度たるませてバッファとした後、ワイヤボン
ド装置(10)の移送面に移送される。ワイヤボンド装
置(10)では、リードフレーム(1)上に固定された
ペレットの上部電極パッドと対応リードとの間をワイヤ
ボンドを動作させることによって金線やアルミワイヤで
接続する。
は、ある程度たるませてバッファとした後、ワイヤボン
ド装置(10)の移送面に移送される。ワイヤボンド装
置(10)では、リードフレーム(1)上に固定された
ペレットの上部電極パッドと対応リードとの間をワイヤ
ボンドを動作させることによって金線やアルミワイヤで
接続する。
ペレットボンド、ワイヤボンドが終了した連続体リード
フレーム(1)は、再度バッファを通った後モールド装
置(11)へ移送される。モールド装置(11)では、
連続体リードフレーム(1)を所定の長さだけモールド
装置(11)の上下型内にセットし、上下型を閉じて熱
硬化性樹脂を圧力導入しペレットを包含する樹脂モール
ドを行い、その後型を開いてモールドした半導体装置を
取出す。
フレーム(1)は、再度バッファを通った後モールド装
置(11)へ移送される。モールド装置(11)では、
連続体リードフレーム(1)を所定の長さだけモールド
装置(11)の上下型内にセットし、上下型を閉じて熱
硬化性樹脂を圧力導入しペレットを包含する樹脂モール
ドを行い、その後型を開いてモールドした半導体装置を
取出す。
以上の3工程を終了した連続体リードフレーム(L)は
、フレームローダによって再度リール(8)に巻取られ
、第1の組立装置が行う組立工程を終了する。上記3種
類の装置の処理速度は、ペレットボンド装置(9)が約
0.5秒/個、ワイヤボンド装置(10)が約0.4秒
/個、モールド装置(11)が約0.3秒/個であるの
で、第1の組立装置全体の処理能力を0.4〜0.5秒
/個に設定すれば、各装置の処理能力を損うこと無く効
率的にライン・バランスさせることができる。
、フレームローダによって再度リール(8)に巻取られ
、第1の組立装置が行う組立工程を終了する。上記3種
類の装置の処理速度は、ペレットボンド装置(9)が約
0.5秒/個、ワイヤボンド装置(10)が約0.4秒
/個、モールド装置(11)が約0.3秒/個であるの
で、第1の組立装置全体の処理能力を0.4〜0.5秒
/個に設定すれば、各装置の処理能力を損うこと無く効
率的にライン・バランスさせることができる。
第1の組立装置を通過したり−ル(8)はバッファとし
て貯えると共に、今度は第1図Bに示す第2の組立装置
のフレームローダへ換装する。こノフレームロータハ連
続体リードフレーム(1)ヲ連続的に繰出し、パリ取り
装置(12)の処理槽内へ移送する。パリ取り装置(1
2)では連続的に移動する連続体リードフレーム(↓)
を例えば液体ホーニング処理し、モールド工程で形成さ
れたパリを除去する。
て貯えると共に、今度は第1図Bに示す第2の組立装置
のフレームローダへ換装する。こノフレームロータハ連
続体リードフレーム(1)ヲ連続的に繰出し、パリ取り
装置(12)の処理槽内へ移送する。パリ取り装置(1
2)では連続的に移動する連続体リードフレーム(↓)
を例えば液体ホーニング処理し、モールド工程で形成さ
れたパリを除去する。
続いて連続体リードフレーム(1)を半田付装置(13
)へ移送し、半田デイツプ又は半田のローラーコーティ
ングによって連続体リードフレーム(1)のリード端子
(3)(4)(5)部分を半田付けする。その後超音波
洗浄装置(14)、洗浄及び乾燥装置(15)によって
半田付は後の連続体リードフレーム(1〉を洗浄・乾燥
し、フレームローダによって再度リールに巻取って第2
の組立装置が行う組立工程を終了する。上記装置の処理
速度は半田付は装置(13)が約0.1秒/個であり、
残りの装置は処理速度の自由度が大きいので、第2の処
理装置全体の処理能力は約0.2秒/個であり、各装置
の処理能力を損うこと無く効率的にライン・バランスき
せることができる。また、第2の組立装置は全てリード
フレーム(1)の連続的な移送が可能なので、装置を複
雑化せずに済む。
)へ移送し、半田デイツプ又は半田のローラーコーティ
ングによって連続体リードフレーム(1)のリード端子
(3)(4)(5)部分を半田付けする。その後超音波
洗浄装置(14)、洗浄及び乾燥装置(15)によって
半田付は後の連続体リードフレーム(1〉を洗浄・乾燥
し、フレームローダによって再度リールに巻取って第2
の組立装置が行う組立工程を終了する。上記装置の処理
速度は半田付は装置(13)が約0.1秒/個であり、
残りの装置は処理速度の自由度が大きいので、第2の処
理装置全体の処理能力は約0.2秒/個であり、各装置
の処理能力を損うこと無く効率的にライン・バランスき
せることができる。また、第2の組立装置は全てリード
フレーム(1)の連続的な移送が可能なので、装置を複
雑化せずに済む。
第2の組立装置を通過したリール(8)は、再度バッフ
ァとして貯え、今度は第3の組立装置のフレームローダ
へ換装する。第3の組立装置は、まずフレームローダに
より連続体リードフレーム(1)を第3の組立装置の水
平なフレーム移送面に沿ってリードフレーム(1)の1
ステーシヨンごとに間欠的に移送すると共に、切断装置
(16)を動作させることによって所定の数の半導体装
置ごとにエミッタ用リード端子(4)とベース用リード
端子(5)を切断し、さらに所定数のステーションごと
に連続体リードフレーム(1)を切断して所定長さの短
尺状のリードフレーム(1)にする。ステーション数は
10乃至20個程度としその結果短尺状リードフレーム
(1)の長さは15乃至30(m程度である。この状態
で各半導体装置は短尺状リードフレーム(1)に対しコ
レクタ用リード端子(3)だけで保持された形状となり
、電気的にもコレクタ共通となって各種電気的特性の測
定が可能になる。
ァとして貯え、今度は第3の組立装置のフレームローダ
へ換装する。第3の組立装置は、まずフレームローダに
より連続体リードフレーム(1)を第3の組立装置の水
平なフレーム移送面に沿ってリードフレーム(1)の1
ステーシヨンごとに間欠的に移送すると共に、切断装置
(16)を動作させることによって所定の数の半導体装
置ごとにエミッタ用リード端子(4)とベース用リード
端子(5)を切断し、さらに所定数のステーションごと
に連続体リードフレーム(1)を切断して所定長さの短
尺状のリードフレーム(1)にする。ステーション数は
10乃至20個程度としその結果短尺状リードフレーム
(1)の長さは15乃至30(m程度である。この状態
で各半導体装置は短尺状リードフレーム(1)に対しコ
レクタ用リード端子(3)だけで保持された形状となり
、電気的にもコレクタ共通となって各種電気的特性の測
定が可能になる。
上述した測定方法によれば、長大寸法の連続体リードフ
レーム(1)から短尺状リードフレーム(L)が切離さ
れた状態で測定を行うので、連続体リードフレーム(1
)の浮遊容量から被測定半導体装置を切離すことができ
、よって正確な試験測定が可能になる。しかも、半導体
装置は短尺状リードフレーム(1)に保持された状態な
ので、静電気等で半導体装置が飛散することも無く作業
性に優れ、短尺状リードフレーム(1)は短いので測定
に悪影響を及ぼす浮遊容量が小言い。その為、信頼性の
高い測定ができると共に、測定装置を簡素化できる。
レーム(1)から短尺状リードフレーム(L)が切離さ
れた状態で測定を行うので、連続体リードフレーム(1
)の浮遊容量から被測定半導体装置を切離すことができ
、よって正確な試験測定が可能になる。しかも、半導体
装置は短尺状リードフレーム(1)に保持された状態な
ので、静電気等で半導体装置が飛散することも無く作業
性に優れ、短尺状リードフレーム(1)は短いので測定
に悪影響を及ぼす浮遊容量が小言い。その為、信頼性の
高い測定ができると共に、測定装置を簡素化できる。
リード端子(4)(5)が切断された連続体リードフレ
ーム(1)は、続いて測定装置(17)の移送面に移送
され、測定装置(17)を動作させることにより各半導
体装置の各種電気的特性の試験測定を行う。
ーム(1)は、続いて測定装置(17)の移送面に移送
され、測定装置(17)を動作させることにより各半導
体装置の各種電気的特性の試験測定を行う。
この試験はhyt(電流増幅率)、VCI!。(コレク
タ・エミッタ間電圧)等、トランジスタ特性の全ての特
性測定を行う。また、測定データは図示せぬデータ保持
装置(コンピュータ)に送出されて良品、不良品の判定
が成されると共に、この測定結果が半導体装置ごとに対
応されて保持される。
タ・エミッタ間電圧)等、トランジスタ特性の全ての特
性測定を行う。また、測定データは図示せぬデータ保持
装置(コンピュータ)に送出されて良品、不良品の判定
が成されると共に、この測定結果が半導体装置ごとに対
応されて保持される。
測定が終了した連続体リードフレーム(1)はマーキン
グ装置(18)の移送面に移送され、マーキング装置(
18)を動作させることによって半導体装置のモールド
表面に品番、品種のマーキングが処される。マーキング
には例えばYAGレーザや炭酸ガスレーザを用い、前記
測定データに基いて良品にのみマーキングする。不良品
には前記レーザ光を遮断することでマーキングしない。
グ装置(18)の移送面に移送され、マーキング装置(
18)を動作させることによって半導体装置のモールド
表面に品番、品種のマーキングが処される。マーキング
には例えばYAGレーザや炭酸ガスレーザを用い、前記
測定データに基いて良品にのみマーキングする。不良品
には前記レーザ光を遮断することでマーキングしない。
マーキングが終了した短尺状リードフレーム(1)は続
いてリード成形用金型を具備するカットベンド装置(1
9)の移送面に移送され、カットベンド装置(19)に
よってコレクタ用リード端子(3)を切断することによ
り短尺状リードフレーム(、L)から各半導体装置を切
離す。切断された各リード端子(3)(4)(5)は同
じくカットベンド装置(19)により所望形状に折り曲
げられ、切離された半導体装置は真空吸着装置により測
定装置(20)の作業台へ移送される。不要となった短
尺状リードフレーム(1)の残部は移送面上から除去・
廃棄する。
いてリード成形用金型を具備するカットベンド装置(1
9)の移送面に移送され、カットベンド装置(19)に
よってコレクタ用リード端子(3)を切断することによ
り短尺状リードフレーム(、L)から各半導体装置を切
離す。切断された各リード端子(3)(4)(5)は同
じくカットベンド装置(19)により所望形状に折り曲
げられ、切離された半導体装置は真空吸着装置により測
定装置(20)の作業台へ移送される。不要となった短
尺状リードフレーム(1)の残部は移送面上から除去・
廃棄する。
上記測定装置(20)の作業台上へ載置された半導体装
置は、測定装置(20)によって再度測定を受ける。こ
の測定は前回の測定と異り最終チエツクが目的なので、
前回の測定より試験項目が少く、トランジスタの重要フ
ァクターのみの測定となる。
置は、測定装置(20)によって再度測定を受ける。こ
の測定は前回の測定と異り最終チエツクが目的なので、
前回の測定より試験項目が少く、トランジスタの重要フ
ァクターのみの測定となる。
前回の測定で不良と判定されたものは前記測定データに
基いて測定せずに先送りし、最終チエツクの測定データ
は1回目測定データと同じく上記データ保持装置に送出
する。最終チエツクが終了した半導体装置は真空吸着装
置によって作業台上から移送され、1回目又は2回目測
定で不良と判定されたものは廃棄、両方共バスしたもの
は1回目測定データに基いてランク分け、梱包される。
基いて測定せずに先送りし、最終チエツクの測定データ
は1回目測定データと同じく上記データ保持装置に送出
する。最終チエツクが終了した半導体装置は真空吸着装
置によって作業台上から移送され、1回目又は2回目測
定で不良と判定されたものは廃棄、両方共バスしたもの
は1回目測定データに基いてランク分け、梱包される。
梱包はユーザーの要求に従ってテープキャリア(21)
やスティック状の箱に梱包され、以上で第3の組立装置
が行う組立工程を終了する。上記装置の処理速度は1回
目の測定が最も遅く約0.5秒/個であるので、第3の
組立装置全体の処理速度も約0.5秒/個となる。また
、第3の組立装置はバッファを設けずに全体を1本の移
送ラインで結ぶことができる。
やスティック状の箱に梱包され、以上で第3の組立装置
が行う組立工程を終了する。上記装置の処理速度は1回
目の測定が最も遅く約0.5秒/個であるので、第3の
組立装置全体の処理速度も約0.5秒/個となる。また
、第3の組立装置はバッファを設けずに全体を1本の移
送ラインで結ぶことができる。
以上説明した本願の組立装置によれば、各処理装置の処
理速度に鑑み、処理速度が類似した装置だけを集合許せ
て全体のラインを構成したので、第1.第2.第3の組
立装置の夫々の処理速度を最適化設計することができる
。また、第1.第2及び第3の組立装置の処理速度の比
は5:1:5程度なので、第1と第3の組立装置を夫々
5台、第2の組立装置を1台設ければ、全体としてバラ
ンスのとれた組立ラインとすることができる。
理速度に鑑み、処理速度が類似した装置だけを集合許せ
て全体のラインを構成したので、第1.第2.第3の組
立装置の夫々の処理速度を最適化設計することができる
。また、第1.第2及び第3の組立装置の処理速度の比
は5:1:5程度なので、第1と第3の組立装置を夫々
5台、第2の組立装置を1台設ければ、全体としてバラ
ンスのとれた組立ラインとすることができる。
また、本願の測定方法は、連続体リードフレーム(1)
から短尺状リードフレーム(1)に切断した状態で測定
するので、連続体リードフレーム(↓)の浮遊容量によ
る影響を除去して正確な測定を行うことができる。しか
も、半導体装置を単体に分離せずに測定するので、チッ
プ状の半導体装置でも取扱いが容易であり、その為組立
装置の大型化・複雑化を避けることができる。
から短尺状リードフレーム(1)に切断した状態で測定
するので、連続体リードフレーム(↓)の浮遊容量によ
る影響を除去して正確な測定を行うことができる。しか
も、半導体装置を単体に分離せずに測定するので、チッ
プ状の半導体装置でも取扱いが容易であり、その為組立
装置の大型化・複雑化を避けることができる。
(ト)発明の詳細
な説明した如く、本発明によれば組立装置単体での処理
能力を損うことの無い、処理速度の最適化が可能な、ペ
レット投入から組立完成・梱包までを連続的に一貫生産
できる半導体装置の組立装置を提供できる利点を有する
。また、本願の測定方法によれば、浮遊容量の影響が無
い、正確な測定ができると共に、半導体装置の取扱性に
優れた測定方法を提供できる利点をも有する。
能力を損うことの無い、処理速度の最適化が可能な、ペ
レット投入から組立完成・梱包までを連続的に一貫生産
できる半導体装置の組立装置を提供できる利点を有する
。また、本願の測定方法によれば、浮遊容量の影響が無
い、正確な測定ができると共に、半導体装置の取扱性に
優れた測定方法を提供できる利点をも有する。
第1図A乃至第1図Cは本発明の組立装置を説明する為
の概略図、第2図A及び第2図Bは夫々本発明における
リードフレームを示す側面図及び平面図である。 (1)は連続体リードプレー21、 (2)はアイラン
ド、 (3)(4)(5)は夫々コレクタ、エミッタ
、ベース用のリード端子、 (17)(20)は測定装
置である。 第1 図△ 第1図B 第1図C
の概略図、第2図A及び第2図Bは夫々本発明における
リードフレームを示す側面図及び平面図である。 (1)は連続体リードプレー21、 (2)はアイラン
ド、 (3)(4)(5)は夫々コレクタ、エミッタ
、ベース用のリード端子、 (17)(20)は測定装
置である。 第1 図△ 第1図B 第1図C
Claims (2)
- (1)一定量巻取った連続体リードフレームを供給する
手段と、供給された前記連続体リードフレームの夫々の
リードフレームに半導体ペレットを固着する手段と、こ
の半導体ペレットの電極とリードとをワイヤボンディン
グする手段と、さらに前記半導体ペレットと前記リード
の一部を封止する樹脂モールドを行う手段と、樹脂モー
ルドを終了した前記連続体リードフレームを巻取る手段
とを備えた第1の組立装置と、 上記樹脂モールドが終了した連続体リードフレームを供
給する手段と、供給された前記連続体リードフレームの
個々の半導体装置の樹脂バリを除去する手段と、前記半
導体装置のリードを半田コーティングする手段と、前記
連続体リードフレームを順次洗浄・乾燥する手段と、洗
浄・乾燥を終了した前記連続体リードフレームを巻取る
手段とを備えた第2の組立装置と、 上記洗浄・乾燥が終了した連続体リードフレームを供給
する手段と、供給された前記連続体リードフレームの個
々の半導体装置を試験測定する手段と、この測定結果に
基いて前記半導体装置を分類する手段とを備えた第3の
組立装置から成ることを特徴とする半導体装置の組立装
置。 - (2)個々の半導体装置の樹脂モールドが終了した連続
体リードフレームを供給し、1つのリードを残して前記
半導体装置を前記連続体リードフレームから切離すと共
に、前記連続体リードフレームを所定の長さに切断し、
前記1つのリードで保持された状態で各々の半導体装置
の測定を行うことを特徴とする半導体装置の測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63095251A JPH0646641B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 半導体装置の組立装置及びその測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63095251A JPH0646641B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 半導体装置の組立装置及びその測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01266726A true JPH01266726A (ja) | 1989-10-24 |
JPH0646641B2 JPH0646641B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=14132538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63095251A Expired - Fee Related JPH0646641B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 半導体装置の組立装置及びその測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0646641B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3013813U (ja) * | 1994-06-02 | 1995-07-25 | 利壮 森田 | 穴のあいたれんげ |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5079264A (ja) * | 1973-11-12 | 1975-06-27 | ||
JPS52106685A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-07 | Hitachi Ltd | Assembling and manufacturing device using hoop material |
JPS58134A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS58125857A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | リ−ドフレ−ムのめつき処理装置 |
JPS5980956A (ja) * | 1982-10-30 | 1984-05-10 | Fuji Plant Kogyo Kk | 長尺リ−ドフレ−ムの搬送・位置決め方法 |
JPS59123247A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS619119U (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-20 | 株式会社村田製作所 | オ−トリ−ル装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT380865B (de) * | 1982-08-13 | 1986-07-25 | Voest Alpine Ag | Vorrichtung zum entwaessern von wasserhaltigen stoffen |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63095251A patent/JPH0646641B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5079264A (ja) * | 1973-11-12 | 1975-06-27 | ||
JPS52106685A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-07 | Hitachi Ltd | Assembling and manufacturing device using hoop material |
JPS58134A (ja) * | 1981-06-24 | 1983-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
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JPS59123247A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS619119U (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-20 | 株式会社村田製作所 | オ−トリ−ル装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0646641B2 (ja) | 1994-06-15 |
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