JPH01244421A - アナモフィック単レンズと光ディスク装置 - Google Patents
アナモフィック単レンズと光ディスク装置Info
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- JPH01244421A JPH01244421A JP63072501A JP7250188A JPH01244421A JP H01244421 A JPH01244421 A JP H01244421A JP 63072501 A JP63072501 A JP 63072501A JP 7250188 A JP7250188 A JP 7250188A JP H01244421 A JPH01244421 A JP H01244421A
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- OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N flurochloridone Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2C(C(Cl)C(CCl)C2)=O)=C1 OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は水平方向と垂直方向で異なる放射角を有する光
源、例えば半導体レーザー等を用いた光デイスク装置の
光学系等に好適なアナモフインク単レンズと光デイスク
装置に関する。
源、例えば半導体レーザー等を用いた光デイスク装置の
光学系等に好適なアナモフインク単レンズと光デイスク
装置に関する。
従来の技術
光デイスク装置の光学系は、回折限界に近い性能を持ち
、レーザー光をティスフ記録面上に微小スポットとじて
形成する。しかしながら、光源として半導体レーザーを
用いた時、その素子構造から放射光束の放射角は回転対
称にならない。即ち、半導体素子の接合面に対する方向
によって放射角が異なる。従って、従来のコリメータレ
ンズを用いて」フリメー1−された光束の断面が円形の
ものを得るには、放射角の大きさに比へて十分に小さな
開口数のコリメークレンズを用いるのが最も簡易な方法
である。しかしなから、この方法では光の利用効率か低
いといった大きな問題点があり、大きな光出力の半導体
レーザーが必要となってコス]・高になるといった課題
が発生ずる。これを解決する方法としてノリンドリ力ル
レンスを用いたもの、あるいL1第5図に示す様なプリ
ズム1.2をコリメークレンズ3と併用する構成のもの
が既に知られている。半導体レーザー4からの放射光束
5はコリメークレンズ3によって略平行光束とされ、プ
リズム1.2によって一方向にのみ光束径が拡大され所
望の円形の光束が得られる。これによれば、光の利用効
率はYll」北方式と比較して改善される。しかし構成
が複雑になる。そこで、これら光学的機能を果たし、し
かも構成が簡単な4Lレンスで実現するものが特開昭6
1−254.915号公報で開示されている。
、レーザー光をティスフ記録面上に微小スポットとじて
形成する。しかしながら、光源として半導体レーザーを
用いた時、その素子構造から放射光束の放射角は回転対
称にならない。即ち、半導体素子の接合面に対する方向
によって放射角が異なる。従って、従来のコリメータレ
ンズを用いて」フリメー1−された光束の断面が円形の
ものを得るには、放射角の大きさに比へて十分に小さな
開口数のコリメークレンズを用いるのが最も簡易な方法
である。しかしなから、この方法では光の利用効率か低
いといった大きな問題点があり、大きな光出力の半導体
レーザーが必要となってコス]・高になるといった課題
が発生ずる。これを解決する方法としてノリンドリ力ル
レンスを用いたもの、あるいL1第5図に示す様なプリ
ズム1.2をコリメークレンズ3と併用する構成のもの
が既に知られている。半導体レーザー4からの放射光束
5はコリメークレンズ3によって略平行光束とされ、プ
リズム1.2によって一方向にのみ光束径が拡大され所
望の円形の光束が得られる。これによれば、光の利用効
率はYll」北方式と比較して改善される。しかし構成
が複雑になる。そこで、これら光学的機能を果たし、し
かも構成が簡単な4Lレンスで実現するものが特開昭6
1−254.915号公報で開示されている。
発明が解決しようとする課題
しかしなから、前記特開昭61−254.915号公報
記載の数値例1から数値例7の実施例では全て水平、垂
直方向に単純な曲率半径だけて表わされる1・−リック
面で構成されているために、残存球面収差等が大きく実
用上問題であった。
記載の数値例1から数値例7の実施例では全て水平、垂
直方向に単純な曲率半径だけて表わされる1・−リック
面で構成されているために、残存球面収差等が大きく実
用上問題であった。
課題を解決するだめの手段
−1−記課題を解決する本発明の技術的手段は、水平方
向と垂直方向で異なった屈折力を有するアナモフィ・ツ
ク華レンズであって、半導体レーサー等の光源側から順
に第1面は放射角の大なる方向の光束の光線に対しての
み収差補正に寄与する4次以上の高次展開項を有するト
ーリック面がらなり、出射側の第2面は放ル]角の小な
る方向の光束の光線に対してのみ収差補正に寄与する4
次以上の高次展開項を有する1・−リック面とする。史
に、次の条件(1,)、 (2+を満足することて、残
存収差を著しく低減せしめることが可能でありながら、
しかも加工上に於ても公差をゆるく設定でき、光学系の
簡素化と調整の容易化と共に、光デイスク装置全体の低
コスI・化、小型化をも実現される。
向と垂直方向で異なった屈折力を有するアナモフィ・ツ
ク華レンズであって、半導体レーサー等の光源側から順
に第1面は放射角の大なる方向の光束の光線に対しての
み収差補正に寄与する4次以上の高次展開項を有するト
ーリック面がらなり、出射側の第2面は放ル]角の小な
る方向の光束の光線に対してのみ収差補正に寄与する4
次以上の高次展開項を有する1・−リック面とする。史
に、次の条件(1,)、 (2+を満足することて、残
存収差を著しく低減せしめることが可能でありながら、
しかも加工上に於ても公差をゆるく設定でき、光学系の
簡素化と調整の容易化と共に、光デイスク装置全体の低
コスI・化、小型化をも実現される。
1.71<r++ ・・ (1)1
.0 <d、/f ・・・
(2)但し、nl :屈折率 dl :レンズ中心厚 f 光源から出射する光束の放射角 の大なる方向に関するアナモフ ィックQiレンズの焦点距離 作用 半導体レーザー等の放射角の異なる光束を、水平方向と
垂直方向で屈折力が異なった、アナモフィック単レンズ
によって、略円形がっ略平行光束を得る。
.0 <d、/f ・・・
(2)但し、nl :屈折率 dl :レンズ中心厚 f 光源から出射する光束の放射角 の大なる方向に関するアナモフ ィックQiレンズの焦点距離 作用 半導体レーザー等の放射角の異なる光束を、水平方向と
垂直方向で屈折力が異なった、アナモフィック単レンズ
によって、略円形がっ略平行光束を得る。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を用いて、詳細に
説明する。
説明する。
第1図(alは半導体レーザー4の大きい放射角θ1の
方向を水平方向とし、第1図(b)は半導体レーザーの
小さい放射角θ、の方向を垂直方向として示したもので
ある。半導体レーザーからの放射光束5は本発明になる
アナモフィック単レンズ6によってl1ii +Jr作
用を受りる。この時、アナモフィック屯レンズの水平方
向の屈折力は垂直方向の屈折力の2ないし3倍位と強く
し、且つフロンI−フメーカスが各方向で略一致し、そ
のフォーカス位置に半導体レーザーを設置することで、
アナモフィック単レンズの出射側である第2面がら略平
行で断面が略円形の光束が得られる。この様な条件を満
足するには第1面と第2面ば1−−リック面となり、水
平方向の屈折に寄与する曲率半径は順に、光源側よりγ
1.γ2となり、垂直方向の屈折に寄与する曲率半径は
順に、T1゛、γ、゛ となる。
方向を水平方向とし、第1図(b)は半導体レーザーの
小さい放射角θ、の方向を垂直方向として示したもので
ある。半導体レーザーからの放射光束5は本発明になる
アナモフィック単レンズ6によってl1ii +Jr作
用を受りる。この時、アナモフィック屯レンズの水平方
向の屈折力は垂直方向の屈折力の2ないし3倍位と強く
し、且つフロンI−フメーカスが各方向で略一致し、そ
のフォーカス位置に半導体レーザーを設置することで、
アナモフィック単レンズの出射側である第2面がら略平
行で断面が略円形の光束が得られる。この様な条件を満
足するには第1面と第2面ば1−−リック面となり、水
平方向の屈折に寄与する曲率半径は順に、光源側よりγ
1.γ2となり、垂直方向の屈折に寄与する曲率半径は
順に、T1゛、γ、゛ となる。
回折限界系の光学系に使用するには収差補正、特に球面
収差の補正が必要となる。通常の光軸に対して回転対称
なレンス系であれば非球面を導入することで収差補正は
容易になされるが、本発明の如く、I・−リック面であ
る場合、収差補正に各々の面が水平、垂直のいずれの方
向に対しても寄与させようとすると、所謂自由曲面を導
入しなりればならない。しかしながら、自由曲面の加工
を高精度に行なうことは著しく困難であり実用的でない
。そこで十分な収差補正が可能で、しが4)加工かh易
に実施できるレンズ面形状として本発明では、光源側か
ら第1面は放射角の大なる方向、ずなわら第11m(a
)に示される水平方向の光束の光線に対してのめ収差補
正に寄与する4次以トの開成展開項を有するI・−リッ
ク而とする。第2面6」放射角の小なる方向、寸なわら
第1図(blに示される垂直力向の光束の光線に対して
のみ収差補正に寄−りする4次以」−の高次展開項をイ
JするI・−リ、り面とする。何故ならば、第1面の軸
上光線高を水゛I′一方向と垂直方向で比較すると、放
射角が大きい水平方向の方が大きくなる。従って、レン
ズ面形状を表わす展開式の高次項による収差補1丁・\
の寄りは第1曲においては水平方向の方がより大きく効
果的となる。従って、第2面では十分に光線高が大きく
なった垂直方向の光線に対してのみ収差補正を]烏次項
によって行なう。向、ここで、I・−’J yり面の形
状を示す展開式は、第1面の場合、第1図(=11.
fb)に示されるX−Y−Z座標系に於て、面の仔1点
からのリグ量で示すと(3)式で示されるものである。
収差の補正が必要となる。通常の光軸に対して回転対称
なレンス系であれば非球面を導入することで収差補正は
容易になされるが、本発明の如く、I・−リック面であ
る場合、収差補正に各々の面が水平、垂直のいずれの方
向に対しても寄与させようとすると、所謂自由曲面を導
入しなりればならない。しかしながら、自由曲面の加工
を高精度に行なうことは著しく困難であり実用的でない
。そこで十分な収差補正が可能で、しが4)加工かh易
に実施できるレンズ面形状として本発明では、光源側か
ら第1面は放射角の大なる方向、ずなわら第11m(a
)に示される水平方向の光束の光線に対してのめ収差補
正に寄与する4次以トの開成展開項を有するI・−リッ
ク而とする。第2面6」放射角の小なる方向、寸なわら
第1図(blに示される垂直力向の光束の光線に対して
のみ収差補正に寄−りする4次以」−の高次展開項をイ
JするI・−リ、り面とする。何故ならば、第1面の軸
上光線高を水゛I′一方向と垂直方向で比較すると、放
射角が大きい水平方向の方が大きくなる。従って、レン
ズ面形状を表わす展開式の高次項による収差補1丁・\
の寄りは第1曲においては水平方向の方がより大きく効
果的となる。従って、第2面では十分に光線高が大きく
なった垂直方向の光線に対してのみ収差補正を]烏次項
によって行なう。向、ここで、I・−’J yり面の形
状を示す展開式は、第1面の場合、第1図(=11.
fb)に示されるX−Y−Z座標系に於て、面の仔1点
からのリグ量で示すと(3)式で示されるものである。
同様に第2面は(5)式で示されるものである。
ザブ量−γ、’ −+7−、’ −f(y)l
・(I X2/ ((γ+’ −f(’/)l
”J ””・・・・・・ (3) 但し、 γ 1 +A−Y’ +B・Y” −t−C・Y’ +l)−”
y”’・・・・・・ (4) ザブ量−γ2− (γ2− f (X))(1y2/
(<r2 f(X)) 2〕””・・・・ (5) 但し、 γ2゛ +A・X’ +B−X’ 十C−X” +IIX’。
・(I X2/ ((γ+’ −f(’/)l
”J ””・・・・・・ (3) 但し、 γ 1 +A−Y’ +B・Y” −t−C・Y’ +l)−”
y”’・・・・・・ (4) ザブ量−γ2− (γ2− f (X))(1y2/
(<r2 f(X)) 2〕””・・・・ (5) 但し、 γ2゛ +A・X’ +B−X’ 十C−X” +IIX’。
・・・・・・ (6)
ココテ、Kは円Sff定数、A、B、C,Dは高次係数
である。
である。
尚、本発明に於ては、残存収差が小さく、しかも公差が
ゆるく作り易くするために以下の条件(1)。
ゆるく作り易くするために以下の条件(1)。
(2)を満足することか望ましい。
1、71 < n l・−−(1,1
1,0<d、/r ・旧・・ (2)(旧
−111は屈折率、d、はレンズ中心厚、fは光源から
出射する光束の放射角の大なるソノ向に関する、すなわ
ち水平方向のアナモフィック沖レンズの115点距離で
ある。
−111は屈折率、d、はレンズ中心厚、fは光源から
出射する光束の放射角の大なるソノ向に関する、すなわ
ち水平方向のアナモフィック沖レンズの115点距離で
ある。
条件(1)はアナモフィック単レンズの屈折率に関する
ものである。条件(1)を越えると、各面の曲率が犬と
なり球面収差の発生を高次展開項によって補正した時、
コマ収差の補正が困難となり軸外特性か劣化し易く前記
アナモフィック単レンズの光軸と1′導体レーリ゛−の
光軸を精度良く合致させなければならず組立調整が国運
となる。更に、各面の加T公差が晧しくなり、しかも曲
率が犬となることも加えて加工か困難となる。
ものである。条件(1)を越えると、各面の曲率が犬と
なり球面収差の発生を高次展開項によって補正した時、
コマ収差の補正が困難となり軸外特性か劣化し易く前記
アナモフィック単レンズの光軸と1′導体レーリ゛−の
光軸を精度良く合致させなければならず組立調整が国運
となる。更に、各面の加T公差が晧しくなり、しかも曲
率が犬となることも加えて加工か困難となる。
条件(2)はアナモフィック単レンズのレンズ中心厚と
水平方向の焦点距離に関するものである。条件(2)を
越えると、特に第1面側の曲率半径γ、とγ1′の差異
か大となり、コマ収差の補正が困難となり軸外特性が劣
化し易く有効包括画角が小となって、前記理由と同様に
して組立調整が困難となる。
水平方向の焦点距離に関するものである。条件(2)を
越えると、特に第1面側の曲率半径γ、とγ1′の差異
か大となり、コマ収差の補正が困難となり軸外特性が劣
化し易く有効包括画角が小となって、前記理由と同様に
して組立調整が困難となる。
次に本発明になるアナモフィック単レンズのレンズ面形
状の加工か容易である理由について述べる。第2図は、
その加工の概念を示すものである。
状の加工か容易である理由について述べる。第2図は、
その加工の概念を示すものである。
回転するスピンI・ルアにイ」けられた被加工物8、ず
なわら)′ナモフィノク単レンズは、所望の形状となる
様、矢印10に示される様に前記(41,(6)式に相
当する軌跡を描いて移動する回転する砥石9による研削
加工法でレンズ形状が作られる。ごの方法によれば、通
常のCN C旋盤に、切削ハイドを固定するヘット11
上に回転する砥石部を載せるだけで加工が出来る。
なわら)′ナモフィノク単レンズは、所望の形状となる
様、矢印10に示される様に前記(41,(6)式に相
当する軌跡を描いて移動する回転する砥石9による研削
加工法でレンズ形状が作られる。ごの方法によれば、通
常のCN C旋盤に、切削ハイドを固定するヘット11
上に回転する砥石部を載せるだけで加工が出来る。
次に、本発明の具体的実施例を以下に示す。但し、nl
は屈折率で波長780 n rnに於りるものである。
は屈折率で波長780 n rnに於りるものである。
d、はレンス厚である。但し、第1面は水平方向の光束
の光線に対してのめ収差補正に寄与する4次以上の高次
展開項を有するトーリック面、第2面は垂直方向の光束
の光線に対してのめ収差補正に寄与する4次以上の高次
展開項を有するI・−リック面である。尚、各実施例は
半導体レーザーのカバーグラス(屈折率:]、、50.
厚み−030)が光路中に挿入された状態を想定して収
差補正を行なっている。
の光線に対してのめ収差補正に寄与する4次以上の高次
展開項を有するトーリック面、第2面は垂直方向の光束
の光線に対してのめ収差補正に寄与する4次以上の高次
展開項を有するI・−リック面である。尚、各実施例は
半導体レーザーのカバーグラス(屈折率:]、、50.
厚み−030)が光路中に挿入された状態を想定して収
差補正を行なっている。
(実施例])
r、 =6.838 r、 ’ −−2,60
1d 1□、OOn 、 −1,785691γ、−7
0,809T2 ’ = 5.792第1面の円錐
定数と高次係数 K −−3,73437A −6,24135Xl0−
613− 1.08708 X1O−” C−−2,
25823Xl0−71) =2.79497 XIO
3 第2面の円錐定数とlV力次係数 に−−3,+2183 XIO’ A=1.O]08
0 Xl0−7B=−4,58117×l0−1′C=
102639 Xl0−n1)−−−7,4+055
XIO”0水平方向の入射側NA: 0.3 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、7r: 1.076 (実施例2) T I−9,1,OOγ、 ’ =−3,652d
+ −14,00n + = 1.785691r2=
−28,054r2’ =−8,489第1面の円
錐定数と高次係数 K −−5,18542A = −1,01733Xl
0−’B=9.31221 Xl0−7C= −7,6
3955X1O−8D = 5.8B252 x 1.
0−7第2面の円錐定数と高次係数 に−−3,17171Xl0−’ 八−−1,755
28Xl、0−7B−4,19257Xl0−RC=4
.42926 Xl0−”D−4,96726Xl0−
” 水平方向の入射側NA C03 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、/f+1.335 (実施例3) 】2 γ1−5.fi14 r1’ = 3.
249a 、 =18.0On 、 =1.785
691rz = 16.493 rz ’
−9,579第1面の円錐定数と高次係数 に−−6,59307A = −4,85845Xl0
−’B=−8.67863 xlO−’ C=7.7
2916 xlO−’1)−−2,04824X 10
−’ 第2面の円錐定数と高次係数 に−−2,96265xio−’ A−2,3592
7Xl0−6B =1.16472 Xl0−7C=−
2,34904XIO”D −1,73780x 1.
0−’ 水平方向の入射側NA: 0.3 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、/f・ 2.167 (実施例4) r 、 −5,448γ+ ’ = 3.315d、
=15.OOn、 −1,712303γ、 =−1
9,000γ、 ’ −−8,014第1面の円ifG
定数と高次係数 に−3,54418△−7,20709xlO−’B=
−2,13008Xl、O−3C=1.17033
XiO”D −−1,88339x 1.0−’第2面
の円錐定数と高次係数 に= −3,06413Xl0−’ A=7.59F
180 Xl0−”B−4,98553X10−7C−
=7.20953X10−8D=4.60781 Xl
0−9 水平方向の入射側NΔ:03 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、/f: 1.879 第3図(al、 fbl、 (C1,(d+は各々実施
例1ないし4の軸外性能特性を示す。尚、縦軸は波面収
差の分子l& 。
1d 1□、OOn 、 −1,785691γ、−7
0,809T2 ’ = 5.792第1面の円錐
定数と高次係数 K −−3,73437A −6,24135Xl0−
613− 1.08708 X1O−” C−−2,
25823Xl0−71) =2.79497 XIO
3 第2面の円錐定数とlV力次係数 に−−3,+2183 XIO’ A=1.O]08
0 Xl0−7B=−4,58117×l0−1′C=
102639 Xl0−n1)−−−7,4+055
XIO”0水平方向の入射側NA: 0.3 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、7r: 1.076 (実施例2) T I−9,1,OOγ、 ’ =−3,652d
+ −14,00n + = 1.785691r2=
−28,054r2’ =−8,489第1面の円
錐定数と高次係数 K −−5,18542A = −1,01733Xl
0−’B=9.31221 Xl0−7C= −7,6
3955X1O−8D = 5.8B252 x 1.
0−7第2面の円錐定数と高次係数 に−−3,17171Xl0−’ 八−−1,755
28Xl、0−7B−4,19257Xl0−RC=4
.42926 Xl0−”D−4,96726Xl0−
” 水平方向の入射側NA C03 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、/f+1.335 (実施例3) 】2 γ1−5.fi14 r1’ = 3.
249a 、 =18.0On 、 =1.785
691rz = 16.493 rz ’
−9,579第1面の円錐定数と高次係数 に−−6,59307A = −4,85845Xl0
−’B=−8.67863 xlO−’ C=7.7
2916 xlO−’1)−−2,04824X 10
−’ 第2面の円錐定数と高次係数 に−−2,96265xio−’ A−2,3592
7Xl0−6B =1.16472 Xl0−7C=−
2,34904XIO”D −1,73780x 1.
0−’ 水平方向の入射側NA: 0.3 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、/f・ 2.167 (実施例4) r 、 −5,448γ+ ’ = 3.315d、
=15.OOn、 −1,712303γ、 =−1
9,000γ、 ’ −−8,014第1面の円ifG
定数と高次係数 に−3,54418△−7,20709xlO−’B=
−2,13008Xl、O−3C=1.17033
XiO”D −−1,88339x 1.0−’第2面
の円錐定数と高次係数 に= −3,06413Xl0−’ A=7.59F
180 Xl0−”B−4,98553X10−7C−
=7.20953X10−8D=4.60781 Xl
0−9 水平方向の入射側NΔ:03 垂直方向の入射側NA: 0.1 d、/f: 1.879 第3図(al、 fbl、 (C1,(d+は各々実施
例1ないし4の軸外性能特性を示す。尚、縦軸は波面収
差の分子l& 。
横軸は軸外量(物体高)である。
第4図は本発明になるアナモフィック単レンズ6を用い
た光デイスク装置の実施例の概略ブロック図である。図
において半導体レーザー4がら出射した光束はアナモフ
ィック単レンズ6により略平行かつ略円形の光束に変換
され、ビームスプリノタ12.レンス13を通って光デ
、イスク14に照4・jされ、光ディスク14がらの情
報はビームスプリ・ツタ12.レンス15を通って光検
出器16て受光されるか2、二の動作については、従来
の光ティスフ装置と同様であるので、i’l−1111
な説明は省略する。面、上記実施例に示した構成は、追
加書込め及び書換え可能な光ディスクを用いた光デイス
ク装置に於ても基本構成は同様である。
た光デイスク装置の実施例の概略ブロック図である。図
において半導体レーザー4がら出射した光束はアナモフ
ィック単レンズ6により略平行かつ略円形の光束に変換
され、ビームスプリノタ12.レンス13を通って光デ
、イスク14に照4・jされ、光ディスク14がらの情
報はビームスプリ・ツタ12.レンス15を通って光検
出器16て受光されるか2、二の動作については、従来
の光ティスフ装置と同様であるので、i’l−1111
な説明は省略する。面、上記実施例に示した構成は、追
加書込め及び書換え可能な光ディスクを用いた光デイス
ク装置に於ても基本構成は同様である。
発明の効果
本発明は、方向によって異なる放射角を有する光源から
の光束を、アナモフィック単レンズだけを用いて略円形
の射出光束を効率良く得るごとかでき、光学系を簡素化
し、調整の容易化ならびに当該アナモソイツクJl、レ
ンズを用いた光デイスク装置の小型化にも寄与するもの
である。
の光束を、アナモフィック単レンズだけを用いて略円形
の射出光束を効率良く得るごとかでき、光学系を簡素化
し、調整の容易化ならびに当該アナモソイツクJl、レ
ンズを用いた光デイスク装置の小型化にも寄与するもの
である。
4、図1T11の籠華な説明
第1しlta+、 fl、++は本発明のアナモフィッ
ク単レンズの概念を示す模式図、第2図は本発明のアナ
モフィック単レンズを加工する方法を示す模式図、第3
図fat、 (b)、 (C)、 (diは各実施例の
軸外性能特性を示す波面収差特性図、第4図は本発明の
アナモフィック単レンズを用いた光デイスク装置のブロ
ック図、第5121は従来の光学系を示す説明同であ1
・・・プリスJ8.2 ・・プリスム、3・ ・コリメ
ータレンス、4・・・・半導体レーサー、6・・・・・
アナモフィック単レンズ、9・・・・・・砥石。
ク単レンズの概念を示す模式図、第2図は本発明のアナ
モフィック単レンズを加工する方法を示す模式図、第3
図fat、 (b)、 (C)、 (diは各実施例の
軸外性能特性を示す波面収差特性図、第4図は本発明の
アナモフィック単レンズを用いた光デイスク装置のブロ
ック図、第5121は従来の光学系を示す説明同であ1
・・・プリスJ8.2 ・・プリスム、3・ ・コリメ
ータレンス、4・・・・半導体レーサー、6・・・・・
アナモフィック単レンズ、9・・・・・・砥石。
代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名″l 。
派 −−
第3図
irm イi4 (rrlm)
物体高(rrl町
づ4本高輸ア)
″nJ外音(mm)
Claims (2)
- (1)水平方向と垂直方向で異なる放射角を有する光源
からの光束を、略平行で且つ断面が略円形の光束に変換
するために、水平方向と垂直方向で異なった屈折力を有
し、光源側から順に第1面は放射角の大なる方向の光束
の光線に対してのみ収差補正に寄与する4次以上の高次
展開項を有するトーリック面からなり、出射側の第2面
は放射角の小なる方向の光束の光線に対してのみ収差補
正に寄与する4次以上の高次展開項を有するトーリック
面からなる単レンズであって、以下の条件を満足するア
ナモフィック単レンズ。 1.71<n_1 1.0<d_1/f 但し、n_1:屈折率 d_1:レンズ中心厚 f:光源から出射する光束の放射角 の大なる方向に関するアナモフ ィック単レンズの焦点距離 - (2)請求項(1)記載のアナモフィック単レンズを用
いた光ディスク装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63072501A JPH01244421A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | アナモフィック単レンズと光ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63072501A JPH01244421A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | アナモフィック単レンズと光ディスク装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01244421A true JPH01244421A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13491147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63072501A Pending JPH01244421A (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | アナモフィック単レンズと光ディスク装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01244421A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5467335A (en) * | 1993-01-04 | 1995-11-14 | U.S. Philips Corporation | Beam-shaping optical element and device for converting a beam having a first cross-section into a beam having a second cross-section |
US6627869B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Beam shaper, and semiconductor laser source device and optical head using the beam shaper |
US7088645B2 (en) | 1997-07-11 | 2006-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pickup apparatus compatible with different types of optical recording mediums |
JPWO2008139691A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 光ディスク用レーベルプリンタ、感熱記録型プリンタ及び感熱記録方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61254915A (ja) * | 1985-05-03 | 1986-11-12 | Canon Inc | 光束径調整用の光学系 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63072501A patent/JPH01244421A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61254915A (ja) * | 1985-05-03 | 1986-11-12 | Canon Inc | 光束径調整用の光学系 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5467335A (en) * | 1993-01-04 | 1995-11-14 | U.S. Philips Corporation | Beam-shaping optical element and device for converting a beam having a first cross-section into a beam having a second cross-section |
US7088645B2 (en) | 1997-07-11 | 2006-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pickup apparatus compatible with different types of optical recording mediums |
US7403453B2 (en) | 1997-07-11 | 2008-07-22 | Ricoh Company, Ltd. | Optical disk apparatus compatible with different types of mediums adapted for different wavelengths |
US7680015B2 (en) | 1997-07-11 | 2010-03-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical disk apparatus compatible with different types of mediums adapted for different wavelengths |
US6627869B2 (en) | 2001-04-24 | 2003-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Beam shaper, and semiconductor laser source device and optical head using the beam shaper |
JPWO2008139691A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 光ディスク用レーベルプリンタ、感熱記録型プリンタ及び感熱記録方法 |
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