JPH01237939A - Optical pickup device - Google Patents

Optical pickup device

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JPH01237939A
JPH01237939A JP63064813A JP6481388A JPH01237939A JP H01237939 A JPH01237939 A JP H01237939A JP 63064813 A JP63064813 A JP 63064813A JP 6481388 A JP6481388 A JP 6481388A JP H01237939 A JPH01237939 A JP H01237939A
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Japan
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prism
laser beam
photodetector
reflected
semiconductor substrate
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Yoshiyuki Matsumoto
芳幸 松本
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/43Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections

Abstract

PURPOSE:To reduce the manufacturing cost by guiding in turn a laser beam emitted from a laser element on a semiconductor substrate to one pair of detectors formed in the substrate via a prism provided on the substrate. CONSTITUTION:The 1st and 2nd photo detectors 32 and 33 are disposed in the semiconductor substrate 31, and the semiconductor laser element 34 is soldered with pewter 35 on an upper surface 31a of the substrate 31. The upper surface except the section where the pewter 35 is disposed is covered with a protective film 41, and a semitransparent film 42 is provided to cover a corresponding section to the photo detector 32. A prism 36 is provided via an adhesive layer 43 of an epoxy resin. The laser light beam Li' emitted from the laser 34 is reflected by a semitransparent film reflecting surface 36a of the prism 36 and incident upon an optical disk, while a reflected laser beam Lr' from the disk is transmitted through the surface 36a. The beam Lr' is transmitted through the layer 43 and the films 42 and 41 to be incident upon the photo detector 32, and then reflected by an interface between the films 42 and 41 and also the upper surface 36c of the prism to be incident upon the photo detector 33.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明を以下の順序で説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be explained in the following order.

A 産業上の利用分野 B 発明の概要 C従来の技術 D 発明が解決しようとする課題 E 課題を解決するための手段 F作用 G 実施例 H発明の効果 A 産業上の利用分野 本発明は、レーザ光ビームを光学記録媒体に入射させる
とともに、光学記録媒体からの反射レーザ光ビームを受
けて光検出器に導き、光検出器から光学記録媒体に記録
された情報の読取出力を得る光学ピックアップ装置に関
する。
A. Industrial field of application B. Outline of the invention C. Prior art D. Problem to be solved by the invention E. Means for solving the problem F. Effect G. Example H. Effect of the invention A. Field of industrial application. An optical pickup device that makes a light beam incident on an optical recording medium, receives a reflected laser beam from the optical recording medium, guides it to a photodetector, and obtains a reading output of information recorded on the optical recording medium from the photodetector. .

B 発明の概要 本発明は、レーザ光ビームを光ディスク等の記録媒体に
入射させるとともに、記録媒体からの反射レーザ光ビー
ムを受けて光検出器により検出し、光検出器から反射レ
ーザ光ビームに応じた検出出力を得る光学ピックアップ
装置において、半導体基板に第1及び第2の光検出器が
形成されるとともにその半導体基板上に半導体レーザ素
子と光半透過反射面を有するプリズムとが配されて構成
され、プリズムの光半透過反射面が、半導体レーザ素子
から発せられたレーザ光ビームを記録媒体側へと反射さ
せるとともに記録媒体側からのレーザ光ビームを透過さ
せるものとされ、また、半導体基板における第1の光検
出器が形成された部分とプリズムとの間に配された保護
膜部と光半透過膜部とが、プリズムにその光半透過反射
面から入射してプリズムを透過したレーザ光ビームにつ
いて、その略1/2を第1の光検出器に到達させるとと
もに他の略1/2をプリズムの内部側に反射させるべく
、材質及び厚みが選定されたものとされ、さらに、半導
体基板における第2の光検出器が形成された部分とプリ
ズムとの間に配された保護膜部が、保護膜部と光半透過
膜部とによりプリズムの内部側に反射せしめられ、かつ
、プリズムの表面部でさらに反射してプリズムを透過し
た1述の他の略1/2のレーザ光ビームの大部分を第2
の光検出器に到達させるべく、その材質及び厚みが選定
されたものとなすことにより、半導体基板上に設けられ
る保護膜部及び光半透過膜部を利用して、筒略化され、
かつ、製造が容易とされる構成のもとに、プリズムにそ
の光半透過反射面を透過して入射する記録媒体側からの
レーザ光ビームを、第1及び第2の光検出器の夫々に適
正に導くことができるようにしたものである。
B. Summary of the Invention The present invention allows a laser beam to be incident on a recording medium such as an optical disk, receives the reflected laser beam from the recording medium and detects it with a photodetector, and detects the reflected laser beam from the photodetector in response to the reflected laser beam. In an optical pickup device that obtains a detection output, first and second photodetectors are formed on a semiconductor substrate, and a semiconductor laser element and a prism having a semi-transparent reflective surface are arranged on the semiconductor substrate. The semi-transparent reflective surface of the prism reflects the laser beam emitted from the semiconductor laser element toward the recording medium and transmits the laser beam from the recording medium. A protective film part and a light semi-transmissive film part are arranged between the part where the first photodetector is formed and the prism, and the laser beam enters the prism from the light semi-transmissive reflective surface and passes through the prism. The material and thickness of the beam are selected so that approximately 1/2 of the beam reaches the first photodetector and the other 1/2 is reflected inside the prism, and the semiconductor substrate The protective film part disposed between the prism and the part where the second photodetector is formed is reflected to the inside of the prism by the protective film part and the semi-transparent film part, and the light of the prism is Most of the other approximately 1/2 of the laser beam that was further reflected on the surface and transmitted through the prism is transferred to the second laser beam.
By selecting the material and thickness so as to reach the photodetector of the semiconductor substrate, the protective film part and the light semi-transparent film part provided on the semiconductor substrate can be used to simplify the cylindrical structure.
In addition, based on a configuration that is easy to manufacture, a laser beam from the recording medium side that is incident on the prism after passing through its semi-transparent reflective surface is applied to each of the first and second photodetectors. This allows for proper guidance.

C従来の技術 光学式ディスク・プレーヤにおいては、光ディスクにレ
ーザ光ビームを入射させて光ディスクに記録された情報
の読取りを行うものとされる光学ピックアップ装置が装
備される。斯かる光学ピックアップ装置は、レーザ光ビ
ームを発生し、それを光ディスクに形成された極めて狭
小な記録トラック上に適正な集束状態をもって入射させ
て、記録トラックに正確に追従させ、さらに、光ディス
クの記録トラ:ンクからの反射レーザ光ビームを、光検
出器に的確に導くことが要求され、従って、半導体レー
ザ素子、各種のレンズ、光ビームスプリッタ、ミラーあ
るいはプリズム、光検出器等の種々の光学素子が精密配
置されて構成される。そのため、通常の光学ピックアッ
プ装置は、比較的大容積とされる光学素子配置空間を要
し、また、各部についての煩わしい調整作業が必要とさ
れるものとなり易い。
C. Prior Art An optical disc player is equipped with an optical pickup device that makes a laser beam enter the optical disc and reads information recorded on the optical disc. Such an optical pickup device generates a laser beam, makes it incident on an extremely narrow recording track formed on an optical disk with an appropriate focusing state, and accurately follows the recording track, and furthermore, the laser beam is made to accurately track the recording track. It is necessary to accurately guide the reflected laser beam from the truck to the photodetector, and therefore various optical elements such as semiconductor laser elements, various lenses, optical beam splitters, mirrors or prisms, and photodetectors are required. are precisely arranged and constructed. Therefore, a typical optical pickup device requires a relatively large space for arranging the optical elements, and also tends to require troublesome adjustment work for each part.

このような事情に関連して、上述の如くの光学ピックア
ップ装置に伴われる不都合を解消できる改良された光学
ピックアップ装置として、半導体基板に光検出器が形成
されるとともに、その半導体基板上にレーザ光ビームを
発する半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子により発
せられたレーザ光ビームを光ディスク等の光学記録媒体
側に導ぐとともに、光学記録媒体からの反射レーザ光ビ
ームを光検出器に導くプリズムとが配されて構成される
集積型の光学ピックアップ装置が、本願出願人によりす
でに提案されている(特願昭61−38576号)。
In connection with this situation, as an improved optical pickup device that can eliminate the inconveniences associated with the above-mentioned optical pickup device, a photodetector is formed on a semiconductor substrate, and a laser beam is formed on the semiconductor substrate. A semiconductor laser device that emits a beam and a prism that guides the laser beam emitted by the semiconductor laser device toward an optical recording medium such as an optical disk and guides the reflected laser beam from the optical recording medium to a photodetector are arranged. The applicant of the present application has already proposed an integrated type optical pickup device constructed using the following methods (Japanese Patent Application No. 38576/1983).

斯かる集積型の光学ピックアップ装置にあっては、例え
ば、第4図に示される如くの構成がとられる。この構成
においては、半導体基板11の内部に第1及び第2の光
検出器12及び13が配列形成され、また、半導体基板
11上に半導体レーザ素子14が半田付けされて配置さ
れる。そして、半導体基板11における半導体レーザ素
子14が配された面が保護膜15によって覆われ、斯か
る保護膜15上における第1及び第2の光検出器12及
び13の上方となる位置に、プリズム16が配される。
Such an integrated optical pickup device has a configuration as shown in FIG. 4, for example. In this configuration, first and second photodetectors 12 and 13 are arranged and formed inside a semiconductor substrate 11, and a semiconductor laser element 14 is soldered and arranged on the semiconductor substrate 11. The surface of the semiconductor substrate 11 on which the semiconductor laser element 14 is disposed is covered with a protective film 15, and a prism is placed on the protective film 15 at a position above the first and second photodetectors 12 and 13. 16 are placed.

プリズム16は、半導体レーザ素子14に対向する面が
、半導体基板11における半導体レーザ素子14が配さ
れた面に対して傾斜した光半透過反射面16aを形成す
るものとされる。
The surface of the prism 16 facing the semiconductor laser element 14 forms a semi-transmissive and reflective surface 16a that is inclined with respect to the surface of the semiconductor substrate 11 on which the semiconductor laser element 14 is disposed.

このようなちとで、半導体レーザ素子14から発せられ
るレーザ光ビームLiが、プリズム16の光半透過反射
面16aで反射され、対物レンズ17により集束されて
、光ディスク18の記録トラック18aに入射せしめら
れる。そして、光ディスク18の記録トラック18aか
らの反射レーザ光ビームLrが、対物レンズ17を通し
て戻り、プリズム16の光半透過反射面16aを透過し
てプリズム16内に入射する。プリズム16内に入射し
た反射レーザ光ビームLrは、その一部分が第1の光検
出器12に到達するとともに、他の一部分がプリズム1
6内で反射して第2の光検出器13に到達するものとさ
れる。その際、反射レーザ光ビームLrは、プリズム1
6内に形成される、第1の光検出器12から第2の光検
出器13に至る光路上において、集束点を有するものと
なるように設定される。
In such a situation, the laser beam Li emitted from the semiconductor laser element 14 is reflected by the semi-transparent reflection surface 16a of the prism 16, focused by the objective lens 17, and made to enter the recording track 18a of the optical disc 18. . Then, the reflected laser beam Lr from the recording track 18a of the optical disk 18 returns through the objective lens 17, passes through the semi-transparent reflective surface 16a of the prism 16, and enters the prism 16. A part of the reflected laser beam Lr that has entered the prism 16 reaches the first photodetector 12, and the other part reaches the prism 1.
6 and reaches the second photodetector 13. At that time, the reflected laser beam Lr is transmitted through the prism 1
It is set to have a convergence point on the optical path formed in the photodetector 6 from the first photodetector 12 to the second photodetector 13.

従って、第1及び第2の光検出器12及び13の夫々か
らは、光ディスク18の記録トラック18aからの反射
レーザ光ビームLrの検出出力信号が得られ、それらに
基づいて情報読取信号、トラッキング・エラー信号、フ
ォーカス・エラー信号等が形成される。
Therefore, detection output signals of the reflected laser beam Lr from the recording track 18a of the optical disk 18 are obtained from each of the first and second photodetectors 12 and 13, and based on these, an information read signal, a tracking signal, and a tracking signal are obtained. An error signal, focus error signal, etc. are formed.

第5図は、例えば、フォーカス・エラー信号が形成され
る構成を示す。斯かる構成においては、第1の光検出器
12が、中央感光素子12aとそれを挾む両側感光素子
12b及び12cとが同一面内に配されて形成され、ま
た、第2の光検出器13が、中央感光素子13aとそれ
を挾む両側感光素子13b及び13cとが同一面内に配
されて形成されるものとされる。そして、第1及び第2
の光検出器12及び13の夫々の上に形成される反射レ
ーザ光ビームLrによるスポットに応じて、感光素子1
2a−12c及び13a−13cの各々から検出出力が
得られるが、感光素子12b及び12cの夫々からの検
出出力が加算器20において加算され、加算器20から
の加算出力と感光素子12aからの検出出力とが減算器
21において減算されて、減算器21から減算出力Sa
が導出され、また、感光素子13b及び13cの夫々か
らの検出出力が加算器22において加算され、加算器2
2からの加算出力と感光素子13aからの検出出力とが
減算器23において減算されて、減算器23から減算出
力sbが導出される。そして、減算出力Saと減算出力
sbとがさらに減算器24において減算されて、減算器
24から減算出力Scが得られる。
FIG. 5 shows, for example, a configuration in which a focus error signal is generated. In such a configuration, the first photodetector 12 is formed by disposing a central photosensitive element 12a and both side photosensitive elements 12b and 12c sandwiching it in the same plane, and the second photodetector 13 is formed such that a central photosensitive element 13a and both side photosensitive elements 13b and 13c sandwiching the central photosensitive element 13a are arranged in the same plane. And the first and second
The photosensitive element 1 corresponds to the spot formed on each of the photodetectors 12 and 13 by the reflected laser beam Lr.
Detection outputs are obtained from each of photosensitive elements 2a-12c and 13a-13c, but the detection outputs from each of photosensitive elements 12b and 12c are added in an adder 20, and the added output from the adder 20 and the detection from the photosensitive element 12a are The output is subtracted by the subtracter 21, and the subtracted output Sa
is derived, and the detection outputs from each of the photosensitive elements 13b and 13c are added in the adder 22.
The addition output from 2 and the detection output from the photosensitive element 13a are subtracted in a subtracter 23, and a subtracted output sb is derived from the subtracter 23. Then, the subtraction output Sa and the subtraction output sb are further subtracted in the subtracter 24, and the subtraction output Sc is obtained from the subtracter 24.

第1及び第2の光検出器12及び13の夫々の上にスポ
ットを形成する反射レーザ光ビームLrは、光ディスク
18の記録トラック18aに入射するレーザ光ビームL
iがジャスト・フォーカス状態にあるとき、プリズム1
6内に形成される第1の光検出器12から第2の光検出
器13に至る光路上における中間位置に集束点を有する
ものとされ、また、レーザ光ビームLiがオーバー・フ
ォーカス状態にあるとき、プリズム16内に形成される
第1の光検出器12から第2の光検出器13に至る光路
上における中間位置より第1の光検出器12側の位置に
集束点を有し、さらに、レーザ光ビームLiがアンダー
・フォーカス状態にあるとき、プリズム16内に形成さ
れる第1の光検出器12から第2の光検出器13に至る
光路上における中間位置より第2の光検出器13側の位
置に集束点を有するものとされる。このため、第1及び
第2の光検出器12及び13の夫々におけるスポットは
、レーザ光ビームLiがジャスト・フォーカス状態にあ
るとき、互いに等しい寸法を有し、また、レーザ光ビー
ムLiがオーバー・フオ−カス状態にあるとき、第1の
光検出器12におけるスポットがジャスト・フォーカス
状態時より小となるとともに、第2の光検出器13にお
けるスポットがジャスト・フォーカス状態時より大とな
り、さらに、レーザ光ビームLiがアンダー・フォーカ
ス状態にあるとき、第1の光検出器12におけるスポッ
トがジャスト・フォーカス状態時より大となるとともに
、第2の光検出器13におけるスポットがジャスト・フ
ォーカス状態時より小となる。
The reflected laser beam Lr forming a spot on each of the first and second photodetectors 12 and 13 is a laser beam Lr that is incident on the recording track 18a of the optical disc 18.
When i is in just focus, prism 1
The laser beam Li has a convergence point at an intermediate position on the optical path from the first photodetector 12 to the second photodetector 13 formed in the laser beam 6, and the laser beam Li is in an over-focus state. When the prism 16 has a convergence point at a position closer to the first photodetector 12 than an intermediate position on the optical path from the first photodetector 12 to the second photodetector 13, and , when the laser beam Li is in an under-focus state, a second photodetector is detected from an intermediate position on the optical path formed in the prism 16 from the first photodetector 12 to the second photodetector 13. The focusing point is assumed to be at the position on the 13 side. Therefore, the spots on each of the first and second photodetectors 12 and 13 have the same dimensions when the laser beam Li is in the just focus state, and when the laser beam Li is in the over-focus state, In the focus state, the spot on the first photodetector 12 is smaller than in the just focus state, and the spot on the second photodetector 13 is larger than in the just focus state, and further, When the laser beam Li is under focus, the spot on the first photodetector 12 is larger than when it is in just focus, and the spot on second photodetector 13 is larger than when it is in just focus. becomes small.

従って、上述の減算出力Sa及びsbは、夫々、第6図
において一点鎖線及び破線にて示される如くに、レーザ
光ビームLiの光ディスク18の記録トラック18aに
おけるフォーカス状態に応じたレベル変化を有するもの
となる。それにより、減算出力Scは、第6図において
実線にて示される如くに、レーザ光ビームLiが光デイ
スク1日の記録トラック18aにおいてジャスト・フォ
ーカス状態にあるときそのレベルを零とし、オーバー・
フォーカス状態にあるときとアンダー・フォーカス状態
にあるときとでは、極性を異にするレベルを対称的にと
るものとなり、フォーカス・エラー信号とされる。
Therefore, the above-mentioned subtraction outputs Sa and sb have level changes depending on the focus state of the laser beam Li on the recording track 18a of the optical disk 18, as shown by the dashed line and dashed line in FIG. 6, respectively. becomes. Thereby, as shown by the solid line in FIG. 6, the subtraction output Sc takes the level to zero when the laser beam Li is in the just-focus state on the recording track 18a of the first day of the optical disk, and reduces the level to over
In the focused state and in the under-focused state, levels with different polarities are taken symmetrically and are used as a focus error signal.

上述の第4図に示される光学ピックアップ装置は、その
部分拡大図である第7図に示される如くの詳細構成をと
るものとされている。即ち、半導体基Fill上に設け
られた保護膜15は、例えば、5i02 (酸化シリコ
ン)で形成された第1の層15aとその上に5iJa 
(シリコンナイトライド)で形成された第2の層15b
とから成る2層構造を有するものとされており、斯かる
保護膜15を形成する第2の層15b上に、プリズム1
6が接着剤層25によって固定されている。そして、プ
リズム16の保護IIU15に対向する下面16bにお
ける第1の光検出器12に対応する部分には、例えば、
10層程度とされる多層光半透過膜26が、真空蒸着手
法により形成されている。
The optical pickup device shown in FIG. 4 described above has a detailed configuration as shown in FIG. 7, which is a partially enlarged view. That is, the protective film 15 provided on the semiconductor substrate Fill includes, for example, a first layer 15a formed of 5i02 (silicon oxide) and a layer of 5iJa formed thereon.
Second layer 15b formed of (silicon nitride)
The prism 1 is placed on the second layer 15b forming the protective film 15.
6 is fixed by an adhesive layer 25. For example, in the portion corresponding to the first photodetector 12 on the lower surface 16b of the prism 16 facing the protection IIU 15,
A multilayer light semi-transmissive film 26 having approximately 10 layers is formed by vacuum deposition.

そして、プリズム16の光半透過反射面16aを透過し
てプリズム16内に入射した反射レーザ光ビームLrは
、プリズム16内を進んで多層光半透過膜26に入射し
、多層光半透過膜26により、その一部分が多層光半透
過膜26を透過し、さらに、接着剤層25及び保護膜1
5を透過して第1の光検出器12に到達するものとされ
、また、他の一部分が多層光半透過膜26においてプリ
ズム16の内部側に反射され、さらに、プリズム16の
上面16cにおいて再度プリズム16の内部側に反射さ
れ、その後、接着剤層25及び保護膜15を透過して第
2の光検出器13に到達するものとされる。即ち、この
場合、プリズム16内に入射した反射レーザ光ビームL
rの第1及び第2の光検出器12及び13の夫々への分
配が、プリズム16の下面16bに設けられた多層光半
透過膜26によって行われるのである。
Then, the reflected laser light beam Lr that has passed through the light semi-transmissive reflective surface 16a of the prism 16 and entered the prism 16 travels through the prism 16 and enters the multilayer light semi-transmissive film 26. As a result, a part of the light passes through the multilayer light semi-transparent film 26, and further passes through the adhesive layer 25 and the protective film 1.
5 and reaches the first photodetector 12, and another part is reflected to the inside of the prism 16 at the multilayer light semi-transparent film 26, and is reflected again at the upper surface 16c of the prism 16. The light is reflected inside the prism 16 and then passes through the adhesive layer 25 and the protective film 15 to reach the second photodetector 13. That is, in this case, the reflected laser beam L incident on the prism 16
Distribution of r to each of the first and second photodetectors 12 and 13 is performed by a multilayer light semi-transmissive film 26 provided on the lower surface 16b of the prism 16.

D 発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述の如(に、その下面16bに多層光
半透過膜26が設けられたプリズム16が使用される集
積型光学ピ・ンクアップ装置においては、それに組み込
まれるプリズム16の作製にあたり、プリズム16に対
して、例えば、真空蒸着手法により光半透過膜を多数回
重ねて形成して多層光半透過膜26を設ける工程が伴わ
れ、そのため、多層光半透過膜26を有したプリズム1
6の作製コストが著しく嵩むことになり、また、保護膜
15が、例えば、SiO2の層とSj 3N、の層とが
積層された2層構造をとるものとされていて、Si3N
4の層の形成時における膜厚の均一化に困難が伴われる
ことになって、装置が高価なものとなってしまう不都合
がある。
D Problems to be Solved by the Invention However, as described above, in the integrated optical pickup device in which the prism 16 whose lower surface 16b is provided with the multilayer light transmissive film 26 is used, the prism incorporated therein is 16, a step is involved in forming the multilayer light semi-transmissive film 26 by stacking the light semi-transparent film 26 on the prism 16 many times using, for example, a vacuum evaporation method. Prism 1 with
In addition, the protective film 15 is supposed to have a two-layer structure in which, for example, a layer of SiO2 and a layer of Sj3N are laminated;
It is difficult to make the film thickness uniform during the formation of layer No. 4, resulting in an inconvenience that the apparatus becomes expensive.

斯かる点に鑑み、本発明は、半導体基板に第1及び第2
の光検出器が形成されるとともにその半導体基板上に半
導体レーザ素子と光半透過反射面番有するプリズムとが
配されて構成され、プリズムの光半透過反射面が、半導
体レーザ素子から発せられたレーザ光ビームを光ディス
ク等の記録媒体側へと反射させて記録媒体に入射せしめ
られるようになすとともに、記録媒体側からのレーザ光
ビームを透過させて第1及び第2の光検出器の夫々に導
かれるようになして、第1及び第2の光検出器から記録
媒体側からのレーザ光ビームに応じた検出出力を得るも
のとされ、その際、多層光半透過膜等が設けられること
を要さない比較的安価に得られるプリズムが用いられる
と共に、製造が容易とされる構造をもって、光半透過反
射面を透過してプリズム内に入射した記録媒体側からの
レーザ光ビームの、第1及び第2の光検出器の夫々への
分配を適正に行うことができる光学ピックアップ装置を
提供することを目的とする。
In view of the above, the present invention provides a semiconductor substrate with first and second
A photodetector is formed, and a semiconductor laser element and a prism having a semi-transmissive and reflective surface are arranged on the semiconductor substrate, and the semi-transmissive and reflective surface of the prism detects the light emitted from the semiconductor laser element. The laser beam is reflected toward a recording medium such as an optical disk so as to be incident on the recording medium, and the laser beam from the recording medium is transmitted to each of the first and second photodetectors. The laser beam is guided from the first and second photodetectors to obtain a detection output corresponding to the laser beam from the recording medium side. In addition to using a prism that can be obtained at a relatively low cost and having a structure that is easy to manufacture, the first laser beam from the recording medium side that has passed through the light semi-transmissive reflective surface and entered the prism. It is an object of the present invention to provide an optical pickup device that can properly distribute light to a second photodetector and a second photodetector.

E 課題を解決するための手段 上述の目的を達成すべく、本発明に係る光学ピックアッ
プ装置は、半導体基板上に配された半導体レーザ素子と
、その半導体基板に形成された第1及び第2の光検出器
と、半導体基板における少なくとも第1及び第2の光検
出器が形成された部分を覆うべく配された保護膜部と、
保護膜部における第1の光検出器に対応する部分を覆う
べく配された光半透過膜部と、少なくとも保護膜部上に
形成された接着層部と、光半透過膜及び接着層部上に配
され、半導体レーザ素子に対向する面が、半導体基板の
半導体レーザ素子が配された面に対して所定の角度をも
って傾斜せしめられた光半透過反射面となされたプリズ
ムとを備え、光半透過反射面が、上記半導体レーザ素子
から発せられたレーザ光ビームを記録媒体側へと反射さ
せるとともに、記録媒体側からのレーザ光ビームを透過
させるものとされ、また、保護膜部と光半透過膜部とが
、プリズムに光半透過反射面を透過して入射し、プリズ
ムを通過したレーザ光ビームの略1/2を第1の光検出
器に到達させるとともに、他の略1/2をプリズムの内
部側に反射させ、かつ、プリズムの表面部でさらに反射
してプリズムを通過した上述の他の略1/2の大部分を
第2の光検出器に到達させるべく、その材質及び厚みが
選定されたものとされて、構成される。
E. Means for Solving the Problems In order to achieve the above-mentioned object, an optical pickup device according to the present invention includes a semiconductor laser element disposed on a semiconductor substrate, and first and second laser elements formed on the semiconductor substrate. a photodetector; a protective film portion disposed to cover a portion of the semiconductor substrate where at least the first and second photodetectors are formed;
a light semi-transparent film part disposed to cover a portion of the protective film part corresponding to the first photodetector; an adhesive layer part formed at least on the protective film part; and a light semi-transparent film part and the adhesive layer part formed on the protective film part. and a prism whose surface facing the semiconductor laser element is an optical transmissive reflective surface inclined at a predetermined angle with respect to the surface of the semiconductor substrate on which the semiconductor laser element is arranged. The transmissive/reflective surface reflects the laser beam emitted from the semiconductor laser element toward the recording medium side, and transmits the laser beam from the recording medium side. The film portion enters the prism through the light transmissive reflective surface, and allows approximately 1/2 of the laser beam that has passed through the prism to reach the first photodetector, and transmits approximately the other 1/2. The material and thickness of the material are determined so that most of the above-mentioned approximately 1/2 that passes through the prism is reflected to the inside of the prism, further reflected on the surface of the prism, and reaches the second photodetector. are selected and configured.

F作用 このような構成を有する本発明に係る光学ピックアップ
装置においては、半導体レーザ素子から発せられたレー
ザ光ビームが、プリズムの光半透過反射面において記録
媒体側へと反射され、記録媒体に入射せしめられる。そ
して、記録媒体からの反射レーザ光ビームが、プリズム
の光半透過反射面を透過してプリズム内に入射する。プ
リズム内に入射した反射レーザ光ビームは、プリズムを
通過して光半透過膜部から保護膜部へと入射し、これら
光半透過膜部と保護膜部とにより、その略1/2が光半
透過膜部と保護膜部とを透過して半導体基板に形成され
た第1の光検出器に到達するものとされ、また、他の略
1/2が光半透過膜部と保護部においてプリズムの内部
側に反射され、さらに、プリズム内において反射されて
、接着層部と保護膜部とを透過し、半導体基板に形成さ
れた第2の光検出器に到達するものとされる。そして、
第1及び第2の光検出器の夫kから、反射レーザ光ビー
ムに応じた検出出力が得られる。
F effect In the optical pickup device according to the present invention having such a configuration, the laser beam emitted from the semiconductor laser element is reflected toward the recording medium at the semi-transparent reflecting surface of the prism, and is incident on the recording medium. I am forced to do it. Then, the reflected laser beam from the recording medium passes through the semi-transparent reflective surface of the prism and enters the prism. The reflected laser beam that has entered the prism passes through the prism and enters the protective film from the semi-transmissive film, and approximately half of the beam is reflected by the semi-transmissive film and the protective film. It is assumed that the light passes through the semi-transparent film part and the protective film part and reaches the first photodetector formed on the semiconductor substrate, and approximately the other half of the light passes through the semi-transparent film part and the protective film part. The light is reflected to the inside of the prism, further reflected within the prism, transmitted through the adhesive layer section and the protective film section, and reaches the second photodetector formed on the semiconductor substrate. and,
Detection outputs corresponding to the reflected laser light beams are obtained from the first and second photodetectors.

従って、プリズム内に入射した反射L/−ザ光ビームの
第1の光検出器及び第2の光検出器の夫々への分配が、
半導体基板に設けられる保護膜部が利用され、さらに、
保護膜部上に第1の光検出器に対応して配された光半透
過膜部が用いられて行われることになり、それにより、
多層光半透過膜が設けられた高価なプリズム等の使用や
、半導体基板を覆う保護膜部を2層に形成することが不
要とされて、製造コストの大幅な低減が図られる。
Therefore, the distribution of the reflected L/-the light beam incident into the prism to the first photodetector and the second photodetector is as follows:
A protective film section provided on the semiconductor substrate is utilized, and further,
This is carried out by using a light semi-transmissive film section disposed on the protective film section in correspondence with the first photodetector, and as a result,
It is not necessary to use an expensive prism or the like provided with a multilayer light transmissive film, or to form a two-layer protective film portion covering the semiconductor substrate, resulting in a significant reduction in manufacturing costs.

G 実施例 第1図は、本発明に係る光学ピックアップ装置の一例を
概略的に示す。この例も、記録媒体とし、例えば、光デ
ィスクを選択するものとされ、光ディスクとの関係は、
上述の第4図に示される光学ピックアップ装置の場合と
同様なものとされる。
G. Embodiment FIG. 1 schematically shows an example of an optical pickup device according to the present invention. In this example, the recording medium is also an optical disc, and the relationship with the optical disc is as follows:
This is similar to the case of the optical pickup device shown in FIG. 4 described above.

゛第1図に示される例においては、半導体基板31の内
部に第1及び第2の光検出器32及び33が配列形成さ
れ、また、半導体基板31の上面31aに半導体レーザ
素子34が錫半田35により半田付けされて配置されて
いる。そして、半導体基板31の上面31aが、錫半田
35が配された部分を除いて保護膜41によって覆われ
ている。
In the example shown in FIG. 1, first and second photodetectors 32 and 33 are arranged inside a semiconductor substrate 31, and a semiconductor laser element 34 is soldered on the upper surface 31a of the semiconductor substrate 31. 35 is soldered and arranged. The upper surface 31a of the semiconductor substrate 31 is covered with a protective film 41 except for the portion where the tin solder 35 is disposed.

保護膜41は、略均−な厚みを有し、平坦な表面を形成
するものとされていて、例えば、半導体基板31の上面
31aを他の部材による浸食から保護する役割を果たす
べく、屈折率を略1.46とするSiO□によって形成
されて、その厚みが、例えば、略4500人に選定され
る。そして、保護膜41の上面には、保護膜41におけ
る第1の光検出器32に対応する部分を覆うものとされ
た光半透過膜42が配されている。この光半透過膜42
は、例えば、屈折率を略2.10とするSi3N、によ
って形成され、その厚みが、例えば、略4900人に選
定される。
The protective film 41 has a substantially uniform thickness and a flat surface, and has a refractive index, for example, in order to protect the upper surface 31a of the semiconductor substrate 31 from erosion by other members. It is formed of SiO□ with a thickness of about 1.46, and its thickness is selected to be, for example, about 4,500. Further, on the upper surface of the protective film 41, a light semi-transmissive film 42 is disposed to cover a portion of the protective film 41 corresponding to the first photodetector 32. This light semi-transparent film 42
is formed of, for example, Si3N having a refractive index of approximately 2.10, and its thickness is selected to be, for example, approximately 4900 mm.

さらに、保護膜41における第1及び第2の光検出器3
2及び33の上方となる位置には、プリズム36が、保
jl膜41及び光半透過膜42を覆う、その屈折率を略
1.56とするエポキシ樹脂系の接着剤で形成される接
着層43を介して固定されている。プリズム36は、半
導体レーザ素子34に対向する面が、半導体基板31の
上面31aに対して傾斜しており、また、先手透過反射
膜が設けられて、光半透過反射面36aを形成するもの
とされている。
Furthermore, the first and second photodetectors 3 in the protective film 41
At a position above 2 and 33, the prism 36 has an adhesive layer formed of an epoxy resin adhesive having a refractive index of approximately 1.56 and covering the lubricant film 41 and the light semi-transparent film 42. 43. The surface of the prism 36 facing the semiconductor laser element 34 is inclined with respect to the upper surface 31a of the semiconductor substrate 31, and is provided with a first transmission reflection film to form a light semi-transmission reflection surface 36a. has been done.

このようなもきで、半導体レーザ素子34がら発せられ
るレーザ光ビームLi”が、プリズム36の光半透過反
射面36aで反射され、第4図に示される光ディスク1
8と同様に配された光ディスクの記録トラックに入射せ
しめられるとともに、斯かる光ディスクの記録トラック
がらの反射レーザ光ビームLr’が、プリズム36の光
半透過反射面36aを透過してプリズム36内に入射す
るものとされる。そして、半導体レーザ素子34は、発
生するレーザ光ビームLX°の波長を、例えば、780
r++++とするものとされ、また、プリズム36の光
半透過反射面36aを透過してプリズム36内に入射す
る反射レーザ光ビームLr’が、例えば、S偏光となる
ように設定される。
In this way, the laser beam Li" emitted from the semiconductor laser element 34 is reflected by the semi-transparent reflective surface 36a of the prism 36, and the optical disc 1 shown in FIG.
The laser light beam Lr' reflected from the recording track of the optical disc is incident on the recording track of the optical disc arranged in the same manner as in 8, and the reflected laser light beam Lr' from the recording track of the optical disc passes through the light transmissive reflective surface 36a of the prism 36 and enters the prism 36. is assumed to be incident. The semiconductor laser element 34 then adjusts the wavelength of the generated laser beam LX° to, for example, 780°.
r+++++, and the reflected laser light beam Lr' that passes through the light transmissive reflection surface 36a of the prism 36 and enters the prism 36 is set to be, for example, S-polarized light.

プリズム36内に入射した反射レーザ光ビームLr”は
、プリズム36を通過してその下面36bから出射し、
接着層43を通過した後、第1の光検出器32の上方に
おいて光半透過膜42と保fJM41とで形成される光
路形成部分に入射する。
The reflected laser beam Lr'' that entered the prism 36 passes through the prism 36 and exits from its lower surface 36b,
After passing through the adhesive layer 43, the light enters an optical path forming portion formed by the light semi-transmissive film 42 and the f/JM 41 above the first photodetector 32.

その際、この光路形成部分に対する反射レーザ光ビーム
Lr’ の入射角θ1が、略17〜27度となるように
設定される。
At this time, the incident angle θ1 of the reflected laser beam Lr' with respect to this optical path forming portion is set to approximately 17 to 27 degrees.

上述の如くに、5iOzによって形成されて略4500
人の厚みを有するものとされた保護膜41と、Si3N
4によって形成されて略4900人の厚みを有するもの
とされた光半透過膜42とで構成される光路形成部分は
、波長を780nmとするS偏光とされた反射レーザ光
ビームLr’に対して、第2図における曲線XIにより
示される如くの、入射角θ1と透過率Tとの関係を提供
するものとなる。そして、斯かる関係からして、入射角
θ1が略17〜27度となるようにされたもとにおいて
、上述の光路形成部分における反射レーザ光ビーム1、
r。
As mentioned above, it is formed by 5iOz and approximately 4500
A protective film 41 having a human thickness and a Si3N
4 and has a thickness of approximately 4,900 nm, the optical path forming portion is configured to form a light path forming portion with a light semi-transmissive film 42 formed by 4 and having a thickness of approximately 4,900 nm. , provides the relationship between the incident angle θ1 and the transmittance T as shown by the curve XI in FIG. Based on this relationship, with the incident angle θ1 set to approximately 17 to 27 degrees, the reflected laser beam 1 at the optical path forming portion described above,
r.

の透過率Tは50%前後とされる。The transmittance T is approximately 50%.

従って、保護膜41と光半透過膜42とで形成される光
路形成部分に入射した反射レーザ光ビームLr’ は、
その略1/2が光路形成部分を透過して第1の光検出器
32に到達し、また、他の略1/2がこの光路形成部分
において反射され、接着層43を通過して、プリズム3
6の下面36bがらその内部に再度入射する。プリズム
36にその下面36bから入射した、略1/2とされた
反射レーザ光ビームLr’ の一部は、プリズム36の
内部をその上面36cにおいて反射して進み、再び、そ
の下面36bから出射し、第2の光検出器33の上方に
おいて接着層43を通過して保護膜41に入射する。そ
の際、この保護膜41に対する反射レーザ光ビームLr
’ の一部の入射角θ2は略17〜27度となる。
Therefore, the reflected laser light beam Lr' incident on the optical path forming portion formed by the protective film 41 and the light semi-transparent film 42 is
Approximately 1/2 of the light passes through the optical path forming portion and reaches the first photodetector 32, and approximately 1/2 of the light is reflected at the optical path forming portion, passes through the adhesive layer 43, and forms the prism. 3
The light enters the inside of the cell again through the lower surface 36b of the cell. A portion of the reflected laser beam Lr', which is reduced to approximately 1/2 and enters the prism 36 from its lower surface 36b, travels through the prism 36 by being reflected at its upper surface 36c, and then exits from its lower surface 36b again. , passes through the adhesive layer 43 above the second photodetector 33 and enters the protective film 41 . At that time, the reflected laser light beam Lr to this protective film 41
The incident angle θ2 of a portion of ' is approximately 17 to 27 degrees.

上述の如くに、5i02によって形成されて略4500
人の厚みを有するものとされた保護膜41は、波長を7
80nmとするS偏光とされた反射レーザ光ビームLr
’に対して、第3図における曲線X2により示される如
くの、入射角θ2と透過率Tとの関係を提供するものと
なる。そして、斯かる関係からして、入射角θ2が略1
7〜27度となるようにされたもとにおいては、保護膜
41における略1/2とされた反射レーザ光ビームLr
”の一部の透過率Tは略80%とされる。
As mentioned above, it is formed by 5i02 and approximately 4500
The protective film 41, which has a human thickness, has a wavelength of 7
Reflected laser beam Lr with S polarization of 80 nm
', the relationship between the incident angle θ2 and the transmittance T is provided as shown by the curve X2 in FIG. Based on this relationship, the incident angle θ2 is approximately 1.
In the case where the angle is set to 7 to 27 degrees, the reflected laser light beam Lr, which is approximately 1/2 of the angle at the protective film 41,
The transmittance T of a portion of " is approximately 80%.

従って、第2の光検出器33の−L方において保護M4
xに入射した、略1/2とされた反射レーザ光ビームL
r“の一部は、その大部分が保護膜41を透過して第2
の光検出器33に到達することになる。
Therefore, on the -L side of the second photodetector 33, the protection M4
Reflected laser beam L incident on x and reduced to approximately 1/2
Most of the part of r" passes through the protective film 41 and enters the second
The light reaches the photodetector 33 of .

このようにして、第1図に示される例においては、プリ
ズム36内に入射した反射レーザ光ビームLr’が、光
半透過膜42と保護膜41とにより、第1の光検出器3
2及び第2の光検出器33の夫々に、略1/2ずつ分配
されることになり、第1及び第2の光検出器32及び3
3の夫々から、反射レーザ光ビームLr″に応じた検出
出力が得られて、それらに基づいて情報読取信号、トラ
ッキング・エラー信号、フォーカス・エラー信号等が形
成される。
In this way, in the example shown in FIG.
approximately 1/2 is distributed to each of the first and second photodetectors 32 and 33.
Detection outputs corresponding to the reflected laser beam Lr'' are obtained from each of the detection outputs 3 and 3, and an information read signal, a tracking error signal, a focus error signal, etc. are formed based on the detection outputs.

なお、斯かる例においても、反1ル−ザ光ビームLr゛
は、光ディスクの記録トラックに入射するレーザ光ビー
ムLi“がジャスト・フォーカス状態にあるとき、プリ
ズム36内に形成される第1の光検出器32から第2の
光検出器33に至る光路上における中間位置に集束点を
有するものとされ、また、レーザ光ビームLi“がオー
バー・フォーカス状態にあるとき、プリズム36内に形
成される第1の光検出器32から第2の光検出器33に
至る光路上における中間位置より第1の光検出器32側
の位置に集束点を有し、さらに、レーザ光ビームLi°
がアンダー・フォーカス状態にあるとき、プリズム36
内に形成される第1の光検出器32から第2の光検出器
33に至る光路上における中間位置より第2の光検出器
33側の位置に集束点を有するものとされる。また、第
1及び第2の光検出器32及び33は、夫々、第5図に
示される第1及び第2の光検出器12及び13と同様に
形成されるものとされる。従って、この例においても、
前述の第4図及び第7図に示される光学ピックアップ装
置の場合と同様にしてフォーカス・エラー信号が形成さ
れる。
In this example as well, the anti-1 laser light beam Lr' is the first laser light beam formed in the prism 36 when the laser light beam Li' incident on the recording track of the optical disk is in the just focus state. It has a convergence point at an intermediate position on the optical path from the photodetector 32 to the second photodetector 33, and when the laser beam Li'' is in an over-focus state, it is formed in the prism 36. The laser light beam Li
is under focus, the prism 36
The convergence point is located at a position closer to the second photodetector 33 than an intermediate position on the optical path from the first photodetector 32 to the second photodetector 33 formed inside. Further, the first and second photodetectors 32 and 33 are formed similarly to the first and second photodetectors 12 and 13 shown in FIG. 5, respectively. Therefore, in this example as well,
A focus error signal is formed in the same manner as in the case of the optical pickup device shown in FIGS. 4 and 7 described above.

H発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る光学ピック
アップ装置によれば、半導体基板に第1及び第2の光検
出器が形成されるとともにその半導体基板上に半導体L
ノーザ素子と光半透過反射面を有するプリズムとが配さ
れた構成のもとに、プリズムの光半透過反射面により、
半導体レーザ素子から発せられたレーザ光ビームを光デ
ィスク等の記録媒体側へと反射させて記録媒体に入射せ
しめられるようになすとともに、記録媒体側からのレー
ザ光ビームを透過させて第1及び第2の光検出器の夫々
に導かれるようになし、第1及び第2の光検出器から記
録媒体側からのレーザ光ビームに応じた検出出力を得る
にあたり、プリズム内に入射した反射レーザ光ビームの
第1の光検出器及び第2の光検出器の夫々への適正な分
配が、半導体基板上に形成される保護膜部を利用し、さ
らに、保護膜部上の第1の光検出器に対応する位置にの
み配された光半透過膜部を使用して行えることになり、
従って、多層光半透過膜が設けられた高価なプリズム等
を不要とすることができると共に、半導体基板上に配さ
れる膜部の形成が容易にされ、製造コストの大幅な低減
を図ることができる。
Effects of the Invention H As is clear from the above explanation, according to the optical pickup device of the present invention, the first and second photodetectors are formed on the semiconductor substrate, and the semiconductor L is formed on the semiconductor substrate.
Based on the configuration in which a nose element and a prism having a light semi-transmissive reflective surface are arranged, the light semi-transmissive reflective surface of the prism
The laser beam emitted from the semiconductor laser element is reflected toward the recording medium such as an optical disk so that it is incident on the recording medium, and the laser beam from the recording medium is transmitted to the first and second In order to obtain a detection output corresponding to the laser beam from the recording medium side from the first and second photodetectors, the reflected laser beam that has entered the prism is Appropriate distribution of the first photodetector and the second photodetector to each of the first photodetector and the second photodetector is achieved by utilizing a protective film portion formed on the semiconductor substrate, and further distributing the first photodetector to the first photodetector on the protective film portion. This can be done by using the light semi-transparent film part placed only in the corresponding position.
Therefore, it is possible to eliminate the need for an expensive prism or the like provided with a multilayer light transmissive film, and the formation of the film portion disposed on the semiconductor substrate is facilitated, resulting in a significant reduction in manufacturing costs. can.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る光学ピックアップ装置の一例を示
す断面図、第2図及び第3図は第1図に示される例の作
用の説明に供される特性図、第4図は集積型光学ピック
アップ装置を示す概略構成図、第5図及び第6図は第4
図に示される集積型光学ピックアップ装置におけるフォ
ーカス・エラー信号形成の説明に供される図、第7図は
第4図に示される集積型光学ピックアップ装置の部分拡
大図である。 図中、31は半導体基板、32は第1の光検出器、33
は第2の光検出器、34は半導体レーザ素子、36はプ
リズム、36aは光半透過反射面、41は保護膜、42
は光半透過膜、43は接着層である。 第4図 第5図 アンダー・□  ジャスト° □ フォーカス      フォーカス     フォーカ
スフォーカス・エラー信号 第6図 1゛1 集積型光学ピックアップ装置の部分拡大図第7図
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an optical pickup device according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are characteristic diagrams for explaining the operation of the example shown in FIG. 1, and FIG. 4 is an integrated type A schematic configuration diagram showing the optical pickup device, FIG. 5 and FIG.
FIG. 7 is a partially enlarged view of the integrated optical pickup device shown in FIG. 4, which is used to explain focus error signal formation in the integrated optical pickup device shown in FIG. In the figure, 31 is a semiconductor substrate, 32 is a first photodetector, 33
34 is a second photodetector, 34 is a semiconductor laser element, 36 is a prism, 36a is a light transmissive reflective surface, 41 is a protective film, 42
4 is a light semi-transparent film, and 43 is an adhesive layer. Figure 4 Figure 5 Under/□ Just° □ Focus Focus Focus Focus Error Signal Figure 6 1゛1 Partially enlarged view of integrated optical pickup device Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】 半導体基板上に配された半導体レーザ素子と、上記半導
体基板に形成された第1及び第2の光検出器と、上記半
導体基板における少なくとも上記第1及び第2の光検出
器が形成された部分を覆うべく配された保護膜部と、該
保護膜部における上記第1の光検出器に対応する部分を
覆うべく配された光半透過膜部と、少なくとも上記保護
膜部上に形成された接着層部と、該接着層部及び上記光
半透過膜部上に配され、上記半導体レーザ素子に対向す
る面が、上記半導体基板の上記半導体レーザ素子が配さ
れた面に対して所定の角度をもって傾斜せしめられた光
半透過反射面となされたプリズムとを備えて構成され、 上記光半透過反射面が、上記半導体レーザ素子から発せ
られたレーザ光ビームを記録媒体側へと反射させるとと
もに、上記記録媒体側からのレーザ光ビームを透過させ
るものとされ、また、上記光半透過膜部及び保護膜部と
が、上記プリズムに上記光半透過反射面を透過して入射
し、上記プリズムを通過したレーザ光ビームの略1/2
を上記第1の光検出器に到達させるとともに、上記レー
ザ光ビームの他の略1/2を上記プリズムの内部側に反
射させ、かつ、上記プリズムの表面部でさらに反射して
上記プリズムを通過した上記レーザ光ビームの上記他の
略1/2の大部分を上記第2の光検出器に到達させるべ
く、その材質及び厚みが選定されたものとされることを
特徴とする光学ピックアップ装置。
[Scope of Claims] A semiconductor laser element disposed on a semiconductor substrate, first and second photodetectors formed on the semiconductor substrate, and at least the first and second photodetectors on the semiconductor substrate. a protective film portion disposed to cover a portion where the container is formed; a light semi-transparent film portion disposed to cover a portion of the protective film portion corresponding to the first photodetector; and at least the protective film. an adhesive layer portion formed on the semiconductor substrate; and a surface disposed on the adhesive layer portion and the light semi-transmissive film portion and facing the semiconductor laser device is a surface of the semiconductor substrate on which the semiconductor laser device is disposed. The light semi-transmissive reflective surface is tilted at a predetermined angle with respect to the prism, and the semi-transparent reflective surface directs the laser beam emitted from the semiconductor laser element toward the recording medium side. The laser light beam from the recording medium side is transmitted through the prism, and the semi-transmissive film portion and the protective film portion transmit the semi-transmissive reflective surface to the prism. Approximately 1/2 of the laser beam that entered and passed through the prism
reaches the first photodetector, and the other approximately half of the laser beam is reflected to the inside of the prism, further reflected on the surface of the prism, and passed through the prism. The optical pickup device is characterized in that the material and thickness of the optical pickup device are selected so that most of the other approximately 1/2 of the laser beam obtained by the laser beam reaches the second photodetector.
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EP0550036A2 (en) * 1991-12-27 1993-07-07 Sony Corporation Optical apparatus
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0550036A2 (en) * 1991-12-27 1993-07-07 Sony Corporation Optical apparatus
EP0550036B1 (en) * 1991-12-27 1998-10-21 Sony Corporation Optical apparatus
US6290134B1 (en) 1994-07-19 2001-09-18 Psc Scanning, Inc. Compact scanner module mountable to pointing instrument
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