JPH01199431A - Wafer carrier cleaning device - Google Patents
Wafer carrier cleaning deviceInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造において複数のウェハを一括
して搬送するためのウェハキャリアを洗浄するためのウ
ェハキャリア洗浄装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a wafer carrier cleaning apparatus for cleaning a wafer carrier for collectively transporting a plurality of wafers in the manufacture of semiconductor devices.
本発明は、ウェハキャリアを回転手段にセットして、ウ
ェハキャリアを回転させながらノズルからの液体等によ
りウェハキャリアを洗浄するウェハキャリア洗浄装置に
おいて、そのノズルからは界面活性剤と純水と乾燥気体
が供給されるものとし、供給される液体及び気体と回転
速度とがそれぞれ異なるような第１〜第３の動作を行う
ことにより、効率の良いウェハキャリアの洗浄を実現す
るものである。The present invention provides a wafer carrier cleaning device that cleans the wafer carrier with liquid etc. from a nozzle while rotating the wafer carrier by setting the wafer carrier on a rotating means. By performing the first to third operations in which the supplied liquid and gas are different from each other at different rotational speeds, efficient cleaning of the wafer carrier is realized.
半導体集積回路の製造工程においては、半導体ウェハを
収納して搬送するためのウェハキャリアが用いられてい
る。このうちエツチング等のウェットプロセスでは、主
に弗素樹脂等を用いたウェハキャリアが用いられている
。In the manufacturing process of semiconductor integrated circuits, wafer carriers are used to house and transport semiconductor wafers. Among these, in wet processes such as etching, wafer carriers mainly made of fluororesin or the like are used.
従来、この弗素樹脂等を用いたウェハキャリアの洗浄方
法としては、ブラシ洗浄、高圧ジェット洗浄、酸・アル
カリ浸漬洗浄、低圧スプレー洗浄等が用いられている。Conventionally, brush cleaning, high pressure jet cleaning, acid/alkali immersion cleaning, low pressure spray cleaning, etc. have been used as methods for cleaning wafer carriers using this fluororesin or the like.
このうち、高圧ジェット洗浄では、ｎ−メチル−２−ピ
ロリデイン（ＮＭＰ）と純水とを順次用いて洗浄を行っ
ている。また、ブラシ洗浄や酸・アルカリ浸漬洗浄では
、硫酸及び過酸化水素の水溶液と純水とを順次用いて洗
浄を行っている。さらに、低圧スプレー洗浄等では、例
えばパラノニルフヱニルポリエチレングリコールのよう
な界面活性剤と純水の混合液を用いて洗浄を行っている
。Among these, in high-pressure jet cleaning, n-methyl-2-pyrrolidine (NMP) and pure water are sequentially used for cleaning. Further, in brush cleaning and acid/alkali immersion cleaning, cleaning is performed using an aqueous solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and pure water in sequence. Furthermore, in low-pressure spray cleaning and the like, a mixture of a surfactant such as paranonylphenyl polyethylene glycol and pure water is used for cleaning.
しかしながら、酸、アルカリ、有機溶剤等を用いるウェ
ハキャリアの洗浄方法では、それだけの付帯設備、廃液
処理等が必要になり、また低コストの設備では安全性の
面からも十分ではない。However, wafer carrier cleaning methods using acids, alkalis, organic solvents, etc. require additional equipment, waste liquid treatment, etc., and low-cost equipment is not sufficient from the safety standpoint.
界面活性剤を用いる洗浄方法では、その点で安全性も高
く、ウェハキャリア洗浄装置自体も安価にできる。しか
し、単に界面活性剤と純水を組み合わせて洗浄するだけ
では、十分な洗浄効果を得ることが困難であり、また、
短時間での洗浄も容易ではない。In this respect, the cleaning method using a surfactant is highly safe, and the wafer carrier cleaning apparatus itself can be made inexpensive. However, it is difficult to obtain a sufficient cleaning effect by simply cleaning with a combination of surfactant and pure water;
Cleaning in a short period of time is also not easy.
そこで、本発明は上述の技術的な課題に鑑み、効率の良
いウェハキャリアの洗浄を行うようなウェハキャリア洗
浄装置を従供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned technical problems, an object of the present invention is to provide a wafer carrier cleaning device that can efficiently clean a wafer carrier.
［課題を解決するための手段］
上述の目的を達成するために、本発明のウェハキャリア
洗浄装置は、まず、少なくとも液体界面活性剤と純水と
乾燥気体を供給するノズルと、そのノズルを中ｒＣ，−
４こしてウェハキャリアを回転させる回転手段を有して
いる。そして、本発明のウェハキャリア洗浄装置は、少
なくとも上記界面活性剤と上記乾燥気体を供給して、上
記回転手段を第１の回転速度で動作させて上記ウェハキ
ャリアに上記界面活性剤を塗布する第１の動作と、上記
界面活性剤の供給を止めて、上記回転手段を所定回転速
度で動作させて上記純水を供給する第２の動作と、上記
純水の供給を止めて、上記回転手段を上記第１の回転速
度よりも高速な第２の回転速度で回転して乾燥気体を供
給する第３の動作を行うことを特徴としている。上記各
第１〜第３の動作は、コンピューターとの組合せにより
、液体界面活性剤、純水、乾燥気体の各配管の断続を制
御する各パルプと、上記回転手段の駆動装置とを連動さ
せるようにして行うことができ、予め手順に対応してプ
ログラムを行い自動的な動作を行うようにしても良い。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the wafer carrier cleaning device of the present invention first includes a nozzle for supplying at least a liquid surfactant, pure water, and dry gas, and a nozzle inside the nozzle. rC,-
4. It has a rotating means for rotating the wafer carrier. The wafer carrier cleaning apparatus of the present invention supplies at least the surfactant and the drying gas, and operates the rotating means at a first rotation speed to coat the wafer carrier with the surfactant. a second operation in which the supply of the surfactant is stopped and the rotation means is operated at a predetermined rotational speed to supply the pure water; and a second operation in which the supply of the pure water is stopped and the rotation means is operated at a predetermined rotational speed. It is characterized by performing a third operation of supplying dry gas by rotating at a second rotational speed higher than the first rotational speed. The above-mentioned first to third operations are performed in combination with a computer so that each pulp that controls the connection and disconnection of each piping of liquid surfactant, pure water, and dry gas is linked with the drive device of the rotation means. It is also possible to perform a program corresponding to the procedure in advance to automatically perform the operation.
〔作用］
本発明のウェハキャリア洗浄装置が行う第１〜第３の動
作のうち、まず第１の動作は、キャリアに上記界面活性
剤を塗布するための動作であり、比較的低い回転速度で
行われるため、回転手段に取り付けられたウェハキャリ
アに十分に上記界面活性剤と上記乾燥気体を供給できる
。次に、第２の動作によって、純水だけが供給され、ウ
ェハキャリアがリンスされる。そして、第３の動作によ
って乾燥気体が供給されてウェハキャリアの乾燥が行わ
れるが、この時、比較的高速の回転速度で回転手段が回
転し、純水等の水分が回転の遠心力によって振り切られ
ることになる。[Operation] Among the first to third operations performed by the wafer carrier cleaning apparatus of the present invention, the first operation is an operation for applying the surfactant to the carrier, and is performed at a relatively low rotation speed. Therefore, the surfactant and the drying gas can be sufficiently supplied to the wafer carrier attached to the rotating means. Then, in a second operation, only pure water is supplied to rinse the wafer carrier. Then, in the third operation, drying gas is supplied to dry the wafer carrier, but at this time, the rotating means rotates at a relatively high rotational speed, and moisture such as pure water is shaken off by the centrifugal force of rotation. It will be.
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。 Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図に示すように、本実施例のウェハキャリア洗浄装
置の本体４の内部の構造は、略円筒状の形状であって回
転速度を制御できる回転手段３を有し、゛その回転手段
３の内部側壁部分には、所定の取り付は具（図示せず。As shown in FIG. 1, the internal structure of the main body 4 of the wafer carrier cleaning apparatus of this embodiment has a substantially cylindrical shape and includes a rotating means 3 whose rotational speed can be controlled. The inner side wall portion of the unit is provided with predetermined fittings (not shown).
）を以てウェハキャリアｌが取り付けられている。この
ウェハキャリア１の開口側であって、上記円筒状の回転
手段の中心側には、回転手段３の上面側から底面側に突
出するようにキャリア洗浄用ポスト２が設けられている
。キャリア洗浄用ポスト２の内部には、管が配設され、
キャリア洗浄用ポスト２の表面には、略直線状に該キャ
リア洗浄用ポスト２の径方向に向かって上記管を通って
供給される液体及び気体を射出できるようなノズル５が
複数設けられている。なお、回転手段３に取り付けるこ
とのできるウェハキャリア１の数はその単数、複数を問
わない。) to which the wafer carrier l is attached. On the opening side of the wafer carrier 1 and on the center side of the cylindrical rotating means, a carrier cleaning post 2 is provided so as to protrude from the top side of the rotating means 3 to the bottom side. A pipe is arranged inside the carrier cleaning post 2,
A plurality of nozzles 5 are provided on the surface of the carrier cleaning post 2 so as to be able to inject liquid and gas supplied through the pipe in a substantially linear direction in the radial direction of the carrier cleaning post 2. . Note that the number of wafer carriers 1 that can be attached to the rotating means 3 does not matter whether it is singular or plural.
このようなキャリア洗浄用ポスト２の各ノズル５に供給
されるは、本実施例では界面活性剤（例えばＮＣＷ−６
０１Ａ、（和光純薬製〕を０．５％（容積比）程度に希
釈したもの。）と、純水と、乾燥気体（例えばドライＮ
Ｚ）である。In this embodiment, a surfactant (for example, NCW-6) is supplied to each nozzle 5 of the carrier cleaning post 2.
01A (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) diluted to about 0.5% (volume ratio)), pure water, and dry gas (for example, dry N
Z).
界面活性剤は、界面活性剤タンク１１から供給され、そ
の界面活性剤タンク１１からの配管１２には、該界面活
性剤タンク１１側から順に流量制御バルブ１３．エア弁
１４．フィルター１５．逆止弁１６が直列に接続されて
いる。その配管１２は、逆止弁１６を通ってエア三方弁
１０に接続する。このエア三方弁１０は、上記キャリア
洗浄用ポスト２へ配管９を介して直結し、従って、界面
活性剤は上記界面活性剤タンク１１からエア三方弁１０
等を通って上記ノズル５から射出或いは噴出され、上記
ウェハキャリア１に塗布されることになる。The surfactant is supplied from a surfactant tank 11, and the piping 12 from the surfactant tank 11 has flow control valves 13. Air valve 14. Filter 15. Check valves 16 are connected in series. The piping 12 is connected to the air three-way valve 10 through a check valve 16. This air three-way valve 10 is directly connected to the carrier cleaning post 2 via piping 9, and therefore, the surfactant is transferred from the surfactant tank 11 to the air three-way valve 10.
The liquid is injected or spouted from the nozzle 5 through the wafer carrier 1, and is applied to the wafer carrier 1.
純水は、純水供給口２１からの配管２２を介し、さらに
配管９を介して上記キャリア洗浄用ポスト２の上記ノズ
ル５に供給される。配管２２には、純水供給口２１の側
から順にエア弁２３．逆止弁２４が接続され、さらにそ
の一部は−Ｆ記エア弁２３の手前で分岐し配管２５とし
て上記エア三方弁１０に至る。その配管２５にも同様な
純水供給口２１の側から順にエア弁２６．逆止弁２７が
接続されている。Pure water is supplied to the nozzle 5 of the carrier cleaning post 2 via a pipe 22 from a pure water supply port 21 and further via a pipe 9. The piping 22 includes air valves 23. A check valve 24 is connected, and a portion thereof branches off before the -F air valve 23 and reaches the air three-way valve 10 as a pipe 25. Air valve 26. A check valve 27 is connected.
乾燥気体は、気体供給口３１からの配管３２を介し、さ
らに配管９を介して上記キャリア洗浄用ポスト２の上記
ノズル５に供給される。配管３２には、気体供給口３１
の側から順にエア弁３３゜フィルター３４．逆止弁３５
が設けられる。図示するように、エア弁３３とフィルタ
ー３４の間にはヒーター３６を設けることができる。The dry gas is supplied to the nozzle 5 of the carrier cleaning post 2 via a pipe 32 from a gas supply port 31 and further via a pipe 9. The piping 32 has a gas supply port 31
Air valve 33° filter 34. Check valve 35
is provided. As shown in the figure, a heater 36 can be provided between the air valve 33 and the filter 34.
本実施例のウェハキャリア洗浄装置では、さらに回転手
段３例の底部ノズル６にも純水及び乾燥気体が供給され
る構造とされる。すなわち、純水供給口４１からは、配
管４２が設けられ、その配管４２はエア弁４３と逆止弁
４４を介して底部ノズル６から純水を噴出することがで
きる。また、乾燥気体については、気体供給口５１から
の配管５２に、エア弁５３．フィルター５４．逆止弁５
５が気体供給口５１側からこの順に設けられ、同様に底
部ノズル６に接続している。In the wafer carrier cleaning apparatus of this embodiment, pure water and dry gas are further supplied to the bottom nozzles 6 of the three rotating means. That is, a pipe 42 is provided from the pure water supply port 41, and the pipe 42 can jet pure water from the bottom nozzle 6 via an air valve 43 and a check valve 44. For dry gas, an air valve 53. Filter 54. Check valve 5
5 are provided in this order from the gas supply port 51 side, and are similarly connected to the bottom nozzle 6.
なお、本体４内の排気は、排気口６１により行われ、液
体の排出はロータリユニオンドレイン６２によって行わ
れる。また、本実施例のウェハキャリア洗浄装置では、
圧縮気体も供給される機構を有しており、供給ロア１か
ら、各エア弁１０゜１４．２３，２６，３３，４３．５
３の制御用に配管７５を介して供給され、フィルター７
２．レギュレーター７３及びゲージ７４等を介した配管
７６により上記界面活性剤タンク１１の液面上部にも供
給される。また、その圧縮気体の一部は、本体カバー（
図示せず。）の開閉用にも配管７７を利用して用いられ
る。Note that the inside of the main body 4 is exhausted through an exhaust port 61, and the liquid is discharged through a rotary union drain 62. In addition, in the wafer carrier cleaning device of this example,
It has a mechanism that also supplies compressed gas, and from the supply lower 1, each air valve 10° 14.23, 26, 33, 43.5
3 is supplied via piping 75 for control of filter 7.
2. It is also supplied to the upper part of the liquid level of the surfactant tank 11 through a pipe 76 via a regulator 73, a gauge 74, etc. Also, some of the compressed gas is absorbed by the main body cover (
Not shown. ) is also used for opening and closing using the piping 77.
このような配管系を有する本実施例のウェハキャリア洗
浄装置の回転手段３は、その駆動装置７によって回転動
作する。駆動装置７は、回転軸をベルト駆動するもの、
気圧で回転させるもの等その方式を問わない。ここで、
本実施例のウェハキャリア洗浄装置の動作の一例につい
て、第１表に示すそのプログラムリストを参照しながら
説明する。The rotating means 3 of the wafer carrier cleaning apparatus of this embodiment having such a piping system is rotated by the driving device 7 thereof. The drive device 7 drives the rotating shaft with a belt,
The method does not matter, such as those that are rotated by air pressure. here,
An example of the operation of the wafer carrier cleaning apparatus of this embodiment will be described with reference to the program list shown in Table 1.
（以下、余白）
第１表
〔弁制御信号について；■はエア三方弁１０．■はエア
弁１４．■はエア弁２６．■はエア弁３４゜■はエア弁
３３．■はエア弁４３．■はエア弁５３のそれぞれ開状
態を意味する。〕
（以下、余白）
上記第１表に示したプログラムリストに従って本実施例
のウェハキャリア洗浄装置を動作させた場合、まず手順
（００）では、第１の動作である洗浄動作が行われる。(Hereafter, blank space) Table 1 [Regarding valve control signals; ■ indicates air three-way valve 10. ■ is air valve 14. ■ is air valve 26. ■ is air valve 34° ■ is air valve 33. ■ is air valve 43. (2) means each air valve 53 is in an open state. ] (Hereinafter, blank space) When the wafer carrier cleaning apparatus of this embodiment is operated according to the program list shown in Table 1 above, first, in step (00), a cleaning operation, which is a first operation, is performed.
すなわち、配管１２のエア弁１４が開状態とされ、エア
三方弁ｌｏ４開状態とされる。このため、上記界面活性
剤タンク１１の界面活性剤は、配管１２を通りエア弁１
４．フィルター１５．逆止弁１６を介して上記エア三方
弁ＩＯに至る。また、このときエア弁２６も開状態とさ
れ、純水供給口２１からの純水が配管２５を介して上記
エア三方弁ｌＯに至る。そこで、このエア三方弁１０で
は界面活性剤と純水の双方が混ぜられ上記配管９を通っ
て上記キャリア洗浄用ボスト２に送られる。そして、キ
ャリア洗浄用ボスト２の表面に設けられた各ノズル５か
ら、ある程度純水で希釈されたかたちで界面活性剤がウ
ェハキャリアｌに向かって噴出する。なお、このときエ
ア弁２３．３３は閉状態にある。一方、ウェハキャリア
ｌが支持されている回転手段３は、駆動装置７の制御に
よってその回転数が３０（「１ｍ）であって・比較的低
速度の回転状態にある。このため、上記ノズル５から噴
出した界面活性剤は・遠心力等で飛ばされることもなく
、ウェハキャリアｌの全般に塗布されることになる。な
お、このとき上記底部ノズル６からは、上記エア弁５３
が開状態とされ、且つ上記エア弁４３が閉状態とされる
ために乾燥気体が噴出しており、ウェハキャリアｌの全
体に亘って上記界面活性剤を浸透させることができる。That is, the air valve 14 of the pipe 12 is opened, and the three-way air valve lo4 is opened. Therefore, the surfactant in the surfactant tank 11 passes through the air valve 12 through the pipe 12.
4. Filter 15. The air flows through the check valve 16 to the air three-way valve IO. Further, at this time, the air valve 26 is also opened, and the pure water from the pure water supply port 21 reaches the air three-way valve IO via the piping 25. Therefore, in this three-way air valve 10, both the surfactant and pure water are mixed and sent to the carrier cleaning post 2 through the piping 9. Then, from each nozzle 5 provided on the surface of the carrier cleaning post 2, the surfactant is ejected toward the wafer carrier l in a form diluted with pure water to some extent. Note that at this time, the air valves 23, 33 are in a closed state. On the other hand, the rotation means 3 on which the wafer carrier l is supported is in a relatively low rotational state with a rotation speed of 30 (1 m) under the control of the drive device 7. Therefore, the nozzle 5 The surfactant spouted from the bottom nozzle 6 is not blown away by centrifugal force and is applied to the entire wafer carrier 1. At this time, the air valve 53
Since the is opened and the air valve 43 is closed, dry gas is blown out, allowing the surfactant to permeate throughout the wafer carrier I.
次に、手順（０１）では、第２の動作として上記エア三
方弁１０．エア弁１４，２６．５３が閉状態になり、逆
にエア弁２３．エア弁４３が開状態になる。すると、上
記ノズル５からは純水が噴出し、上記底面ノズル６から
も純水が噴出する。Next, in step (01), as a second operation, the air three-way valve 10. Air valves 14, 26.53 are closed, and conversely air valves 23. Air valve 43 becomes open. Then, pure water is ejected from the nozzle 5, and pure water is also ejected from the bottom nozzle 6.
これらノズル５等からの純水の噴出によって、手順（０
０）で塗布された界面活性剤がすすがれて行くことにな
る。このときの回転速度は、比較的低速度とされる。By jetting pure water from these nozzles 5, etc., the procedure (0
The surfactant applied in step 0) will be rinsed away. The rotational speed at this time is relatively low.
次に、バルブの切り換え手順（０２）が行われる。この
ときエア弁２３．エア弁４３が閉状態になる。乾燥気体
の純水系の配管への逆流等を防止するためである。Next, a valve switching procedure (02) is performed. At this time, air valve 23. Air valve 43 is closed. This is to prevent backflow of dry gas into the pure water system piping.
そして、続いて手順（０３）では、乾燥気体が装置内に
導入される。すなわち、上記エア弁３３及び上記エア弁
５３が閉状態から開状態に変化する。すると、上記キャ
リア洗浄用ボスト２の各ノズル５からは、乾燥気体（窒
素）が吹き出し、上記手順（０１）でリンスされたウェ
ハキャリアｌに乾燥気体が吹き当てられて行くことにな
る。Then, in step (03), dry gas is introduced into the apparatus. That is, the air valve 33 and the air valve 53 change from the closed state to the open state. Then, dry gas (nitrogen) is blown out from each nozzle 5 of the carrier cleaning post 2, and the dry gas is blown onto the wafer carrier l rinsed in the step (01).
次に、手順（０４）では、再び純水が供給される。上記
エア弁３３及び上記エア弁５３は閉状態になり、上記エ
ア弁２３及び上記エア弁４３が開状態になる。すると、
上記ノズル５からは純水が噴出し、上記底面ノズル６か
らも純水が噴出する。Next, in step (04), pure water is supplied again. The air valve 33 and the air valve 53 are in a closed state, and the air valve 23 and the air valve 43 are in an open state. Then,
Pure water is ejected from the nozzle 5, and pure water is also ejected from the bottom nozzle 6.
これら再度の純水の供給によって、−度リンスされたウ
ェハキャリア１が更にすすがれて行くことになる。By supplying pure water again, the wafer carrier 1, which has been rinsed twice, is further rinsed.
手順（０５）では、上記手順（０２）と同様なバルブの
切り換え操作が行われる。そして、手順（０６）では、
ウェハキャリア１の乾燥状態に入る。すなわち、上記エ
ア弁３３及び上記エア弁５３が閉状態から開状態に変化
する。その結果、上記キャリア洗浄用ボスト２の各ノズ
ル５からは、乾燥気体（窒素）が吹き出し、上記手順（
０４）でリンスされたウェハキャリア１に乾燥気体が吹
き当てられて行くことになる。In step (05), the same valve switching operation as in step (02) is performed. Then, in step (06),
The wafer carrier 1 enters a dry state. That is, the air valve 33 and the air valve 53 change from the closed state to the open state. As a result, dry gas (nitrogen) is blown out from each nozzle 5 of the carrier cleaning post 2, and the above procedure (
Dry gas is blown onto the wafer carrier 1 which has been rinsed in step 04).
続いて、手順（０７）で、回転手段３の回転数がおよそ
３００ （ｒＩＩｌｐ）程度に増加し、手順（０８）で
は、その回転数が１０００ （ｒＩＩｌｐ）程度に増強
される。このように回転手段３を高速に回転させ、同時
に乾燥気体をウェハキャリア１に吹き当てて行くことに
より、ウェハキャリア１の表面等にある水分等が遠心力
で除かれていくことになる。Subsequently, in step (07), the rotational speed of the rotating means 3 is increased to about 300 (rIIlp), and in step (08), the rotational speed is increased to about 1000 (rIIlp). By rotating the rotating means 3 at a high speed and simultaneously blowing dry gas onto the wafer carrier 1 in this way, moisture etc. on the surface of the wafer carrier 1 are removed by centrifugal force.
そして、所定時間経過後、ウェハキャリア１はダストが
十分に除去された状態で十分に乾燥されることになる。Then, after a predetermined period of time has elapsed, the wafer carrier 1 is sufficiently dried with dust sufficiently removed.
以下、手順（０９）で回転手段３を減速し、その後、十
分に洗浄されたウェハキャリアｌを取り出すことができ
る。Thereafter, the rotation means 3 is decelerated in step (09), and then the wafer carrier 1 that has been sufficiently cleaned can be taken out.
このように、本実施例のウェハキャリア洗浄装置では、
洗浄、リンス、乾燥の各作業を行う場合の液体及び気体
や回転手段３の回転数を、各作業に通したものに設定し
て動作させている。このため、ウェハキャリアの十分な
洗浄効果を効率良く得ることができる。また、界面活性
剤は上記エア三方弁１０で純水と混合されて用いられる
。このため界面活性剤タンク１１のサイズを小さくする
ことができる。また、ウェハキャリア洗浄装置自体を安
価にすることも可能である。In this way, in the wafer carrier cleaning apparatus of this embodiment,
The liquid and gas used in each of the cleaning, rinsing, and drying operations and the rotational speed of the rotating means 3 are set to the same values as those used for each operation. Therefore, a sufficient cleaning effect of the wafer carrier can be efficiently obtained. Further, the surfactant is used after being mixed with pure water in the air three-way valve 10. Therefore, the size of the surfactant tank 11 can be reduced. Moreover, it is also possible to reduce the cost of the wafer carrier cleaning apparatus itself.
なお、上述の実施例における回転数や時間等は、例示で
あり、ウェハキャリアのダストの様子等に応じて変更す
ることができる。底面ノズル６についても、その位置が
回転手段３の側壁側にあるような構造としても良い。Note that the rotation speed, time, etc. in the above-mentioned embodiments are merely examples, and can be changed depending on the state of dust on the wafer carrier. The bottom nozzle 6 may also have a structure in which its position is on the side wall side of the rotating means 3.
以上、本発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本
発明は上述の実施例に限定されることな（、本発明の技
術的思想に基づく種々の変形が可能である。Although the present invention has been specifically described above based on Examples, the present invention is not limited to the above-mentioned Examples (and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention).
（発明の効果〕
本発明のウェハキャリア洗浄装置は、界面活性剤を上述
の各動作によって、有効に活用し、且つリンス、乾燥を
行う、このため、ウェハキャリアの十分な洗浄効果を効
率良く得ることができる。(Effects of the Invention) The wafer carrier cleaning device of the present invention effectively utilizes the surfactant through the above-mentioned operations, and also performs rinsing and drying. Therefore, a sufficient cleaning effect of the wafer carrier can be efficiently obtained. be able to.
第１図は本発明のウェハキャリア洗浄装置の一例にかか
るブロック図である。
１・・・ウェハキャリア
２・・・キャリア洗浄用ポスト
３・・・回転手段
５・・・ノズル
ｌＯ・・・エア三方弁
１１・・・界面活性剤タンク
１４．２３，２６，３３，４３．５３・・・エア弁特許
出願人 ソニー株式会社
代理人弁理士 小泡 晃（他２名）FIG. 1 is a block diagram of an example of a wafer carrier cleaning apparatus of the present invention. 1... Wafer carrier 2... Carrier cleaning post 3... Rotating means 5... Nozzle lO... Air three-way valve 11... Surfactant tank 14.23, 26, 33, 43. 53... Air valve patent applicant Akira Kowa, Sony Corporation representative patent attorney (and 2 others)
Claims (1)
るノズルと、 そのノズルを中心にしてウェハキャリアを回転させる回
転手段を有し、 少なくとも上記界面活性剤と上記乾燥気体を供給して、
上記回転手段を第１の回転速度で動作させて上記ウェハ
キャリアに上記界面活性剤を塗布する第１の動作と、 上記界面活性剤の供給を止めて、上記回転手段を所定回
転速度で動作させて上記純水を供給する第２の動作と、 上記純水の供給を止めて、上記回転手段を上記第１の回
転速度よりも高速な第２の回転速度で回転して乾燥気体
を供給する第３の動作を行うことを特徴とするウェハキ
ャリア洗浄装置。[Scope of Claims] A nozzle for supplying at least a liquid surfactant, pure water, and a dry gas, and a rotating means for rotating a wafer carrier around the nozzle; supply,
a first operation of applying the surfactant to the wafer carrier by operating the rotation means at a first rotation speed; and a first operation of operating the rotation means at a predetermined rotation speed while stopping the supply of the surfactant. a second operation of supplying the deionized water; and stopping the supply of the deionized water and rotating the rotating means at a second rotational speed higher than the first rotational speed to supply dry gas. A wafer carrier cleaning device characterized by performing a third operation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2438588A JP2646611B2 (en) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | Wafer carrier cleaning equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2438588A JP2646611B2 (en) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | Wafer carrier cleaning equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199431A true JPH01199431A (en) | 1989-08-10 |
| JP2646611B2 JP2646611B2 (en) | 1997-08-27 |
Family
ID=12136712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2438588A Expired - Lifetime JP2646611B2 (en) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | Wafer carrier cleaning equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646611B2 (en) |
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1988
- 1988-02-04 JP JP2438588A patent/JP2646611B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2646611B2 (en) | 1997-08-27 |
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