JPH01187962A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01187962A JPH01187962A JP1302088A JP1302088A JPH01187962A JP H01187962 A JPH01187962 A JP H01187962A JP 1302088 A JP1302088 A JP 1302088A JP 1302088 A JP1302088 A JP 1302088A JP H01187962 A JPH01187962 A JP H01187962A
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- Japan
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- integrated circuit
- chip
- semiconductor
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に複数個のマイクロ波
用集積回路チップが１個の半導体容器に実装されるマイ
クロ波用集積回路装置に関する。
用集積回路チップが１個の半導体容器に実装されるマイ
クロ波用集積回路装置に関する。
マイクロ波通信は、多くのデータ量を伝送できる事から
都市内通信、衛星通信と飛躍的に増加している。これら
に使用される半導体装置は小型。
都市内通信、衛星通信と飛躍的に増加している。これら
に使用される半導体装置は小型。
低電力、高信頼性が要求される。例えばガリウム砒素を
用いた化合物半導体素子は不可欠であり、ＦＥＴ単体の
みならず周辺回路と一体化したマイクロ波モノリシック
集積回路（以下、ＭＭＩＣと略す）の開発・実用化が活
発に行なわれている。
用いた化合物半導体素子は不可欠であり、ＦＥＴ単体の
みならず周辺回路と一体化したマイクロ波モノリシック
集積回路（以下、ＭＭＩＣと略す）の開発・実用化が活
発に行なわれている。
更にこうしたＭＭＩＣチップ複数個を１個の半導体容器
に収納し、１個のシステム機能を１個の混成集積回路構
成した半導体装置の要求が強くなってきている。
に収納し、１個のシステム機能を１個の混成集積回路構
成した半導体装置の要求が強くなってきている。
次に、ＭＭＩＣ複数個を１個の半導体容器に収納した従
来構造について第３図を用いて説明する。複数個のＭＭ
ＩＣチップ４が付加回路を形成した膜回路基板らととも
に１個の半導体容器２に実装されている。半導体容器２
には横方向に導出する複数のリードが設けられている。
来構造について第３図を用いて説明する。複数個のＭＭ
ＩＣチップ４が付加回路を形成した膜回路基板らととも
に１個の半導体容器２に実装されている。半導体容器２
には横方向に導出する複数のリードが設けられている。
ＭＭＩＣチップ４及び付加回路が形成された膜回路基板
５は例えば金すず合金等の接着剤により半導体容器２の
実装面３に取りつけられ、リード１と膜回路基板５やＭ
ＭＩＣチップ４との間は例えば金のポンディング線によ
り接続されている。
５は例えば金すず合金等の接着剤により半導体容器２の
実装面３に取りつけられ、リード１と膜回路基板５やＭ
ＭＩＣチップ４との間は例えば金のポンディング線によ
り接続されている。
上述した従来の半導体装置は、半導体容器２の同一実装
面３に複数個のＭＭＩＣチップ４と膜回路基板５とを同
時に接着する為に厳密な相対的位置精度を要求する事、
複数のＭＭＩＣチップ４のうち１個でも不良の場合、全
体が不良になってしまう事、膜回路基板５、ＭＭＩＣチ
ップ４をリード１の高さと合わせる為に半導体容器２の
実装面３に凹凸をつける必要があり、この為半導体容器
２の構造が複雑になる事、ＭＭＩＣチップ４で発する熱
を放熱させる熱設計をする際に半導体容器２自体の材質
を固定してしまわなくはならず、材質を選択できる余地
が狭くなる事などから、生産性を著しく低下させると共
に低価格にもなり難いという欠点があった。
面３に複数個のＭＭＩＣチップ４と膜回路基板５とを同
時に接着する為に厳密な相対的位置精度を要求する事、
複数のＭＭＩＣチップ４のうち１個でも不良の場合、全
体が不良になってしまう事、膜回路基板５、ＭＭＩＣチ
ップ４をリード１の高さと合わせる為に半導体容器２の
実装面３に凹凸をつける必要があり、この為半導体容器
２の構造が複雑になる事、ＭＭＩＣチップ４で発する熱
を放熱させる熱設計をする際に半導体容器２自体の材質
を固定してしまわなくはならず、材質を選択できる余地
が狭くなる事などから、生産性を著しく低下させると共
に低価格にもなり難いという欠点があった。
本発明の目的は、以上の欠点を解決し、低価格で生産性
の高い半導体装置を提供する事にある。
の高い半導体装置を提供する事にある。
本発明によれば、集積回路チップ及びこの集積回路チッ
プに付随する付加回路を１枚のサブキャリア上に一定の
特性インピーダンスに整合された状態も実装した後、こ
のサブキャリアを複数個半導体容器に実装した半導体装
置が得られる。サブキャリアは個々の集積回路チップ毎
に設け、複数のサブキャリアを１つの半導体容器に実装
することが効果的である。
プに付随する付加回路を１枚のサブキャリア上に一定の
特性インピーダンスに整合された状態も実装した後、こ
のサブキャリアを複数個半導体容器に実装した半導体装
置が得られる。サブキャリアは個々の集積回路チップ毎
に設け、複数のサブキャリアを１つの半導体容器に実装
することが効果的である。
次に、本発明を図面を踏部より詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図である。例え
ば、２．５Ｘ２．５ＸＯ，ｌ ４ ｔｍｍの砒素ガリウ
ムから成る１個のＭＭＩＣチップ４と、このチップ４に
付随する付加回路の形成された１、５×１、ＯＸ Ｏ，
３８ｔｍｍのアルミナ基板からなる膜回路基板５が例え
ば金すず合金による接着剤により例えば４．５Ｘ３Ｘ０
．５ｔｍｍの銅とタングステンの燃焼合金に金メツキを
２μｍ施したサブキャリア６上に接着されたものを１個
の単位として、複数個のサブキャリア６が横方向リード
１のついた例えばコバー材からなる半導体容器Ｚ上に例
えばエポキシ系材に銀を曲ぜた接着剤により半導体容器
２の実装面３上に接着されている。
ば、２．５Ｘ２．５ＸＯ，ｌ ４ ｔｍｍの砒素ガリウ
ムから成る１個のＭＭＩＣチップ４と、このチップ４に
付随する付加回路の形成された１、５×１、ＯＸ Ｏ，
３８ｔｍｍのアルミナ基板からなる膜回路基板５が例え
ば金すず合金による接着剤により例えば４．５Ｘ３Ｘ０
．５ｔｍｍの銅とタングステンの燃焼合金に金メツキを
２μｍ施したサブキャリア６上に接着されたものを１個
の単位として、複数個のサブキャリア６が横方向リード
１のついた例えばコバー材からなる半導体容器Ｚ上に例
えばエポキシ系材に銀を曲ぜた接着剤により半導体容器
２の実装面３上に接着されている。
第２図は、本発明の他の実施例を示す断面図である。例
えば、２．５Ｘ２．５Ｘ０．１４ を胴の砒素ガリウム
から成る１個のＭＭＩＣチップ４及びチップに付随する
付加回路の形成された１、５Ｘ Ｉ Ｘｏ、３８ ｔｍ
ｍのアルミナ基板からなる膜回路基板５が例えば金すず
合金による接着剤により例えば４．５ Ｘ ３ Ｘ Ｏ
，５ｔｍｍの銅とタングステンの焼結合金に金メツキを
２μｍ施したサブキャリア６上に接着されたものを１個
の単位として、複数個のサブキャリア６が下出しり一ド
１のついた例えば４２合金材からなる円筒型半導体容器
２上に倒えばエポキシ系材に銀を混ぜた接着剤により半
導体容器２′の実装面３上に装着されている。
えば、２．５Ｘ２．５Ｘ０．１４ を胴の砒素ガリウム
から成る１個のＭＭＩＣチップ４及びチップに付随する
付加回路の形成された１、５Ｘ Ｉ Ｘｏ、３８ ｔｍ
ｍのアルミナ基板からなる膜回路基板５が例えば金すず
合金による接着剤により例えば４．５ Ｘ ３ Ｘ Ｏ
，５ｔｍｍの銅とタングステンの焼結合金に金メツキを
２μｍ施したサブキャリア６上に接着されたものを１個
の単位として、複数個のサブキャリア６が下出しり一ド
１のついた例えば４２合金材からなる円筒型半導体容器
２上に倒えばエポキシ系材に銀を混ぜた接着剤により半
導体容器２′の実装面３上に装着されている。
本発明によれば、ＭＭＩＣチップ４及び付加回路を形成
した膜回路基板５を１個のサブキャリア６上に実装して
、このサブキャリア６を１個のユニットとして扱う事に
より、実装時に複数個のＭＭＩＣチップ４と複数個の膜
回路基板５を同時に接着する必要がなく階段的に接着で
きる為にＭＭＩＣチップ４間の位置精度が要求されず、
作業性が向上する。また、半導体容器２の実装面３に凹
凸をつけて複雑な形状にする必要が無く、半導体容器２
の単価を低減する事ができ、実装面３を平坦面にできる
ところから、例えばメツキ変色といった不良を低減でき
る。また、サブキャリア６０入出力端を例えば５０Ωと
いった一定の特性インピーダンスで整合しである為に、
高周波特性測定がＭＭＩＣチップ４単体状態よりも高精
度で実施できるところから、複数個のＭＭＩＣチップ４
０組み合せた特性が均一化でき、歩留の向上、価格の低
価格化、安定生産を可能とする効果がある。サブキャリ
ア６は、例えば金すず合金によるろう付けで半導体容器
２に実装される為に、高周波での接地インダクタンスも
小さく抑えられ特性向上にも効果を有する。
した膜回路基板５を１個のサブキャリア６上に実装して
、このサブキャリア６を１個のユニットとして扱う事に
より、実装時に複数個のＭＭＩＣチップ４と複数個の膜
回路基板５を同時に接着する必要がなく階段的に接着で
きる為にＭＭＩＣチップ４間の位置精度が要求されず、
作業性が向上する。また、半導体容器２の実装面３に凹
凸をつけて複雑な形状にする必要が無く、半導体容器２
の単価を低減する事ができ、実装面３を平坦面にできる
ところから、例えばメツキ変色といった不良を低減でき
る。また、サブキャリア６０入出力端を例えば５０Ωと
いった一定の特性インピーダンスで整合しである為に、
高周波特性測定がＭＭＩＣチップ４単体状態よりも高精
度で実施できるところから、複数個のＭＭＩＣチップ４
０組み合せた特性が均一化でき、歩留の向上、価格の低
価格化、安定生産を可能とする効果がある。サブキャリ
ア６は、例えば金すず合金によるろう付けで半導体容器
２に実装される為に、高周波での接地インダクタンスも
小さく抑えられ特性向上にも効果を有する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示す断面
図、第２図は、本発明の他の実施例による半導体装置を
示す断面図、第３図は、従来構造の半導体装置を示す断
面図である。 １・・・・・・リード、２，２′・・・・・・半導体容
器、３・・・・・・実装面、４・・・・・・ＭＭＩＣチ
ップ、５・・・・・・膜回路基板、６・・・・・・サブ
キャリア。 代理人 弁理士 内 原 音
図、第２図は、本発明の他の実施例による半導体装置を
示す断面図、第３図は、従来構造の半導体装置を示す断
面図である。 １・・・・・・リード、２，２′・・・・・・半導体容
器、３・・・・・・実装面、４・・・・・・ＭＭＩＣチ
ップ、５・・・・・・膜回路基板、６・・・・・・サブ
キャリア。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 集積回路チップ及び該集積回路チップに付随する付加
回路を１枚のサブキャリア上に実装した後、更に該サブ
キャリアの複数個を単一の半導体容器に実装したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302088A JPH01187962A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302088A JPH01187962A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187962A true JPH01187962A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11821463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1302088A Pending JPH01187962A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104519949A (zh) * | 2012-05-09 | 2015-04-15 | 梅多克有限公司 | 改进的热刺激探测器以及热刺激方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52107782A (en) * | 1976-03-08 | 1977-09-09 | Nec Corp | Super-high frequency ic unit |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1302088A patent/JPH01187962A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52107782A (en) * | 1976-03-08 | 1977-09-09 | Nec Corp | Super-high frequency ic unit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104519949A (zh) * | 2012-05-09 | 2015-04-15 | 梅多克有限公司 | 改进的热刺激探测器以及热刺激方法 |
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